TK 33205

ELEKTRONIKA DASAR
JURUSAN TEKNIK KOMPUTER
FAKULTAS TEKNIK DAN ILMU KOMPUTER
UNIVERSITAS KOMPUTER INDONESIA
Bahan Semikonduktor
Kamis, 15 Mei 2014 2

TEORI SEMIKONDUKTOR
Kamis, 15 Mei 2014 3
Elektronika : ilmu yang mempelajari sifat dan pemakaian
devais yang kerjanya berdasarkan aliran elektron di dalam
ruang hampa atau gas serta hole (lubang) di dalam
semikonduktor.
PENDAHULUAN
Aplikasinya pada Televisi (TV), radio, komputer,
instrumentasi, alat kendali, dan peralatan komunikasi
lainnya.
Dasar-dasar SK:
1. Teori atom
2. SK Intrinsik
3. SK Ekstrinsik
4. Konduksi dalam SK
5. Perubahan tegangan pada SK dengan doping tidak
merata
Kamis, 15 Mei 2014 4
Proton (Q+)

Inti Atom
mengitari atom
Neutron (Q=nol)
Atom

Elektron (Q -)
1. Teori Atom
Q
e
=Q
p
=1,6.10
-19
C
Kamis, 15 Mei 2014 5
Model dasar atom menurut BOHR :
Elektron mengelilingi inti atom pada orbitnya masing masing
Kulit terluar Atom disebut :
kulit valensi, dapat berisi
hingga 8 elektron (8e)
Konduktivitas atom
tergantung pada jumlah
electron pada kulit valensi:
a. Jika atom punya 1 elektron valensi (1 eV)mendekati
konduktor sempurna
b. Jika atom punya 8 elektron valensi (8 eV).kulit valensi
lengkap dan atomnya isolator
Jadi konduktivitas turun dengan bertambahnya eV ( elektron
valensi ).
TIGA JENIS BAHAN
Konduktor
Isolator
Semikonduktor :
1. Germanium
2. Silikon

- - - -
-
-
-
-
-
- -
-
-
-
-
- - - -
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
+32
STRUKTUR ATOM GERMANIUM
Inti atom dengan 32 proton
Orbit terluar : 4 elektron
Elektron bebas
Elektron valensi
Valensi 4 Semikonduktor
Orbit ketiga : 18 elektron
Orbit kedua : 8 elektron
Orbit pertama : 2 elektron
STRUKTUR ATOM SILIKON
Inti atom dengan 14 proton
Orbit terluar : 4 elektron
Elektron Valensi
Elektron bebas
Orbit kedua : 8 elektron
Orbit pertama : 2 elektron
- - -
-
-
-
- - -
-
-
-
-
-
+14
Valensi 4 Semikonduktor
Kamis, 15 Mei 2014 9
Semikonduktor : suatu atom yang berisi 4 elektron
valensi (4 eV). Jumlah elektron valensi di dalam
semikonduktor antara konduktor dan isolator, maka atom
semikonduktor bukan konduktor yang baik dan bukan
isolator yang baik.
Bahanbahan semikonduktor : Carbon (C) dengan 6
proton (2-4), Silikon (Si) dengan 14 proton (2-8-4), dan
Germanium (Ge) dengan 32 proton (2-8-18-4)
Silikon (Si) dan germanium (Ge) untuk membuat komponen
zat padat
Carbon (C) untuk membuat resistor dan potensiometer
6 p (2-4)
K
L
14 p (2-8-4)
K
L
M
Kamis, 15 Mei 2014 10
Kamis, 15 Mei 2014 11
Dasar Semikonduktor
Kamis, 15 Mei 2014 12
Kamis, 15 Mei 2014 13
Kamis, 15 Mei 2014 14
Hukumhukum dasar hubungan antara elektron dan kulit orbit :
1. Elektron pada kulit orbit tidak dapat berada pada ruang antara 2 kulit
orbit
2. Setiap kulit orbit sesuai dengan suatu energi. Semua elektron pada
kulit orbit yang sama mempunyai energi yang sama. Jumlah energi
akan naik jika jauh dari inti. Jadi elektron valensi mempunyai jumlah
energi paling tinggi.
3. Elekton yang meloncat dari kulit ke kulit maka elektron harus
menyerap energi untuk mengatasi perbedaan energi antara jumlah
enegi awal dan akhir.
4. Bila no 3 terpenuhi maka elektron dapat melepas energi yang diserap
dan kembali ke kulit yang berenergi rendah.
Kamis, 15 Mei 2014 15
Celah energi adalah ruang antara setiap dua kulit orbit.
Elektron melewati celah energi dan tidak dapat berada di
dalam celah energi, pada gambar diatas elektron harus
menyerap energi 1,1 eV (elektron valensi).
KRISTAL SILIKON
8 elektron valensi
stabil
isolator
ikatan valensi
25
o
C ?
PENGARUH TEMPERATUR
temperatur > 0
o
K = - 273
o
C
elektron bebas
hole
atom bergetar
25
o
C
kristal murni
- rekombinasi
- waktu hidup (lifetime) <<
Kamis, 15 Mei 2014 18
2. SemiKonduktor Intrinsik
Pada temperatur tinggi, elektron keluar dari ikatan kovalen
menjadi elektron bebas dan terbentuk hole (lubang)
Kamis, 15 Mei 2014 19
c
E
g
E
v
E



