Unggahan
Nitrogen-Induced Increase of The Maximum Electron Concentration in Group III-N-V Alloys 0% menganggap dokumen ini bermanfaatEffect of Nitrogen On The Band Structure of Gainnas Alloys: W. Shan, W. Walukiewicz, and J. W. Ager Iii E. E. Haller 0% menganggap dokumen ini bermanfaatChapter 6 Nonequilibrium Excess Carriers in Semiconductors 0% menganggap dokumen ini bermanfaatSemiconductor Materials PDF 0% menganggap dokumen ini bermanfaatOptoelectronic Devices: Design, Modeling, and Simulation 0% menganggap dokumen ini bermanfaatSemi Age 0% menganggap dokumen ini bermanfaatSemiconductor Technologies: Principles 0% menganggap dokumen ini bermanfaatVan Der Pauw 0% menganggap dokumen ini bermanfaatAppendix A Hall Effect Measurements: Contents 0% menganggap dokumen ini bermanfaatTheoretical Investigations of Optical Properties of Ga (In) Asbi Quantum Well Systems Using 8-Band and 14-Band Models 0% menganggap dokumen ini bermanfaatHall Mobility 0% menganggap dokumen ini bermanfaat