THYRISTOR&SILICONCONTROLRECTIFIER(SCR)

Thyristor merupakan salah satu tipe devais semikonduktor daya yang paling
penting dan telah banyak digunakan secara ekstensif pada rangkaian daya . Thyristor
biasanya digunakan sebagai saklar/bistabil, beroperasi antara keadaan non konduksi ke
konduksi. Pada banyak aplikasi, thyristor dapat diasumsikan sebagai saklar ideal akan
tetapidalamprakteknyathyristormemilikibatasankarakteristiktertentu.

KaraktristikTyristor
Thyristor adalah suatu bahan semikonduktor yang tersusun atas 4 lapisan (layer)
yang berupa susunan PNPN junction, sehingga thyristor ini disebut juga sebagai PNPN
diode.
Gambar1.Strukturfisikdarithyristordansimbolnya
Seperti tampak pada gambar 1. ketika tegangan anode dibuat lebih positif
dibandingkandengantegangankatode,sambunganJ
1
danJ
3
beradapadakondisi forward
bias, dan sambungan J
2
berada pada kondisi reverse bias sehingga akan mengalir arus
bocor yang kecil antara anode dan katode. Pada kondisi ini thyristor dikatakan forward
blocking atau kondisi offstate, dan arus bocor dikenal sebagai arus offstate I
D
. Jika
tegangananodekekatodeV
AK
ditingkatkanhinggasuatutegangantertentu,sambunganJ
2

akanbocor.Halinidikenaldengan avalancebreakdowndanteganganV
AK
tersebutdikenal
sebagai forward breakdown voltage, V
BO
. Dan karena J
1
dan J
3
sudah berada pada kondisi
forward bias, maka akan terdapat lintasan pembawa muatan bebas melewati ketiga
sambungan , yang akan menghasilkan arus anode yang besar. Thyristor pada kondisi
ANODE
PINTU
KATODE
P
P
N
P
P
N
P
N
P
N
IA
IB1 IGn
IC2
IK
IB2 IGp
IC1
A
K
J 1
J 2
J 3
tersebut berada pada kondisi konduksi atau keadaan hidup. Tegangan jatuh yang terjadi
dikarenakan oleh tegangan ohmic antara empat layer dan biasanya cukup kecil yaitu
sekitar1V.Padakeadaanon,arusdarisuatunilaiyangdisebutdenganlatchingcVRrentI
L
,
agar diperoleh cukup banyak aliran pembawa muatan bebas yang melewati sambungan
sambungan , jika tidak maka akan kembali ke kondisi blocking ketika tegangan anode ke
katode berkVRang. Latching cVRrent ( I
L
) adalah arus anode minimum yang diperlukan
agar membuat thyristor tetap kondisi hidup, begitu thyristor dihidupkan dan sinyal
gerbang dihilangkan. Ketika berada pada kondisi on, thyristor bertindak sebagai diode
yangtidakterkontrol.Devaisiniterusberadapadakondisionkarenatidakadanyalapisan
deplesi pada sambungan J
2
karena pembawa pembawa muatan yang bergerak bebas.
Akan tetapi, jika arus maju anode berada dibawah suatu tingkatan yang disebut holding
cVRrentI
H
,daerahdeplesiakanterbentukdisekitarJ
2
karenaadanyapengVRanganbanyak
pembawamuatanbebasdanthyristorakanberadapadakeadaanblocking.HoldingcVRrent
terjadipadaordemiliamperedanlebihkecildarilatchingcVRrentI
L
,I
H
>I
L
.HoldingcVRrent
I
H
adalah arus anode minimum untuk mempertahankan thyristor pada kondisi on. Ketika
tegangankatodelebihpositifdibandingdengananode,sambunganJ
2
terforwardbias,akan
tetapi sambungan J
1
dan J
3
akan terreverse bias. Hal ini seperti diode diode yang
terhubung secara seri dengan tegangan balik bagi keduanya. Thyrstor akan berada pada
kondisi reverse blocking dan arus bocor reverse dikenal sebagai reverse cVRrent I
R.
Thyristor akan dapat dihidupkan dengan meningkatkan tegangan maju V
AK
diatas V
BO
,
tetapikondisiinibersifatmerusak.dalamprakteknya,teganganmajuharusdipertahankan
dibawahV
BO
danthyristordihidupkandenganmemberikanteganganpositfantaragerbang
katode. Begitu thyristor dihidupkan dengan sinyal penggerbangan itu dan arus anodenya
lebih besar dari arus holding, thyristor akan berada pada kondisi tersambung secara
positif balikan, bahkan bila sinyal penggerbangan dihilangkan . Thyristor dapat
dikategorikansebagailatchingdevais.
Thyristor dapat bertingkah seperti dua transistor dengan penurunan rumus
sebagaiberikut:
I
B1
=I
C2
+I
Gn

