LAPORAN PRAKTIKUM R-LAB

LR-03
KARAKTERISTIK V I SEMIKONDUKTOR


Nama : Burhan Ramadhan
NPM : 1306448243
Fakultas : Teknik
Prodi : Metalurgi dan Material
Nomor Praktikum : LR-03
Tanggal Percobaan : 10 Oktober 2014










Laboratorium Fisika Dasar
UPP - IPD
UNIVERSITAS INDONESIA
Tujuan
Mempelajari hubungan antara beda potensial (V) dan arus listrik (I) pada suatu
semikonduktor
Alat
1. Bahan semikonduktor
2. Amperemeter
3. Voltmeter
4. Variable power supply
5. Camcorder
6. Unit PC
7. DAQ dan perangkat pengendali otomati
Teori
Sebuah bahan material bila dilewati oleh arus listrik akan menimbulkan disipasi panas.
Besarnya disipasi panas adalah I2R. Panas yang dihasilkan oleh material ini akan
mengakibatkan perubahan hambatan material tersebut. Jika pada material semi konduktor ,
pertambahan kalor / panas akan mengurangi nilai hambatan material tersebut. Peristiwa
dispasi panas dan perubahan resistansi bahan semi konduktor ini saling berkaitan.


Gambar 1. Rangkaian tertutup semikoduktor

Semikonduktor, definisi dan jenis jenisnya

Semikonduktor adalah sebuah bahan yang memiliki kualitas konduktivitas listrik di antara
insulator dan konduktor. Tahanan jenis bahan semikonduktor antara 10-3m sampai
dengan sekitar 103m. Atom-atom yang dimiliki bahan semi konduktor membentuk kristal
dengan struktur tetrahedral, dengan ikatan kovalen. Sebuah semikonduktor bersifat sebagai
insulator pada temperatur yang sangat rendah, namun pada temperatur ruangan besifat
sebagai konduktor. Bahan semikonduksi yang sering digunakan adalah silikon, germanium,
dan gallium arsenide. Pada 0 K, SI mempunyai lebar pita (energy gap) 0,785 eV, dan Ge 1,21
eV. Baik Si maupun Ge mempunyai elektron valensi 4. Ada 2 jenis bahan semikonduktor
yaitu semikonduktor intrinsik (murni) dan semi konduktor ekstrinsik (tidak murni). Untuk
semikonduktor ekstrinsik ada 2 tipe yaitu tipa P dan tipe N.

Semi konduktor instrinsik
Semikonduktor instrinsik (murni) adalah semi konduktor yang tidak ataupun belum
terkotori/tercemar oleh atom-atom asing. Pada 0 K pita valensi penuh, pita konduksi kosong
sehingga bersifat sebagai isolator. Pada suhu yang lebih tinggi misal pada suhu kamar ada
elektron pada pita valensi yang energinya melebihi energi gap sehingga elektron dapat
meloncat dari pita valensi ke pita konduksi menjadi elektron bebas dengan meninggalkan
kekosongan pada pita valensi. Kekosongan ini disebut hole (lubang) dan dianggap
bermuatan positif (+) sebesar muatan elektron.
Semikonduktor intrinsik pada suhu 0 K bersifat sebagai isolator, dan pada suhu agak tinggi
bersifat sebagai konduktor karena adanya pembentukan pasangan-pasangan eletron bebas
hole yang keduanya berlaku sebagai pembawa ikatan.
Jika konsentrasi (jumlah per volume) elektron bebas dalam semi
konduktot instrinsik dinyatakan dengan ni dan konsentrasi hole
dengan pi maka berlaku,
n
i
= p
i

Ketergantungan konsentrasi pembawa muatan dalam semikonduktor instrinsik nterhadap
suhu dapat ditentukan berdasarkan statistik Fermi Dirac, dan menghasilkan formulasi
sebagai berikut :
ni
2
= A
o
T
3

-EGO/kT

A
o
= tetapan tak bergantung suhu
T = suhu kelvin
EGO = energi gap pada 0 K dalam eV
K = konstante Bolzman dalam eV/K
= 2,7
Daya hantar jenis dan tahanan jenis semikonduktor intrinsik diberikan oleh persamaan-
persamaan
= en
i
(
n
+
p
)
= daya hantar listrik
= tahan jenis

