Anda di halaman 1dari 4

Jurnal Nanosains & Nanoteknologi ISSN 1979-0880

Edisi Khusus, Agustus 2009

Penentuan Ketebalan Lapisan Al untuk Katalis pada Deposisi SiNW Menggunakan


Transmitansi Optik

Andhy Setiawan1,2,a), Altje Latununuwe1,3), M. Ramdlan Kirom1,4), Toto Winata1), Sukirno1,b)


1)
Kelompok Keahlian Fisika Material Elektronik
Fakultas Matematika dan Ilmu Pengetahuan Alam, ITB
Jalan Ganeca 10 Bandung 40132
2)
Program Studi Fisika Universitas Pendidikan Indonesia (UPI),
Jl. Dr. Setiabudhi No. 229 Bandung 40154
3)
Program Studi Pendidikan Fisika, FKIP Universitas Pattimura, Ambon.
4)
Sekolah Tinggi Teknologi Telekomunikasi (STT Telkom) Bandung
a)
E-mail: andhys@upi.edu, dan b)sukirno@fi.itb.ac.id

Diterima Editor : 29 Mei 2009


Diputuskan Publikasi : 01 Juni 2009

Abstrak
Pada deposisi SiNW diameter butiran katalis yang terbentuk pada tahap nukleasi berpengaruh pada pembentukan SiNW.
Pembentukan butiran biasanya dilakukan dengan cara menumbuhkan lapisan tipis diikuti dengan proses annealing. Pada
proses ini butiran yang terbentuk dipengaruhi oleh ketebalan lapisan tipis. Telah dilakukan penumbuhan lapisan tipis Al
menggunakan metoda evaporasi termal. Pengukuran ketebalan dieksplorasi menggunakan karakterisasi SEM, AFM dan
spektrometer UV-Vis. Berdasarkan hasil pencitraan dan data transmitansi optik melalui spektrometer UV-Vis diperoleh
nilai koefisien attenuasi untuk setiap panjang gelombang yang digunakan. Penggunaan metoda transmitansi optik ini
dapat digunakan sebagai alternatif dalam menentukan ketebalan lapisan Al yang berorde nanometer dalam rangkaian
sintesis katalis untuk penelitian deposisi SiNW. Berdasarkan hasil eksperimen ini diperoleh cara sederana dalam
menentukan ketebalan lapisan menggunakan spektrometer UV-Vis (pada panjang gelombang 300 nm sampai 820 nm).
Kata Kunci: Transmitansi optik, koefisien attenuasi, penentuan ketebalan, lapisan tipis, orde nanometer.