I
B2
=I
C1
+I
Gp

Adapun karaktristik tegangan versus arus dapat dilihat pada gambar 2 sebagai
berikut:
Gambar2.KarakteristikThyristor
Karaktristik tegangan versus arus ini diperlihatkan bahwa thyristor mempunyai 3
keadaanataudaerah,yaitu:
1. Keadaanpadasaatteganganbalik(daerahI)
2. Keadaanpadasaatteganganmaju(daerahII)
3. Keadaanpadasaatthyristorkonduksi(daerahIII)

PadadaerahI,thyristorsamasepertidiode,dimanapadakeadaaninitidakadaarus
yang mengalir sampai dicapainya batas tegangan tembus (Vr). Pada daerah II terlihat
bahwaarustetaptidakakanmengalirsampaidicapainyabatasteganganpenyalaan(Vbo).
Apabila tegangan mencapai tegangan penyalaan, maka tiba tiba tegangan akan jatuh
menjadikecildanadaarusmengalir.Padasaatinithyristormulaikonduksidaniniadalah
merupakan daerah III. Arus yang terjadi pada saat thyristor konduksi, dapat disebut
sebagai arus genggam (Ih = Holding Current). Arus Ih ini cukup kecil yaitu dalam orde
miliampere. Untuk membuat thyristor kembali off, dapat dilakukan dengan menurunkan
arusthyristortersebutdibawaharusgenggamnya(Ih)danselanjutnyadiberikantegangan
penyalaan.

VD
Vbo
iD
VR
II
III
I
I
IH
SCR(Si
T
secara ko
Rectifier)
industri,
arus yang
thyristor
1 mA sam
mampu d
dengan 1






StruktVR
3a. J ika
yang ters
dan NPN
iliconCon
Thyristor dik
omersial ole
) termasuk
salah satu a
g besar. Thy
menyerupai
mpai terbesa
diatur mula
.500 A.
R dasar thyri
dipilah, stru
sambung di t
N yang tersam
ntrolRect
kembangkan
eh General E
dalam kom
alasannya ad
yristor mem
i basis pada
ar 100 mA, m
ai dari 50 Vo
G
istor adalah
uktVR ini da
tengah seper
mbung pada
tifier)
n oleh Bell
Electric tahu
mponen elek
dalah memil
miliki tiga ka
transistor, d
maka tegang
olt sampai 5
Gambar 2. B
Gambar 3
struktVR 4
apat dilihat
rti pada gam
a masing-ma

Laboratorie
un 1960-an.
ktronik yang
liki kemamp
aki, yaitu an
dengan meng
gan keluaran
.000 Volt da

Bentuk fisik d
3. Struktur
layer PNPN
sebagai dua
mbar-3b. Ini t
sing kolekto
es tahun 19
Thyristor at
g banyak di
puan untuk
noda, katoda
gatur arus g
dari Anoda
an mampu m
dari SCR

R SCR
N seperti yan
a buah strukt
tidak lain ad
or dan base.
50-an dan m
tau SCR (Si
ipakai dalam
bekerja dala
a dan gate. F
gate IG yang
bisa diatur
mengatur ar

ng ditunjukk
tVR junctio
alah dua bua
J ika divisua
mulai digun
ilicon Contr
m aplikasi l
am tegangan
Fungsi gate
g besarnya a
R. Tegangan
rus 0,4 A sa
kan pada gam
n PNP dan
ah transistor
alisasikan seb
nakan
rolled
listrik
n dan
pada
antara
yang
ampai
mbar-
NPN
r PNP
bagai
transistor
yang beri
T
kolektor
menunjuk
yang men
Arus kol
pada pad
bagi tran
bagian te
keadaan
katoda) y
ON dan d
K
tegangan
tegangan
cut-in da
Agar Th
sebesar 5
S
paramete
tetap pos
r Q1 dan Q
ikut ini.
Terlihat di sin
transistor Q
kkan adanya
ngalir pada
lektor ini me
da arus kole
nsistor Q2. D
engah akan m
ini tercapai,
yang sudah
dapat menga
Karakteristik
n reverse VR
n forward VF
an mengalirk
hyristor tetap
5 mA.
ebagai cont
er penting, y
sisi ON dipe
Q2, maka str
G
ni kolektor t
Q2 tersambun
a loop peng
base transist
erupakan aru
ktor transist
Demikian sete
mengecil dan
maka strukt
dikenal. Pad
alirkan arus d
Thyristor m
R, dan variab
F, jika arus g
kan arus forw
p ON, maka
toh, thyristo
aitu: teganga
erlukan arus
ruktVR thyri
Gambar. 4 : v
transistor Q1
ng pada base
guatan arus d
tor Q2, mak
us base I
b
p
tor Q1. Arus
erusnya sehi
n hilang. Ter
tVR yang de
da saat yang
dari anoda m
memperlihat
bel arus for
gate diatur da
ward IF. Teg
a ada arus
or TIC 106
an gate-kato
holding =5
istor ini dap
visualisasi d
1 tersambung
e transistor Q
di bagian te
ka akan ada
ada transisto
s kolektor tr
ingga makin
rtinggal hany
emikian tida
g demikian,
menuju katod
tkan dua va
rward IF da
ari 0 mA sam
gangan rever
yang tetap
6 D sesuai
ode =0,8 V,
5 mA. Tegan
pat diperliha

