Tabel 5.1 solusi penggoresan digunakan dalam pembuatan sirkuit terpadu.

CVD
= deposisi uap kimia. LTO = suhu oksida rendah,LP = tekanan rendah, PSG =
kaca phosphosilicate, thermal = oksidasi termal. data solusi penggoresan
terutama diperoleh dari [5.1]. Referensi ini berisi daftar lengkap yang berasal
dari bahan kimia penggoresan. angka persentase dalam kurung menunjukkan
solusi konsentrasi larutan

solusi Bahan Tingkat film Temmperat pernyataan

penggoresan utuk penggores ure
penggore an nm/min penggoresa
san n
20 H3PO4 (85%) Aluminiu 220 sputtered 40 Pemilihan
1 HNO3 (65%) m pada SIO2
5 H 2O
76 H3PO4 (85%) Aluminiu sputtered 40 Pemilihan
3 HNO3 (65%) m pada SIO2
15 CH3COOH
(100%)
5 H20 dan
sebagian kecil
NH4F (40%) 160
pada 1 vol% 100
NH4F
pada 5 vol%
NH4F

7 NH4 (40%) Sio2 130 Thermal 30 Buffered hy-

1 HF (49%) 240-800 PSG drofluoric
acid (BHF) ;
tingkat
pengotoran
SiO2
3 HF (49%) SiO2 1,9 thermal 25 Penggoresa
2 NHO3 (65%) PSG 3-4 PSG n PSG,
640 H2O penggoresa
n PSG dan
lapisan SO2
sangat tipis
20 H3PO4 (85%) SiO2 5.8 thermal 25 Kemungkin
1 NHO3 (65%) PSG 7-41 PSG an sandaran
4 H 2O (tergantun penggoresa
g pada n
kadar penggoresa
fosfor) n PSG dan
lapisan SO2
sangat tipis
H3PO4 (85%) SiN4 6,0 LP-CVD 160 Pemilihan
untuk SiO2,
 tingkat
penggoresa
n SiO2 0.3-
0.4 nm/min
2 HF (49%) Si Tergantung CVD poly- 25 proses
15 NHO3 (65%) pengotoran Si penggoresa
5 CH3COOH monocry- n, pemilihan
(100%) stalline Si untuk SiO2 ,
isotropic
KOH (3-50%0 Si [100] 20 Monocry- 70-90 Pennggores
pedoman stalline si an
Si [111] =0 atau anisotropic
pedoman Poly-Si mengenai
crystallogre
phic
pedoman
dari alur V
(NB attack
positive
photoresist )
berat p-
doped
bagian
bertindak
sebagai
berhenti nya
penggoresa
n
1 HF (49%) TaSi2 20 sputtered Silicide on
10 NH4F (40%) polysilicon
1 HF (49%) TaSi2 150 sputtered Silicide on
10 NH4F (40%) polysilicon

Gambar 5.1.1 Peralatan pengumpan kimia-mekanis [5.55]

Posisi lapisan wolfram bisa untuk milihan pembuatan bawah untuk SiO 2
menggunakan ferricyanide phosphate additive [55.5].

Peralatan pengumpan kimia-mekanis terutama digunakan dalam aplikasi

berikut,

diilustrasikan pada gambar 8.5.3:

- Pembuatan dari pengisian lubang.

- Pembuatan dari logam konektor (e.g wolfram plug) di lubang kontak dan
vias
- Pembuatan dari Oksida dan intermetal dielectrics menengah