Anda di halaman 1dari 15

KATA PENGANTAR

Puji syukur hanyalah milik Tuhan Yang Maha Esa, Maha Kuasa lagi Maha Penyayang.
Dialah yang memberikan segalanya kepada umatnya berupa pikiran dan akal sehat, sehingga
dapat berbuat dan bekerja. Demikian pula penulis selaku mahasiswa hanya berkat izin dan
karunia-Nyalah sehingga dapat menyusun makalah ini.
Tujuan penyusunan makalah ini adalah sebagai syarat mutlak untuk mengikuti materi kuliah
ELEKTRONIKA OPTIK selanjutnya.
Dalam penyusunan makalah ini tidaklah sedikit kendala yang ditemui, baik sistematika
penulisa nmaupun pengetikan. Namun berkat bimbingan ,arahan dan bantuan dari berbagai
pihak, maka makalah ini dapat diselesaikan tepat pada waktunya. Maka melalui kesempatan ini
dengan segala kerendahan hati, melalui makalah ini penulis menyampaikan rasa terimakasih
yang tulus dan sebesar-besarnya kepada pihak-pihak yang telah membantu.
Akhirnya semoga makalah ini dapat bermanfaat bagi kita semua. Amin.


Palu, 28 September 2014
Penulis

Sri Fauzia Rusati





BAB I
PENDAHULUAN

1.1 Latar Belakang
Salah satu komponen semikonduktor yang terpengaruh oleh cahaya adalah
photodiode. Cahaya yang berpengaruh akan diubah ke besaran arus. Photodiode memiliki tipe
n dan tipe p. Apabila terminal positif dihubungkan ke tipe p dan yang lain dihubungkan ke tipe n
ini termasuk kondisi bias maju dan jika dihubungkan sebaliknya, maka ini termasuk kondisi bias
mundur.
Ketika komponen p dan n mengalami reaksi secara bersamaan, elekron dan
hole dihubungkan kembali dengan hubungan terdekat sehingga mengakibatkan lapisan
mengecil seperti yang dideteksi pada sebelumnya.
Jadi pengaruh arus listrik bergantung pada celah dari material yang digambarkan pada
diagram dari garis cahaya. Pada kondisi bias nol sama dan berlawanan arah arus yang
seharusnya mengalir. Dapat dibuat dengan bawaan energi yang cukup untuk sedikit
rintangan dan melewati penghubung. Jika dihubungkan bias maju dengan potensial besar.
Sebaliknya , jika dihubungkan dengan bias mundur, efekifias dari photodioda mengikat.
Sebelumnya, perlu diketahui bahwa komponen ini merupakan pengembangan dari dioda yang
pertama kali ditemukan oleh J.A Fleming pada tahun 1904, seorang ilmuwan dari inggris (1849-
1945), dan sejak ditemukannya sampai sekarang keberadaan dioda sangatlah penting dalam
berbagai macam rangkaian elektronika. Kemudian dikembangkan sampai dengan sekarang. Pada
perinsipnya Dioda merupakan komponen elektronik yang mempunyai dua buah elektroda yaitu
anoda dan katoda. Anoda untuk polaritas positif dan katoda untuk polaritas negatif. Di dalam
dioda terdapat junction (pertemuan) dimana semikonduktor type-p dan semi konduktor type-n
bertemu. Dioda semikonduktor hanya dapat melewatkan arus searah saja, yaitu pada saat dioda
diberikan catu maju (forward bias) dari anoda (sisi P) ke katoda (sisi N). Pada kondisi tersebut
dioda dikatakan dalam keadaan menghantar (memiliki tahanan dalam sangat kecil). Sedangkan
bila dioda diberi catu terbalik (reverse bias) maka maka pada kondisi ini dioda tidak menghantar
(memiliki tahanan dalam yang tinggi sehingga arus sulit mengalir). Sederhananya sebuah dioda
bisa kita asumsikan sebuah katup, dimana katup tersebut akan terbuka manakala air yang
mengalir dari belakang katup menuju kedepan, sedangkan katup akan menutup oleh dorongan
aliran air dari depan katup.
Photodioda sekarang banyak digunakan dalam kehidupan sehari-hari, diantaranya dapat
berguna sebagai alat sistem pengaman rumah, pendeteksi api, sensor garis.

2.1 Rumusan Masalah
Permasalah penulis batasi dalam ruang lingkup photodioda, cara kerja dan pengaplikasian
dari photodioda.