n
= mobilitas elektron bebas

p
= mobilitas hole

Semi konduktor tipe N
Semi konduktor tipe N termasuk dalam semi konduktorekstrinsik (tak murni). Semi
konduktor ekstrinsik adalah semikonduktor instrinsik yang mendapat pengotoran (doping)
atom-atom asing. Konsentrasi pengotoran ini sangat kecil, dengan perbandingan atom
pengotor (asing) dengan atom asli berkisar antara 1 : 100 juta sampai dengan 1 : 1 juta
Tujuan ini adalah agar bahan kaya akan satu jenis pembawa muatan saja (Elektron bebas
saja atau hole saja) dan untuk memperbesar daya hantar listrik.
Semikonduktor tipe N ialah semikonduktor eksintrik, yang diperoleh dari semikonduktor
intrinsik yang dikotori dengan atom asing yang bervalensi 5 seperti As, Pb, P.
Karena perbandingan atom pengotor dengan atom asli sangat kecil, maka setiap atom
pengotor (asing) dikelilingi oleh atom-atom asli. Elektron valensi yang ke 5 dari atom
pengotortidak terikat dalam ikatan kovalen sehingga menjadi elektron bebas. Dengan
demikian pada bahan ini jumlah elektron bebas akan meningkatsesuai jumlah atom
pengotornya sehingga elektron bebas menjadi pembawa muatan mayoritas dan hole (yang
terbentuk akibat suhu) menjadi pembawa muatan minoritas. Karena pembawa muatan
mayoritasnya adalah elektron bebas, sedang elektron bebas bermuatan negatif, maka
semikonduktor yang terbentuk diberi nama semi konduktor tipe N. dalam hal ini N
kependekan dari kata Negatif, yakni jenis muatan mayoritasnya. Jadi tidak berarti bahwa
semikonduktor ini bermuatan negatif. Semikonduktor ini tetap netral.
Karena atom pengotor memberikan kelebihan elektron-elektron dalam ikatan kovalen,
maka disebut donor (atom donor). Setelah donor memberikan kelebihan elektronnya, maka
akan menjadiion positif.
Jika konsentrasi elektron bebas pada semikonduktor tipe N ini dinyatakan dengan nn sedang
konsentrasi holenya dinyatakan dengan pn dan konsentrasi atom donor dinyatakan dengan
ND maka berlaku :
nn ND
Menurut hukum massa aksi hasil kali konsentrasi pembawa muatan positif dengan
pembawa muatan negatif dalam keseimbangan termal merupakan suatu tetapan yang tidak
bergantung pada donor dan aseptor yang besarnya n. Maka berdasarkan hukum ini berlaku
n
n
p
n
N
D

pn =

Daya hantar jenis listriknya dapat dicari dari hubungan sebagai berikut :

Semikonduktor P
Semikonduktor ini diperoleh dari semikonduktor intrinsik yang dikotori dengan atom asing
yang bervalensi 3, misalnya Al, atau Ga. Karena perbandingan atom pengotor dengan atom
asli sangat kecil, maka setiap atom pengotor hanya bervalensi 3 maka hanya menyediakan 3
elektron dalam ikatan kovalen, sehingga ada kekurangan (kekosongan = lubang = hole).
Dengan demikian pengotoran ini menyebabkan meningkatnya jumlah holeatau dengan kata
lain hole sebagai pembawa muatan mayoritas. Sedang pembawa muatan moniritasnya
adalah elektron bebas yang terbentuk adalah elektron bebas yang terbentuk akibat suhu.
Karena pembawa muatan mayoritasnya hole, sedang hole bermuatan positif maka
semikonduktor yang terbentuk disebut semikonduktor tipe P. dalam hal ini P kependekan
dari kata positif, yakni jenis muatan mayoritasnya. Jadi bukan berarti semikonduktor ini
bermuatan positif, tetapi semikonduktor ini tetap netral, seperti halnya semikonduktor tipe
N. Karena atom pengotor menyediakan kekurangan, maka disebut aseptor (atom aseptor).
Hole mudah diisi oleh elektron dan elektron yang mengisi meninggalkan hole baru dan
seterusnya sehingga ada gerakan hole. Setelah hole diisi oleh elektron, aseptor akan
menjadi ion negatif.
Jika konsentrasi elektron bebas pada semikonduktor tope P ini disebut n
p
, konsentrasi
holenya ppdan konsentrasi aseptornya NA maka analog pada semikonduktor tipe N berlaku
persamaan-persamaan :
p
p
N
A

