THYRISTOR&SILICONCONTROLRECTIFIER(SCR)

Thyristor merupakan salah satu tipe devais semikonduktor daya yang paling
penting dan telah banyak digunakan secara ekstensif pada rangkaian daya . Thyristor
biasanya digunakan sebagai saklar/bistabil, beroperasi antara keadaan non konduksi ke
konduksi. Pada banyak aplikasi, thyristor dapat diasumsikan sebagai saklar ideal akan
tetapidalamprakteknyathyristormemilikibatasankarakteristiktertentu.

KaraktristikTyristor

Thyristor adalah suatu bahan semikonduktor yang tersusun atas 4 lapisan (layer)

yang berupa susunan PNPN junction, sehingga thyristor ini disebut juga sebagai PNPN
diode.
ANODE

PINTU

P
N
P
N

J1
J2
J3

IB1 IGn

N
P

P
N
P

IA

IC1

IC2

IGp IB2

IK

KATODE

Gambar1.Strukturfisikdarithyristordansimbolnya

Seperti tampak pada gambar 1. ketika tegangan anode dibuat lebih positif

dibandingkandengantegangankatode,sambunganJ1danJ3beradapadakondisiforward
bias, dan sambungan J2 berada pada kondisi reverse bias sehingga akan mengalir arus
bocor yang kecil antara anode dan katode. Pada kondisi ini thyristor dikatakan forward
blocking atau kondisi offstate, dan arus bocor dikenal sebagai arus offstate ID. Jika
tegangananodekekatodeVAKditingkatkanhinggasuatutegangantertentu,sambunganJ2
akanbocor.HalinidikenaldenganavalancebreakdowndanteganganVAKtersebutdikenal
sebagai forward breakdown voltage, VBO. Dan karena J1 dan J3 sudah berada pada kondisi
forward bias, maka akan terdapat lintasan pembawa muatan bebas melewati ketiga
sambungan , yang akan menghasilkan arus anode yang besar. Thyristor pada kondisi

tersebut berada pada kondisi konduksi atau keadaan hidup. Tegangan jatuh yang terjadi
dikarenakan oleh tegangan ohmic antara empat layer dan biasanya cukup kecil yaitu
sekitar1V.Padakeadaanon,arusdarisuatunilaiyangdisebutdenganlatchingcVRrentIL,
agar diperoleh cukup banyak aliran pembawa muatan bebas yang melewati sambungan
sambungan , jika tidak maka akan kembali ke kondisi blocking ketika tegangan anode ke
katode berkVRang. Latching cVRrent ( IL ) adalah arus anode minimum yang diperlukan
agar membuat thyristor tetap kondisi hidup, begitu thyristor dihidupkan dan sinyal
gerbang dihilangkan. Ketika berada pada kondisi on, thyristor bertindak sebagai diode
yangtidakterkontrol.Devaisiniterusberadapadakondisionkarenatidakadanyalapisan
deplesi pada sambungan J2 karena pembawa pembawa muatan yang bergerak bebas.
Akan tetapi, jika arus maju anode berada dibawah suatu tingkatan yang disebut holding
cVRrentIH,daerahdeplesiakanterbentukdisekitarJ2karenaadanyapengVRanganbanyak
pembawamuatanbebasdanthyristorakanberadapadakeadaanblocking.HoldingcVRrent
terjadipadaordemiliamperedanlebihkecildarilatchingcVRrentIL,IH>IL.HoldingcVRrent
IH adalah arus anode minimum untuk mempertahankan thyristor pada kondision. Ketika
tegangankatodelebihpositifdibandingdengananode,sambunganJ2terforwardbias,akan
tetapi sambungan J1 dan J3 akan terreverse bias. Hal ini seperti diode diode yang
terhubung secara seri dengan tegangan balik bagi keduanya. Thyrstor akan berada pada
kondisi reverse blocking dan arus bocor reverse dikenal sebagai reverse cVRrent IR.
Thyristor akan dapat dihidupkan dengan meningkatkan tegangan maju VAK diatas VBO,
tetapikondisiinibersifatmerusak.dalamprakteknya,teganganmajuharusdipertahankan
dibawahVBOdanthyristordihidupkandenganmemberikanteganganpositfantaragerbang
katode. Begitu thyristor dihidupkan dengan sinyal penggerbangan itu dan arus anodenya
lebih besar dari arus holding, thyristor akan berada pada kondisi tersambung secara
positif balikan, bahkan bila sinyal penggerbangan dihilangkan . Thyristor dapat
dikategorikansebagailatchingdevais.
Thyristor dapat bertingkah seperti dua transistor dengan penurunan rumus
sebagaiberikut:
IB1=IC2+IGn
IB2=IC1+IGp

Adapun karaktristik tegangan versus arus dapat dilihat pada gambar 2 sebagai
berikut:
iD
III

VR

II

IH
Vbo

VD

I
I

Gambar2.KarakteristikThyristor

Karaktristik tegangan versus arus ini diperlihatkan bahwa thyristor mempunyai 3

keadaanataudaerah,yaitu:
1.