3.1 Tujuan
Dalam penyusunan makalah ini bertujuan agar dapat memnuhi mata kuliah elektronika
optik dan dapat lebih mengetahui photodioda, cara kerja dan pengaplikasian dari
komponen tersebut.










BAB II
PEMBAHASAN

2.1 Photodioda
Photodioa adalah dioda yang berkerja berdasarkan intensitas cahaya. Komponen elektronik
ini akan mengubah cahaya menjadi arus listrik, tetapi jika tidak mendapat cahaya maka
photodioda akan berperan seperti resistor dengan nilai tahanan yang besar sehingga arus listrik
tidak dapat mengalir. Komponen ini dapat sebagai pendeteksi ada tidaknya cahaya maupun
dapat digunakan untuk membentuk sebuah alat ukur akurat yang dapat mendeteksi intensitas
cahaya dibawah 1pW/cm2 sampai intensitas diatas 10mW/cm2. Photo dioda mempunyai
resistansi yang rendah pada kondisi forward bias, dengan memanfaatkan photo dioda ini pada
kondisi reverse bias dimana resistansi dari photo dioda akan turun seiring dengan intensitas
cahaya yang masuk. Cahaya yang dapat di deteksi oleh komponen ini mulai dari infrared, sinar
ultra violet, sampai dengan sinar X.
Simbol dan bentuk photodioda hampir sama dengan LED, tetapi pada simbol photodioda
arah dua panahnya menghadap ke dalam.

(a)

PHD
E
R

(b)
Gambar 2.1 (a) simbol photodioda (b) Gambar photodioda dalam rangkaian
Alat yang mirip dengan photodioda adalah phototransistor. Transistorfoto ini pada dasarnya
adalah jenis transistor bipolar yang menggunakan kontak (junction) base-collector untuk
menerima cahaya.
Komponen ini mempunyai sensitivitas yang lebih baik jika dibandingkan dengan
photodioda. Hal ini disebabkan karena electron yang ditimbulkan oleh foton cahaya pada
junction ini diinjeksikan di bagian basis dan diperkuat di bagian kolektornya. Namun demikian,
waktu respons dari phototransistor secara umum akan lebih lambat dari pada photodioda.
Jika photodioda tidak terkena cahaya, maka tidak ada arus yang mengalir ke rangkaian
pembanding, jika photodioda terkena cahaya maka photodiode akan bersifat sebagai tegangan,
sehingga Vcc dan photo dioda tersusun seri, akibatnya terdapat arus yang mengalir ke rangkaian
pembanding.


Gambar 2.2 Bentuk fisik photodioda

Photodioda adalah sebuah dioda yang dioptimasi untuk menghasilkan aliran elektron (atau
arus listrik) sebagai respon apabila terpapar oleh sinar ultraviolet, cahaya tampak, atau cahaya
infra merah. Photodioda dibuat dari bahan semikonduktor adalah silicon ( Si), galium arsenida (
GaAs), dan yang lain meliputi InSb, InAs, PbSe. Material ini menyerap cahaya dengan
karakteristik panjang gelombang mencakup 2500 - 11000 untuk silicon, 8000 20,000
untuk GaAs.


2.2 Prinsip Kerja Photodioda
Cara kerja photodioda adalah ketika sebuah photon (satu satuan energi dalam cahaya) dari
sumber cahaya diserap, hal tersebut membangkitkan suatu elektron dan menghasilkan sepasang
pembawa muatan tunggal, sebuah elektron dan sebuah hole, di mana suatu hole adalah bagian
dari kisi-kisi semikonduktor yang kehilangan elektron. Arah Arus yang melalui sebuah
semikonduktor adalah kebalikan dengan gerak muatan pembawa. Cara tersebut didalam sebuah
photodiode digunakan untuk mengumpulkan photon sehingga menyebabkan pembawa muatan
(seperti arus atau tegangan) mengalir/terbentuk di bagian-bagian elektroda. Daerah sambungan
semikonduktor tipe P dan N tempat cahaya masuk harus tipis sehingga cahaya bisa masuk ke
daerah aktifnya (active region) atau daerah pemisahnya (depletion region) tempat dimana cahaya
diubah menjadi pasangan elektron dan hole. Besarnya tegangan atau arus listrik yang dihasilkan
oleh photodioda tergantung besar kecilnya radiasi yang dipancarkan.
Pada gambar 2.3, lapisan tipe-P yang dangkal terdifusi ke lapisan jenis-N menghasilkan
sambungan PN didekat permukaan lapisan wafer tersebut. Lapisan tipe-P harus tipis sehingga
bisa melewatkan cahaya sebanyak mungkin. Difusi tipe-N yang banyak ada di belakang lapisan
wafer tersebut menempel dengan kontak logam.