dan jika np diabaikan terhadap pp maka,

Semikonduktor sangat berguna dalam bidang elektronik, karena konduktansinya yang dapat
diubah-ubah dengan menyuntikkan materi lain (biasa disebut materi doping).
Salah satu alasan utama kegunaan semikonduktor dalam elektronik adalah sifat
elektroniknya dapat diubah banyak dalam sebuah cara terkontrol dengan menambah
sejumlah kecil ketidakmurnian. Ketidakmurnian ini disebut dopant.
Doping sejumlah besar ke semikonduktor dapat meningkatkan konduktivitasnya dengan
faktor lebih besar dari satu milyar. Dalam sirkuit terpadu modern, misalnya, polycrystalline
silicon didop-berat seringkali digunakan sebagai pengganti logam.
Alat Semikonduktor atau semiconductor devices, adalah sejumlah komponen elektronik
yang menggunakan sifat-sifat materi semikonduktor, yaitu Silikon, Germanium, dan Gallium
Arsenide. Alat-alat semikonduktor zaman sekarang telah menggantikan alat thermionik
(seperti tabung hampa).
Alat-alat semikonduktor ini menggunakan konduksi elektronik dalam bentuk padat (solid
state), bukannya bentuk hampa (vacuum state) atau bentuk gas (gaseous state). Alat-alat
semikonduktor dapat ditemukan dalam bentuk-bentuk dicrete (potongan) seperti transistor,
diode, dll, atau dapat juga ditemukan sebagai bentuk terintegrasi dalam jumlah yang sangat
besar (jutaan) dalam satu keping Silikon yang dinamakan Sirkuit terpadu (IC).



Cara Kerja
Eksperimen rLab ini dapat dilakukan dengan cara masuk ke
http://sitrampil.ui.ac.id/elaboratory kemudian Klik LR03 karakteristik VI Semikonduktor

1. Perhatikan halaman web percobaan karakteristik VI semi konduktor
2. Berikan beda potensial dengan member tegangan V1.
3. Aktifkan power supply/baterai dengan mengklik radio button di sebelahnya.
4. Ukur beda potensial dan arus yang terukur pada hambatan!
5. Ulangi langkah 3 hingga 5 untuk beda potensial V2 hingga V8

Catatan : data yang diperoleh adalah 5 buah data terakhir jika rangkaian diberi beda
potensial tertentu ( misalkan V1) dengan interval 1 detik antara data ke satu dengan data
berikutnya.

Gambar Rangkaian tertutup Semikonduktor

Tugas dan evaluasi

1. Perhatikan data yang saudara peroleh, apakah terjadi perubahan tegangan dan arus
untuk V1 , V2 , V3 , V4 dan V5? Bila terjadi perubahan Jelaskan secara singkat mengapa
hal tersebut terjadi (analisa0 dan bila tidak terjadi jelaskan pula mengapa demikian !
2. Dapatkan nilai rata-rata beda potensial yang terukur dan arus yang terukur untuk V1 , V2,
V3 hingga V8.
3. Buatlah grafik yang memperlihatkan hubungan V vs I untuk rata rata V dan I yang terukur
(lihat tugas 2)!
4. Bagaimanakah bentuk kurva hubungan V vs I , jelaskan mengapa bentuknya seperti itu !
5. Berdasarkan berbagai kurva grafik V vs I bolehkah kita menggunakan hukum Ohm dalam
peristiwa ini ?
6. Berikan kesimpulan terhadap percobaan ini

Data Pengamatan
Dari percobaan R-lab tersebut saya mendapatkan data sebagai berikut
Untuk V1
V(volt) I(mA)
0.43 4.24
0.43 4.24
0.43 4.24
0.43 4.24
0.43 4.24

Untuk V2
V(volt) I(mA)
0.89 8.47
0.89 8.47
0.89 8.47
0.89 8.47
0.89 8.47

Untuk V3
V(volt) I(mA)
1.28 12.38
1.28 12.38
1.28 12.38
1.28 12.38
1.28 12.38
Untuk V4







Untuk V5
V(volt) I(mA)
2.24 22.16
2.24 22.48
2.23 22.48
2.24 22.48
2.23 22.48

Untuk V6
V(volt) I(mA)
2.79 29.33
2.79 29.65
2.78 29.98
2.78 29.65
2.78 29.65





V(volt) I(mA)
0.5 4.56
0.49 4.56
0.49 4.89
0.49 4.56
0.48 4.56
Untuk V7
V(volt) I(mA)
3.05 32.58
3.05 32.91
3.04 33.56
3.04 33.56
3.04 33.89

Untuk V8
V(volt) I(mA)
3.52 40.4
3.51 41.06
3.5 41.71
3.49 42.36
3.48 43.01











Pengolahan Data
Mencari tegangan rata-rata dan arus rata-rata tiap percobaan dengan menggunakan
rumus

dan

, serta mencari tegangan rata-rata dan

arus rata-rata dari rata-rata tiap percobaan menggunakan rumus

dan

Percobaan V rata-rata
(Volt)
I rata- rata
(mA)
V1 0.43 4.24
V2 0.89 8.47
V3 1.28 12.38
V4 0.49 4.626
V5 2.236 22.416
V6 2.784 29.652
V7 3.044 33.3
V8 3.5 41.708
Rata Rata 1.83175 19.599


Kemudian Menghitung nilai hambatan dengan rumus

Dengan menggunakan metode kuadrat terkecil kita dapat mengetahui hubungan antara V
dan I pada semikonduktor. Hubungan V dan I pada semikonduktor inilah yang disebut
hambatan semikonduktor



Dimana y merupakan fungsi dari V, b merupakan fungsi dari R, x merupakan fungsi dari I,
dan a merupakan Konstanta.





