1.

DIODE SEMIKONDUKTOR
1.1 Bahan Semikonduktor
Bahan semikonduktor adalah bahan yang mempunyai level konduktiviti
(kemampuan menghantarkan arus listrik) diantara bahan konduktor dan isolator.
Kebalikan dari konduktiviti adalah resistansi , yaitu kemampuan menahan arus listrik.
Semakin tinggi level konduktiviti maka semakin rendah level resistansi. Istilah
resistivity (rho, yunani) biasanya digunakan untuk membandingkan level resistansi
material. Resistivity suatu material diukur dalam satuan Ω-m atau Ω-cm.
RA Ω ⋅ cm 2
ρ= = = Ω ⋅ cm
l cm

Tabel berikut menunjukkan beberapa nilai resistivity bahan-bahan konduktor,

semikonduktor dan isolator.

Tabel 1.1 Nilai Resistivity Beberapa Material

Jenis Bahan Resistivity
Konduktor Tembaga 10-6 Ω-cm
Semikonduktor Silikon 50 x10-3 Ω-cm
Germanium 50 Ω-cm
Isolator Mika 1012 Ω-cm

Jadi, bahan semikonduktor mampu menghantarkan listrik lebih baik daripada

isolator, tapi lebih rendah dibandingkan konduktor.
Dilihat dari struktur atom, atom terdiri dari sejumlah elektron, proton, dan
neutron. Nukleus (inti-atom) mengandung proton ( bermuatan positif) dan neutron (
tidak bermuatan). Elektron (bermuatan negatif) beredar di sekeliling nukleus. Setiap
atom cenderung mempunyai jumlah elektron dan proton yang sama. Model Bohr dari
dua bahan semikonduktor yang paling umum, germanium (Ge) dan silikon (Si),
ditunjukkan pada gambar 1.1.
Ge Gambar 1.1
Struktur atom germanium dan silikon

Atom silikon mempunyai 14

elektron yang mengelilingi inti atom,
dan germanium mempunyai 32
elektron, masing-masing dengan 4
elektron valensi (elektron pada orbit
terluar). Germanium dan silikon juga

Si disebut atom tetravalent karena

mempunyai 4 elektron valensi.

Elektron
Si bersama
Gambar 1.2
(a) Ikatan Kovalen atom silikon
(b) kristal atom silikon
Si Si Si
Dalam kristal murni silikon dan
germanium, ke-4 elektron valensi ini
Si (a)
terikat pada 4 atom lain yang ada di
dekatnya. Ikatan suatu atom, diperkuat
Si Si
dengan ikatan elektron bersama, disebut

Si Si Si Si
ikatan kovalen (covalent bonding)

Si Si Si Si
(b)
Si Si
 Walaupun ikatan kovalen menghasilkan ikatan yang lebih kuat antara elektron
valensi dengan inti atomnya, tapi masih memungkinkan bagi elektron valensi untuk
menyerap cukup energi kinetik dari lingkungannya yang mengakibatkan putusnya ikatan
tersebut. Energi ini bisa berasal dari cahaya dalam bentuk energi photon atau energi
panas dari lingkungan sekitarnya. Akibatnya elektron akan berada dalam kondisi bebas.
Dalam kondisi bebas ini, pergerakan elektron menjadi sensitif terhadap medan listrik
yang diberikan. Pada suhu kamar, ada sekitar 1,5 x 1010 elektron sebagai carrier bebas
dalam 1 cm3 silikon intrinsik.
Intrinsik material adalah semikonduktor yang telah dimurnikan untuk
mengurangi impurities (pengotoran oleh atom lain).

Pada suhu yang sama, germanium memiliki sekitar 2,5 x 1013 elektron bebas.
Jadi pada suhu kamar, germanium adalah konduktor yang lebih baik dibandingkan
silikon. Tapi, dalam kondisi intrinsik, keduanya masih merupakan konduktor yang
buruk.
Meningkatnya jumlah elektron dalam bahan semikonduktor akan meningkatkan
level konduktansinya. Peningkatan ini bisa dilakukan dengan menaikkan suhu
bahan atau dengan melakukan penyinaran pada bahan.

1.2 Extrinsik Material

Metode yang paling baik untuk meningkatkan konduktansi bahan semikonduktor
adalah dengan pemberian impurities (pengotoran kemurnian oleh atom lain) pada bahan
semikonduktor intrinsik. Proses seperti ini disebut dengan proses doping. Impurities ini,
walaupun diberikan hanya satu dalam 10x106 atom silikon akan menaikkan
konduktansinya dengan faktor 105 pada suhu kamar. Peningkatan level konduktansi
adalah sebanding dengan jumlah atom impurities per unit volume.
Bahan semikonduktor yang telah dikenakan proses doping disebut material
extrinsik.
Ada dua tipe material ektrinsik yang sangat penting dalam fabrikasi piranti
semikonduktor, yaitu tipe-n dan tipe-p.

