BAB I

PENDAHULUAN
1.1 Latar Belakang.
Transistor merupakan dioda dengan dua sambungan (junction). Sambungan itu
membentuk transistor PNP maupun NPN. Ujung-ujung terminalnya berturut-turut disebut
emitor, base dan kolektor. Base selalu berada di tengah, di antara emitor dan kolektor.
Transistor ini disebut transistor bipolar, karena struktur dan prinsip kerjanya
tergantung dari perpindahan elektron di kutup negatif mengisi kekurangan elektron (hole)
di kutup positif. bi = 2 dan polar = kutup. Adalah William Schockley pada tahun 1951 yang
pertama kali menemukan transistor bipolar.
Transistor bipolar adalah inovasi yang mengantikan transistor tabung (vacum
tube). Selain dimensi transistor bipolar yang relatif lebih kecil, disipasi dayanya juga lebih
kecil sehingga dapat bekerja pada suhu yang lebih dingin.
Dalam beberapa aplikasi, transistor tabung masih digunakan terutama pada
aplikasi audio, untuk mendapatkan kualitas suara yang baik, namun konsumsi dayanya
sangat besar. Sebab untuk dapat melepaskan elektron, teknik yang digunakan adalah
pemanasan filamen seperti pada lampu pijar.
Dalam penulisan makalah ini penulis akan memaparkan tentang galvanometer
jenis balistik dan suspensi serta menjelaskan beberapa aspek penting yang terdapat
pada galvanometer.

BAB II

PEMBAHASAN
2.1 Teori Transistor Bipolar.
Transistor adalah komponen aktif dari bahan semikonduktor. Fungsi utamanya dalam
rangkaian adalah memperkuat isyarat (isyarat lemah pada masukan dan dikuatkan pada
keluaran). Teori persambungan transistor di temukan pertama kali oleh William
Schockley tahun 1951, sehingga berkembang menjadi industri transistor. Kemudian
berkembang pada penemuan IC sampai pada piranti opto elektronika dan prosesor
mikro.
Transistor merupakan dioda dengan dua sambungan (junction). Sambungan
itu membentuk transistor PNP maupun NPN. Ujung-ujung terminalnya berturut-turut
disebut emitor, base dan kolektor. Base selalu berada di tengah, di antara emitor dan
kolektor. Transistor ini disebut transistor bipolar, karena struktur dan prinsip kerjanya
tergantung dari perpindahan elektron di kutup negatif mengisi kekurangan elektron (hole)
di kutup positif. bi = 2 dan polar = kutup. Adalah William Schockley pada tahun 1951 yang
pertama kali menemukan transistor bipolar.

Akan dijelaskan kemudian, transistor adalah komponen yang bekerja sebagai sakelar
(switch on/off) dan juga sebagai penguat (amplifier). Transistor bipolar adalah inovasi
yang mengantikan transistor tabung (vacum tube). Selain dimensi transistor bipolar yang
relatif lebih kecil, disipasi dayanya juga lebih kecil sehingga dapat bekerja pada suhu
yang lebih dingin. Dalam beberapa aplikasi, transistor tabung masih digunakan terutama
pada aplikasi audio, untuk mendapatkan kualitas suara yang baik, namun konsumsi
dayanya sangat besar. Sebab untuk dapat melepaskan elektron, teknik yang digunakan
adalah pemanasan filamen seperti pada lampu pijar.
Pada transistor terdapat tiga daerah kerja, yaitu:
a. Daerah

mati

(Cut

Off)

Daerah mati merupakan daerah kerja saat transistor mendapat bias arus basis
(Ib) > 0, maka arus kolektor dengan basis terbuka menjadi arus bocor dari basis
ke emitor (ICEO). Hal yang sama dapat terjadi pada transistor hubungan
kolektor-basis. Jika arus emitor sangat kecil (IE = 0), emitor dalam keadaan
terbuka dan arus mengalir dari kolektor ke basis (ICBO).
b. Daerah

aktif

Transitor dapat bekerja pada daerah aktif jika transistor mendapat arus basis (Ib)
> 0. Tetapi jika lebih kecil dari arus basis maksimalnya, keluaran arus kolektor
akan berubah-ubah sesuai dengan perubahan pemberian arus basisnya.