1. Pendahuluan
Penumbuhan material nanowire seperti silicon yang terbentuk dapat digunakan dalam penelitian lebih
nanowire (SiNW) dapat dilakukan melalui proeses lanjut mengenai deposisi SiNW dan divais yang berdasar
penumbuhan berkatalis (catalytical growth process). padanya.
Mekanisme pada penumbuhan berkatalis ini secara garis Seperti telah disebutkan sebelumnya, bahwa dalam
besar terbagi kedalam tiga tahap, yaitu tahap nukleasi, deposisi SiNW diameter butiran katalis yang terbentuk
tahap pengendapan dan tahap deposisi [1]. Tahap nukleasi pada tahap nukleasi berpengaruh pada pembentukan
merupakan tahap pembentukan butiran orde nano dari SiNW. Proses nukleasi merupakan proses pembentukan
lapisan tipis metal sebagai katalis. Terbentuknya butiran butiran dari lapisan tipis. Proses ini dilakukan dengan cara
ini sangat menentukan dalam penumbuhan SiNW, karena menumbuhkan lapisan tipis diikuti dengan proses
berperan sebagai pemandu dalam deposisi SiNW. annealing untuk membentuk butiran tersebut. Pada proses
Diameter SiNW yang ditumbuhkan dengan mekanisme ini ketebalan lapisan tipis mempengaruhi pembentukan
seperti ini dipengaruhi oleh diameter butiran yang butiran. Untuk mendapatkan butiran dengan diameter
terbentuk pada tahap nukleasi. orde nanometer diperlukan lapisan tipis dengan ketebalan
Katalis emas (Au) atau katalis berbasis Au sering berorde nanometer juga.
digunakan dalam penumbuhan Si nanowire. Tetapi Penumbuhan lapisan tipis Al untuk katalis dalam
kemudian diketahui bahwa kehadiran Au dapat penelitian ini dilakukan menggunakan metoda evaporasi
membentuk state perangkap mid-gap dalam silikon termal. Sistem evaporator yang digunakan peneliti tidak
sehingga dapat merusak kinerja divais. Au dapat dilengkapi pengontrol ketebalan lapisan material yang
memerangkap elektron dan hole dalam Si dan ditumbuhkan pada substrat. Biasanya untuk mengontrol
menyebakan munculnya masalah kontaminasi yang serius ketebalan dilakukan dengan cara mengontrol lamanya
dalam pemrosesan complementary metal oxide waktu deposisi. Namun dengan cara tersebut sangat sulit
semiconductor (CMOS) [2]. Dengan mempertimbangkan jika dilakukan untuk menumbuhkan lapisan tipis dengan
hal tersebut, biasanya dalam aplikasi elektronik dihindari ketebalan orde nanometer. Sebagai alternatif untuk
penggunaan Au sebagai katalis [3-4]. Penggunaan Al mendapatkan ketebalan yang diinginkan, proses evaporasi
sebagai katalis direkomendasikan sebagai pengganti Au dilakukan dengan cara mengevaporasi sumber yang
[1-2]. Pada penelitian ini dipilih Aluminium (Al) sebagai massanya terlebih dahulu telah ditetapkan atau dengan
kandidat katalis dalam deposisi SiNW. Diharapkan katalis kata lain dengan cara mengontrol massa sumber.

105
J. Nano Saintek. Edisi Khusus, Agust. 2009 106

Masalah berikutnya yang muncul adalah sulitnya Deposisi lapisan tipis Al dilakukan menggunakan
melakukan pengukuran ketebalan dalam orde nanometer, evaporasi termal dengan massa sumber ditentukan
mengingat minimnya ketersediaan peralatan karakterisasi terlebih dahulu. Proses evaporasi dilakukan sampai
atau alat ukur yang ada baik di tempat peneliti maupun di habisnya sumber Al yang terdapat pada tempat sumber
Indonesia. Untuk mengatasi kendala tersebut digunakan (evaporator boat). Hal in dilakukan agar dapat diketahui
alternatif pengukuran ketebalan lapisan tipis hubungan antara ketebalan lapisan yang ditumbuhkan
menggunakan cara transmitansi optik, yaitu menggunakan dengan massa sumber yang digunakan.
spektrometer transmitansi UV-Vis. Karakterisasi dilakukan terhadap lapisan tipis yang
Metoda transmitansi digunakan sebagai alternatif telah ditumbuhkan untuk menentukan ketebalan lapisan
dalam penentuan ketebalan lapisan dengan pertimbangan tipis Al. Karakterisasi yang telah dilakukan dalam
adanya keterkaitan antara besarnya intensitas gelombang penelitian ini yaitu menggunakan scanning electron
yang ditransmisikan dengan ketebalan lapisan material microscope (SEM), Atomic Force Microscope (AFM),
yang dilalui oleh gelombang tersebut. Perubahan nilai dan UV-Vis spectrometer. Karakterisasi SEM dilakukan
intensitas gelombang I terhadap jarak penetrasi x ke pada sampel lapisan tipis yang cukup tebal (Sampel 1).
dalam material yang dilewatinya dinyatakan oleh hukum Hasil ini digunakan untuk menentukan massa sumber
Lambert Beer, yang secara matematis diungkapkan dalam proses evaporasi agar diperoleh lapisan yang lebih
melalui persamaan, tipis (Sampel 2). Sampel kedua dikarakterisasi
menggunakan AFM untuk menentukan ketebalan, dan
dI menggunakan spektrometer UV-Vis untuk menentukan
= −αI (1) koefisien attenuasi Al yang ditumbuhkan. Nilai koefisien
dx
attenuasi untuk setiap panjang gelombang (300 nm
sampai 820 nm) digunakan untuk menentukan ketebalan
dengan α adalah koefisien attenuasi (koefisien
lapisan Al yang ditumbuhkan dengan massa sumber yang
pelemahan). Hubungan antara nilai transmitansi
berbeda (Sampel 3).
gelombang T yang melalui suatu material, dengan
ketebalan mateial yang dilalui gelombang tersebut untuk
3. Hasil dan Pembahasan
setiap panjang gelombang λdapat diperoleh melalui Evaporasi Al dengan massa sumber 11,4 mg telah
dilakukan untuk sintesis lapisan tipis pada substrat
⎛ I t (λ ) ⎞ (sampel 1). Hasil karakterisasi tampang lintang
α (λ ) x = − ln⎜⎜ ⎟⎟
⎝ I o (λ ) ⎠ menggunakan SEM diperlihatkan pada Gbr. 1.
atau Berdasarkan citra SEM pada gambar tersebut dapat
dilakukan perhitungan untuk menentukan ketebalan
α (λ ) x = − ln T (λ ) (2)
lapisan Al yang terbentuk. Perhitungan ketebalan lapisan
tipis Al dilakukan dengan cara membandingkan ukuran
dengan It(λ) dan Io(λ) masing-masing merupakan tebal lapisan dengan bar yang ditampilkan pada citra.
besarnya intensitas gelombang yang ditransmisikan dan Pada gambar tersebut panjang bar mewakili panjang 500
intensitas gelombang datang untuk panjang gelombang λ. nm. Dengan cara perhitungan seperti ini dapat ditentukan
Pada paper ini dibahas mengenai eksperimen yang bahwa ketebalan lapisan tipis Al sama dengan 111,89 nm.
bertujuan untuk mendapatkan alternatif karakterisasi,
yaitu penggunaan metoda transmitansi optik sebagai
alternatif dalam menentukan ketebalan lapisan Al yang
berorde nanometer dalam rangkaian sintesis katalis untuk
penelitian deposisi SiNW. Hasil eksperimen ini akan
bermanfaat dalam penumbuhan lapisan tipis Al dengan
ketebalan berorde nanometer menggunakan evaporasi
termal, yaitu dalam menentukan massa sumber agar
diperoleh prediksi ketebalan lapisan yang terbentuk.
Selain itu diperoleh cara sederana dalam menentukan
ketebalan lapisan yang terbentuk, yaitu menggunakan
spektrometer UV-Vis (pada panjang gelombang 300 nm
sampai 820 nm). Gambar 1 Citra SEM tampang lintang (perbesaran
40000×) lapisan tipis Al yang ditumbuhkan dengan massa
2. Eksperimen sumber 11,4 mg.
Secara garis besar eksprimen yang dilakukan
terbagi dalam tahap preparasi, deposisi dan karakterisasi. Berdasaran hasil ini dapat ditentukan rasio
Preparasi meliputi pencucian substrat glass cornig melalui ketebalan lapisan tipis yang terbentuk d terhadap massa
proses ultrasonifikasi dalam aceton, di-water, methanol, sumber yang digunakan m, yaitu sebesar R = 9,814
di-water secara bergantian masing-masing selama 10 nm/mg. Jika hubungan d dan m ini dapat dianggap linear,
menit. Selanjutnya substrat dikeringkan melalui proses maka dengan mudah dapat dilakukan penumbuhan lapisan
penyemprotan menggunakan nitrogen. Al yang lebih tipis dengan ketebalan yang dapat dikontrol
dengan cara membatasi massa sumber yang dievaporasi.
J. Nano Saintek. Edisi Khusus, Agust. 2009 107

Sayangnya tidak ada jaminan bahwa hubungan itu linear. ketebalan lapisan Al sebesar 21,35 nm, dan rasio R = 8,54
Namun demikian untuk menumbuhkan lapisan yang lebih nm/mg. Hasil ini menunjukan adanya penurunan nilai R
tipis dapat diprediksi menggunakan rasio tersebut. dari hasil Sampel 1, dan ketebalan yang berbeda dengan
Berdasarkan rasio di atas maka jika massa sumber prediksi yang diperoleh dari pengukuran Sampel 1 yaitu
2,5 mg diperkirakan akan tumbuh lapisan tipis dengan 24,54 nm. Fakta ini cukup untuk menghindari asumsi
tebal 24,54 nm. Asumsi linear akan dapat diterima atau mengenai kelinearan m terhadap d.
tidak, jika dilakukan eksperimen evaporasi Al dengan
massa sumber 2,5 mg dan kemudian dilakukan
pengukuran ketebalan lapisan Al yang terbentuk pada (a)
substrat.

Koefisien atenuasi, α [nm-1]


Sampel 2, berupa lapisan tipis Al hasil evaporasi
dengan massa sumber 2,5 mg, dikarakterisasi

Transmisi, T [%]
menggunakan AFM dan spektrometer UV-Vis. Salah satu
citra hasil AFM diperlihakan pada Gbr. 2. Pada gambar
tersebut nampak permukaan lapisan Al di atas substrat
(Gbr. 2a) dan perbedaan ketinggian daerah yang diberi
garis pada gambar a antara lapisan Al dan substrat (Gbr.
2b). Penentuan ketebalan lapisan tipis Al dilakukan
terhadap 12 data yang serupa dengan yang tampak pada
Gbr. 2b tetapi dengan garis (pada Gbr. 2a) ditempatkan
pada area yang berbeda-beda.

Panjang gelombang, λ [nm]


a
Koefisien atenuasi, α [nm-1]

(b)

Panjang gelombang, λ [nm]

Gambar 3 (a) Pola transmitansi dan koefisien attenuasi


terhadap panjang gelombang yang diperoleh dari Sampel
2 melalui spektrometer UV-Vis pada 300-820 nm. (b)
Menunjukkan pola koefisien attenuasi Al menggunakan
metoda lain [5] pada panjang gelombang 400-800 nm
disandingkan dengan pola attenuasi Sampel 2.
b

Gambar 3(a) menunjukkan pola transmitansi dan


koefisien attenuasi terhadap panjang gelombang yang
diperoleh dari hasil karakterisasi Sampel 2 menggunakan
spektrometer UV-Vis. Pola koefisien attenuasi Al
diperoleh dari data pola transmitansi menggunakan
Persamaan (2) dengan memasukkan nilai x yang
diperoleh dari hasil pengukuran ketebalan menggunakan
Gambar 2 Citra AFM (a) permukaan lapisan tipis Al dan AFM.
(b) perbedaan permukaan substrat dan lapisan Al di Gambar 3(b) menunjukkan pola koefisien attenuasi
tempat yang ditandai garis pada Gbr. a. Al menggunakan metoda lain [5] pada panjang
gelombang 400-800 nm disandingkan dengan pola
attenuasi Sampel 2. Nilai koefisien attenuasi yang
Penentuan ketebalan lapisan Al pada Sampel 2 diperoleh pada eksperimen ini hampir sama dengan nilai
dengan menggunakan cara tersebut di atas menunjukkan koefisien attenuasi yang diperoleh dari hasil pengukuran
J. Nano Saintek. Edisi Khusus, Agust. 2009 108

koefisien absorbsi yang telah dilakukan oleh Schulz [5] 4. Kesimpulan


terhadap lapisan 60 nm Al pada panjang gelombang 400- Metoda transmitansi optik dapat digunakan untuk
950 nm. Informasi mengenai koefisien attenuasi ini sangat menentukan ketebalan lapisan tipis Al dalam orde
berguna dalam pengukuran ketebalan untuk sampel nanometer. Untuk menggunakan metoda ini diperlukan
lapisan tipis Al yang lain tanpa harus menggunakan SEM informasi mengenai nilai koefisien attenuasi untuk setiap
ataupun AFM, tetapi cukup dengan menggunakan panjang gelombang yang digunakan. Koefisien attenuasi
spektrometer UV-Vis. dapat ditentukan terlebih dahulu dengan menggunakan
data transmitansi optik dari sampel yang telah diketahui
Koefisien atenuasi, α [nm-1] ketebalnnya.

Ucapan Terima Kasih


Peneliti mengucapkan banyak terima kasih kepada
Lembaga Penelitian dan Pengabdian pada Masyarakat
Institut Teknologi Bandung, atas dana Riset KK tahun
2009 yang diberikan sehingga penelitian ini dapat
terlaksana.
- ln T

Referensi
[1] Y. Civale, L. K. Nanver, P. Hadley, and E. J. G.
Goudena, Delft University of Technology, 692-696.
[2] Y. Wang, V. Scemidt, S. Senz, and U. Gösele,
Nature Nanotech. 1, 186 (2006).
[3] H.-Y. Tuan, D. C. Lee, T. Hanrath, and B. A. Korgel,
Nano Let. 5, 681 (2005).
[4] E. C. Garnett, W. Liang, and P.Yang, Adv. Mater. 19,
Panjang gelombang, λ [nm]
2946 (2007).
[5] L. G. Schulz, J. Opt. Soc. Am. 44, 357 (1954).
Gambar 4 Grafik –ln T sebagai fungsi panjang gelombang
dan koefisien attenuasi . Nilai transmitansi T diperoleh
dari Sampel 3 melalui spektrometer UV-Vis pada 300-
820 nm.

Sebagai contoh pengukuran ketebalan lapisan tipis


Al menggunakan data transmitansi optik, selanjutnya
dibahas penentuan ketebalan lapisan tipis Al Sampel 3
(yakni lapisan tipis Al yang ditumbuhkan melalui
evaporasi termal menggunakan massa sumber 1,4 mg).
Nilai koefisien attenuasi untuk setiap panjang gelombang
yang diperoleh dari karakterisasi terhadap Sampel 2 di
atas mutlak diperlukan dalam penentuan ketebalan ini.
Gambar 4 menunjukkan grafik hubungan –ln T
terhadap panjang gelombang dan koefisien attenuasi.
Nilai transmitansi T diperoleh dari hasil karakterisasi
Sampel 3 menggunakan spektrometer UV-Vis pada
panjang gelombang 300-820 nm. Pada gambar tersebut
dapat dilihat bahwa pola dari –ln T terhadap panjang
gelombang sama dengan pola koefesian attenuasi yang
terdapat pada Gbr. 3 yang diperoleh dari hasil
karakterisasi Sampel 2. Kesamaan pola ini menunjukkan
hubungan linear antara –ln T dengan koefisien attenuasi
seperti ditunjukkan oleh grafik –ln T vs a pada Gbr. 4.
Sesuai dengan hubungan yang diekspresikan pada
Persamaan (2), ketebalan lapisan tipis Al adalah
merupakan kemiringan kurva linear tersebut, yaitu 11,44
nm. Rasio ketebalan lapisan tipis d terhadap massa
sumber yang digunakan m, diperoleh sebesar R = 8,17
nm/mg. Konsisten dengan hasil sebelumnya bahwa nilai
R berkurang sesuai dengan pengurangan m.