Rekayasa Bahan 2012

TUGAS REKAYASA BAHAN SAMBUNGAN P-N SEBAGAI SENSOR THERMAL

DISUSUN OLEH: NIBRAS FITRAH YAYIENDA (2409 100 049) RAKHA ADITYA PRIM ARISTA WINANDA P (2409 100 051) (2409 100 059)

JURUSAN TEKNIK FISIKA FAKULTAS TEKNOLOGI INDUSTRI INSTITUT TEKNOLOGI SEPULUH NOPEMBER SURABAYA 2012

Rekayasa Bahan 2012

ABSTRAK

Semikonduktor ekstrinsik adalah semikonduktor yang sudah di dopping ada dua macam semikonduktor ekstrinsik yaitu semikonduktor tipe P dan semikonduktor tipe N. P-n junction terbentuk dengan menggabungkan semikonduktor tipe-N dan tipe-P bersamaan dalam hubungan yang sangat dekat. Istilah junction menunjuk ke bagian di mana kedua tipe semikonduktor tersebut bertemu. Salah satu contoh penggunaan semikonduktor P-N junction sebgai sensor thermal adalah thermistor. Nama termistor berasal dari Thermally Sensitive Resistor.

Rekayasa Bahan 2012

ABSTRACT

Ecstrinsic semiconductor is semiconconductor that had have been doppt. There are 2 kinds of ecstrinsic semiconductor tere are P type and N tyoe. P-N junction made from semiconductor P type and N type in the closest deistance. The name junction refer to the part of the both semiconductor meet. The apllication of P-N junction as thermal sensor s the thermistor. Name thermistor caome from Thremaly Resistive Resistor

Rekayasa Bahan 2012

BAB 1 PENDAHULUAN 1.1 LATAR BELAKANG Sambungan P-N merupakan salah satu komponen dasar dan sensor thermal merupakan sensor yang umum digunakan dalam kegiatan sehari- hari. Maka, sangat penting untuk memahami struktur dan cara operasi dari sambungan P-N sebagai sensor termal. Apalagi dengan makin berkembangnya ilmu mengenai rekayasa bahan, tentu sambungan P-N memiliki peran yang sangat besar dalam pembuatan berbagai macam divais. Hal itulah yang mendasari kami untuk menulis makalah dengan topik sambungan P-N sebagai sensor thermal.

1.2 PERMASALAHAN Permasalahan yang akan di bahas pada makalah ini adalah sebagai berikut : 1. 2. 3. Apakah itu sambungan P-N Bagaimana prinsip kerja sambungan P-N Bagaimana cara kerja sambungan P-N sebagai sensor thermal

1.3 TUJUAN Sedangkan tujuan disusunnya makalah ini adalah sebagai berikut : 1. Memahami pengertian sambungan P-N 2. Memahami prinsip kerja sambungan P-N 3. Memahami cara kerja sambungan P-N sebagai sensor termal

1.4 SISTEMATIKA PENULISAN Sistematika penulisan yang digunakan dalam penyusunan makalah ini adalah sebagai berikut: Bab I PENDAHULUAN Berisi tentang latar belakang, permasalahan, tujuan dan sistematika penulisan Bab II TEORI PENUNJANG Berisi tentang teori-teori semikonduktor P-N Bab III PENUTUP Berisi tentang kesimpulan dan saran beserta daftar pustaka

Rekayasa Bahan 2012

BAB II TEORI PENUNJANG

2.1 SEMIKONDUKTOR Semikonduktor adalah sebuah elemen dengan kemampuan listrik diantara sebuah konduktor dan insulator. Diantaranya yang termasuk dalam semikonduktor adalah Germanium dan Silicon. Dalam perkembangannya Silicon lebih dipilih daripada Germanium. Sebuah semikonduktor intrinsik adalah semikonduktor murni. Sebuah kristal Silicon adalah sebuah semikonduktor murni apabila setiap atom di dalam kristal adalah atom Silicon. Pada suhu kamar Silicon akan berperilaku seperti insulator. Semikonduktor ekstrinsik adalah semikonduktor yang sudah di dopping ada dua macam semikonduktor ekstrinsik yaitu semikonduktor tipe P dan semikonduktor tipe N. Semmikonduktor tipe P adalah semikonduktor dngan dopping lebih banyak hole pada semikonduktor tersebut. Sedangkan semikonduktor tipe N adalah semikonduktor dengan lebih bnyak elektron yang di Dopping