Persamaan Hambatan Semikonduktor diperoleh



Dengan kesalahan relatif sebesar











0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
0 1 2 3 4
I

r
a
t
a
-
r
a
t
a

(
m
A
)

V rata-rata (Volt)
V rata rata X I rata rata
I rata- rata (mA)
Analsis
1. Analisis Percobaan
Pada percobaan LR-03 ini memiiki tujuan untuk mengetahui hubungan karakteristik
V dan I pada sebuah semikonduktor. Percobaan ini dilakukan secara Remote
Laboratory dimana praktikan tidak datang langsung ditempat praktikum namun
mengendalikan alur percobaan melalu perangkat komputer. Percobaan dimulai
dengan mengakses site R-lab kemudian mengaktifkan web cam untuk memantaui
jalannya praktikum. Kemudian praktikum mengeset nilai V, yang diikuti dengan
menyalakan catu daya dengan menekan tombol "ON". Setelah beberapa saat data V
dan I pun keluar. Praktikan segera kembali mengeset nilai V, hingga V8, untuk
mendapatkan beberapa varian data. Percobaan dengan model R lab ini memang
praktis untuk dilakukan namun karena praktikum tidak dilakukan langsung praktikum
tidak tahu mengenai hal hal apa yang sebenarnya terjadi serta dalam kebanyakan
praktikum R lab, fitur video tidak dapat diaktifkan sehingga praktikan tidak dapat
memantau secara langung bagaimana praktikum tersebut berjalan.

2. Analisis Hasil
Melalui 8 variasi nilai V, didapatkan hasil yang cukup baik. Hasil tersebut kemudian
diolah sehingga didapatkan niali rata rata V sebesar 1.83175 Volt serta nilai I rata rata
sebesar 19.599 mA , dengan begitu sesuai hukum ohm, didapat nilai R rata rata
sebesar 93,4614 Ohm. Dengan menerapkan metode kuadrat terkecil didapatkan
persamaan garis yaitu, . Kesalahan
relatif yang didapat dari percobaan ini cukup kecil yaitu 1,5270511. Namun pada
kesalahan literatur didapat hasil yang cukup besar, yaitu sebesar 95,92 %. Kesalahan
sebesar ini dapat terjadi karena beberapa faktor seperti nilai tegangan yang naik
turun sehingga mengakibatkan arus yang tidak stabil pula. Serta perubahan suhu
pada semikonduktor tidak diperhatikan.

3. Anlisis Grafik
Grafik hubungan V rata rata X I rata rata adalah sebuah grafik linier, dimana semakin
besar nilai V semakin besar pula nilai I nya. Sehingga dapat disimpulkan bahwa
hubungan antara V dan I dalam semikonduktor adalah sebanding. Nilai resistansi
semikonduktor dapat diketahui dari nilai gradien garis tersebut, yang mana sebesar
Ohm.





Kesimpulan
Semikonduktor adalah bahan yang dapat menjadi konduktor maupun isolator dalam
sebuah rangkaian listrik
Nilai resistansi dari sebuah semikonduktor dapat ditentukan dengan mengikuti
hukum Ohm dimana V = I. R
Hubungan V dan I dalam sebuah semikonduktor adalah berbanding lurus, semakin
besar nilai V semakin besar pula nilai I pada semikonduktor tersebut.
Nilai resistansi semikonduktor dalam percobaan ini adalah sama sengan nilai gradien
garis grafik hubungan V rata rata X I rata rata, yaitu sebesar
Ohm.

Referensi
Halliday, Resnick, Walker; Fundamentals of Physics, 9th Edition, Extended Edition,
John Wiley & Sons, Inc., NJ, 2007
Giancoli, D.C.; Physics for Scientists & Engeeners, Third Edition, Prentice Hall,
NJ, 2000.
www.slideshare.net/nelnelly/bahan-semikonduktor-24342541
staff.uny.ac.id/system/files/pendidikan/..../Bahan%20Semikonduktor.pdf