Sistem Memori

Flip-flop: memori 1-bit

Register: memori n-bit, satu lokasi
Memori: penyimpan data n-bit, m-lokasi
MSB

Flip-flop

MSB

LSB

Register

LSB

4-bit

n
Memori m x n

Memori
ROM (Read Only Memory)
Merupakan chip (IC=integrated circuit) yang menyediakan
fungsi penyimpanan data yang bersifat hanya dapat
dibaca saja, tidak dapat ditulisi, dan sifat penyimpanannya
permanen (jika catudayanya ditiadakan, isi ROM tetap
ada). Tipe memori ini sering disebut sebagai memori yang
tidak mudah berubah (nonvolatile memory).
RAM (Random Access Memory)
Merupakan chip yang menyediakan fungsi penyimpanan
data yang bersifat dapat dibaca dan ditulisi, dan sifat
penyimpanannya sementara (jika catudayanya ditiadakan,
isi RAM hilang)

ROM (1)
PROM (Programmable ROM)
Merupakan ROM yang isinya diprogram oleh
pabriknya. Jenisnya: ROM Matriks
Diode/Transistor BJT/FET
EPROM (Erasable PROM)
Adalah ROM yang dapat dihapus dan diprogram
isinya oleh pengguna. UV-EPROM adalah ROM
yang isinya dapat dihapus dengan sinar Ultra
Violet. Untuk memrogram ROM ini digunakan
EPROM Programmer

ROM (2)
Penghapusan UV-EPROM dilakukan dengan
menggunakan sinar ultra violet.
EPROM

Sinar Ultra Violet

beberapa menit, maka
data akan terhapus
Jendela Transparans
Pin atau terminal IC

EPROM
ERASER

ROM (3)
Cara Menghapus EPROM:
9 Lepaskan EPROM dari sistem
9 Buka penutup jendela transparan
9 Sinari jendela transparan dengan sinar ultra violet
beberapa menit (kurang lebih 15 menit)
Cara Memrogram EPROM:
9 Hapus terlebih dahulu seluruh isinya dengan sinar
ultra violet
9 Pasang EPROM pada EPROM Programmer
9 Isilah EPROM dengan data menggunakan
EPROM Programmer

ROM (4)
EPROM Programmer Berbasis Personal Computer:
EPROM

PC

EPROM PROGRAMMER

ROM (6)
EEPROM (Electrically EPROM) flash
ROM yang isinya dapat dihapus dan diprogram
secara elektris. Contoh: CMOS Setup pada PC.
Jika ingin mengubah konfigurasi PC, maka pada
saat booting tekan tombol Del sehingga muncul
informasi konfigurasi yang akan diubah.
Pengubahan konfigurasi, pada dasarnya adalah
memrogram CMOS/EEPROM secara elektris.

ROM (7)
Cara memrogram EEPROM:
9 EEPROM tetap terpasang pada sistem
9 Lakukan penghapusan dan pengisian data
Kelebihan EEPROM dibandingkan dengan EPROM:
9 Isinya dapat diprogram bagian per bagian, sedangkan pada EPROM
untuk memrogram harus menghapus seluruh isinya terlebih dahulu
sehingga tidak memungkinkan permograman bagian per bagian.
9 Pengahupusan EEPROM lebih cepat dibandingkan EPROM, karena
dilakukan secara elektris. Waktu penghapusan pada EEPROM dalam
orde mili detik (ms) sedangkan pada EPROM pada orde menit.
9 Pemrograman EEPROM dapat dilakukan tanpa melepaskannya dari
sistem, sedangkan untuk EPROM harus dilepaskan dari sistem.

RAM (1)
SRAM (Static RAM)
Merupakan RAM yang sel-selnya
menggunakan flip-flop sehingga: (1)
datanya relatif stabil/statis sehingga tidak
diperlukan adanya rangkaian refresh, (2)
lebih cepat, (3) kepadatan komponen
rendah/kapasitas kecil, (4) mahal

RAM (2)
DRAM (Dynamic RAM)
Merupakan RAM yang sel-selnya
menggunakan kapasitor sehingga: (1)
datanya tidak stabil/dinamis sehingga
diperlukan rangkaian refresh, (2) lebih
lambat, (3) kepadatan komponen
tinggi/kapasitas besar, (4) lebih murah

ROM MATRIKS DIODE

Contoh ROM ukuran 4 x 4 bit
Keadaan belum diprogram
Konduktor
0
1
2
3

D3

D2

D1

D0

ROM MATRIKS DIODE

Misal ROM oleh pabriknya akan diisi data
sebagai berikut:
Alamat
D3
0
1
1
1
2
0
3
0

Data
D2
1
0
1
1

D1
0
1
0
0

D0
0
0
0
1

ROM yang sudah diprogram

0
1
2
3

D3

D2

D1

D0

Jika sel PROM berupa sebuah transistor, maka cara

menyimpan menyimpan data 1 dan 0 seperti ditunjukkan
pada gambar berikut

Pemilih

+Vcc

Pemilih

+Vcc

Diputus

Output
Data

Output
Data

(a)
(b)
Sel ROM: (a) penyimpan data 1, (b) penyimpan data 0

Organisasi ROM Dengan Sel Diode

Pin Alamat
A0

A1

Resistor
Pulldown

1
DEKODER
2
3

Pin Kontrol
OE

X3

X2

X1

X0

TRI-STATE SWITCH

CE

D3

D2

D1

Pin Data

D0

Organisasi ROM Dengan Sel Transistor

Pin Alamat
A0

+Vcc

A1

+Vcc

Resistor
Pulldown

+Vcc

+Vcc

DEKODER

Pin Kontrol
OE

+Vcc

+Vcc

+Vcc

X2

X3

X1

X0

TRI-STATE SWITCH

CE

D3

D2

D1

Pin Data

D0

Simbol ROM 4x4-bit

Pin Alamat

D0

A0

D1

A1

Pin Data

ROM
4x4-bit
Pin Kontrol

D2
D3

CS1

CS2

Pin A0,A1 digunakan untuk memilih alamat

Pin Kontrol digunakan untuk menyediakan saluran output.

