LAPORAN R-LAB

Karakteristik V I Semikonduktor

Nama

Ariny Lastarya Putri

NPM

1306449151

Fakultas

Teknik

Departemen

Teknik Kimia

Nomor

LR-03

Minggu Percobaan

Tanggal Praktikum

16 Oktober 2014

Laboratorium Fisika Dasar

UPP IPD
Universitas Indonesia
Depok, 2014

I.

TUJUAN
Mempelajari hubungan antara beda potensial (V) dan arus listrik (I) pada suatu
semikonduktor

II.

ALAT
1. Bahan semikonduktor
2. Amperemeter
3. Voltmeter
4. Variable power supply
5. Camcorder
6. Unit PC
7. DAQ dan perangkat pengendali otomatis

III.

LANDASAN TEORI
Sebuah bahan material bila dilewati oleh arus listrik akan menimbulkan
disipasi panas. Besarnya disipasi panas adalah I2R. Panas yang dihasilkan oleh
material ini akan mengakibatkan perubahan hambatan material tersebut. Jika pada
material semi konduktor , pertambahan kalor / panas akan mengurangi nilai
hambatan material tersebut. Peristiwa dispasi panas dan perubahan resistansi bahan
semi konduktor ini saling berkaitan.

Gambar 1. Rangkaian tertutup semikoduktor

Bahan semikonduktor merupakan bahan yang dipakai dalam pembuatan

komponen elektronika seperti resistor, dioda, transistor, kapasitor, dan lain
sebagainya. Antara bahan yang satu dengan yang lainnya mempunyai sifat dasar
dan karakteristik yang berbeda. Sebelum mulai mempelajari komponen elektronika
terlebih dahulu akan dipelajari tentang sifat dasar bahan semikonduktor sebagai
berikut.
Karakteristik Bahan Semikonduktor
- Semikonduktor elemental
Semikonduktor elemental terdiri atas unsur unsur pada sistem periodik golongan
IV A seperti silikon (Si), Germanium (Ge) dan Karbon (C). Karbon semikonduktor
ditemukan dalam bentuk kristal intan. Semikonduktor intan memiliki konduktivitas
panas yang tinggi sehingga dapat digunakan dengan efektif untuk mengurangi efek
panas pada pembuatan semikonduktor laser.
- Semikonduktor gabungan
Semikonduktor gabungan (kompon) terdiri atas senyawa yang dibentuk dari logam
unsur periodik golongan IIB dan IIIA (valensi 2 dan 3) dengan non logam pada
golongan VA dan VIA (valensi 5 dan 6) sehingga membentuk ikatan yang stabil
(valensi 8). Semikonduktor gabungan III dan V misalnya GaAs dan InP,
sedangakan gabungan II dan VI misalnya CdTe dan ZnS.
Klasifikasi Semikonduktor
Berdasarkan mekanisme terbentuknya gejala semikonduktivitas, semikonduktor
terdiri atas:
1. Semikonduktor Intrinsik
Terbentuk dari semikonduktor murni yang memiliki ikatan kovalen sempurna
seperti Si, Ge, C dan sebagainya. Mekanisme terbentuknya semikonduktor
intrinsik diperlihatkan pada semikonduktor murni seperti Si. Pada kondisi normal

atom atom Si saling berikatan melalui 4 ikatan kovalen (masing masing

memiliki 2 elektron valensi). Ketika suhu dinaikkan maka stimulasi panas akan
mengganggu ikatan valensi ini sehingga salah satu elektron valensi akan
berpindah ke pita konduksi. Lokasi yang ditinggalkan oleh elektron valensi ini
akan membentuk hole. Pasangan hole dan elektron ini menjadi pembawa muatan
dalam semikonduktor intrinsik. Proses ini diperlihatkan pada gambar berikut:

