Jurnal Nanosains & Nanoteknologi ISSN 1979-0880

Edisi Khusus, Agustus 2009

Penentuan Ketebalan Lapisan Al untuk Katalis pada Deposisi SiNW Menggunakan

Transmitansi Optik

Andhy Setiawan1,2,a), Altje Latununuwe1,3), M. Ramdlan Kirom1,4), Toto Winata1), Sukirno1,b)

1)
Kelompok Keahlian Fisika Material Elektronik
Fakultas Matematika dan Ilmu Pengetahuan Alam, ITB
Jalan Ganeca 10 Bandung 40132
2)
Program Studi Fisika Universitas Pendidikan Indonesia (UPI),
Jl. Dr. Setiabudhi No. 229 Bandung 40154
3)
Program Studi Pendidikan Fisika, FKIP Universitas Pattimura, Ambon.
4)
Sekolah Tinggi Teknologi Telekomunikasi (STT Telkom) Bandung
a)
E-mail: andhys@upi.edu, dan b)sukirno@fi.itb.ac.id

Diterima Editor : 29 Mei 2009

Diputuskan Publikasi : 01 Juni 2009

Abstrak
Pada deposisi SiNW diameter butiran katalis yang terbentuk pada tahap nukleasi berpengaruh pada pembentukan SiNW.
Pembentukan butiran biasanya dilakukan dengan cara menumbuhkan lapisan tipis diikuti dengan proses annealing. Pada
proses ini butiran yang terbentuk dipengaruhi oleh ketebalan lapisan tipis. Telah dilakukan penumbuhan lapisan tipis Al
menggunakan metoda evaporasi termal. Pengukuran ketebalan dieksplorasi menggunakan karakterisasi SEM, AFM dan
spektrometer UV-Vis. Berdasarkan hasil pencitraan dan data transmitansi optik melalui spektrometer UV-Vis diperoleh
nilai koefisien attenuasi untuk setiap panjang gelombang yang digunakan. Penggunaan metoda transmitansi optik ini
dapat digunakan sebagai alternatif dalam menentukan ketebalan lapisan Al yang berorde nanometer dalam rangkaian
sintesis katalis untuk penelitian deposisi SiNW. Berdasarkan hasil eksperimen ini diperoleh cara sederana dalam
menentukan ketebalan lapisan menggunakan spektrometer UV-Vis (pada panjang gelombang 300 nm sampai 820 nm).
Kata Kunci: Transmitansi optik, koefisien attenuasi, penentuan ketebalan, lapisan tipis, orde nanometer.