c. Daerah
jenuh
Transistor dapat bekerja pada daerah jenuh jika transistor mendapat arus basis
(Ib) lebih besar dari arus basis maksimalnya. Hal ini menimbulkan keluaran arus
kolektor
tidak
dapat
bertambah
lagi.
Prinsip pengoperasian transistor sebagai saklar memiliki dua keadaan, yaitu
keadan tidak bekerja (cut off) dan keadaan jenuh. Dimana perubahan
keadaannya dapat berupa perubahan tegangan ataupun arus.
Saat Vin = 0, maka tidak ada arus yang mengalir pada Rb dan basis transistor
sehingga transistor dalam kondisi tidak bekerja. Tidak ada arus yang mengalir
kecuali arus bocor, sehingga kondisi ini identik dengan saklar terbuka
(sambungan C-E terpisah) dan menyebabkan beban RL tidak bekerja.
Saat Vin mendapat masukan yang cukup besar hingga dapat mengalirkan arus
basis yang cukup untuk transistor, maka transistor akan jenuh. Pada kondisi ini
arus kolektor akan mengalir (sambungan C-E) terhubung dan menyebabkan
beban RL akan bekerja.

2.1.1 Bias DC.

Transistor bipolar memiliki 2 junction yang dapat disamakan dengan penggabungan 2
buah dioda. Emiter-Base adalah satu junction dan Base-Kolektor junction lainnya. Seperti
pada dioda, arus hanya akan mengalir hanya jika diberi bias positif, yaitu hanya jika
tegangan pada material P lebih positif daripada material N (forward bias). Pada gambar
ilustrasi transistor NPN berikut ini, junction base-emiter diberi bias positif sedangkan
base-colector mendapat bias negatif (reverse bias).
Karena base-emiter mendapat bias positif maka seperti pada dioda, elektron mengalir
dari emiter menuju base. Kolektor pada rangkaian ini lebih positif sebab mendapat
tegangan positif. Karena kolektor ini lebih positif, aliran elektron bergerak menuju kutup
ini. Misalnya tidak ada kolektor, aliran elektron seluruhnya akan menuju base seperti
pada dioda. Tetapi karena lebar base yang sangat tipis, hanya sebagian elektron yang
dapat bergabung dengan hole yang ada pada base. Sebagian besar akan menembus
lapisan base menuju kolektor. Inilah alasannya mengapa jika dua dioda digabungkan
tidak dapat menjadi sebuah transistor, karena persyaratannya adalah lebar base harus
sangat tipis sehingga dapat diterjang oleh elektron.
Jika misalnya tegangan base-emitor dibalik (reverse bias), maka tidak akan terjadi aliran
elektron dari emitor menuju kolektor. Jika pelan-pelan 'keran' base diberi bias maju
(forward bias), elektron mengalir menuju kolektor dan besarnya sebanding dengan besar
arus bias base yang diberikan. Dengan kata lain, arus base mengatur banyaknya
elektron yang mengalir dari emiter menuju kolektor. Ini yang dinamakan efek penguatan
transistor, karena arus base yang kecil menghasilkan arus emiter-colector yang lebih
besar. Istilah amplifier (penguatan) menjadi salah kaprah, karena dengan penjelasan di