2. Semikonduktor Ekstrinsik
Terbentuk dari semikonduktor murni yang dikotori oleh atom dopping sebagai
penghasil elektron konduksi atau hole. Terdiri atas dua tipe: Tipe N (Silikon +
Phospor atau Arsenic) dan Tipe P (Silikon + Boron, Galium atau Indium).
Semikonduktor

ekstrinsik

terbentuk

melalui

mekanisme

doping,

yang

dimaksudkan untuk mendapatkan elektron valensi bebas dalam jumlah lebih

banyak dan permanen sehingga diharapkan akan dapat menghantarkan listrik.
Mekanisme ini dilakukan dengan jalan memberikan atom pengotor ke bahan
semikonduktor murni sehingga apabila atom pengotor memiliki kelebihan
elektron valensi (valensi 5) akan terdapat elektron bebas yang dapat berpindah.
Karena mengandung atom-atom pengotor, pembawa muatan didominasi oleh
elektron saja atau lubang saja. Apabila semikonduktor murni diberikan pengotor
dengan valensi kurang (valensi 3) maka akan terbentuk area kosong (hole) yang

menjadi pembawa muatan. Mekanisme ini menentukan jenis semikonduktor yang

dibentuk (tipe N atau tipe P). Terdiri dari :

- Semikonduktor Tipe-N

Bahan silikon diberi doping phosphorus atau arsenic yang pentavalen yaitu
bahan kristal dengan inti atom memiliki 5 elektron valensi. Dengan doping,
Silikon yang tidak lagi murni ini (impurity semiconductor) akan memiliki
kelebihan elektron. Kelebihan elektron membentuk semikonduktor tipe-n.
Semikonduktor tipe-n disebut juga donor (pengotornya oleh atom pentavalent
P, As, Sb) yang siap melepaskan elektron.
- Semikonduktor Tipe-P

Kalau Silikon diberi doping Boron, Gallium atau Indium, maka akan didapat
semikonduktor tipe-p. Untuk mendapatkan silikon tipe-p, bahan dopingnya
adalah bahan trivalen yaitu unsur dengan ion yang memiliki 3 elektron pada
pita valensi. Karena ion silikon memiliki 4 elektron, dengan demikian ada
ikatan kovalen yang bolong (hole). Hole ini digambarkan sebagai akseptor
yang siap menerima elektron. Dengan demikian, kekurangan elektron
menyebabkan semikonduktor ini menjadi tipe-p.

Semikonduktor tipe-p atau tipe-n jika berdiri sendiri tidak lain adalah sebuah
resistor. Sama seperti resistor karbon, semikonduktor memiliki resistansi. Cara
ini dipakai untuk membuat resistor di dalam sebuah komponen semikonduktor.
Namun besar resistansi yang bisa didapat kecil karena terbatas pada volume
semikonduktor itu sendiri.

Semikonduktor merupakan terobosan dalam teknologi bahan listrik yang

memungkinkan pembuatan komponen elektronik dalam wujud mikro, sehingga
peralatan elektronik dapat dibuat dalam ukuran yang lebih kecil. Beberapa
komponen elektronik yang menggunakan bahan semikonduktor yaitu diode.
Diode merupakan peranti semikonduktor yang dasar. Diode memiliki banyak
tipe dan tiap tipe memiliki fungsi dan karakteristik masing-masing.

Kata

Diode berasal dari Di (Dua) Ode (Elektrode), jadi Diode adalah komponen
yang memiliki dua terminal atau dua electrode yang berfungsi sebagai
penghantar arus listrik dalam satu arah. Dengan kata lain diode bekerja sebagai
Konduktor bila beda potensial listrik yang diberikan dalam arah tertentu (Bias
Forward) tetapi diode akan bertindak sebagai Isolator bila beda potensial listrik
diberikan dalam arah yang berlawanan (Bias Reverse) Tipe dasar dari diode
adalah diode sambungan PN.

IV.

