TUGAS 1

Nama

Fitrahadi Surya Dharma

Nim

135150307111036

Kelas

Teknologi Rangkaian Terpadu - D

Dosen

Adharul Muttaqin, S.T, M.T

BAB 1. PERKEMBANGAN TEKNOLOGI IC

Perkembangan teknologi IC dimulai pada tahun 1947,
dimana John Bardeen dan Walter Brattain untuk pertama kalinya
membuat sebuah transistor di Laboratorium Bell. Penelitian itu
sebenarnya diklarifikasikan sebagai rahasia militer, tapi Bell
mempublikasikannya pada tahun berikutnya.
Kami menamainya transistor, T-R-A-N-S-I-S-T-O-R, karena di
dalamnya terdapat resistor atau perangkat semikonduktor
yang dapat meningkatkan (amplifier) sinyal elektrik yang
berjalan melewatinya. Nilainya setara dengan amplifier yang
dimiliki oleh vacuum tube. Tetapi, bentuk transistor ini
berbeda dengan vacuum tube. Dia tidak memiliki ruang
hampa, tidak ada kawat halus, tidak ada tabung gelas. Secara
keseluruhan tersusun dari zat padat yang dingin [1].
Penelitian selanjutnya dilakukan oleh Jack Kilby pada tahun
1957, ia melakukan penelitian di Texas Instrument dan berhasil
menemukan bahwa ternyata kita dapat memasang beberapa
buah transistor pada potongan silicon (atau yang kita kenal
dengan istilah IC pada saat ini).
Perkembangan transistor berikutnya dilakukan di
Laboratorium Bell. Penelitian dilakukan berdasarkan prinsip kerja
yang dimiliki oleh transistor, yaitu sebagai sebuah sakelar.
Begitulah awal perkembangan transistor jenis bipolar junction
transistor. Dengan kemampuan yang dapat diandalkan, tidak
bising, dan penggunaan daya yang lebih efisien. Transistor jenis
ini banyak digunakan pada Integrated Circuit pada saat itu.
Sekitar tahun 1960-an, transistor jenis kedua yang diberi
nama Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor
(MOSFET) mulai diproduksi. Transistor jenis ini memiliki kelebihan
yang tidak dimiliki Bipolar Junction Transistor, yaitu penggunaan
arus listrik saat kondisi transistor idle (diam).

Pada tahun 1963, Frank Wanlass di Fairchild untuk pertama

kalinya berhasil menggunakan beberapa transistor MOSFET
sebagai sebuah gerbang logika. Ia menggunakan transistor
jenis n-MOSFET dan p-MOSFET secara bersamaan dan
menamainya Complementary Metal Oxide Semiconductor
(CMOS). Disinilah awal mulai berkembangnya CMOS. Dimana
circuit ini menggunakan transistor yang berlawanan, namun
hanya membutuhkan daya yang sedikit.
Saat itu, IC MOSFET sangat banyak yang meminati, karena
bentuknya yang sederhana dan harganya yang murah. Intel yang
lebih dulu menerapkan transistor n-MOSFET pada intel 1101 SRAM
256 bit nya dan mikroprosesor intel 4004.
Namun, pada tahun 1980-an, pemakaian daya menjadi
masalah utama. Saat itu, n-MOSFET tetap memakai daya saat
tidak mengerjakan proses apapun. Oleh karena itu, transistor nMOSFET digantikan oleh CMOS hampir di setiap peralatan digital.
Untuk perkembangan jumlah transistor yang dapat dibuat
pada sebuah chip, pada tahun 1965, seorang ilmuan bernama
Gordon Moore mengemukakan bahwa setiap 18 bulan, transistor
dapat dibuat dua kali jumlahnya pada sebuah chip. Inilah yang
kita kenal dengan Hukum Moore . Hukum Moore terus didorong,
terutama oleh ukuran transistor yang terus diperkecil, dan
pemembuatan chip yang lebih besar.
Inilah dasar yang memotivasi perusahaan dalam bersaing
dengan para pesaingnya. Namun, pengecilan skala transistor
tidak dapat dilanjutkan karena transistor tidak boleh lebih kecil
dari ukuran atom. Ukuran penurunan skala transistor seakan
mulai melambat saat generasi transistor berukuran 45 nm. Pada
tahun 2009, kita masih percaya bahwa Hukum Moore akan
berlanjut hingga sepuluh tahun berikutnya. Masa depan
menunggu untuk penciptaan barumu.

BAB 2. PENGERTIAN FEATURE SIZE PADA TEKNOLOGI IC CMOS

Maksud dari featur size pada proses pembuatan teknologi IC
CMOS adalah dimensi minimum transistor yang dibuat dan telah
tahan uji. Intel 4004 mempunyai feature size 10 m di tahun
1971.
BAB 3. TEKNOLOGI 14 nm INTEL
Teknologi dalam scaling down transistor, memberikan
dampak yang besar dalam perkembangan transistor, seperti
performanya yang semakin baik, konsumsi daya yang semakin
rendah, dan biaya yang murah untuk tiap unit transistor.
Teknologi 14 nm intel adalah generasi ke dua dari teknologi
22 nm intel yang menggunakan Tri-Gate Transistor (3D). Teknologi
14 nm Intel memberikan penyesuaian dimensi yang lebih baik
dari 22 nm. Sirip transistor lebih tinggi, lebih tipis, dan berdekatan
satu sama lain untuk memperoleh peningkatan densitas dan
pengurangan kapasitansi. Transistor yang lebih baik memerlukan
sirip yang lebih sedikit, yang semakin meningkatkan densitas [2].
Teknologi 14 nm Intel akan digunakan untuk memproduksi
berbagai produk dengan kinerja tinggi hingga produk rendah daya
termasuk server, perangkat komputer pribadi dan perangkat
modern lainnya.

Daftar Pustaka
[1] Weste, N. H., & Harris, D. (2010). CMOS VLSI DESIGN 4th Edition.
[2] Teknologi 14 nm Intel. (n.d.). Retrieved from Intel Web site:
http://www.intel.co.id/content/www/id/id/silicon-innovations/intel-14nmtechnology.html?_ga=1.242823746.1137532487.1456704146