Leccin 3

EL DIODO DE POTENCIA

Sistemas Electrnicos de Alimentacin 5 Curso. Ingeniera de Telecomunicacin

Ecuacin caracterstica del diodo

i = IS(e
donde: VT = kT/q

V VT

-1)

IS = Aq ni2(Dp/(NDLp)+Dn/(NALn))

Polarizacin directa con VO > V >> VT DIODOS DE POTENCIA

i IS

V e VT

(dependencia exponencial)

Polarizacin inversa con V << -VT

i -IS

Corriente inversa de saturacin (constante)

Curva caracterstica
i

+
V

i [mA]
(exponencial)

P N

-0.25 0 0.25

V [V]

DIODOS DE POTENCIA

i [A]
-0.5 0

V [V]

-0.8 (constante)

Curva caracterstica

Avalancha primaria

+ + + -

+ i [A] V [Volt.]
0

i
DIODOS DE POTENCIA

+ V -40

La corriente aumenta fuertemente si se producen pares electrnhueco adicionales.

+ -- +

--

-2

Concepto de diodo ideal

En polarizacin directa, la cada de tensin es nula, sea cual sea el valor de la corriente directa conducida

i
nodo

+
V

DIODOS DE POTENCIA

curva caracterstica V
En polarizacin inversa, la corriente conducida es nula, sea cual sea el valor de la tensin inversa aplicada

Ctodo

El diodo semiconductor

nodo
nodo
Encapsulado (cristal o resina sinttica)

Terminal
Contacto metalsemiconductor

DIODOS DE POTENCIA

P N
Marca sealando el ctodo

Oblea de semiconductor Contacto metalsemiconductor

Ctodo

Ctodo

Terminal

Encapsulados de diodos
Axiales

1N4148 (Si)

DO 201

DO 204

DIODOS DE POTENCIA

1N4007 (Si)

Agrupacin de diodos semiconductores

2 diodos en ctodo comn Puente de diodos Anillo de diodos

~ +
DIODOS DE POTENCIA

+
+ ~ ~ -

~ -

B380 C3700 (Si)

~ +~

BYT16P-300A (Si) B380 C1500 (Si)

HSMS2827 (Schottky Si)

Encapsulados de diodos
D 61 TO 220 AC

DOP 31

DO 5

DIODOS DE POTENCIA

TO 247 B 44

Encapsulados de diodos
Mdulos de potencia Varios dispositivos en un encapsulado comn

Alta potencia
Aplicaciones Industriales Se pueden pedir a medida

DIODOS DE POTENCIA

Motores

Satlites

Curvas caractersticas y circuitos equivalentes

i
Curva caracterstica ideal
Curva caracterstica real Curva caracterstica asinttica pendiente = 1/rd DIODOS DE POTENCIA

V 0 V
ideal Circuito equivalente asinttico

rd
real (asinttico)

Caractersticas fundamentales Tensin de ruptura

Cada de tensin en conduccin

Corriente mxima Velocidad de conmutacin

Tensin de ruptura

DIODOS DE POTENCIA

Baja tensin 15 V 30 V 45 V

Media tensin 100 V 150 V 200 V

Alta tensin 500 V 600 V 800 V

55 V
60 V 80 V

400 V

1000 V
1200 V

Tensin de codo

i
Curva caracterstica real

pendiente = 1/rd

V
DIODOS DE POTENCIA

0 V
A mayor tensin de ruptura , mayor cada de tensin en conduccin
Seal VRuptura VCodo < 100 V 0,7 V Potencia 200 1000 V <2V Alta tensin 10 20 kV >8V

Curva real de un dispositivo 200 V 600 V

10 A

10 A

DIODOS DE POTENCIA

0,82 V

1,1 V

Datos del diodo en corte

Tensin inversa VRRM

Repetitive Peak Voltage

DIODOS DE POTENCIA

La tensin mxima es crtica Pequeas sobretensiones pueden romper el dispositivo

Datos del diodo en conduccin Corriente directa IF Corriente directa de pico repetitivo IFRM
Forward Current Repetitive Peak Forward Current

DIODOS DE POTENCIA

La corriente mxima se indica suponiendo que el dispositivo est atornillado a un radiador

Caractersticas dinmicas Indican capacidad de conmutacin del diodo

R a V1
DIODOS DE POTENCIA

b V2 i
V1/R

i + V t

Transicin de a a b

Comportamiento dinmicamente ideal

V
-V2

Caractersticas dinmicas

Transicin de a a b

R a
V1
DIODOS DE POTENCIA

b V2

i + V

V1/R

trr
ts -V2/R

t
tf (i= -0,1V2/R)

ts = tiempo de almacenamiento (storage time )

tf = tiempo de cada (fall time ) trr = tiempo de recuperacin inversa (reverse recovery time )

V
-V2

Caractersticas dinmicas

Transicin de b a a (encendido) El proceso de encendido es ms rpido que el apagado.

R a b V2 i
DIODOS DE POTENCIA 0,9V1/R 0,1V1/R

i +
V -

V1

td

tr

td = tiempo de retraso (delay time ) tr = tiempo de subida (rise time ) tfr = td + tr = tiempo de recuperacin directa (forward recovery time )

tfr

Caractersticas dinmicas

DIODOS DE POTENCIA

Caractersticas Principales

Corriente directa Tensin inversa Tiempo de recuperacin Cada de tensin en conduccin

DIODOS DE POTENCIA

Encapsulado

Prdidas en el diodo 2 Tipos

Estticas
Dinmicas

Prdidas estticas

iD
ideal DIODOS DE POTENCIA

iD

rd
V

Vr VF PD (t) = vD (t)iD (t) = (V + rD i(t)) i(t)

1 PD PD (t )dt T0
PD = VID + rD Ief2
ID : Valor medio Ief : Valor eficaz

Prdidas en el diodo Prdidas dinmicas (Perdidas de conmutacin)

Las conmutaciones no son perfectas

Hay instantes en los que conviven tensin y corriente V1/R

trr

t
DIODOS DE POTENCIA
-V2/R 0,8 V

PD (t) = vD (t)iD (t)

t
-V2

Caractersticas Trmicas Las prdidas generan calor y ste debe ser evacuado

El silicio pierde sus propiedades semiconductoras a partir de 150

Equivalente elctrico

RTHjc

RTHca

c
DIODOS DE POTENCIA

Si
P (W)

P (W)

j
oblea

a
ambiente

Ta

Ta : Temperatura ambiente

c
encapsulado

Tensiones = Temperaturas Corriente = Prdidas (W)

Caractersticas Trmicas

La resistencia trmica oblea encapsulado es baja ( 0,5 C/W) La resistencia trmica encapsulado- ambiente es alta ( 50 C/W) Para reducir la temperatura se puede colocar un radiador

DIODOS DE POTENCIA

Conectamos una resistencia en paralelo con la RTHca

RTHjc

RTHca

c
P (W) RTH radiador

Ta

Tipos de diodos Se clasifican en funcin de la rapidez (trr) VRRM Standard Fast Ultra Fast Schottky 100 V - 600 V 100 V - 1000 V 200 V - 800 V 15 V - 150 V IF 1 A 50 A 1 A 50 A 1 A 50 A 1 A 150 A trr > 1 s 100 ns 500 ns 20 ns 100 ns < 2 ns

DIODOS DE POTENCIA

Las caractersticas se pueden encontrar en Internet (pdf)

Direcciones web www.irf.com www.onsemi.com www.st.com www.infineon.com