atas sebenarnya yang terjadi bukan penguatan, melainkan arus yang lebih kecil
mengontrol aliran arus yang lebih besar. Juga dapat dijelaskan bahwa base
mengatur membuka dan menutup aliran arus emiter-kolektor (switch on/off).
Pada transistor PNP, fenomena yang sama dapat dijelaskan dengan memberikan bias
seperti pada gambar berikut. Dalam hal ini yang disebut perpindahan arus adalah arus
hole.
Untuk memudahkan pembahasan prinsip bias transistor lebih lanjut, berikut
adalah terminologi parameter transistor. Dalam hal ini arah arus adalah dari potensial
yang lebih besar ke potensial yang lebih kecil.
Dimana:
IC : arus kolektor
IB : arus base
IE : arus emitor
VC : tegangan kolektor
VB : tegangan base
VE : tegangan emitor
VCC : tegangan pada kolektor
VCE : tegangan jepit kolektor-emitor
VEE : tegangan pada emitor
VBE : tegangan jepit base-emitor
ICBO : arus base-kolektor
VCB : tegangan jepit kolektor-base
Perlu diingat, walaupun tidak perbedaan pada doping bahan pembuat emitor dan
kolektor, namun pada prakteknya emitor dan kolektor tidak dapat dibalik.

2.1.2 Transistor Tak Bias.

Jika Belum diberi pembiasan, maka transistor mempunyai sifat:

a. Pembawa mayoritasnya belum bergerak melewati function.
b. Elektron bebas berdifusi melewati function yang menghasilkan dua lapisan
deplesi (pengosongan). Setiap lapisan deplesi mempunyai potensial penghalang
atau potensial barrier 0,6 0,7 V untuk bahan Sid an 0,2 0,3 V untuk bahan Ge
pada suhu 250C.
Dengan doping yang berbeda, maka lapisan deplesi mempunyai lebar yang tidak
sama. Makin banyak di doping, makin besar konsentrasi ion dekat junction berarti lapisan
deplesi sedikit menembus emitter yang didoping lebih banyak, sedangkan di basis
sangat banyak karena di doping sangat sedikit. Karena ada dua lapisan pengosongan,
maka ada uda bukit energi electron pita konduksi dalam emiter yang mana tidak cukup
energi untuk memasuki basis (harus dibias maju untuk merendahkan bukit energi).
2.2 Konfigurasi Transistor Bipolar.
Pembiasan pada transistor dapat dilakukan dalam tiga konfigurasi:
1. Common Base (CB) yaitu pembiasan dimana basis digunakan bersama
oleh kolektor dan emitter (basis sebagai gorund).
2. Common Emitter (CE) yaitu pembiasan dimana emitter digunakan
bersama-sama oleh basis dan kolektor (emitter sebagai ground).
3. Common Collector (CC) yaitu pembiasan dimana kolektor digunakan
bersama-sama oleh basis dan emitter. Konfigurasi ini disebut
juga emitter follower (pengikut emitter). Penguatan CC kurang dari
satu, impedansi masukan tinggi, impedansi keluaran rendah dan dapat
digunakan sebagai penyangga untuk mengatasi ketidaksesuaian pada
alih tegangan.
2.2.1 Konfigurasi Common Base.
Penamaan common base berasal dari kondisi dimana basis digunakan
bersama dalam input dan output.
Konfigurasi ini memiliki resistansi input yang kecil dan menghasilkan
arus kolektor yang hampir sama dengan arus input dengan impedansi yang
besar. Konfigurasi ini biasanya digunakan sebagai buffer.Konfigurasi common
base ditunjukkan oleh gambar berikut ini.
Resistansi input untuk konfigurasi ini adalah:

Resistansi outputnya adalah:

Faktor penguatan keseluruhan adalah:

dengan,
adalah resistansi sumber sinyal input dan
transkonduktansi.