bidang
konduksi

elektron bebas

bidang celah
energi


bidang
valensi
hole

Bidang energi kristal
(x-tal) 0
0
K
Pada temperatur tinggi
c
E
v
E
Jika temperatur kristal dinaikkan sehingga elektron valensi
yang energi termal melebihi maka elektron meloncat ke
bidang konduksi menjadi elektron bebas.
Kamis, 15 Mei 2014 20
Kekosongan pada ikatan kovalen elektron keluar harus
bermuatan Q (+) kaena kristal harus netral. Kekosongan itu
disebut hole atau lubang.


a). 1 2 3 4 5 ion ke 2 mengisi hole pada ion ke 1

b). 1 2 3 4 5 ion ke 3 mengisi hole pada ion ke 2

c). 1 2 3 4 5 ion ke 4 mengisi hole pada ion ke 3 dan seterusnya
arah aliran hole
arah aliran elektron

Jadi semikonduktor intrinsik pada K bersifat isolator dan
pada temperatur tinggi bersifat konduktor karena terjadi
pembentukan pasangan elektron bebas dan hole yang
banyaknya sama dan berlaku sebagai pembawa muatan Q.
Kamis, 15 Mei 2014 21
Semikonduktor Intrinsik
A
C D
E
F
B
SEMIKONDUKTOR INTRINSIK (MURNI)
2 pembawa muatan
- elektron bebas
+ lubang (hole)
- - - - - - - - - -
+ + + + + + + + + +
+
-
Kamis, 15 Mei 2014 23
3. SK Ekstrinsik
dilakukan doping dengan memasukan atom asing
bervalensi 5 atau 3 disebut semikonduktor ekstrinsik, untuk
menyusun devais elektronik yang kaya akan satu jenis
pembawa muatan : hole atau elektron saja.
Semikonduktor jenis n
Dengan doping atom asing bervalensi 5 sebagai atom donor
karena ikatan kovalen memberikan satu elektron : P (fosfor), Ar
(arsen), Sb(antimon) ke dalam semikonduktir intrinsik. Dengan
menambahkan energi kecil pada elektron valensi, maka elektron
masuk ke bidang konduksi.
Dengan penambahan atom donor terjadilah elektron bebas
disebut jenis-n.
Kamis, 15 Mei 2014 24
Beda semikonduktor intrinsik dengan
semikonduktor jenis-n
Semikonduktor intrinsik, elektron bebas di sertai
hole bergerak sebagai pembawa muatan.
Semikonduktor jenis-n berbentuk elektron bebas,
tidak disertai hole tetapi ion (+) yang tidak dapat
bergerak.
Semikonduktor jenis p
Dengan doping atom asing bervalensi 3 sebagai atom
akseptor karena ikatan kovalen memperoleh satu
elektron : B (boron), Al (aluminium), dan Ga (Galium)
kedalam semikonduktor intrinsik
Kamis, 15 Mei 2014 25
Donor dan aseptor dalam tabel periodik