CARA KERJA
Eksperimen rLab ini dapat dilakukan dengan cara masuk ke
http://sitrampil.ui.ac.id/elaboratory kemudian masuk ke jadwal, meng-klik LR03
karakteristik VI Semikonduktor
1. Memperhatikan halaman web percobaan karakteristik VI semi konduktor
2. Memberikan beda potensial dengan member tegangan V1.
3. Mengaktifkan power supply/baterai dengan mengklik radio button di sebelahnya.
4. Mengukur beda potensial dan arus yang terukur pada hambatan.
5. Mengulangi langkah 3 hingga 5 untuk beda potensial V2 hingga V8

V.

TUGAS DAN EVALUASI

1. Perhatikan data yang saudara peroleh, apakah terjadi perubahan tegangan dan
arus untuk V1 , V2 , V3 , V4 dan V5? Bila terjadi perubahan Jelaskan secara
singkat mengapa hal tersebut terjadi (analisa0 dan bila tidak terjadi jelaskan
pula mengapa demikian !
2. Dapatkan nilai rata-rata beda potensial yang terukur dan arus yang terukur
untuk V1 , V2 , V3 hingga V8.
3. Buatlah grafik yang memperlihatkan hubungan V vs I untuk rata rata V dan I
yang terukur (lihat tugas 2)!
4. Bagaimanakah bentuk kurva hubungan V vs I , jelaskan mengapa bentuknya
seperti itu !
5. Berdasarkan berbagai kurva grafik V vs I bolehkah kita menggunakan hukum
Ohm dalam peristiwa ini ?
6. Berikan kesimpulan terhadap percobaan ini

Data Hasil Percobaan

Setelah melakukan percobaan melalui R-Lab, data yang diperoleh adalah sebagai
berikut :
V (volt)

I (mA)

V (volt)

I (mA)

0.45

3.91

2.26

21.51

0.45

3.91

2.26

21.83

0.45

4.24

2.26

21.83

0.45

4.24

2.26

22.16

0.45

3.91

2.25

22.48

0.92

8.47

2.82

28.35

0.92

8.47

2.82

29.00

0.92

8.47

2.82

29.00

0.92

8.47

2.81

29.65

0.92

8.47

2.81

29.65

1.37

12.38

3.12

32.91

1.37

13.03

3.12

32.91

1.37

12.71

3.12

32.91

1.37

12.71

3.10

34.86

1.37

12.71

3.10

33.89

1.79

14.34

3.57

39.43

1.79

14.34

3.56

39.75

1.79

14.34

3.55

40.40

1.79

14.34

3.54

41.06

1.79

14.34

3.53

41.71

V1

V2

V3

V4

V5

V6

V7

V8

VI.

PENGOLAHAN DATA
a. Mencari nilai V rata-rata dan I rata-rata

V (volt)
0.45
0.45
0.45
0.45
0.45
0.92
0.92
0.92
0.92
0.92
1.37
1.37
1.37
1.37
1.37
1.79
1.79
1.79
1.79
1.79
2.26
2.26
2.26
2.26
2.25
2.82
2.82
2.82
2.81
2.81
3.12
3.12
3.12
3.10
3.10
3.57

I (mA)
3.91
3.91
4.24
4.24
3.91
8.47
8.47
8.47
8.47
8.47
12.38
13.03
12.71
12.71
12.71
14.34
14.34
14.34
14.34
14.34
21.51
21.83
21.83
22.16
22.48
28.35
29.00
29.00
29.65
29.65
32.91
32.91
32.91
34.86
33.89
39.43

V Rata-rata

I Rata-rata

V1

0.45

4.042

V2

0.92

8.47

V3

1.37

12.708

V4

1.79

14.34

V5

2.258

21.962

V6

2.864

29.13

V7

3.136

33.496

V8

3.55

40.47

3.56
3.55
3.54
3.53

39.75
40.40
41.06
41.71
RATA-RATA

2.04225

20.577

Didapatkan nilai Tegangan rata-rata (V) dan Arus rata-rata (mA) sebesar :
Tegangan rata-rata = 2.04225V
Arus rata-rata

= 20.577mA

Grafik Hubungan antara Tegangan (V) dan Arus (I)

GRAFIK HUBUNGAN TEGANGAN (VOLT)

