MAGNETORESISTIVE RANDOM ACCESS MEMORY (MRAM)

Eva Sitompul, 111070118 Fakultas Elektronika dan Telekomunikasi Institut Teknologi Telkom

RAM atau Random Access Memory adalah bagian penting sebuah PC dan juga laptop. Bahkan sekarang sudah banyak digunakan di PDA,handphone, dan perangkat elektronik lainnya.

Chip DRAM maupun SRAM yang banyak dipakai di PC dan alat-alat elektronik lain mempunyai kinerja yang cepat, tetapi mereka tidak dapat menyimpan data pada saat alat tidak aktif. Memory flash yang banyak ditemukan di pemutar musik, ponsel dan kamera dapat menyimpan data dalam kondisi tidak aktif, tetapi kinerja mereka cenderung lebih lambat dan semakin memburuk seiring berjalannya waktu.

Oleh karena itu, berbagai usaha dan penelitian terus dilakukan untuk meningkatkan kemampuan komputer. Beberapa waktu yang lalu super

komputer tercepat di dunia telah hadir untuk membantu militer amerika melakukan perhitungan. Kini giliran sebuah teknologi di bidang Memory komputer.

Fisikawan mengembangkan

dan sebuah

Insinyur jenis memori

Jerman baru.

Memori RAM ini memiliki berbagai jenis mulai dari EDO RAM, DDR1, DDR2 dan beberapa jenis lainnya. Namun ternyata RAM saja belum cukup untuk memuaskan kebutuhan manusia akan tuntutan kecepatan.

Memori tersebut diberi nama Magnetoresistive Random Access Memory (MRAM), memory ini bukan hanya lebih cepat daripada RAM tetapi juga lebih hemat energi. Kehadiran MRAM sepertinya akan meningkatkan perkembangan mobile

computing dan level penyimpanan dengan cara Dulu kecepatan RAM hanya 66Mhz sekarang telah mampu hingga 800MHz. Kapasitas RAM pun telah banyak berkembang. Dari yang dulu hanya 8MB sekarang telah mencapai 2 GB. Bahkan untuk memenuhi kebutuhan pengolahan data sekarang syarat minimum RAM adalah 512MB. Agar tidak lemot untuk membuka program dan aplikasi. MRAM yang saat ini sedang dikembangkan Gak mau ketinggalan sama teknologi USB yang kabarnya sebentar lagi akan muncul usb 3.0 yang memiliki kecepatan 7x lipat daripada oleh fisikawan dan insinyur Jerman ini memiliki kecepatan 10x lipat daripada RAM yang ada saat ini. Mungkin komputer berpentium 4 juga gak kompetibel kalau dipasangin dengan RAM ini. Tetapi tidak seperti flash memory, yang juga dapat menyimpan data tanpa memerlukan power, MRAM dapat menulis dan membaca data dengan sangat cepat dan tidak cepat rusak. membalik arah kutub utara-selatan medan magnet.

teknologi usb 2.0 sekarang. RAM pun juga ikut berevolusi.

Bahkan konon kabarnya militer amerika sukses memecahkan rekor super komputer tercepat di

dunia menggunakan MRAM ini. Dan karena begitu cepatnya, komputer ini mampu menyelesaikan 1.026 quadrilion perhitungan perdetik. Hal ini mengalahkan intel core 2 duo.

diaktifkan komputer akan dapat segera terpasang (karena tidak akan ada perlu ada beberapa tipe memori seperti hari ini). MRAM dalam ponsel dapat berarti lebih banyak penyimpanan, dan lagi baterai.

MRAM atau Magnetoresistive Random Access Memory adalah memori (RAM) menggunakan teknologi electron spin untuk menyimpan informasi di sebuah komputer. Beberapa perusahaan lain yang juga bekerja pada MRAM, dan mencari waktu yang baik untuk ponsel dengan MRAM, MRAM atau Disk-On-Key

kemungkinan pada 2010. Toshiba, misalnya, yang MRAM telah disebut memori yang ideal, yang menggabungkan potensi kepadatan dari DRAM dengan kecepatan SRAM dan non-volatility dari flash memory atau cakram keras. Ada beberapa jenis baru MRAM (STT-RAM, MRAM dapat menolak radiasi tinggi, dan dapat beroperasi dalam kondisi suhu yang ekstrim. MRAM sangat cocok untuk aplikasi militer dan ruang. NV-RAM, dll), yang menjanjikan untuk bekerja pada chip 1GB , dan mengatakan bahwa pada tahun 2015 akan menjadi kompetitor bagi DRAM.

memberikan kepadatan lebih tinggi dan lebih manufaktur yang lebih murah. Saat ini beberapa perusahaan (Hynix, Grandis, STT, Samsung) yang bekerja di STT-RAM (MRAM Spin Transfer), yang

IBM dan beberapa perusahaan pengembang yang lain berencana menggunakan MRAM,

mungkin menjanjikan teknologi MRAM terbaru, meskipun terlalu dini untuk mengatakan hal itu.

MRAM ini akan memutar elektron-elektron untuk mengganti kutub magnet. Hal ini juga dikenal sebagai spin-torque MRAM (Torsi putar MRAM) teknologi inilah yang kini sedang dikembangkan oleh para fisikawan dan insinyur Jerman. Dengan membangun pilar-pilar kecil berukuran 165 nano meter, akan mengakibatkan magnet variabel pada atas lapisan akan mengakibatkan arus listrik mengalir dari bawah ke atas dan akan memutar posisi elektron. Medan magnet ini akan berubah dan hanya membutuhkan sedikit waktu untuk merubah kutub medan magnet ini. Kemudian kutub utara dan selatan akan bertukar. . MRAM sebenarnya dapat menggantikan semua memori di komputer DRAM, flash dan bahkan cakram keras. MRAM juga dapat bersaing dengan kecepatan SRAM (CPU cache memory). MRAM Gambar-gambar yang mendukung. Yang pasti, kecepatan MRAM mencapai 10 kali lipat kecepatan RAM. Kecepatan ini masih bisa terus dikembangkan dimasa depan.

Random Access

magnetoresistive