Keadaanpadasaatteganganbalik(daerahI)

2.

Keadaanpadasaatteganganmaju(daerahII)

3.

Keadaanpadasaatthyristorkonduksi(daerahIII)

PadadaerahI,thyristorsamasepertidiode,dimanapadakeadaaninitidakadaarus
yang mengalir sampai dicapainya batas tegangan tembus (Vr). Pada daerah II terlihat
bahwaarustetaptidakakanmengalirsampaidicapainyabatasteganganpenyalaan(Vbo).
Apabila tegangan mencapai tegangan penyalaan, maka tiba tiba tegangan akan jatuh
menjadikecildanadaarusmengalir.Padasaatinithyristormulaikonduksidaniniadalah
merupakan daerah III. Arus yang terjadi pada saat thyristor konduksi, dapat disebut
sebagai arus genggam (Ih = Holding Current). Arus Ih ini cukup kecil yaitu dalam orde
miliampere. Untukmembuatthyristorkembalioff,dapatdilakukandenganmenurunkan
arusthyristortersebutdibawaharusgenggamnya(Ih)danselanjutnyadiberikantegangan
penyalaan.

SCR(SiiliconCon
ntrolRecttifier)

T
Thyristor
dik
kembangkann oleh Bell Laboratoriees tahun 1950-an dan mulai
m
digunnakan
secara koomersial oleeh General Electric
E
tahuun 1960-an. Thyristor attau SCR (Siilicon Contrrolled
Rectifier)) termasuk dalam kom
mponen elekktronik yangg banyak diipakai dalam
m aplikasi listrik
l
industri, salah satu alasannya
a
addalah memilliki kemamppuan untuk bekerja dalaam tegangann dan
miliki tiga kaaki, yaitu annoda, katodaa dan gate. Fungsi
F
gate pada
arus yangg besar. Thyyristor mem
thyristor menyerupaii basis pada transistor, dengan
d
menggatur arus g gate IG yangg besarnya antara
a
1 mA sam
mpai terbesaar 100 mA, maka
m
teganggan keluaran dari Anoda bisa diaturR. Tegangan yang
mampu diatur
d
mula ai dari 50 Voolt sampai 5.000 Volt daan mampu mengatur
m
ar rus 0,4 A saampai
dengan 1.500 A.

G
Gambar
2. Bentuk
B
fisik dari
d SCR

Gambar 3.
3 StrukturR
StruktVR
R dasar thyriistor adalah struktVR 4 layer PNPN
N seperti yanng ditunjukkkan pada gam
mbar3a. Jika dipilah, stru
uktVR ini daapat dilihat sebagai duaa buah strukttVR junction PNP dan NPN
yang terssambung di tengah
t
seperrti pada gam
mbar-3b. Ini tidak
t
lain adalah dua buaah transistorr PNP
dan NPN
N yang tersam
mbung padaa masing-masing kolektoor dan base. Jika divisuaalisasikan sebbagai

transistorr Q1 dan Q2,

Q maka strruktVR thyriistor ini dappat diperlihaatkan seperti pada gambbar 4
yang beriikut ini.

G
Gambar.
4 : visualisasi
v
d
dengan
transsistor
T
Terlihat
di sin
ni kolektor transistor
t
Q11 tersambungg pada base transistor Q2
Q dan sebaliiknya
kolektor transistor Q2
Q tersambunng pada basee transistor Q1.
Q Rangkaaian transistoor yang dem
mikian
menunjukkkan adanyaa loop pengguatan arus di
d bagian teengah. Jika misalnya
m
adda arus sebessar Ib
yang menngalir pada base transisttor Q2, makka akan ada arus Ic yangg mengalir pada
p
kolektor Q2.
Arus kollektor ini meerupakan aruus base Ib pada transistoor Q1, sehinngga akan muncul
m
penguuatan
pada padda arus kolektor transisttor Q1. Aruss kolektor trransistor Q11 tidak lain adalah arus base
bagi trannsistor Q2. Demikian
D
seteerusnya sehiingga makinn lama sambuungan PN daari thyristor ini di
bagian teengah akan mengecil
m
dann hilang. Terrtinggal hanyyalah lapisann P dan N dibagian
d
luarr. Jika
keadaan ini tercapai, maka strukttVR yang deemikian tidaak lain adalahh struktVR dioda
d
PN (annodakatoda) yang
y
sudah dikenal. Padda saat yangg demikian, disebut bahhwa thyristoor dalam keaadaan
ON dan dapat
d
mengaalirkan arus dari
d anoda menuju
m
katodda seperti layyaknya sebuuah dioda.
K
Karakteristik
Thyristor memperlihat
m
tkan dua vaariabel, yaituu tegangan forward VF
F dan
tegangann reverse VR
R, dan variabbel arus forrward IF dan arus reverrse IR pada gambar 5. Pada
tegangann forward VF
F, jika arus gate
g diatur daari 0 mA sam
mpai di atas 50 mA, makka Thyristor akan
cut-in daan mengalirk
kan arus forw
ward IF. Teggangan reverrse untuk Thhyristor VR sekitar 600 Volt.
Agar Thhyristor tetap
p ON, makaa ada arus yang tetap dipertahankkan disebut arus holdinng IH
sebesar 5 mA.
Sebagai conttoh, thyristoor TIC 1066 D sesuai dengan datta sheet meemiliki bebeerapa
parameteer penting, yaitu: tegangaan gate-katoode = 0,8 V, arus gate miinimal 0,2 mA,
m agar thyristor
tetap possisi ON dipeerlukan arus holding = 5 mA. Teganngan kerja yang
y
diizinkkan pada anooda =

400 V dan dapat mengalirkan arus nominal = 5 A. Aplikasi thyristor yang paling banyak sebagai
penyearah tegangan AC ke DC yang dapat diatur.

Gambar 5. Karakteristik dan nilai batas thyristor

SCRdapatdihidupkandenganaruspenyulutsingkatmelaluiterminalGate,dimana
arus gate ini akan mengalir melalui junction antara gate dan kathoda dan keluar dari
kathodanya. Arus gate ini harus positif besarnya sekitar 0,1 sampai 35 mA sedangkan
tegangan antara gate dan kathodanya biasanya 0,7 volt. Jika arus anoda ke kathoda turun
dibawah nilai minimum (Holding Current = IHO), maka SCR akan segera mati (Off). Untuk SCR
yang berkemampuan daya sedang, besar IHO sekitar 10 mA. Tegangan maksimum arah maju
(UBRF) akan terjadi jika gate dalam keadaan terbuka atau IGO = 0. Jika arus gate diperbesar dari
IGO, misal IG1, maka tegangan majunya akan lebih rendah lagi. Hal ini diperlihatkan pada gambar
berikut.

Gambar 6. Pengendalian gate SCR

Gambar 7. memperlihatkan salah satu cara penyulutan SCR dengan sumber searah (dc), dimana
SCR akan bekerja dengan indikasi menyalanya lampu dengan syarat saklar PB1 dan PB2 di ON
kan terlebih dahulu.

Gambar 7. Penyulutan SCR dengan sumber dc

TriggeringuntukpenyulutanSCRdengansumberdcinitidakperludilakukansecaraterus
menerus,jikasaklarPB1dibuka,makalampuakantetapmenyala ataudenganperkataan
lain SCR tetap bekerja. Gambar 8. Memperlihatkan cara penyulutan SCR dengan sumber
bolakbalik(ac).

Gambar8.PenyulutanSCRdengansumberac
Dengan mengatur nilai R2 (potensiometer), maka kita seolah mengatur sudut penyalaan (firing
delay) SCR. Untuk penyulutan SCR dengan sumber arus bolak-balik, harus dilakukan secara
terus menerus, jadi saklar S jika dilepas, maka SCR akan kembali tidak bekerja.
Gambar9.memperlihatkanbentuktegangandanpadaterminalSCRdanbeban.
PengendaliansumberdayadenganSCRterbatashanyadari00sampai900.


Gambar9.Bentukgelombangtegangandanbeban
Kondisi SCR dapat diuji dengan menggunakan sebuah ohmmeter seperti layaknya
dioda, namun dikarenakan konstruksinya, pengujian SCR ini harus dibantu dengan
penyulutan kaki gate dengan pulsa positip. Jadi dengan menghubung singkat kaki anoda
dengan gate, kemudian diberikan sumber positip dari meter secara bersama dan katoda
diberisumbernegatipnya,makaakantampakgerakanjarumohmmeteryangmenujunilai
rendah penunjukkan ohm dan kondisi ini menyatakan SCR masih layak digunakan.
Sedangkan jika penunjukkan jarum menunjuk pada nilai resistansi yang tinggi, maka
dikatakankondisiSCRmenyumbatataurusak.