Teori Dioda Semikonduktor

Pokok Bahasan 2

Pengertian Dioda
Dioda adalah komponen elektronika yang
memiliki dua buah terminal elektroda yang
memiliki fungsi unik yaitu hanya dapat
mengalirkan arus satu arah saja
Sebagian besar dioda saat ini berdasarkan
pada teknologi semikonduktor yang biasa
disebut sebagai dioda kristal atau dioda
semikonduktor

Simbol Dioda

Struktur Dioda

Struktur dioda tidak lain adalah sambungan semikonduktor p

dan n yang disebut PN Junction
Pada tipe-p lubang/hole (+) bertindak sebagai pembawa
mayoritas sedangkan elektron (-) sebagai pembawa minoritas
Sebaliknya, pada tipe-n elektron (-) bertindak sebagai
pembawa mayoritas dan hole (+) sebagai pembawa minoritas

Kondisi Tanpa Bias (Unbiased)

Arus difusi = Arus Drift

Terjadi daerah pengosongan (depletion region)
karena proses rekombinasi (penggabungan kembali)
Selalu mencapai keadaan setimbang (equilibrium)

Proses Difusi
Proses difusi ini adalah pergerakan bebas (secara
acak) dari partikel (elektron atau hole) akibat adanya
eksitasi termal.
Seperti halnya difusi lainnya, elemen berpindah dari
area yang konsentrasinya tinggi ke konsentrasi yang
rendah.
Pembawa mayoritas lubang (hole) pada daerah p
berdifusi ke daerah n (dari kiri ke kanan).
Pembawa mayoritas elektron pada daerah n
berdifusi ke daerah p (dari kanan ke kiri).

Arus Drift (1)

Drift adalah pergerakan elektron dan hole yang
disebabkan oleh medan listrik
Lubang-lubang (holes) yang berdifusi menyebrang ke
daerah n akan segera bergabung kembali dengan
pembawa mayoritas elektron bebas di daerah n
Proses penggabungan kembali (recombination) ini
menyebabkan hilangnya elektron bebas dalam
material n
Beberapa ikatan ion (bound charge) dari atom donor
tidak dapat dinetralkan lagi oleh elektron bebas
(dikatakan uncovered). Hal yang sama terjadi pada
elektron yang berdifusi dari kanan ke kiri.

Arus Drift (2)

Dengan demikian tercipta medan listrik di seluruh
daerah ini dan menginduksi arus drift pada pembawa
minoritas pada setiap sisinya.
Elektron bebas pada sisi p (akibat eksitasi termal)
yang muncul di sekitar tepi junction menjadi hilang
Lubang (hole) di daerah n (akibat eksitasi termal)
yang muncul di sekitar tepi junction menjadi hilang.
Terciptalah arus drift IS yang sangat tergantung pada
temperatur dan tidak tergantung pada tegangan
barrier

Daerah Pengosongan
Akibat proses penggabungan kembali
(rekombinasi) ion terjadi dekat pertemuan
(junction), maka dihasilkan suatu daerah yang
kehilangan/kekosongan pembawa mayoritas.
Daerah ini disebut sebagai daerah
pengosongan (depletion region).
Perbedaan potensial ini bertindak sebagai
penghalang terhadap arus difusi selanjutnya
yang menyebrangi daerah ini

Potensial Barrier
NAND
VO VT ln
2
n
i

Vo = Tegangan penghalang/barrier (Volt)

V T = Tegangan termal (Volt)
NA = Konsentrasi doping aseptor (cm-3)
ND = Konsentrasi doping donor (cm-3)
ni = Konsentrasi intrinsik (cm-3)
K = Konstanta Boltzman ( 1,38 .10-23 joule oK-1)
T = Temperature (oK)
q = Muatan elektron ( 1,6 . 10 -19 coloumb )

KT
VT
q

Keadaan Setimbang
(Equilibrium)

Arus difusi = arus drift

Keadaan ini mempertahankan besarnya tegangan barrier
Kondisi kesetimbangan ini akan selalu dipertahankan
Apabila arus difusi melebihi arus drift karena sesuatu hal
akan lebih banyak ikatan ion (bound charge) yang tidak dapat
dinetralkan lagi oleh elektron bebas (uncovered)
meningkatnya medan listrik arus drift pun meningkat
arus difusi menjadi berkurang
Sebaliknya, jika arus difusi menjadi lebih kecil dari arus drift
karena sesuatu hal ion uncovered menjadi berkurang
medan listriknya pun berkurang arus difusi berkurang

Kondisi Bias Maju (Forward bias)

Jika V>V barrier,
lubang dan elektron
bebas bergerak
menuju sambungan
(junction) daerah
pengosongan
menyempit
Arus difusi > Arus
drift
Arus mengalir

Kondisi Bias Mundur (Reverse Bias)

lubang dan elektron bebas
bergerak menjauhi
sambungan (junction)
daerah pengosongan
melebar
Arus drift >> Arus difusi (Id
0)
Hanya terdapat arus
pembawa minoritas yang
biasa disebut arus balik
(reverse current), IS dan
arus bocor permukaan, ISL.

Karakteristik Dioda

Arus Dioda pada Forward Bias

i I S (e

v / VT

1)

i = Arus dioda (A)

IS = Arus saturasi (jenuh) balik (A)
v = Tegangan dioda (V)
VT = Tegangan termal (V)
= Koefisien emisi dioda

Karakteristik lainya

Tegangan Kaki (Knee Voltage)

Hambatan Bulk
Tegangan Breakdown
Arus forwad maksimum
Daya rating

Tegangan Knee
Tegangan pada saat arus mulai naik secara
cepat
Besarnya sama dengan tegangan penghalang
(barrier voltage)
Apabila tegangan dioda lebih besar dari
tegangan kaki maka dioda akan menghantar
dengan mudah dan sebaliknya bila tegangan
dioda lebih kecil maka dioda tidak
menghantar dengan baik

Hambatan Bulk

Terjadi setelah tegangan knee terlampaui

RB = R P + R N
RP = Resistansi ohmic daerah P
RN = Resistansi ohmic daerah N

Disipasi Daya & Rating Daya

PD = V I
PD = Daya disipasi dioda (W)
V = Tegangan dioda (V)
I = Arus dioda (A)

Pmax = Vmax. Imax

Arus Dioda pada Reverse Bias

i - IS
Pada kenyataannya selain arus saturasi balik IS
dioda sering kali memiliki arus bocor
permukaan (ISL) yang mengalir pada
permukaan kristal
Resistansi kebocoran permukaan :

RSL

VR

I SL

Breakdown
Jika kita terus menaikan terus tegangan balik
maka pada akhirnya akan sampai pada
tegangan breakdown dari dioda
Tegangan breakdown (tegangan kaki) ini
adalah VZK dimana Z singkatan dari Zener dan
K singkatan dari knee

2 Buah Efek breakdown

Efek Zener
Zener breakdown terjadi ketika medan listrik dalam
lapisan pengosongan meningkat ke titik di mana ia dapat
memutuskan ikatan kovalen.

Efek Avalanche
Efek ini terjadi akibat pembawa minoritas memiliki energi
kinetik yang cukup untuk memutus ikatan kovalen ketika
bertubrukan dengan atom-atom lain.
Proses ini terus berlanjut sampai arus balik menjadi sangat
besar