Gambar 2.3 Photodioda : Simbol rangkaian
dan penampang melintangnya

Cahaya yang masuk ke bagian atas photodioda masuk ke dalam lapisan semikonduktor.
Lapisan tipe-P yang tipis di atas membuat banyak foton (satu satuan energi dalam cahaya)
melewatinya menuju daerah pemisah (depletion region) tempat dimana pasang elektron dan hole
terbentuk. Medan listrik yang tercipta di daerah pemisah menyebabkan elektron tertarik ke
lapisan N, sedangkan hole ke lapisan P. Sebenarnya, pasangan elektron dan hole bisa dibentuk
pada semua daerah dari bahan semikonduktor. Namun, pasangan elektron dan hole yang tercipta
di daerah pemisah akan terpisah ke daerah masing-masing yaitu daerah P dan N. Banyak
pasangan elektron dan hole yang terbentuk di daerah P dan N mengalami rekombinasi. Hanya
ada beberapa yang berkombinasi di daerah pemisah. Oleh karena itu, hanya ada sedikit pasangan
hole dan elektron yang ada di daerah N dan P, dan pasangan hole-elektron di daerah pemisah
adalah yang menyebabkan terjadinya arus listrik pada saat photodioda terkena cahaya
(photocurrent).
Photodioda juga sering digunakan untuk kecepatan tinggi. Masalah kecepatan respon maka
erat kaitannya dengan efek kapasitansi parasit pada photodioda, dimana kapasitansi parasit ini
bisa diminimalisir dengan mengurangi luas permukaan cell nya. Oleh karena itu, sensor pada
sambungan fiber optik berkecepatan tinggi memiliki luasan permukaan hanya sekitar 1 mm
2
.
Kapasitansi parasit juga bisa dihilangkan dengan meningkatkan ketebalan daerah pemisahnya
yang dilakukan pada saat proses manufakturnya. Selain itu juga bisa diperkecil dengan
meningkatkan tegangan balik (reverse voltage) pada photodioda.
a. Dioda PIN
Dioda PIN adalah sebuah photodioda dengan lapisan tambahan diantara daerah P dan N
nya seperti ditunjukkan pada gambar 2.4. Struktur intrinsik P dalam N meningkatkan jarak
antara lapisan P dan N, sehingga kapasitansinya menurun, dan kecepatannya naik. Volume
dari daerah yang sensitif terhadap cahaya (photo sensitive) juga meningkat, meningkatkan
efisiensi konversi cahaya menjadi listrik. Bandwidth dari photodioda dapat ditingkatkan
hingga 10 GHz. Photodioda PIN memiliki sensitifitas yang tinggi dan kecepatan yang tinggi
dengan harga yang tidak terlalu mahal.

Gambar 2.4 Photodioda PIN : penambahan daerah
instrinsik dapat meningkatkan

b. Photodioda Avalence (APD)
Photodioda Avalence didesain untuk beroperasi pada tegangan bias terbalik (reverse bias)
yang sangat tinggi menghasilkan efek melipatgandakan elektron sama seperti photomultiplier
tube. Tegangan balik (reverse voltage) pada photodioda sekitar 10 V hingga 2000 V.
Tegangan bias terbalik yang sangat tinggi ini mempercepat proses perubahan elektron
menjadi pasangan elektron-hole pada daerah instrinsik. Tetapi APD menghasilkan noise nya
sendiri. Pada kecepatan tinggi, APD lebih unggul dari kombinasi penguat dioda PIN, tetapi
tidak untuk aplikasi kecepatan rendah. APD sangat mahal, Sehingga lebih unggul terhadap
photodioda PIN, hanya untuk aplikasi-aplikasi khusus, salah satunya adalah pada aplikasi
penghitung foton tunggal pada fisika nuklir.
Cahaya memiliki energi berupa paket-paket energi yang disebut dengan foton. Energi
bergantung pada frekuensi gelombang cahaya yang merambat. Sebaliknya, frekuensi
ditentukan dari panjang gelombang dari cahaya yang merambat. Panjang gelombang menjadi
penting karena akan menentukan material apa yang akan digunakan pada komponen tersebut.
Respon spektral relatif untuk Germaniun (Ge), Silikon (Si), dan selenium ditunjukkan pada
gambar 2.5 Spektrum dari cahaya tampak juga dimasukkan dengan beberapa contoh warna.

