KATA PENGANTAR

Alhamdulillah kami telah menyelesaikan tugas ini dengan judul

PERANCANGAN DANDESAIGN CMOS
tidak lupa kita panjatkan puji syukur kepada Tuhan YME yang telahmemberikan karunia-Nya kepada
kami untuk menyelesaikan malakah ini dengan baik. Terimakasih kepada teman-teman sekelompok
yang saling mendukung, tidak lupa terima kasih kamikepada Bapak Ir. Zulkifli selaku dosen pengajar
mata kuliah Fisika Bahan. Dalam makalah iniberisikan beberapa informasi mengenai cara membuat
serta merancang CMOS. Kami mintamaaf sebesar-besarya apabila ada kekurangan dalam makalah ini
dalam tatanan bahasamaupun tulisan. Semoga makalah ini bermanfaat bagi pembaca khususnya
mahasiswa Teknik Fiska. Terima kasih kami ucapkan sedalam-dalamnya.

DAFTAR ISI

Halaman Judul

Kata Pengantar

Abstrak

Daftar Isi

Daftar Gambar

Daftar Grafik

Daftar Tabel

BAB I PENDAHULUAN

91.1 Latar Belakang

91.2 Permasalahan
91.3 Batasan Masalah
91.4 Tujuan Penyusunan Makalah
91.5 Sistematika Laporan
BAB II LANDASAN TEORI

BAB III PEMBAHASAN

10

BAB IV PENUTUP

31Daftar PustakaLampiran

DAFTAR GAMBAR
1.Gambar 2.1.1 Kapasitor dan lambang kapasitor dalam rangaian elektronika
7

2.Gambar 2.2.1 Kapasitor dalam sambungan elektronika mikro

8
3.Gambar 2.3.1 Perancangan Kapasitor MOS
10
4.Gambar 2.3.2 Struktur kapasitor MOS
12
5.Gambar 3.1 Desaign CMOS
15
6.Gambar 3.2 Design Masker dan Proses Metalisasi
7.Gambar 3.3 Rangkaian C-MOS inverter pada simulasi menggunakan software
PSPICE 17

DAFTAR GRAFIK
1.Grafik 3.1 Bentuk sinyal dan input dan output dari rangkaian Inverter CMOS
18
2.Grafik 3.2 Grafik Tegangan output dari inverter CMOS 18

DAFTAR TABEL
1)Tabel 2.2.1 Karakteristik kapasitor MOS Tim Penyusun

BAB I
PENDAHULUAN

16

1.1 Latar Belakang

Suatu bahan memiliki sifat yaitu dapat di olah sesuai kebutuhan, contoh
misalkanbahan tersebut akan di olah menjadi IC (integrated circuit). Tentu bahan
memiliki sifat semikonduktor yang dapat menghantarkan arus listrik, sehingga di
dalam bahan tersebut memilikisambungan yang dinamakan sambungan p-n-p.
Sambungan ini dinamakan p-n-p karena didalam bahan tersebut selain dapat
menghantarkan arus listrik yaitu terjadi beberapa bias majudan bias mundur
sehingga bahan tersebut dapat dirancang dan di buat menjadi suatu
IC(integrated circuit) dengan beberapa komposisi termasuk ketebalan, serta
proses difusi padapembentukan IC tersebut.

1.2 Perumusan masalah

Permasalahan dalam penyusunan tugas ini adalah bagaimana cara
membuat danmendesaign suatu piranti CMOS yang di terapkan pada sebuah IC
(integrated circuit).

1.3 Batasan Masalah

Batasan permasalahan pada tugas ini adalah makalah ini hanya
mambahas sertamempelajari, memahami dan mendesaign suatu piranti CMOS
yang di terapkan pada sebuahIC (integrated circuit).

1.4 Tujuan Penulisan laporan karya ilmiah

Tujuan penyusunan tugas ini adalah mempelajari, memahami dan
mendesaign suatu piranti CMOS yang di terapkan pada sebuah IC (integrated
circuit).

1.7 Sistematika Laporan

Laporan ini terdiri atas kata pengantar, abstrak, daftar gambar, grafik
tabel, Bab IPendahuluan yang berisi tentang latar belakang, permasalahan dan
batasan masalah dalammakalah ini serta sistematika laporan. Bab II Dasar Teori,
yang berisi tentang teori-teori yangberhubungan dengan tema makalah ini.
Kemudian Bab III tugas khusus yang berisikan contohstudi kasus (permasalahan)
dan Bab IV yang berisikan Kesimpulan tentang kesimpulan hasilpada makalah
inidan yang terakhir adalah Daftar Pustaka dan lampiran data hasil makalah ini.

