Anda di halaman 1dari 3

Contoh : Hitunglah tegangan flatband kapasitor nMOS dengan dopan substrat N

A
= 3,0 X 10
17

cm
-3
dan gate alumunium (u
M
= 4,1 V). Anggap tidak terdapat muatan tetap dalam oksida atau
pada permukaan oksida-silikon.
Penyelesaian :
Tegangan flatband
|
|
.
|

\
|
u = u =
i
A
t
g
M S M FB
n
N
V
q
E
V ln
2
_


11
17
10
10 0 , 3
ln 026 , 0 56 , 0 05 , 4 1 , 4

= = 0,1 eV


Contoh : Hitunglah tegangan ambang kapasitor nMOS silikon dengan dopan substrat N
A
= 10
17

cm
-3
, ketebalan oksida 20 nm (c
ox
= 3,9 c
0
) dan gate alumunium (u
M
= 4,1 V). Asumsikan tidak
ada muatan tetap dalam oksida atau pada permukaan oksida-silikon.
Penyelesaian : Tegangan ambang sama dengan
ox
F a S
F FB T
C
qN
V V
| c
|
4
2 + + =
42 , 0 2 93 , 0 + =

7 14
17 19 14
10 20 / 10 85 , 8 9 , 3
42 , 0 10 10 6 , 1 10 85 , 8 9 , 11 4




+

V 88 , 0 =


Contoh :
Dalam Mode inversi, hitunglah kapasitansi oksida, kapasitansi flatband dan kapasitansi frekuensi
tinggi dari kapasitor pMOS silikon dengan dopan substrat N
A
= 10
17
cm
-3
, ketebalan oksida 20
nm (c
ox
= 3.9 c
0
) dan gate alumunium (u
M
= 4.1 V).
Penyelesaian :
Kapasitansi oksida
2
6
14
nF/cm 173
10 2
10 85 , 8 9 , 3
=


= =

ox
ox
ox
t
C
c

Kapasitansi flatband
2
14
6
9
nF/cm 142
10 85 , 8 9 , 11
10 3 , 1
10 173
1
1

1
1

=


+

=
+
=

s
D
ox
FB
L
C
C
c

Panjang Debye didapat dari
nm 13
10 10 6 , 1
0259 , 0 10 85 , 8 9 , 11
17 19
14
=


= =

a
t s
D
qN
V
L
c

Kapasitansi frekuensi tinggi dalam mode inversi sama dengan:
2
14
5
9 -
,
,
nF/cm 63
10 85 , 8 9 , 11
10 05 , 1
10 173
1
1

1
1
=


+

=
+
=

s
T d
ox
inv HF
x
C
C
c

dan lebar lapisan deplesi pada tegangan ambang sama dengan:
nm 105
10 10 6 , 1
419 , 0 2 10 85 , 8 9 , 11 2

) 2 ( 2
17 19
14
,
=


=
=

a
F s
T d
qN
x
| c



Contoh :
Carilah tegangan ambang untuk sebuah kapasitor MOS silikon dengan karakteristik: |
MS
= 0,4
V, N
A
= 10
14
cm
3
, Q
o
= 0,8 C cm
2
, t
ox
= 10
5
cm; permitivitas relatif dari oksida dan silikon
masing-masing 3,9 dan 11,9; T = 300 K
Penyelesaian:
Cari dulu tegangan ambang ideal. Kapasitansi oksida:
345 , 0
10
9 , 3 10 85 , 8
5
6
0
=

=
e e
=

OX
r
OX
t
C F cm
2

Tegangan Fermi V
F
dicari dengan
10
14
10 5 , 1
10
ln 026 , 0 ln

= =
i
A
F
n
N
q
kT
V
= 0,228 V
Muatan dalam daerah deplesi dicari dari
F A S d
V qN Q e = 4
228 , 0 10 10 6 , 1 9 , 11 10 85 , 8 4
14 19 14
=


= 0,392 C cm
2

Tegangan ambang ideal
F
OX
d
T
V
C
Q
V 2 + =
= 0,114 + 0,456
= 0,57 V
Tegangan flatband diberikan oleh persamaan (10.33)
OX
MS FB
C
Q
V
0
= |

345 , 0
8 , 0
4 , 0 =
= 2,72 V
Tegangan ambang non-ideal mengikuti persamaan (10.34)
FB F
OX
d
TH
V V
C
Q
V + + = 2
'

= 0,114 + 0,456 2,72
= 2,15 V

Anda mungkin juga menyukai