1. Pendahuluan
Penumbuhan material nanowire seperti silicon
nanowire (SiNW) dapat dilakukan melalui proeses
penumbuhan berkatalis (catalytical growth process).
Mekanisme pada penumbuhan berkatalis ini secara garis
besar terbagi kedalam tiga tahap, yaitu tahap nukleasi,
tahap pengendapan dan tahap deposisi [1]. Tahap nukleasi
merupakan tahap pembentukan butiran orde nano dari
lapisan tipis metal sebagai katalis. Terbentuknya butiran
ini sangat menentukan dalam penumbuhan SiNW, karena
berperan sebagai pemandu dalam deposisi SiNW.
Diameter SiNW yang ditumbuhkan dengan mekanisme
seperti ini dipengaruhi oleh diameter butiran yang
terbentuk pada tahap nukleasi.
Katalis emas (Au) atau katalis berbasis Au sering
digunakan dalam penumbuhan Si nanowire. Tetapi
kemudian diketahui bahwa kehadiran Au dapat
membentuk state perangkap mid-gap dalam silikon
sehingga dapat merusak kinerja divais. Au dapat
memerangkap elektron dan hole dalam Si dan
menyebakan munculnya masalah kontaminasi yang serius
dalam pemrosesan complementary metal oxide
semiconductor (CMOS) [2]. Dengan mempertimbangkan
hal tersebut, biasanya dalam aplikasi elektronik dihindari
penggunaan Au sebagai katalis [3-4]. Penggunaan Al
sebagai katalis direkomendasikan sebagai pengganti Au
[1-2]. Pada penelitian ini dipilih Aluminium (Al) sebagai
kandidat katalis dalam deposisi SiNW. Diharapkan katalis
yang terbentuk dapat digunakan dalam penelitian lebih
lanjut mengenai deposisi SiNW dan divais yang berdasar
padanya.
Seperti telah disebutkan sebelumnya, bahwa dalam
deposisi SiNW diameter butiran katalis yang terbentuk
pada tahap nukleasi berpengaruh pada pembentukan
SiNW. Proses nukleasi merupakan proses pembentukan
butiran dari lapisan tipis. Proses ini dilakukan dengan cara
menumbuhkan lapisan tipis diikuti dengan proses
annealing untuk membentuk butiran tersebut. Pada proses
ini ketebalan lapisan tipis mempengaruhi pembentukan
butiran. Untuk mendapatkan butiran dengan diameter
orde nanometer diperlukan lapisan tipis dengan ketebalan
berorde nanometer juga.
Penumbuhan lapisan tipis Al untuk katalis dalam
penelitian ini dilakukan menggunakan metoda evaporasi
termal. Sistem evaporator yang digunakan peneliti tidak
dilengkapi pengontrol ketebalan lapisan material yang
ditumbuhkan pada substrat. Biasanya untuk mengontrol
ketebalan dilakukan dengan cara mengontrol lamanya
waktu deposisi. Namun dengan cara tersebut sangat sulit
jika dilakukan untuk menumbuhkan lapisan tipis dengan
ketebalan orde nanometer. Sebagai alternatif untuk
mendapatkan ketebalan yang diinginkan, proses evaporasi
dilakukan dengan cara mengevaporasi sumber yang
massanya terlebih dahulu telah ditetapkan atau dengan
kata lain dengan cara mengontrol massa sumber.