adalah

Gambar di atas menunjukkan konfigurasi grounded-base, yang dinamakan

juga common-base. Pada transistor pnp, komponen utama arusnya adalah hole.
Karena hole mengalir dari emitor menuju kolektor, dan sebagian menuju ground pada
terminal basis, maka IE bernilai positif,IC bernilai negatif, dan IB bernilai negatif.
Unttuk junction emitor yang terbias maju, VEB bernilai positif, dan untuk junction kolektor
terbias mundur, VCB bernilai negatif.
Pada transistor npn, seluruh polaritas arus dan tegangan merupakan kebalikan
dari transistor pnp.
Terlihat bahwa arus output, IC sepenuhnya ditentukan oleh arus input (IE) dan
teganganoutput (kolektor ke basis) VCB = VC . Output ini secara implisit dapat ditulis sbb. :
IC = 2 (VCB, IE) (5.9)
(Baca : IC merupakan fungsi 2 dari VCB dan IE).
Demikian juga jika VCB dan IE kita perlakukan sebagai variabel independen,
teganganinput (emitor ke basis) VEB sepenuhnya ditentukan oleh
independen tersebut. Bentuk implisit karakteristik input ini adalah :

kedua

variabel

IEB = 1 (VCB, IE)

Pada gambar tersebut diplot tegangan emitor-basis VEB terhadap arus emitor IE,
dengan parameter tegangan kolektor-basis, VCB. Kurva ini dinamakan karakteristik stats
input ataukarakteristik statis emitor.
Jika sebelumnya, pada gambar 5.3, ruang sempit yang ditempati oleh muatan di
sekitarjunction diabaikan, maka pada diskusi ini akan diperhatikan secara mendalam.
Dari persamaan 3.21 diketahui bahwa depletion region W pada dioda akan bertambah
jika tegangan reverseditingkatkan. Karena junction emitor mendapat bias-maju,
sementara junction kolektor mendapat bias mundur pada active region, maka
lebar barrier pada JE relatif bisa diabaikan dibandingkan dengan konsentrasi muatan
pada JC.

Ingat kembali bahwa pada area transisi (depletion region), terdapat tumpukan ion
pada kedua sisi junction. Jika tegangan (reverse) dinaikkan, area transisi akan melebar
ke arah basis dan kolektor. Karena netralitas muatan harus dipertahankan, jumlah
muatan pada kedua sisi harus sama. Karena doping pada basis biasanya lebih kecil dari
kolektor, penetrasi daerah transisi ke wilayah basis jadi lebih besar daripada apa yang
terjadi pada kolektor. Dengan demikian, depletion region pada daerah kolektor dapat
diabaikan.
Ingat kembali bahwa pada area transisi (depletion region), terdapat tumpukan ion
pada kedua sisi junction. Jika tegangan (reverse) dinaikkan, area transisi akan melebar
ke arah basis dan kolektor. Karena netralitas muatan harus dipertahankan, jumlah
muatan pada kedua sisi harus sama. Karena doping pada basis biasanya lebih kecil dari
kolektor, penetrasi daerah transisi ke wilayah basis jadi lebih besar daripada apa yang
terjadi pada kolektor. Dengan demikian, depletion region pada daerah kolektor dapat
diabaikan.
Jika lebar basis metalurgik adalah WB, maka lebar basis efektif pada saat
junction diberi tegangan adalah WB' = WB W. Modulasi terhadap lebar basis efektif
yang disebabkan oleh tegangan kolektor ini, dinamakan efek Early. Penyempitan WB'
karena peningkatan tegangan reverse pada kolektor akan menimbulkan tiga konsekuensi
:
Pertama, peluang terjadinya rekombinasi di basis menjadi lebih kecil. Berarti,
akan meningkat jika |VCB| meningkat. Ke dua, gradien konsentrasi carrier minoritas pn
akan meningkat di dalam basis. Perhatikan bahwa pn menjadi nol pada posisi d (di
antara WB' dan WB), dimana potensial terhadap basis akan jatuh di bawah V0. Pada
jarak ini, potensial efektif akan menjadi negatif, dan hukum junction, akan menghasilkan
pn = 0. Karena arus hole yang terinjeksi melalui emitor proporsional terhadap gradien pn
di JE, maka IE akan meningkat jika tegangan balik pada kolektor dinaikkan. Ketiga, jika
tegangan pada kolektor ekstrim sangat besar, WB' mendekati nol, yang akan
menimbulkan tegangan breakdown pada transistor. Fenomena ini dinamakan punchthrough.
Pemahaman kualitatif mengenai karakteristik input dan output transistor tidak
akan menjadi sulit, jika kita menganggap transistor terdiri atas dua dioda yang saling
berhadapan (kedua katodanya saling bertemu). Pada daerah aktif (active region), dioda
input (emitor ke basis) mendapat bias maju. Karakteristik input pada dasarnya
menunjukkan karakteristik dioda emitor-basis pada berbagai tegangan kolektor. Satu hal
penting mengenai karakteristik input yaitu adanya tegangan cutin, offset, atau treshold,
V, dimana untuk tegangan di bawah V, arus emitor IE menjadi sangat kecil. Pada
umumnya, V, bernilai sekitar 0,1 V untuk transistor germanium (Gb.5.7) dan 0.5 V untuk
silikon.

