MAKALAH FISIKA ZAT PADAT

DIODA PENYAMBUNGAN P DAN N

OLEH

KELOMPOK 13

BUDI NORCAHYONO ACB 108 014

SUKO PRATOLO ACB 108 035
VINA OKTAVIA ACB 108 062
RINA RUSYANA ACB 109 037

PROGRAM STUDI PENDIDIKAN FISIKA

JURUSAN PENDIDIKAN MIPA
FAKULTAS KEGURUAN DAN ILMU PENDIDIKAN
UNIVERSITAS PALANGKARAYA
2012
 I. PENGERTIAN DAN FUNGSI DIODA

A. PENGERTIAN DIODA
Dioda merupakan komponen elektronik yang terbentuk dari persambungan
antara semikonduktor tipe n dan semikonduktor tipe p. Dioda akan bersifat
menghantar jika diberikan padanya bias maju, dan sebaliknya tidak dapat
menghantar jika dioda diberi bias reverse.

Simbol dioda

B. FUNGSI DIODA
Dioda adalah sambungan bahan P-N yang berfungsi terutama sebagai
penyearah. Bahan tipe-p akan menjadi sisi anode sedangkan bahan tipe-n akan
menjadi katoda. Bergantung pada polaritas tegangan yang diberikan
kepadanya, dioda bisa berlaku sebagai sebuah saklar tertutup (apabila bagian
anoda mendapatkan tegangan positif sedangkan katodenya mendapatkan
tegangan negative) dan berlaku sebagai saklar terbuka (apabila bagian anoda
mendapatkan tegangan negative sedangkan katoda mendapatkan tegangan
positif).

II. TIPE DIODA

A. DIODA TIPE P
Semikonduktor tipe p adalah semikonduktor yang telah didop dengan
menggunakan atom trivalent, seperti aluminium, boron dan gallium, dengan
tiga buah electron pada kulit terluar sehingga mempunyai hole sebagai
pembawa mayoritas dan electron sebagai pembawa minoritas.
 B. DIODA TIPE N
Semikonduktor tipe n adalah semikonduktor yang telah didop dengan atom
pentavalen seperti arsen, antimon, dan posfor sehingga mempunyai electron
(muatan negatif) sebagai pembawa mayoritas dan hole (muatan positif)
sebagai pembawa minoritas.

III. KARAKTERISTIK DIODA

Karakteristik dioda dapat ditunjukkan oleh hubungan antara arus yang lewat dengan
beda potensian ujung-ujungnya. Karakteristik diode pada umumnya diberikan oleh
pabrik, tetapi dapat juga diselidiki sendiri dengan rangkaian seperti gambar.

Gambar rangakaian untuk menyelidiki karakteristik dioda

Dengan memvariasi potensio P dan mencatat V dan I kemudian menggambarkan

dalam grafik, maka diperoleh kurve karakteristik diode (karakteristik statis). Pada
umumnya hasilnya adalah seperti pada gambar

Gambar karakteristik dioda

 Tampak untuk dioda Ge, arus baru mulai ada pada tegangan 0,3 V sedang untuk dioda
Si pada 0,7 V. Tegangan ini sesuai dengan tegangan penghalang pada sambungan P-
N, dan disebut tegangan patah atau tegangan lutut (cut in voltage atau knee voltage).

Tampak pula bahwa arus IR = IO dalam orde A, sedang arus maju IF dalam orde mA.
Dari lengkungan kurve yang tidak linier, maka tentu saja tahanan dioda tidak tetap,
baik tahanan maju maupun tahanan baliknya.

Jika tegangan balik diperbesar maka akan mencapai keadaan arus meningkat secara
tajam, yang hanya dapat dibatasi oleh tahanan luar. Tegangan kritis ini disebut
tegangan dadal (break down voltage = peak inverse voltage).