BAB II

LANDASAN TEORI

2.1 Kapasitor pada umumnya

Kondensator (Capasitor) adalah suatu alat yang dapat menyimpan energi
di dalammedan listrik, dengan cara mengumpulkan ketidakseimbangan internal
dari muatan listrik.Kondensator memiliki satuan yang disebut Farad. Ditemukan
oleh Michael Faraday (1791-1867). Kondensator kini juga dikenal sebagai
"kapasitor", namun kata "kondensator" masihdipakai hingga saat ini. Pertama
disebut oleh Alessandro Volta seorang ilmuwan Italia padatahun 1782 (dari
bahasa Itali condensatore), berkenaan dengan kemampuan alat untuk
menyimpan suatu muatan listrik yang tinggi dibanding komponen lainnya.
Kebanyakanbahasa dan negara yang tidak menggunakan bahasa Inggris masih
mengacu pada perkataanbahasa Italia "condensatore", seperti bahasa Perancis
condensateur, Indonesia dan Jerman Kondensator atau Spanyol Condensador
Kapasitor dan lambang kapasitor dalam rangaian elektronikaAda beberapa
tahapan untuk menguji kinerja dari kapasitor adalah sebagai berikut,Pertama
Kapasitor yang mempunyai polaritas (mempunyai kutub negatif dan positif)
Untuk menguji kapasitor berpolaritas digunakan ohmmeter dimana jolok merah
dihubungakandengan kutub negatif dan kolok hitam pada kutub positif. Bila
jarum menunjukkan hargatertentu kemudian kembali ke tak terhingga (Sangat
besar sekali) dikatakan kapasitor baik.Bila menunjukkan harga tertentu dan tidak
bergerak ke tak terhingga dikatakan kapasitorbocor dan bila tidak bergerak sama
sekali kemungkinan kapsitor putus atau range ohmmeterkurang besar. Kedua
Kapasitor nonpolar Caranya sama dengan kapasitor berpolaritas hanyasaja kamu
tidak perlu memperhatikan kutub positif dan kutub negatif.

2.2 Sambungan MOS sebagai kapasitor dan gate kapasitor

Pengertian MOS adalah bahan semi konduktor yang digunakan sebagai bahan
dasaruntuk pembuatan chip integrated circuit (IC) yang mempunyai intensitas
tinggi dalamteknologi microprocessor. Pada dasarnya terdapat dua tipe kapasitor
yang digunakan dalamIC, yaitu jenis MOS (metal-oxide-semiconductor) dan
sambungan p-n. Kapasitor MOS dapatdipabrikasi dengan membuat daerah
berdoping tinggi pada semikonduktor sebagai suatu pelat,di atasnya
ditambahkan lapisan oksida sebagai dielektrik dan kemudian lapisan logam
dibuatdi atasnya sebagai pelat kedua (lihat gambar 2.2.1-a).
Sambungan MOS, (b) Sambungan (p-n)Kapasitor metal-oxide-semiconductor
(MOS) nonpolar mempunyai penampang tegak seperti yang terlihat pada
gambar berikut ini. Struktur ini merupakan kapasitor keping sejajardengan silikon
dioksida sebagai dielektrik. Keping atasnya adalah sebuah lapisan
thin film
logam (aluminnium). Keping bawah terdiri dari
heavily doped n
+
region
yang terbentuk ketika difusi emitter dilakukan.Harga kapasitansinya
biasanya 0,4 pF/mil
2
untuk ketebalan
silikon dioksida 500 , kapasitansi itu berubah mengikuti ketebalannya.

Proses pembuatan kapasitor MOS, lapisan oksida cukup tebal ditumbuhkan

secaratermal pada substrat silikon. Kemudian dengan litografi di buat jendela
sehingga oksidatergerus (etched). Pada daerah jendela kemudian dibuat tipe p
+
dengan proses difusi atauinplantasi, sementara oksida tebal di
sekelilingnya berfungsi sebagai masker. Lapisan oksidatipis kemudian
ditumbuhkan secara termal pada daerah jendela kemudian diikuti
denganpembuatan lapisan logam di atasnya. Besarnya kapasitansi per satuan
luas diberikan olehpersamaandimana adalah :

ox
permitivitas dielektrik silikon dioksida dan
d
adalah ketebalan oksida.Sambungan p-n kadang-kadang juga digunakan
untuk membuat kapaasitor pada rangkaianterintegrasi. Pandangan atas dan
irisan melintang kapasitor sambungan n
+
- p diperlihatkanpada gambar 2.2.1-b. Sebagai kapasitor, biasanya
sambungan dalam keadaan berpanjarmundur. Besarnya kapasitansi tidak
konstan, yaitu mengikuti tegangan panjar yang diberikansebagai fungsi dari (V
b
-V
R
)
-1/2
. Resistansi seri berharga lebih besar dibandingkan kapasitorMOS karena
resistivitas pada daerah-p berharga lebih besar dibandingkan pada daerah - p
+
.
Tabel 2.2.1
Karakteristik kapasitor MOS