VS ARUS LISTRIK (mA)
4
y = 0.0846x+ 0.298

TEGANGAN (VOLT)

3.5
3
2.5
2
1.5
1
0.5
0
4.042

8.47

12.708

14.34
21.962
ARUS LISTRIK (I)

29.13

33.496

Nilai Hambatan berdasarkan Kurva Grafik V dengan I

Nilai hambatan berdasarkan kurva grafik V dengan I dapat dilkukan dengan
menggunakan persamaan hukum ohm. V = I R
V = Beda Potensial ( Volt )
I = Arus Listrik ( Ampere )
R = Hambatan ( Ohm )

40.47

Berdasarkan hasil dari pengolahan data yang telah dilakukan, nilai V (rata-rata) dan I
(rata-rata) dari delapan data percobaan tersebut adalah :
V = 2.04225V
I = 20.577mA

Maka Hambatannya adalah :

R=
R=
R = 0.09925
Dengan menggunakan metode least square, kita dapat menentukan persamaan garis
hubungan antara V dan I. Hubungan ini disebut juga dengan hambatan semikonduktor
i

Xi

Yi

Xi2

Yi2

Xi Yi

1
2
3
4
5
6
7
8
JUMLAH

4.042
8.47
12.708
14.34
21.962
29.13
33.496
40.47
164.618

0.45
0.92
1.37
1.79
2.258
2.864
3.136
3.55
16.338

16.337764
71.7409
161.493264
205.6356
482.329444
848.5569
1121.982016
1637.8209
4545.896788

0.2025
0.8464
1.8769
3.2041
5.098564
8.202496
9.834496
12.6025
41.867956

1.8189
7.7924
17.40996
25.6686
49.590196
83.42832
105.043456
143.6685
434.420332

y = mx + a
V=R.I
Dimana y merupakan fungsi dari V, m merupakan fungsi dari R, dan x merupakan fungsi
dari I.
(

)
(

(
)

)( )
( )
)

(
)

)(
(

)
)

)(
(

) ( )(
) ( )

)(

Kesalahan relatif =

)(

(
(
)(

)
(

)
(

(
)

)(
)

)(
)

11.21%

Jadi, persamaan garis untuk grafik hubungan tegangan dan kecepatan angin adalah:

Dengan tingkat kesalahan relatif sebesar 11.21%

VII.

ANALISIS

1. Analisis Percobaan
Percobaan LR-03 yang berjudul Karakteristik V I Semikonduktor ini,
bertujuan untuk mempelajari hubungan antara beda potensial (V) dan arus listrik (I)
pada suatu semikonduktor. Pertama-tama praktikan membuka website R-Lab untuk
melakukan percobaan secara digital. Kemudian mengaktifkan web cam video yang
digunakan untuk memantau nilai tegangan awal sehingga dapat menjadi
perbandingan antara nilai tegangan terukur pada data percobaan dengan nilai
tegangan terukur pada alat. Hal ini dilakukan supaya terdapat faktor koreksi
manakala hasil percobaan tidak sesuai dengan teori yang ada. Namun, fasilitas web
cam video tidak dapat digunakan karena alasan teknis yang menyebabkan praktikan
tidak dapat mengecek nilai tegangan awal tiap melakukan pengambilan data.
Setelah itu, praktikan menyetel beda potensial dengan memberi tegangan V1 pada
bahan semikondukor. Kemudian menyalakan tombol power supply. Pada
pengukuran, didapatkan nilai beda potensial dan arus listrik pada 11 hambatan.
Data yang diperoleh berjumlah 5 masing-masing untuk nilai beda potensial
dan arus listriknya. Praktikan kemudian memvariasikan tegangan sampai V8,
sehingga jumlah data yang diperoleh adalah 40. Perbedaan pemberian tegangan ini
bermaksud untuk membandingkan hasil beda potensial dan arus untuk masingmasing tegangan sehingga dapat diketahui hubungan antara tegangan dengan beda
potensial dan arus listrik. Dari data terambil dapat diketahui pula pengaruh beda
potensial dan arus listrik pada resistansi semikonduktor.
2. Analisis Hasil
Dari percobaan yang dilakukan, praktikan memperoleh data nilai tegangan
dan arus listrik. Dari V1 sampai V8 menghasilkan data yang berbeda. Pada V1-V4
nilai beda potensialnya tidak mengalami perubahan, namun nilai arusnya
mengalami perubahan. Pada V5 barulah nilai beda potensial mengalami sedikit
perubahan. Hal ini dapat terjadi karena tegangan pertama kali dialirkan dalam
sistem sehingga belum terjadi perubahan panas yang signifikan pada bahan
semikonduktor. Kondisi ini mengakibatkan tidak ada perubahan resistansi bahan
yang mengakibatkan arus listrik juga cukup bernilai konstan hingga V5. Pada V5