IV. PENYAMBUNGAN DIODA P-N

A. PENYAMBUNGAN DIODA P-N DENGAN CATU

Kalau terminal positif dari baterei disambungkan ke sisi jenis p dan terminal
negatif ke sisi jenis n dari hubungan p-n, hubungan tersebut melewati arus
besar yang mengalir lewat hubungan tersebut. Dalam hal ini, hubungan p-n
dikatakan dicatu maju (forward biased). Kalau terminal-terminal dari baterei
dibalik, yakni terminal positif dihubungkan ke sisi jenis n, dan terminal negatif
di sisi jenis p, hubungan akan mengalirkan arus kecil. Dalam keadaan ini
hubungan p-n dikatakan dicatu balik (reverse biased).

Sifat-sifat dari hubungan p-n di atas sangat cocok untuk penyearahan.

Sekarang akan kita utarakan secara kualitatif mekanisme di mana hubungan (i)
dicatu maju dan (ii) dicatu-balik.

(i) Hubungan p-n Dicatu Maju:

Hubungan p-n dicatu maju dan simbol penggambarannya berturut-turut
ditunjukkan dalam Gambar 2 (a) dan (b). Tegangan catu maju V
mengakibatkan gaya pada lobang-lobang di sisi jenis p dan pada
elektron di sisi jenis n.
 Gambar 2. (a) Dioda hubungan p-n dicatu maju.

(b) Gambaran simbolis.

Gaya ini mengakibatkan lobang dan elektron bergerak menuju hubungan.

Akibatnya, lebar muatan tidak tercakup berkurang dan halangan berkurang,
yakni energi halangannya (Gambar 3). Besarnya pengurangan energi halangan
diberikan oleh eV, di mana V adalah tegangan yang diberikan. Akibat
berkurangnya tinggi halangan, maka arus mengalir terutama akibat pembawa
mayoritas, yakni lobang dari sisi jenis p ke sisi jenis n dan elektron dari sisi
jenis n ke sisi jenis p naik. Sebaliknya, arus pembawa minoritas yang mengalir
dalam arah sebaliknya dari arus pembawa mayoritas tidak dipengaruhi oleh
catu maju. Hal ini disebabkan arus pembawa minoritas hanya tergantung pada
temperatur.
 Gambar 3 Muatan tidak tercakup

b. Berkurangnya energi halangan untuk hubungan p-n yang dicatu maju

Gambar 4 a) hubungan p-n dicatu balik

b) gambaran simbolis

(ii) Hubungan p-n Dicatu Balik:

Suatu hubungan p-n yang dicatu balik dengan gambaran simbolis
ditunjukkan dalam gambar 5.6. Dalam hal ini tegangan yang diberikan
ke hubungan mengakibatkan lobang dalam sisi jenis p dan elektron
dalam sisi jenis n bergerak menjauhi hubungan. Hal ini menaikkan
lebar muatan tidak tercakup sekeliling hubungan dan menaikkan tinggi
halangan Gambar 5.7(a) dan (b). Besarnya kenaikan energi halangan
sama dengan eV, di mana V besarnya tegangan yang diberikan. Akibat
kenaikan tinggi halangan, sejumlah pembawa mayoritas yang dapat
diabaikan akan dapat melewati hubungan dan arus akan sama dengan
 nol. Namun, pembawa minoritas yang melalui halangan potensial tetap
tidak berubah dan memberikan arus yang kecil. Arus ini dinamakan
arus jenuh balik (IS). Arus jenuh balik membesar dengan kenaikan
temperatur dioda, tetapi sebagian besar tidak tergantung pada tegangan
balik yang diberikan. Kenaikan temperatur mempercepat membesarnya
konsentrasi pembawa minoritas yang mengarah ke kenaikan arus jauh
balik.

B. PENYAMBUNGAN DIODA P-N TANPA CATU

Gambaran skematis dari hubungan p-n ditunjukkan dalam Gambar 1. Di sini
muatan-muatan dengan lingkaran menunjukkan atom-atom akseptor dan donor
yang terionisasi.