SEMIKONDUKTOR EKSTRINSIK TIPE N
Atom bervalensi lima
- memberi 1 elektron
elektron bebas > hole
- atom donor
mayoritas minoritas
SEMIKONDUKTOR EKSTRINSIK TIPE P
Atom bervalensi tiga
- mengurangi 1 elektron
elektron bebas < hole
- atom akseptor
minoritas mayoritas
- - - - - - - - - -
+ + + + + + + + + +
- - - - - - - - - -
- - - - - - - - - -
+ + + + + + + +
+ + + + + + + +
+ + + + + + + +
- - - - - - - - - -
SEMIKONDUKTOR
TIPE N
SEMIKONDUKTOR
TIPE P
Kamis, 15 Mei 2014 29
4. Konduksi di dalam
SemiKonduktor
Partikel yang menghantarkan arus dalam
semikonduktor adalah: elektron dan hole.
Ada dua penghantar arus :
1. Arus difusi adalah
suatu penghantar arus I di dalam semikonduktor karena tidak
meratanya konsentrasi hole p partikel atau terjadi gradient
konsentrasi
2. Arus Drift adalah
suatu partikel bermuatan dia dalam medan listrik (elektris)
akan bergerak dibawah gaya F tarik dan tolak elektris. Idrift
~ Energi E.
Jumlah kedua arus disebut arus total.
Kamis, 15 Mei 2014 30
Arus Semikonduktor
Kamis, 15 Mei 2014 31
Arus Semikonduktor
Kamis, 15 Mei 2014 32
Elektron dan Hole
+ + + +
- - - -
+ + + +
- - - -
+ + + +
- - - -
+ + + +
- - - -
-
+
-
+
-
+
-
+
-
+
-
+
-
+
-
+
-
+
-
+
-
+
-
+
-
+
-
+
-
+
-
+
DIODA TANPA PRATEGANGAN
(Unbiased Diode)
Tipe p
Tipe n
-
+
-
+
-
+
-
+
-
+
-
+
-
+
-
+
-
+
-
+
-
+
-
+
-
+
-
+
-
+
-
+
+ + + +
- - - -
+ + + +
- - - -
+ + + +
- - - -
+ + + +
- - - -
pn junction
Elektron tolak-menolak
Rekombinasi
Dipole
Difusi elektron ke tipe p
-
+
-
+
-
+
-
-
+
-
+
-
+
-
-
+
-
+
-
+
-
-
+
-
+
-
+
-
+ + + +
- - -
+ + + +
- - -
+ + + +
- - -
+ + + +
- - -
Depletion layer
Dipole Medan listrik Barrier potensial
Dioda Germanium 0,3 V Dioda Silikon 0,7 V
PRATEGANGAN MAJU (FORWARD BI AS)
-
+
-
+
-
+
-
-
+
-
+
-
+
-
-
+
-
+
-
+
-
-
+
-
+
-
+
-
+ + + +
- - -
+ + + +
- - -
+ + + +
- - -
+ + + +
- - -
p
n
elektron bebas elektron valensi
PRATEGANGAN BALIK (REVERSE BI AS)
-
+
-
+
- -
-
+
-
+
- -
-
+
-
+
- -
-
+
-
+
- -
+ + + +
- -
+ + + +
- -
+ + + +
- -
+ + + +
- -
p
n
hole elektron
SIMBOL DIODA
K A
Komponen dengan dua elektroda (terminal)
Hanya dapat mengalirkan arus ke satu arah saja
Model dioda :
Anoda Katoda
Pendekatan pertama (ideal)
Pendekatan kedua
Pendekatan ketiga
DIODA IDEAL
forward bias
V
D
I
D
V
D
= V
A
- V
K
reverse bias
V
D
sembarang
I
D
= 0
I
D
sembarang
V
D
= 0
DIODA
Lambang dioda :
p
n
ANODA
KATODA
Karakteristik dioda :
V
S
V
D
R
REVERSE
REGION
FORWARD
REGION
BREAKDOWN
LEAKAGE
CURRENT
KNEE
I
V
Pendekatan dioda :
IDEAL
REVERSE BIAS
V
I
FORWARD BIAS
PENDEKATAN KE - 2
REVERSE BIAS
O,7 V
V
I
FORWARD BIAS
O,7 V
PENDEKATAN KE - 3
REVERSE BIAS
O,7 V
r
B
V
I
FORWARD BIAS
O,7 V
r
B
Kamis, 15 Mei 2014 42
Latihan Soal
1). Hitunglah konsentrasi hole dan elektron didalam germanium (Ge) tipe-
p dengan suhu 3000 K bila resitivitas 0,02 .cm dan mobilitas hole (p)
1800 cm2 /volt .dtk
2). Sama dengan no.1 tetapi untuk silikon (Si) tipe-n bila resitivitasnya 20
.cm dan mobilitas elektron silikon (n) 1300 cm2 /volt. detik
3). SK doping berundak dimana konsentrasi atom donor = 102
konsentrasi atom akseptor, konsentrasi atom akseptor 1 atom akseptor
per 108 atom Ge. Hitunglah potensial kontak Vo pada suhu 300oK jika
diketahui konsentrasi atom Ge 4,4 x 1028 atom m3 dan konsentrasi atom
intrinsik = ni = 2,5 x 1013 serta potensial VT = 0,0259 Volt. Konsentrasi
atom akseptor 10-8 konsentrasi atom Ge.
Kamis, 15 Mei 2014 43
Solusi pr :
8. Bab III Semikonduktor.doc