mulai terjadi perubahan tegangan karena panas yang melewati bahan semikondukor
sudah stabil sehingga disipasi panasnya mengalami perubahan. Secara keseluruhan
dari V1 sampai V8 arus listrik mengalami perubahan. Terjadinya perubahan arus
listrik ini disebabkan karena disipasi panas mengurangi nilai resistansi bahan
semikonduktor sehingga nilai arus yang mengalir pada bahan semikonduktor juga
ikut berubah.
Dari data pengamatan dapat dilihat bahwa tegangan yang diberikan praktikan
pada bahan semikonduktor semakin besar. Hal ini berarti beda potensial rangkaian
juga akan semakin besar dan panas yang melewati bahan semikonduktor juga akan
semakin besar. Hal ini akan menimbulkan disipasi panas ketika rangkaian dialiri
arus listrik sehingga dapat mengurangi hambatan yang terjadi. Semakin besar nilai
tegangan dan arus listrik yang melewati rangkaian, semakin kecil nilai hambatan.
Hal ini sesuai dengan hukum Ohm yang menjelaskan bahwa nilai hambatan
sebanding dengan nilai tegangan dibagi arus listrik.
Setelah memperoleh nilai tegangan dan arus kemudian praktikan mencari nilai
tegangan rata-rata dan arus rata-rata dari tiap nilai V yang diberikan. Kemudian
dicari juga rata-rata secara keseluruhan. Nilai tegangan dan arus rata-rata total ini
yang nantinya dijadikan sebagai nilai untuk dimasukkan ke persamaan ohm,
sehingga diperoleh nilai hambatan yang ada pada bahan semikonduktor.
3. Analisis Grafik
Grafik yang dibuat praktikan adalah grafik hubungan nilai tegangan dengan
arus listrik. Nilai arus sebagai sumbu x dan nilai tegangan sebagai sumbu y. Grafik
memiliki tren postirif, yang berarti nilai tegangan berbanding lurus dengan arus
listrik. Semakin besar tegangan yang diberikan maka arus listrik yang dihasilkan
semakin besar pula.

VIII.

KESIMPULAN
Semikonduktor merupakan bahan yang dapat bersifat isolator maupun konduktor
tergantung pada suhu bahan. Sifat konduktor akan lebih tampak pada suhu tinggi,
sedangkan sifat isolator akan lebih tampak pada suhu rendah
Nilai beda potensial berbanding lurus dengan arus listrik. Semakin besar beda potensial
yang diberikan maka semakin besar pula nilai arus yang dihasilkan

 Persamaan garis dari grafik hubungan V dan I adalah

Nilai hambatan pada semikonduktor dapat dicari apabila nilai beda potensial dan
arusnya diketahui dan dapat dihitung dengan Persamaan Ohm, yaitu V = I . R.

IX.

DAFTAR PUSTAKA
Giancoli, D.C.; Physics for Scientists & Enginers, Fourth Edition, Prentice Hall, NJ,
2008.
Halliday, Resnick, Walker; Fundamentals of Physics, 7th Edition, Extended Edition,
John
www.sitrampil.ui.ac.id