Gambar 2.5 Respon spektral relatif untuk bahan bahan
silikon, germanium, dan selenium

Photodioda adalah semikonduktor jenis sambungan PN dimana daerah operasinya adalah
pada mode bias terbalik (reverse bias). Rangkaian dasar dari photodioda, konstruksinya, serta
simbolnya ditunjukkan pada gambar 2.6.

Gambar 2.6 (a) Cara melakukan bias pada photodioda
(b) Simbol photodioda
Mengingat prinsip kerja pada dioda bahwa arus saturasi dalam mode bias terbalik terbatas
hanya beberapa mikro ampere. Arus tersebut disebabkan aliran dari pembawa minoritas yang
terdapat pada meterial tipe P dan tipe N. Apabila ada cahaya yang mengenai sambungan PN nya,
maka akan dihasilkan transfer energi dari rambatan gelombang cahaya (dalam bentuk foton)
menjadi struktur atomik, menghasilkan peningkatan jumlah pembawa minoritas (minority
carriers) dan meningkatkan level dari arus balik. Perhatikan grafik pada gambar 2.7 menujukkan
hubungan antara arus dan tegangan photo dioda dalam mode bias terbalik untuk berbagai level
intensitas cahaya. Arus gelap (dark current) adalah arus yang mengalir pada saat tidak ada
cahaya yang mengenai photodioda. Perhatikan bahwa arus yang mengalir pada photodioda akan
benar-benar menjadi nol hanya ketika photodioda tersebut diberi tegangan positif sebesar V
T
.
Perhatikan juga gambar 2.6 a, lensa cembung digunakan untuk mengkonsentrasikan cahaya agar
jatuh pada daerah pemisah.

Gambar 2.7 (b) Hubungan arus dan tegangan pada photodioda dalam beberapa level intensitas
cahaya


BAB III
KARAKTERISTIK PHOTODIODA

Sebuah photodioda, biasanya mempunyai karakteristik yang lebih baik daripada
phototransistor dalam responya terhadap cahaya infra merah. Biasanya photodioda mempunyai
respon 100 kali lebih cepat daripada phototransistor. Sebuah photodioda biasanya dikemas
dengan plastik transparan yang juga berfungsi sebagai lensa. Lensa ini merupakan lensa
cembung yang mempunyai sifat mengumpulkan cahaya. Lensa tersebut juga merupakan filter
cahaya, lebih dikenal sebagai optical filter, yang hanya melewatkan cahaya infra merah saja.
Walaupun demikian cahaya yang nampak pun masih bisa mengganggu kerja dari dioda infra
merah karena tidak semua cahaya nampak bisa difilter dengan baik. Faktor lain yang juga
berpengaruh pada kemampuan penerima infra merah adalah active area dan respond time.
Semakin besar area penerimaan suatu dioda infra merah maka semakin besar pula intensitas
cahaya yang dikumpulkannya sehingga arus bocor yang diharapkan pada teknik reversed bias
semakin besar. Selain itu semakin besar area penerimaan maka sudut penerimaannya juga
semakin besar.
Kelemahan area penerimaan yang semakin besar ini adalah noise yang dihasilkan juga
semakin besar pula. Begitu juga dengan respon terhadap frekuensi, semakin besar area
penerimaannya maka respon frekuensinya turun dan sebaliknya jika area penerimaannya kecil
maka respon terhadap sinyal frekuensi tinggi cukup baik. Respond time dari suatu dioda infra
merah (penerima) mempunyai waktu respon yang biasanya dalam satuan nano detik. Respond
time ini mendefinisikan lama agar dioda penerima infra merah merespon cahaya infra merah
yang datang pada area penerima. Sebuah dioda penerima infra merah yang baik paling tidak
mempunyai respond time sebesar 500 nano detik atau kurang. Jika respond time terlalu besar
maka dioda infra merah ini tidak dapat merespon sinyal cahaya yang dimodulasi dengan sinyal
carrier frekuensi tinggi dengan baik. Hal ini akan mengakibatkan adanya data loss. Filter optikal
ini mempunyai dua fungsi yaitu sebagai lensa fresnel dan juga sebagai filter cahaya yang masuk
ke area penerimaan dioda infra merah. Biasanya terbuat dari bahan polycarbonate berbentuk
cembung dan transparan. Filter opikal ini akan membatasi cahaya-cahaya yang tidak diinginkan
kecuali cahaya infra merah sehingga tidak mengganggu sinyal cahaya infra merah yang diterima
oleh detektor/area penerima. Current to Voltage Converter Arus bocor yang dihasilkan oleh
detektor photodioda besarnya linier terhadap intensitas cahaya infra merah yang dimasukkan ke
dalam area penerimaan. Oleh sebab itu arus ini harus dirubah ke tegangan agar dapat didapatkan
sinyalnya kembali.