2.2 SEMIKONDUKTOR TIPE P-N P-n junction terbentuk dengan menggabungkan semikonduktor tipe-N dan tipe-P bersamaan dalam hubungan yang sangat dekat. Istilah junction menunjuk ke bagian di mana kedua tipe semikonduktor tersebut bertemu. Dapat dilihat sebagai perbatasan antara wilayah antara blok tipe-P dan tipe-N seperti yang diperlihatkan di diagram bawah:

Gambar 1. P-N Junction Tiap pasang ion positif dan ion negatif pada gambar 2 disebut dipole. Penciptaan dipole berarti satu elektron pita konduksi dan satu hole telah dikeluarkan dari sirkulasi. Jika terbentuk sejumlah dipole, daerah dekat junction dikosongkan dari muatan-muatan , daerah kosong ini disebut dengan daerah /lapisan pengosongan yang lebarnya 0,5 m. P -n junction pada kondisi open circuit : Tipe n

Atom pada tipe n akan menjadi donor (melepas elektron) sehingga memiliki ion positif Tipe p

Atom pada tipe p akan menjadi akseptor elektron sehingga akan memiliki ion negatif

Rekayasa Bahan 2012

Gambar 2. P-N Junction

Pada saat kesetimbangan maka : Sesaat setelah semikonduktor tipe p dan tipe n digabungkan akan terjadi proses difusi yang terdiri dari : Elektron dari sisi n akan berdifusi masuk ke sisi p melalui junction Hole dari sisi p akan bergerak ke sisi n Kedua proses tersebut akan membentuk daerah tidak bermuatan di sekitar junction yang disebut sebagai depletion region sebesar 5m Timbul medan listrik akibat terbentuknya dipole yang mendorong elektron kembali ke sisi n. Proses difusi akan terus berlangsung sampai drift akibat medan listrik yang timbul akibat adanya dipole sama dengan arus difusi sehingga akan tercapai kondisi kesetimbangan dimana tidak ada elektron yang dapat berdifusi melalui junction ke sisi p.

Gambar 3. Pita Energi

Contact potensial (Vpn) antara sisi p dan sisi n (P-N junction) :

Rekayasa Bahan 2012

Dimana :

Nd = Konsentrasi kerapatan atau densitas donor (sisi n) NA = Konsentrasi kerapatan atau densitas akseptor (sisi p) Ni = konsentrasi kerapatan atau densitas dari bahan semikonduktor intrinsik TEGANGAN BARIER PADA P-N JUNCTION Pembangkitan tegangan barrier bergantung pada suhu junction, suhu yang lebih tinggi menciptakan banyak pasangan elektron dan hole, sehingga aliran pembawa minoritas melewati juction bertambah. Pada suhu 25C Potensial Barier pada dioda germanium (Ge)= 0,3 V dan dioda silikon (Si ) = 0,7 V.Potensial barrier tersebut berkurang 2,5 mV untuk setiap kenaikan 1 derajat Celcius.

BIAS PADA LAPISAN P-N Forward Bias Pada Lapisan P-N Gambar ilustrasi di bawah menunjukkan sambungan PN.Terminal negatif sumber/batery dihubungkan dengan bahan tipe-N dan terminal positif dihubungkan dengan bahan tipe-P, atau tegangan potensial sisi P lebih besar dari sisi N sehingga elektron dari sisi N akan bergerak untuk mengisi hole di sisi P. Kalau elektron mengisi hole disisi P, akan terbentuk hole pada sisi N karena ditinggal elektron. Ini disebut aliran hole dari P menuju N. Kalau mengunakan terminologi arus listrik, dikatakan terjadi arus listrik dari sisi P ke sisi N. Bias ini disebut bias maju (foward )

Gambar 4. Forward Bias

Rekayasa Bahan 2012

Reverse Bias Pada Lapisan P-N Pada sambungan reverse bias terminal negatif sumber/battery dihubungkan dengan bahan tipe-P dan terminal positif dihubungkan dengan bahan tipe-N. Pada kondisi ini hole dan elektron bergerak menuju ke ujung-ujung kristal (menjauhi junction), dimana elektron akan meninggalkan ion positif dan hole akan

meninggalkan ion negatif oleh sebab itu lapisan pengosongan akan bertambah lebar.Makin besar bias makin lebar pula lapisan pengosongan , oleh karena itu arus listrik sulit/tidak bisa mengalir dari sisi P ke N.Bias ini disebut bias balik (reverse )

Gambar 5. Reverse Bias

Zero Bias Pada Lapisan P-N Kondisi equilibrium seperti yang sudah dijelaskan diatas dapat tercapai pada saat P-N junction tanpa tegangan eksternal, dimana perbedaan potensial terbentuk di junction. Perbedaan potensial berikut disebut potensial built-in (Vbi).