dengan trans
g pada base
Q1. Rangka
engah. J ika m
arus I
c
yang
or Q1, sehin
ransistor Q1
n lama sambu
yalah lapisan
ak lain adalah
disebut bah
da seperti lay
ariabel, yaitu
n arus rever
mpai di atas
rse untuk Th
dipertahank
dengan dat
arus gate mi
ngan kerja y
atkan sepert
sistor
transistor Q
aian transisto
misalnya ad
g mengalir p
ngga akan m
1 tidak lain
ungan PN da
n P dan N d
h struktVR d
hwa thyristo
yaknya sebu
u tegangan
rse IR pada
50 mA, mak
hyristor VR
kan disebut
ta sheet me
inimal 0,2 m
yang diizink
i pada gamb
Q2 dan sebali
or yang dem
da arus sebes
pada kolekto
muncul pengu
adalah arus
ari thyristor
dibagian luar
dioda PN (an
or dalam kea
uah dioda.
forward VF
gambar 5.
ka Thyristor
sekitar 600
arus holdin
emiliki bebe
mA, agar thy
kan pada ano
bar 4
iknya
mikian
sar I
b

r Q2.
uatan
base
ini di
r. J ika
noda-
adaan
F dan
Pada
akan
Volt.
ng IH
erapa
ristor
oda =
400 V dan dapat mengalirkan arus nominal =5 A. Aplikasi thyristor yang paling banyak sebagai
penyearah tegangan AC ke DC yang dapat diatur.

Gambar 5. Karakteristik dan nilai batas thyristor

SCRdapatdihidupkandenganaruspenyulutsingkatmelaluiterminalGate,dimana
arus gate ini akan mengalir melalui junction antara gate dan kathoda dan keluar dari
kathodanya. Arus gate ini harus positif besarnya sekitar 0,1 sampai 35 mA sedangkan
tegangan antara gate dan kathodanya biasanya 0,7 volt. J ika arus anoda ke kathoda turun
dibawah nilai minimum (Holding Current =IHO), maka SCR akan segera mati (Off). Untuk SCR
yang berkemampuan daya sedang, besar IHO sekitar 10 mA. Tegangan maksimum arah maju
(UBRF) akan terjadi jika gate dalam keadaan terbuka atau IGO =0. J ika arus gate diperbesar dari
IGO, misal IG1, maka tegangan majunya akan lebih rendah lagi. Hal ini diperlihatkan pada gambar
berikut.


Gambar 6. Pengendalian gate SCR
Gambar 7. memperlihatkan salah satu cara penyulutan SCR dengan sumber searah (dc), dimana
SCR akan bekerja dengan indikasi menyalanya lampu dengan syarat saklar PB1 dan PB2 di ON
kan terlebih dahulu.

Gambar 7. Penyulutan SCR dengan sumber dc

TriggeringuntukpenyulutanSCRdengansumberdcinitidakperludilakukansecaraterus
menerus, jika saklar PB1 dibuka, maka lampu akan tetap menyala atau dengan perkataan
lain SCR tetap bekerja. Gambar 8. Memperlihatkan cara penyulutan SCR dengan sumber
bolakbalik(ac).

Gambar8.PenyulutanSCRdengansumberac
Dengan mengatur nilai R2 (potensiometer), maka kita seolah mengatur sudut penyalaan (firing
delay) SCR. Untuk penyulutan SCR dengan sumber arus bolak-balik, harus dilakukan secara
terus menerus, jadi saklar S jika dilepas, maka SCR akan kembali tidak bekerja.
Gambar9.memperlihatkanbentuktegangandanpadaterminalSCRdanbeban.
PengendaliansumberdayadenganSCRterbatashanyadari0
0
sampai90
0
.

Gambar9.Bentukgelombangtegangandanbeban
Kondisi SCR dapat diuji dengan menggunakan sebuah ohmmeter seperti layaknya
dioda, namun dikarenakan konstruksinya, pengujian SCR ini harus dibantu dengan
penyulutan kaki gate dengan pulsa positip. Jadi dengan menghubung singkat kaki anoda
dengan gate, kemudian diberikan sumber positip dari meter secara bersama dan katoda
diberisumbernegatipnya,makaakantampakgerakanjarumohmmeteryangmenujunilai
rendah penunjukkan ohm dan kondisi ini menyatakan SCR masih layak digunakan.
Sedangkan jika penunjukkan jarum menunjuk pada nilai resistansi yang tinggi, maka
dikatakankondisiSCRmenyumbatataurusak.