105
J. Nano Saintek. Edisi Khusus, Agust. 2009
Masalah berikutnya yang muncul adalah sulitnya
melakukan pengukuran ketebalan dalam orde nanometer,
mengingat minimnya ketersediaan peralatan karakterisasi
atau alat ukur yang ada baik di tempat peneliti maupun di
Indonesia. Untuk mengatasi kendala tersebut digunakan
alternatif pengukuran ketebalan lapisan tipis
menggunakan cara transmitansi optik, yaitu menggunakan
spektrometer transmitansi UV-Vis.
Metoda transmitansi digunakan sebagai alternatif
dalam penentuan ketebalan lapisan dengan pertimbangan
adanya keterkaitan antara besarnya intensitas gelombang
yang ditransmisikan dengan ketebalan lapisan material
yang dilalui oleh gelombang tersebut. Perubahan nilai
intensitas gelombang I terhadap jarak penetrasi x ke
dalam material yang dilewatinya dinyatakan oleh hukum
Lambert Beer, yang secara matematis diungkapkan
melalui persamaan,
dI
= −αI (1)
dx
dengan α adalah koefisien attenuasi (koefisien
pelemahan). Hubungan antara nilai transmitansi
gelombang T yang melalui suatu material, dengan
ketebalan mateial yang dilalui gelombang tersebut untuk
setiap panjang gelombang λdapat diperoleh melalui
⎛ I t (λ ) ⎞
α (λ ) x = − ln⎜⎜ ⎟⎟
⎝ I o (λ ) ⎠
atau
α (λ ) x = − ln T (λ ) (2)
dengan It(λ) dan Io(λ) masing-masing merupakan
besarnya intensitas gelombang yang ditransmisikan dan
intensitas gelombang datang untuk panjang gelombang λ.
Pada paper ini dibahas mengenai eksperimen yang
bertujuan untuk mendapatkan alternatif karakterisasi,
yaitu penggunaan metoda transmitansi optik sebagai
alternatif dalam menentukan ketebalan lapisan Al yang
berorde nanometer dalam rangkaian sintesis katalis untuk
penelitian deposisi SiNW. Hasil eksperimen ini akan
bermanfaat dalam penumbuhan lapisan tipis Al dengan
ketebalan berorde nanometer menggunakan evaporasi
termal, yaitu dalam menentukan massa sumber agar
diperoleh prediksi ketebalan lapisan yang terbentuk.
Selain itu diperoleh cara sederana dalam menentukan
ketebalan lapisan yang terbentuk, yaitu menggunakan
spektrometer UV-Vis (pada panjang gelombang 300 nm
sampai 820 nm).
2. Eksperimen
Secara garis besar eksprimen yang dilakukan
terbagi dalam tahap preparasi, deposisi dan karakterisasi.
Preparasi meliputi pencucian substrat glass cornig melalui
proses ultrasonifikasi dalam aceton, di-water, methanol,
di-water secara bergantian masing-masing selama 10
menit. Selanjutnya substrat dikeringkan melalui proses
penyemprotan menggunakan nitrogen.
106
Deposisi lapisan tipis Al dilakukan menggunakan
evaporasi termal dengan massa sumber ditentukan
terlebih dahulu. Proses evaporasi dilakukan sampai
habisnya sumber Al yang terdapat pada tempat sumber
(evaporator boat). Hal in dilakukan agar dapat diketahui
hubungan antara ketebalan lapisan yang ditumbuhkan
dengan massa sumber yang digunakan.
Karakterisasi dilakukan terhadap lapisan tipis yang
telah ditumbuhkan untuk menentukan ketebalan lapisan
tipis Al. Karakterisasi yang telah dilakukan dalam
penelitian ini yaitu menggunakan scanning electron
microscope (SEM), Atomic Force Microscope (AFM),
dan UV-Vis spectrometer. Karakterisasi SEM dilakukan
pada sampel lapisan tipis yang cukup tebal (Sampel 1).
Hasil ini digunakan untuk menentukan massa sumber
dalam proses evaporasi agar diperoleh lapisan yang lebih
tipis (Sampel 2). Sampel kedua dikarakterisasi
menggunakan AFM untuk menentukan ketebalan, dan
menggunakan spektrometer UV-Vis untuk menentukan
koefisien attenuasi Al yang ditumbuhkan. Nilai koefisien
attenuasi untuk setiap panjang gelombang (300 nm
sampai 820 nm) digunakan untuk menentukan ketebalan
lapisan Al yang ditumbuhkan dengan massa sumber yang
berbeda (Sampel 3).
3. Hasil dan Pembahasan
Evaporasi Al dengan massa sumber 11,4 mg telah
dilakukan untuk sintesis lapisan tipis pada substrat