Bentuk karakteristik input dapat dipahami jika kita menyadari suatu kenyataan
bahwa peningkatan nilai tegangan kolektor akan menimbulkan peningkatan arus emitor
(efek Early), sementara nilai VEB tidak berubah. Kenaikan nilai |VCB| akan menggeser
kurva ke bawah. Kurva dengan kolektor terbuka (tegangan kolektor = 0 V) identik dengan
karakteristik dioda emitor yang terbias maju.
Merupakan suatu hal yang biasa untuk membuat plot secara terbalik seperti pada
gambar 5.6, dimana polaritas negatif VCB (karena reverse bias) diplot pada absis kanan
(biasanya absis ini untuk polaritas positif). Jika IE = 0, arus kolektor menjadi IC = IC0.
Untuk nilai IE yang lain, arus reverse pada dioda-output diperkuat oleh sejumlah fraksi
arus dari dioda-input (yang terbias maju). Perhatikan bahwa IC dan IC0 bernilai negatif
untuk transistor pnp dan positif untuk npn.
Di dalam daerah ini, junction kolektor mendapat bias mundur dan junction emitor
mendapat bias maju. Anggap dulu bahwa arus emitor bernilai nol. Dalam keadaan ini,
arus kolektor kecil dan sama dengan arus saturasi balik IC0 (mikroamper untuk
germanium dan nanoampere untuk silikon) dan junction ini berlaku seperti dioda.
Andaikan sekarang terdapat arus emitor IE. Satu fraksi arus sebesar -IE akan mencapai
kolektor, dan arus IC. Di dalam daerah aktif (active region), arus kolektor independen
terhadap tegangan kolektor dan hanya tergantung pada arus emitor. Namun demikian,
karena efek Early, terdapat pengaruh |VCB| berupa kenaikan |IC| walaupun hanya 0,5
persen. Karena lebih kecil dari satu (tapi mendekati satu), arus kolektor sedikit lebih
kecil dari arus emitor.
Daerah dimana junction emitor maupun kolektor mendapat bias maju (forward
biased) dinamakan daerah saturasi. Daerah ini terdapat di bagian kiri ordinat, dimana
VCB = 0 dan di atas karakteristik IE = 0. Di sini dapat dikatakan terjadi proses
"bottoming" karena tegangan akan merosot drastis hingga mendekati dasar, pada saat
VCB 0. Sebenarnya VCB di daerah ini bernilai positif (untuk pnp, walau nilainya kecil),
dan bias maju pada kolektor ini menimbulkan perubahan arus kolektor yang besar
melalui perubahan tegangan kolektor yang kecil. Dalam keadaan terbias maju, IC naik
secara eksponensial terhadap tegangan mengikuti hubungan dioda. Bias maju dapat
diartikan bahwa sisi p (kolektor) dibuat lebih positif dibandingkan dengan sisi n (basis),
sehingga terjadi aliran hole dari kolektor (p) menuju basis (n). Dengan demikian arus
kolektor akan naik secara drastis dan IC dapat bernilai positif jika bias maju bernilai
cukup besar.
Karakteristik untuk kondisi dimana IE = 0 melewati titik origin, namun dalam hal
lain sama seperti karakteristik-karakteristik lain. Karakteristik ini sebenarnya tidak
berihimpitan dengan sumbu tegangan, namun hal ini sulit untuk diperlihatkan mengingat
IC0 bernilai hanya beberapa nano- atau mikroamper. Daerah di bawah IE = 0, dimana
junction emitor dan kolektor sama-sama terbias mundur dinamakan cutoff region.