. Gambar 6. P-N junction pada kondisi equilibrum

Setelah pengggabungan antara tipe p dan tipe n, elektron yang berada dekat dengan p-n interface cenderung menyebar ke daerah p. Sebagai electron difusi, electron-elektron tersebut meninggalkan ion bermuatan positif (donor) di wilayah n. Hal yang sama terjadi pada hole yang berada dekat dengan p-n interface, hole akan

Rekayasa Bahan 2012

berdifusi ke daerah n dan meninggalkan ion negative (akseptor). Akibatnya, daerah dekat p-n kehilangan netralitsnya dan menjadi bermuatan serta membentuk lapissan deplesi. Medan listrik terjadi di space charge region berlawanan dengan proses difusi untuk electron dan hole. Terdapat dua fenomena yang terjadi yaitu proses difusi cenderung menghasilkan space charge yang cenderung melawan difusi. Space charge region merupakan zona yang terjadi oleh ion tetap (donor atau akseptor) yang telah ditinggalkan oleh carrier difusi mayoritas.

Gambar 7. Junction zero bias

2.3 SEMIKONDUKTOR TIPE P-N SEBAGAI SENSOR THERMAL Rumusan uarus dari sambungan P-N sebagai sensor thermal dapat dirumuskan dengan menggunakan rumusan berikut ini [ ]

Salah satu contoh penggunaan semikonduktor P-N junction sebgai sensor thermal adalah seperti comtoh dibawah ini Kombinasi Sensor Temperatur p-n Junction dan kombinasinya dengan Jembatan Pemanas Udara Mikro

Dioda sensor temperature p-n junction dapat meliputi range temperature yang lebar, yaitu sekitar -200 - 500 C (-200 150 C dengan bias maju; 150 500 C dengan bias mundur-temperatur sekitar 1 V) dengan sensitivitas tinggi dan akurasi seperti NTC

Rekayasa Bahan 2012

thermistor. Telah diteliti bahnwa jembatan udara mikro 700mx700m mempunyai respon yang cepat (16 ms) dan mempunyai sensitivitas tinggi dan feedback kontrol yang stabil. Alat ini menggunakan op-amp sebagai penguat tegangan bias V langsung sebagai pn junction sensor temperature dan untuk memonitor arus diode I bernanding dengan temperature T. alat ini digunakan sebagai sensor kelembaban, sensor aliran thermal, dan sensor analisis thermal.

Prinsip Kerja pn Junction sensor temperature Arus I pn junction diode diberikan tegangan bias maju V.

Arus saturasi bias mundur I0 mempunyai temperature tinggi yang tergantung ecp (-qVd/nkT).

Struktur Alat Temperature -196 150 C menunjukkan tegangan bias maju sebesar 0.45, 0.50, 0.55, 0.60, 0.70, 0.80, 0.90, 1.0, 1.1 V dan 150 450 C pada bias mundur -1 V

Rekayasa Bahan 2012

Gambar 10. Struktur Alat Berikut adalah grafik hubungan antara Temperatur 1/T dengan Arus I :

Gambar 11. Kurva Temperatur dan Arus

Gambar 12. Kurva Temperatur dan Resistansi

Rekayasa Bahan 2012

Gambar 13. Rangkaian Alat

Rekayasa Bahan 2012

BAB III PENUTUP

3.1 Kesimpulan 1. P-n junction terbentuk dengan menggabungkan semikonduktor tipe-N dan tipe-P bersamaan dalam hubungan yang sangat dekat. 2. Sambungan P-N bekerja berdasarkan prinsip perpindahan elektron dan hole dari semikonduktor tipe P dan N 3. Untuk sensor thrmal thermistor tipe NTC semakin besar suhu maka resistansi yang dihasilkan akan semakin kecil 4. Untuk sensor thermal PTC semakin besar suhunya maka resistansi yang dihasilkan semakin besar sampai titik tertentu dan akhirnya takan bersifat seperti NTC.

Rekayasa Bahan 2012

DAFTAR PUSATAKA

1. Zambuto Mauro, Semiconductor Devices, McGraw-Hill International. 2. Kimura Et all, Thermistor-like P-N junction temperature-sensor-with variable sensitivity and its combinationwith micro-ais-bridge heater, 2003,Department of electrical engineering and information technologim, Tohoko Gakuin-University, Tagajo Miyagi Japan