0% menganggap dokumen ini bermanfaat
Memuat
Dokumen
Analysis On RF Parameters of Nanoscale Tunneling Field-Effect Transistor Based On Inas/Ingaas/Inp Heterojunctions
Ditambahkan oleh Radhay Spidy
Dokumen
Jang
Ditambahkan oleh Radhay Spidy
Dokumen
A New Approach To Extracting The RF Parameters of Asymmetric DG MOSFETs With The NQS Effect
Ditambahkan oleh Radhay Spidy
Dokumen
JNM 2283
Ditambahkan oleh Radhay Spidy
Dokumen
A New Approach To Extracting The RF Parameters of Asymmetric DG MOSFETs With The NQS Effect
Ditambahkan oleh Radhay Spidy
Dokumen
2pp MATLAB-Based Modeling To Study The Effects PDF
Ditambahkan oleh Radhay Spidy
Dokumen
FRSFGDR
Ditambahkan oleh Radhay Spidy