BAB III
PENUTUP
3.1 Kesimpulan.
Transistor adalah komponen aktif dari bahan semikonduktor. Fungsi utamanya dalam
rangkaian adalah memperkuat isyarat (isyarat lemah pada masukan dan dikuatkan pada
keluaran).
Transistor

bipolar

memiliki

junction

yang

dapat

disamakan

dengan

penggabungan 2 buah dioda. Emiter-Base adalah satu junction dan Base-Kolektor

junction lainnya. Seperti pada dioda, arus hanya akan mengalir hanya jika diberi bias
positif, yaitu hanya jika tegangan pada material P lebih positif daripada material N
(forward bias).
Pembiasan pada transistor dapat dilakukan dalam tiga konfigurasi yaitu: 1.
Common Base (CB), 2. Common Emitter (CE), dan 3. Common Collector (CC).
Penamaan common base berasal dari kondisi dimana basis digunakan bersama dalam
input dan output.
Konfigurasi ini memiliki resistansi input yang kecil dan menghasilkan arus
kolektor yang hampir sama dengan arus input dengan impedansi yang besar. Konfigurasi
common-emitter, yang menggunakan emitor sebagai terminal common untuk input dan
output, lebih sering digunakan pada rangkaian transistor dibandingkan dengan commonbase. Konfigurasi ini memiliki resistansi output yang kecil sehingga baik untuk digunakan
pada beban dengan resistansi yang kecil. Oleh karena itu, konfigurasi ini biasanya
digunakan pada tingkat akhir pada penguat bertingkat.
Ketika transistor sebagai saklar, maka transistor berperan mengalirkan arus dari
kolektor ke emitter atau sebaliknya menghentikan arus yang menglir dari kolektor ke
emiter. Pengaturnya adalah arus basis (tergantung dari besarnya arus yang mengalir dari
basis).
Setiap

transistor

selalu

mempunyai

kode

tertentu

menurut

pabrik

pembuatnya.agar tidak keliru dalam pemakaiannya

Arus kecil yang mengalir pada basis mengendalikan arus yang lebih besar agar
mengalir dari kolektor ke emitter transistor. Terdapat dua macam transistor yang di

produksi untuk pemakaian umum yaitu jenis TUN (Transistor universal npn) atau TUP
(Transistor Universal pnp).

RANGKAIAN DASAR ELEKTRONIKA

BAB I
DASAR TEORI
A. Latar Belakang Masalah.
Adaptor banyak digunakan dalam berbagai alat sebagai catu daya, seperti
Amplifier,TV mini ,radio,tape,dll. Jika dilihat dari jenis peralatannya alat-alat tersebut
tidak terlalu besar dan juga bisa dibilang praktis karena dapat dengan mudah
digunakan oleh semua orang.
Untuk perbengkelan elektronika yang selalu memerlukan tenaga listrik DC
untuk reparasi maupun untuk percobaan-percobaan, maka kita menggunakan catu
daya yang lebih hemat dan stabil dibandingkan dengan batu baterai, karena batu
baterai daya tahannya sangat terbatas dan mudah terjadi perubahan tegangan.
Sebetulnya rangkaian catu daya bisa bervariasi, ada yang sederhana namun
umumnya kurang stabil, dan ada pula yang stabil seperti catu daya yang variabel.
Seperti halnya pesawat-pesawat elektronika pada umumnya, maka rangkaian catu
daya juga merupakan suatu rangkaian elektronika yang terdiri dari beberapa blok dan
bagian yang mempunyai peran dan fungsi yang berbeda-beda, karena fungsi dan
kegunaan masing-masing bagian catu daya tidak lepas dari sipat,fungsi,dan kegunaan
masing-masing komponen yang membentuknya.
Kerusakan pada jenis adaptor tersebut sering dijumpai akibat hubungan
singkat dari arus listrik oleh karena itu harus diperhatikan masukannya, dari
pernyataan tersebut biasanya berpengaruh buruk pada IC.
B. Sistematik Kerja Pembuatan Adaptor.
1. Mencari rangkaian yang sudah ditentukan
2. Menggambar rangkaian dan mencari layout dengan menggunakan PROTEL
10