Material Tipe-n
Material ekstrinsik tipe-n diperoleh dengan pemberian atom impurities dengan 5
elektron valensi (pentavalent), seperti antimony, arsenic, dan phosphorus pada kristal
murni silikon atau germanium. Efek dari doping semacam ini ditunjukkan pada gambar
berikut (menggunakan antimony sebagai impurity dalam basis silikon).

Gambar 1.3.
(a) Atom Antimony (Sb) dengan 5
elektron valensi
(b) Impurity antimony dalam material
tipe-n

Keempat ikatan kovalen masih ada,

(a) Sb(51) tapi ada elektron ke-lima dari antimony
yang tidak ber-asosiasi dengan suatu ikatan

Impurity donor kovalen tertentu. Elektron ini, terikat

memberikan elektron
lemah dengan atom induknya (antimony),
bebas
dan relatif bebas bergerak dalam material
Si
tipe-n yang terbentuk. Karena pemberian
atom impurity mendonorkan satu elektron
Si Sb Si
bebas, maka impurity dengan 5 elektron

Si
valensi disebut dengan atom donor.
Ikatan kovalen
(b)
Material Tipe-p
Material tipe-p dibentuk dengan memberikan doping pada kristal silikon ataupun
germanium murni dengan atom impurities yang mempunyai 3 elektron valensi
(trivalent). Elemen yang paling umum digunakan adalah boron, gallium, dan indium.
Efek dari salah satu elemen ini (boron pada basis silikon) ditunjukkan pada gambar 1.4
berikut.

Gambar 1.4.
(a) Atom trivalent (boron)
(b) Material tipe-p
(a) B (5)
Dalam material tipe ini, jumlah elektron
Impurity acceptor
menghasilkan hole tidak cukup untuk membentuk ikatan kovalen.
Si Si Akibatnya, ada satu ikatan yang kekurangan
elektron. Kekurangan ini disebut hole, yang
Si B Si digambarkan sebagai lingkaran putih. Karena
tidak adanya muatan negatif, maka hole
Si Si Si bermuatan positif.
Atom impurity dengan 3 elektron valensi
(b) Boron dalam basis silikon disebut acceptor.

Perlu ditekankan bahwa walaupun dalam material ekstrinsik terdapat sejumlah

besar carrier bebas, secara elekrik bahan tersebut masih netral, karena jumlah muatan
positif proton dalam nukleus/inti atom masih sama dengan jumlah muatan negatif
elektron yang bebas dan yang masih terikat dengan intinya. Dan lagi, jika impurities
tipe-n dan tipe-p dalam jumlah yang sama diberikan pada suatu kristal silikon murni,
tidak akan memberikan dampak terhadap konduktivitas karena kedua tipe muatan carrier
akan berekombinasi.
 Jika suatu elektron valensi mendapat cukup energi kinetik untuk memutuskan
ikatan kovalennya dan mengisi kekosongan yang diciptakan oleh hole, maka suatu
kekosongan/hole yang baru akan terbentuk pada ikatan kovalen yang ditinggalkan oleh
elektron tersebut. Karena itu, arah pergerakan elektron dan hole akan berlawanan. Kalau
ada elektron bergerak ke kiri, maka ada hole yang bergerak ke kanan. Untuk arus listrik,
arah arus yang digunakan adalah arah konvensional yang sesuai dengan arah pergerakan
hole.
Dalam kondisi intrinsik, jumlah elektron bebas dalam silikon dan germanium
hanya sedikit, yaitu elektron valensi yang lepas dari intinya karena memperoleh cukup
energi dari suhu lingkungannya ataupun dari cahaya. Kekosongan yang ditimbulkan
dalam struktur ikatan kovalen memberikan hanya sedikit holes. Dalam material tipe-n,
jumlah holes tidak mengalami perubahan berarti dibandingkan dengan dalam kondisi
intrinsik, sehingga jumlah elektron jauh melebihi jumlah hole. Untuk alasan ini :
Dalam material tipe-n, elektron disebut majority carrier dan hole disebut
minority carrier. Sebaliknya untuk material tipe-p, hole adalah majority carrier
dan elektron adalah minority carrier.

Kalau ada elektron kelima dalam atom donor meninggalkan atom induknya,
maka atom akan menjadi bermuatan positif, dan disebut ion donor. Sebaliknya dalam
material tipe-p, atom yang menerima elektron baru menjadi bermuatan negatif dan
disebut ion acceptor.