(sampel 1). Hasil karakterisasi tampang lintang
menggunakan SEM diperlihatkan pada Gbr. 1.
Berdasarkan citra SEM pada gambar tersebut dapat
dilakukan perhitungan untuk menentukan ketebalan
lapisan Al yang terbentuk. Perhitungan ketebalan lapisan
tipis Al dilakukan dengan cara membandingkan ukuran
tebal lapisan dengan bar yang ditampilkan pada citra.
Pada gambar tersebut panjang bar mewakili panjang 500
nm. Dengan cara perhitungan seperti ini dapat ditentukan
bahwa ketebalan lapisan tipis Al sama dengan 111,89 nm.
Gambar 1 Citra SEM tampang lintang (perbesaran
40000×) lapisan tipis Al yang ditumbuhkan dengan massa
sumber 11,4 mg.
Berdasaran hasil ini dapat ditentukan rasio
ketebalan lapisan tipis yang terbentuk d terhadap massa
sumber yang digunakan m, yaitu sebesar R = 9,814
nm/mg. Jika hubungan d dan m ini dapat dianggap linear,
maka dengan mudah dapat dilakukan penumbuhan lapisan
Al yang lebih tipis dengan ketebalan yang dapat dikontrol
dengan cara membatasi massa sumber yang dievaporasi.
J. Nano Saintek. Edisi Khusus, Agust. 2009
Sayangnya tidak ada jaminan bahwa hubungan itu linear.
Namun demikian untuk menumbuhkan lapisan yang lebih
tipis dapat diprediksi menggunakan rasio tersebut.
Berdasarkan rasio di atas maka jika massa sumber
2,5 mg diperkirakan akan tumbuh lapisan tipis dengan
tebal 24,54 nm. Asumsi linear akan dapat diterima atau
tidak, jika dilakukan eksperimen evaporasi Al dengan
massa sumber 2,5 mg dan kemudian dilakukan
pengukuran ketebalan lapisan Al yang terbentuk pada
substrat.
Sampel 2, berupa lapisan tipis Al hasil evaporasi
dengan massa sumber 2,5 mg, dikarakterisasi
menggunakan AFM dan spektrometer UV-Vis. Salah satu
citra hasil AFM diperlihakan pada Gbr. 2. Pada gambar
tersebut nampak permukaan lapisan Al di atas substrat
(Gbr. 2a) dan perbedaan ketinggian daerah yang diberi
garis pada gambar a antara lapisan Al dan substrat (Gbr.
2b). Penentuan ketebalan lapisan tipis Al dilakukan
terhadap 12 data yang serupa dengan yang tampak pada
Gbr. 2b tetapi dengan garis (pada Gbr. 2a) ditempatkan
pada area yang berbeda-beda.
a
b
Gambar 2 Citra AFM (a) permukaan lapisan tipis Al dan
(b) perbedaan permukaan substrat dan lapisan Al di
tempat yang ditandai garis pada Gbr. a.
Penentuan ketebalan lapisan Al pada Sampel 2
dengan menggunakan cara tersebut di atas menunjukkan
107
ketebalan lapisan Al sebesar 21,35 nm, dan rasio R = 8,54
nm/mg. Hasil ini menunjukan adanya penurunan nilai R
dari hasil Sampel 1, dan ketebalan yang berbeda dengan
prediksi yang diperoleh dari pengukuran Sampel 1 yaitu
24,54 nm. Fakta ini cukup untuk menghindari asumsi
mengenai kelinearan m terhadap d.
(a)
Koefisien atenuasi, α [nm-1]
Transmisi, T [%]
Panjang gelombang, λ [nm]
Koefisien atenuasi, α [nm-1]
(b)
Panjang gelombang, λ [nm]
Gambar 3 (a) Pola transmitansi dan koefisien attenuasi
terhadap panjang gelombang yang diperoleh dari Sampel
2 melalui spektrometer UV-Vis pada 300-820 nm. (b)
Menunjukkan pola koefisien attenuasi Al menggunakan
metoda lain [5] pada panjang gelombang 400-800 nm
disandingkan dengan pola attenuasi Sampel 2.
Gambar 3(a) menunjukkan pola transmitansi dan
koefisien attenuasi terhadap panjang gelombang yang
diperoleh dari hasil karakterisasi Sampel 2 menggunakan
spektrometer UV-Vis. Pola koefisien attenuasi Al
diperoleh dari data pola transmitansi menggunakan
Persamaan (2) dengan memasukkan nilai x yang
diperoleh dari hasil pengukuran ketebalan menggunakan
AFM.
Gambar 3(b) menunjukkan pola koefisien attenuasi
Al menggunakan metoda lain [5] pada panjang
gelombang 400-800 nm disandingkan dengan pola
attenuasi Sampel 2. Nilai koefisien attenuasi yang
diperoleh pada eksperimen ini hampir sama dengan nilai
koefisien attenuasi yang diperoleh dari hasil pengukuran
J. Nano Saintek. Edisi Khusus, Agust. 2009 108