Untuk penyederhanaan, marilah kita misalkan sementara bahwa hanya ada

lobang-lobang dalam sisi jenis p dan elektron-elektron dalam sisi jenis n.
Akibat adanya gradien kerapatan sepanjang hubungan, elektron-elektron akan
berdifusi lewat hubungan ke kiri dan lobang-lobang berdifusi ke kanan.
Setelah melewati hubungan mereka saling menggabung dengan membiarkan
ion-ion tidak bergerak di sekelilingnya tidak ternetralkan. Mereka dinamakan
muatan-muatan tidak tercakup (uncovered charges). Perubahan konsentrasi (i)
ion-ion tidak bergerak, (ii) pembawa bergerak dan muatan tidak tercakup
ditunjukkan (berturut-turut) dalam Gambar 2 (b), (c) dan (d). Muatan-muatan
positif dan negatif yang tidak tercakup menghasikan medan listrik lewat
hubungan. Medan ini diarahkan dari sisi n ke sisi p dan dinamakan medan
halangan. Medan ini melawan gerakan difusi elektron dan lobang lewat
hubungan. Kesetimbangan terbentuk pada medan halangan yang cukup untuk
menghentikan difusi selanjutnya dari elektron dan lobang. Dalam keadaan ini
tidak ada gerakan pembawa lewat hubungan. Karena Batas hubungan kosong
akan muatan bergerak maka daerah ini dinamakan daerah kosong (depletion)
atau daerah muatan ruang. Tebal daerah ini sekitar 0,5 m. Karena adanya
medan halangan lewat hubungan, perpindahan elektron dari sisi n ke sisi p
memerlukan sejumlah energi yang dinamakan energi halangan (barrier) (Eb)
(Gambar 5.2(e)). Potensial halangan ekivalen VB diberikan oleh EB = eVB.
Berdasarkan energi halangan tergantung pada lebar daerah tidak tercakup.
Jumlah energinya sama kalau lobang dari daerah p berpindah ke daerah n.

(e)

Gambar 1
(a) Diagram yang menunjukkan kedudukan pembawa
(b) Perubahan konsentrasi ion-ion tidak bergerak.
(c) Perubahan konsentrasi pembawa bergerak.
(d) Konsentrasi muatan tidak tercakup.
 (e) Perubahan energi elektron dan lobang.

Sekarang anggaplah keadaan sebenarnya, dimana daerah p terdiri dari

elektron-elektron sebagai pembawa minoritas dan daerah- n berisi lobang-
lobang sebagai pembawa minoritas. Kalau hubungan p-n tidak dicatu, medan
halangan berperan sedemikian rupa sehingga elektron-elektron dari sisi jenis-p
dan lobang-lobang dari sisijenis n dengan mudah melewati hubungan. Karena
itu gerakan pembawa minoritas membentuk aliran arus. Dalam keadaan
setimbang arus ini tepat mengimbangi aliran berlawanan yang sama dari pem-
bawa mayoritas sehingga perolehan dari sumber-sumber panas merupakan
energi yang cukup untuk melewati halangan.

V. PERSAMAAN DIODA
Pada tegangan maju bukit potensial sambungan p-n berkurang yaitu menjadi
= . Disini adalah tinggi bukit potensial tanpa panjar, dan V adalah
beda tegangan pada dioda.

Sesuai dengan statistic Boltzman, banyaknya electron pada bagian P mempunyai

energy di atas Vh sebanding dengan , atau secara matematis
=
dengan adalah rapat electron dari bagian n, q adalah muatan electron, k adalah
tetapan Boltzman, dan T suhu dalam Kelvin.

Begitu juga halnmya dengan lubang. Jika rapat lubang pada bagian p dalah maka
rapat lubang pn yang dapat berdifusi pada bagian pn yang dapat berdifusi ke bagian n
adalah
=
Arus yang disebabkan difusi pembawa muatan dan disebut arus injeksi. Besar
arus injeksi ialah
= ( + ) = ( + )
adalah rapat atom donor, dan adalah rapat atom akseptor. Karena dan
merupakan tetapan, arus injeksi dapat ditulis sebagai
= = ( +)
 Kita dapat menyatakan tetapan K dengan arus penjenuhan , yaitu arus yang
mengalir jika dioda diberi tegangan mundur. