Dasar Elektronika

Thomas l.Floyd- "Electronics Devices Conventional Current Version"-Prentice Hall

Thomas l.Floyd- "Electronics Devices Conventional Current Version"Prentice Hall

Thomas l.Floyd- "Electronics Devices Conventional Current Version"Prentice Hall

Thomas l.Floyd- "Electronics Devices Conventional Current Version"Prentice Hall

Thomas l.Floyd- "Electronics Devices Conventional Current Version"Prentice Hall

Thomas l.Floyd- "Electronics Devices Conventional Current Version"Prentice Hall

Silicon is the most widely used material in diodes, transistors, integrated circuits, and other semiconduc- tor devices. Notice that both silicon and germanium have the characteristic four valence electrons.

This means that the germanium valence electrons are t higher energy levels than those in silicon and, therefore. require a smaller amount of ad- ditional energy to escape from the atom.
Thomas l.Floyd- "Electronics Devices Conventional Current Version"Prentice Hall

Jika atom-atom bergabung membentuk padatan atau (Solid), mereka mengatur dirinya sendiri dalam pola tataan tertentu yang disebut dengan Kristal. Gaya saling memegang dalam atom merupakan yang disebut dengan ikatan kovalen.

(a) Ikatan kovalen; (b) diagram ikatan kovalen; (c) hole; (d) ikatan putus

(a)

(b)

(c)

(d)

Nol Mutlak

logam

loga m

energ i Pita konduksi Pita valensi Pita kedua Pita pertama

Silicon murni

(a) Diatas Nol Mutlak

Arah gerakan elektron energi

(b)

Pita konduksi Pita valensi Pita kedua Pita pertama (a) (b)

energi Pita konduksi

F D E C A B hole F E D C B A

energi Pita konduksi Pita valensi

F E D C B A

Pita valensi Pita kedua Pita pertama

(a)

(b)

D C E

A B

hole

Pita kedua Pita pertama

(a)

(b)

Hole juga dapat bergerak dan menghasilkan arus. Dengan perkataan lain, didalam semi konduktor terdapat dua macam arus yang berbeda yaitu arus pita konduksi dan arus hole.

Electron pita konduksi

Electron pita konduksi

Electron valensi

Hole

(a)

(b)

Junction (pertemuan) adalah daerah dimana tipeP dan tipe-N bertemu, dioda junction adalah nama lain untuk Kristal PN.
Lapisan pengosongan

(a)
Ilustrasi Dioda Tanpa Bias

(b)

Forward Bias Dioda (muatan)

Jika diberi tegangan maju (forward bias), dimana tegangan sisi P lebih besar dari sisi N, elektron dengan mudah dapat mengalir dari sisi N mengisi kekosongan elektron (hole) di sisi P.
Thomas l.Floyd- "Electronics Devices Conventional Current Version"Prentice Hall

Reverse Bias Dioda

Sebaliknya jika diberi tegangan balik (reverse bias), dapat dipahami tidak ada elektron yang dapat mengalir dari sisi N mengisi hole di sisi P, karena tegangan potensial di sisi N lebih tinggi. Dioda akan hanya dapat mengalirkan arus satu arah saja, sehingga dipakai untuk aplikasi rangkaian penyearah (rectifier).
Thomas l.Floyd- "Electronics Devices Conventional Current Version"Prentice Hall

Thomas l.Floyd- "Electronics Devices Conventional Current Version"Prentice Hall

Thomas l.Floyd- "Electronics Devices Conventional Current Version"Prentice Hall

Arus maju dioda :

Arus mundur dioda :

Thomas l.Floyd- "Electronics Devices Conventional Current Version"Prentice Hall

Arus maju dioda :

Thomas l.Floyd- "Electronics Devices Conventional Current Version"Prentice Hall

Tegangan & Arus maju dioda :

Thomas l.Floyd- "Electronics Devices Conventional Current Version"-Prentice Hall

CONTOH Hitunglah tegangan maju dan arus maju dioda silicon pada rangkaian di bawah ini, menggunakan perhitungan modelmodel dioda. Kemudian hitunglah tegangannya menggunakan resistor pembatas yg digunakan. Asumsikan tahanan dalam dioda, Rd=10 ohm pada saat arus maju dioda.

Thomas l.Floyd- "Electronics Devices Conventional Current Version"Prentice Hall

Thomas l.Floyd- "Electronics Devices Conventional Current Version"-Prentice Hall

Terima Kasih Atas perhatiannya

Thomas l.Floyd- "Electronics Devices Conventional Current Version"Prentice Hall