koefisien absorbsi yang telah dilakukan oleh Schulz [5] 4. Kesimpulan

terhadap lapisan 60 nm Al pada panjang gelombang 400-
950 nm. Informasi mengenai koefisien attenuasi ini sangat
berguna dalam pengukuran ketebalan untuk sampel
lapisan tipis Al yang lain tanpa harus menggunakan SEM
ataupun AFM, tetapi cukup dengan menggunakan
spektrometer UV-Vis.
Koefisien atenuasi, α [nm-1]
Metoda transmitansi optik dapat digunakan untuk
menentukan ketebalan lapisan tipis Al dalam orde
nanometer. Untuk menggunakan metoda ini diperlukan
informasi mengenai nilai koefisien attenuasi untuk setiap
panjang gelombang yang digunakan. Koefisien attenuasi
dapat ditentukan terlebih dahulu dengan menggunakan
data transmitansi optik dari sampel yang telah diketahui
ketebalnnya.

Ucapan Terima Kasih

Peneliti mengucapkan banyak terima kasih kepada
Lembaga Penelitian dan Pengabdian pada Masyarakat
Institut Teknologi Bandung, atas dana Riset KK tahun
2009 yang diberikan sehingga penelitian ini dapat
terlaksana.
- ln T

Referensi
[1] Y. Civale, L. K. Nanver, P. Hadley, and E. J. G.
Goudena, Delft University of Technology, 692-696.
[2] Y. Wang, V. Scemidt, S. Senz, and U. Gösele,
Nature Nanotech. 1, 186 (2006).
[3] H.-Y. Tuan, D. C. Lee, T. Hanrath, and B. A. Korgel,
Nano Let. 5, 681 (2005).
[4] E. C. Garnett, W. Liang, and P.Yang, Adv. Mater. 19,
Panjang gelombang, λ [nm]
2946 (2007).
[5] L. G. Schulz, J. Opt. Soc. Am. 44, 357 (1954).
Gambar 4 Grafik –ln T sebagai fungsi panjang gelombang
dan koefisien attenuasi . Nilai transmitansi T diperoleh
dari Sampel 3 melalui spektrometer UV-Vis pada 300-
820 nm.

Sebagai contoh pengukuran ketebalan lapisan tipis

Al menggunakan data transmitansi optik, selanjutnya
dibahas penentuan ketebalan lapisan tipis Al Sampel 3
(yakni lapisan tipis Al yang ditumbuhkan melalui
evaporasi termal menggunakan massa sumber 1,4 mg).
Nilai koefisien attenuasi untuk setiap panjang gelombang
yang diperoleh dari karakterisasi terhadap Sampel 2 di
atas mutlak diperlukan dalam penentuan ketebalan ini.
Gambar 4 menunjukkan grafik hubungan –ln T
terhadap panjang gelombang dan koefisien attenuasi.
Nilai transmitansi T diperoleh dari hasil karakterisasi
Sampel 3 menggunakan spektrometer UV-Vis pada
panjang gelombang 300-820 nm. Pada gambar tersebut
dapat dilihat bahwa pola dari –ln T terhadap panjang
gelombang sama dengan pola koefesian attenuasi yang
terdapat pada Gbr. 3 yang diperoleh dari hasil
karakterisasi Sampel 2. Kesamaan pola ini menunjukkan
hubungan linear antara –ln T dengan koefisien attenuasi
seperti ditunjukkan oleh grafik –ln T vs a pada Gbr. 4.
Sesuai dengan hubungan yang diekspresikan pada
Persamaan (2), ketebalan lapisan tipis Al adalah
merupakan kemiringan kurva linear tersebut, yaitu 11,44
nm. Rasio ketebalan lapisan tipis d terhadap massa
sumber yang digunakan m, diperoleh sebesar R = 8,17
nm/mg. Konsisten dengan hasil sebelumnya bahwa nilai
R berkurang sesuai dengan pengurangan m.