3.1 Aplikasi Photodioda
a. penggunaan dari photodioda adalah pada sistem alarm sebagai keamanan, ditunjukkan
pada gambar 3.1. Rangkaian tersebut terdiri dari sumber cahaya sebagai pemnacar (Tx) dan
photodioda sebagai penerima (Rx). Arus balik (reverse current) sebesar I

akan dihasilkan
oleh photodioda selama cahaya yang dipancarkan oleh Tx mengenai photodioda. Tetapi arus
yang mengalir pada photodioda akan menjadi minimum mendekati nol apabila ada
penghalang diantara Tx dan Rx sehingga photodioda tidak bisa menangkap cahaya dari Tx.
Begitu arus yang mengalir pada photodioda mendekati nol, maka sinyal ini akan diproses
oleh suatu rangkaian (misalkan rangkaian yang terdiri dari gerbang logika) untuk
menyalakan alarm. Sehingga, apabila ada orang yang berjalan melewati pintu tersebut, alarm
akan berbunyi. Model rangkaian seperti ini juga bisa diletakkan pada sabuk konveyor yang
banyak digunakan di pabrik-pabrik untuk menghitung jumlah barang yang lewat.

Gambar 3.1 Photodioda digunakan sebagai sensor pada sistem keamanan.


Gambar 3.2 Photodioda digunakan sebagai sensor pada alat pencacah jumlah barang

a. penghitung kendaraan di jalan umum secara otomatis dan pengukur cahaya pada kamera.
b. Penggunaan sensor photodiode sebagai pendeteksi keberadaan api didasarkan pada fakta
bahwa pada nyala api juga terpancar cahaya infra merah. Hal ini tidak dapat dibuktikan
dengan mata telanjang karena cahaya infra merah merupakan cahaya tidak tampak, namun
keberadaan cahaya infra merah dapat dirasakan yaitu ketika ada rasa hangat atau panas dari
nyala api yang sampai ke tubuh kita.
c. Dengan menggunakan LED-Photodiode, garis dapat dideteksi dengan menggunakan
konsep transmitter-receiver. LED mengemisi cahaya. Dalam hal ini, LED melakukan
kerjanya sebagai transmitter cahaya untuk dipantulkan kembali ke receiver. Setelah
dipantulkan, cahaya diterima oleh Photodiode sebagai receiver. Pantulan cahaya yang
diterima kemudian difilter untuk dikonversi ke frekuensi yang didapatkan sehingga
didapatkan tegangan tertentu. Tegangan ini merupakan sinyal analog sehingga perlu
dikonversi ke sinyal digital dengan menggunakan ADC pada mikrokontroler. Isyarat digital
tersebut kemudian diolah oleh mikrokontroler berdasarkan basis pengetahuan yang
diprogram dalam mikrokontroler sehingga dihasilkan perintah aksi yang harus dilakukan.
Perintah ini diproses lebih lanjut oleh subsistem perencanaan dan kendali sehingga akhirnya
bagian aktuasi yang berupa motor stepper dan motor dc bergerak sesuai dengan perintah.
Dengan demikian pergerakan robot diharapkan dapat mengikuti garis sesuai dengan misi
yang diembannya.














BAB IV
PENUTUP

4.1 Kesimpulan
Bahwa ketika photodioda tidak menerima pantulan cahaya maka arus photodioda kecil.
Sebaliknya saat photodioda menerima pantulan cahaya, arus photodioda menjadi besar dan
kemampuan photodioda menerima cahaya dipengaruhi oleh jarak. Cahaya inframerah merupakan
sumber cahaya paling baik yang bisa ditangkap oleh photodioda karena inframerah mempunyai
intensitas cahaya paling rendah (semakin rendah intensitas cahaya, maka arus bocor pada
sambungan PN semakin kecil sehingga arus yang lewat sambungan semakin besar).
.
4.2 Saran
Saran berikut dapat dijadikan acuan untuk penelitian lebih lanjut.
a. Jika dalam praktiknya, untuk selalu memperhatikan batas ambang dari photodida.
b. Untuk menyediakan lebih banyak buku yang berhubungan dengan teknik khususnya
teknik elektro.
c. Mohon saran dan kritik yang sifatnya membangun demi perbaikan makalah ini
kedepannya.

Anda mungkin juga menyukai