3. Gambar rangkaian di acc terlebih dahulu, untuk persetujuan Dosen.

4. Merangkai / membuat alat setelah disetujui oleh Dosen yang bersangkutan.
Menggambar garis dengan spidol
Di celupkan ke dalam pelarut ( Norit )
Mem-bor PCB dengan menggunakan bor mata kecil
Setelah kering kita pasang komponen satu persatu

11

5. Membuat makalah hasil dari pembuatan alat ( Adaptor ).

6. Persentasi hasil kerja.

C. Gambar Rangkaian Adaptor.

Gbr. Rangkaian schematik adaptor

12

Gbr.Lay Out Rangkaian adaptor

13

BAB II
TUJUAN PEMBUATAN ALAT
A. Alat Alat.
Untuk tugas pembuatan Adaptor ini alat alat yang digunakan antara lain
adalah sebagai berikut :
1. Solder.
Digunakan untuk menempelkan atau menyambung komponen di papan PCB
sesuai dengan gambar LAY OUT nya.
2. Bor.
Digunakan untuk melubangi papan PCB yang akan ditempelkan komponen.
3. Tang.kombinasi dan tang jepit
Digunakan untuk menjepit dan memotong kaki rangkaian.
4. Obeng ( + , - )
Digunakan untuk mengencangkan baut baut rangkaian.

B. Bahan Bahan.
Untuk pembuatan rangkaian adaptor ini diperlukan komponen komponen
yang dapat di cari di toko toko, yang antara lain :
1. Diode 1 A

4 buah.

2. Capasitor

3 buah.

3. IC 7805

1 buah.

4 . IC 7812

1 buah.

5. Papan PCB

10 x 7 cm

6. Kabel

2 m.

7. Tinol

2 m.

8. Larutan pelarut papn PCB

1 bungkus.

9. Trafo

2 A.

10. Jack DC

2 buah.

C. Tujuan Pembuatan Alat.

Tujuan pembuatan adaptor ini adalah untuk maengubah listrik AC menjadi aruclistrik DC
yang rendah sesuai dengan teganga baterai yang di butuhkan, misalnya : 3 volt, 4,5 volt , 6 volt ,
9 volt , dan 12 volt. Adaptor sangat cocok untuk perbengkelan elektronika yang memerlukan
listrik DC , karna menggunakan sumber daya adaptor akan lebih hemat di bandingkan dengan
mengunakan batu baterai, dan sangat bermanfaat untuk membuat alat-alat elektronika lainnya
seperti: Amflipair, radio, tipe, dan alat-alat elektronika lainnya., Sedangkan batu baterai daya
tahannya sangat terbatas dan mudah terjadi perubahan tegangan. Oleh karna itu adaptor banyak
di gunakan dalam berbagai alat-alat elktronika.
Pada umumnya sumber daya adaptor menggunakan perata sistim jembatan (Bridge).
Tetapi dapat juga menggunakan sistem perata gelombang penuh seperti biasa , yaitu dengan dua
perata dan transformator bercabang tengah pada sekundenya, selain itu pembuatan rangkaian
sumber daya adaptor dapat bervariasi, ada yang sederhana namun kurang stabil untuk itu di
perlukan adaptor variabel.