Simbol ROM 4x4-bit

Pin Alamat

D0

A0

D1

A1

Pin Data

ROM
4x4 bit
Pin Kontrol

D2
D3

OE

CE

OE=Output enable jenis ACTIVE-LOW

CE=Chip enable jenis ACTIVE-LOW

Simbol ROM
A0
A1

ROM
4X8-bit

D0
D1
D2
D3
D4
D5
D6
D7

D0
D1
D2
D3
D4
D5
D6
D7

A0
A1

ROM
4 byte

OE

OE

C
E

CE

A0
A1
A2
A3
A4
A5
A6

ROM
128 byte

A0
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A7

D0
D1
D2
D3
D4
D5
D6
D7

OE

OE

CE

CE

ROM
256 byte

D0
D1
D2
D3
D4
D5
D6
D7

ROM 4 byte

.
.
.

A0
A1
A2

.
.
.

A9

ROM
1KB

D0
D1
D2
D3
D4
D5
D6
D7

.
.
.

A0
A1
A2

.
.
.

A11

ROM
4KB

D0
D1
D2
D3
D4
D5
D6
D7

.
.
.

A0
A1
A2

.
.
.

A13

ROM
16KB

D0
D1
D2
D3
D4
D5
D6
D7

.
.
.

A0
A1
A2

.
.
.

A15

OE

OE

OE

OE

CE

CE

CE

CE

ROM
64KB

D0
D1
D2
D3
D4
D5
D6
D7

OE=Output enable jenis ACTIVE-LOW Kapasitas naik 2 kali,

pin alamat bertambah 1
CE=Chip enable jenis ACTIVE-LOW

Cara MP Membaca ROM

Misal di dalam ROM 8 byte berisi data sebagai berikut:

Alamat
0
1
2
3
4
5
6
7

Isi (Dalam
Heksadesimal)
02
A1
B2
5C
00
45
FF
E6

Cara MP Membaca ROM

Mikroprosesor membaca alamat 5 dari ROM 8 byte:

Tahap I

1
0
1

A0
A1
A2

ROM
8 byte
0
Tahap II

OE
CE

D0
D1
D2
D3
D4
D5
D6
D7

1
0
1
0
0
0
1
0

Tahap III

1. Mikroprosesor mengirim sinyal

alamat 5 yakni A2A1A0=101
lewat bus alamat ke pin alamat
ROM (tahap I)
2. Mikroprosesor mengirim sinyal
kontrol CE = 0, dan OE = 0
untuk mengaktifkan ROM
(Tahap II)
3. Data akan ditempatkan pada bus
data sehingga pada bus data
terdapat data 45 (tahap 3)

Simbol RAM 4x4-bit

Pin Alamat

D0

A0

D1

A1

WE

Pin Kontrol

RAM
4x4-bit

D2
D3

OE
CE

WE=Write Enable
OE=Output enable jenis ACTIVE-LOW
CE=Chip enable jenis ACTIVE-LOW

Pin Data

Cara MP Membaca dan Menulisi RAM

Misal di dalam RAM 8 byte berisi data sebagai berikut:

Alamat
0
1
2
3
4
5
6
7

Isi (Dalam
Heksadesimal)
13
FF
C4
6D
FF
57
FF
FF

Cara MP Membaca RAM

Mikroprosesor membaca alamat 3 dari RAM 8 byte:

Tahap I

1
1
0

A0
A1
A2

RAM
8 byte
0
Tahap II

0
1

OE
CE
WE

D0
D1
D2
D3
D4
D5
D6
D7

1
0
1
1
0
1
1
0

1. Mikroprosesor mengirim sinyal

alamat 3 yakni A2A1A0=011
lewat bus alamat ke pin alamat
RAM (tahap I)
Tahap III

2. Mikroprosesor mengirim sinyal

kontrol CE = 0, OE = 0, dan WE = 1
untuk mengaktifkan mode baca
RAM (Tahap II)
3. Data akan ditempatkan pada bus
data sehingga pada bus data
terdapat data 6D (tahap 3)

Cara MP Menulisi RAM

Mikroprosesor menulisi alamat 4 dari RAM 8 byte dengan data A2:

Tahap I

0
0
1

A0
A1
A2

RAM
8 byte
1
Tahap III

0
0

OE

D0
D1
D2
D3
D4
D5
D6
D7

0
1
0
0
0
1
0
1

Tahap II

1. Mikroprosesor mengirim sinyal

alamat 4 yakni A2A1A0=100
lewat bus alamat ke pin alamat
RAM (tahap I)
2. Mikroprosesor menempatkan
data A2 pada bus data (tahap II)

CE
WE

3. Mikroprosesor mengirim sinyal

kontrol CE = 0, OE = 1, dan WE = 0
untuk mengaktifkan mode tulis
RAM (Tahap III)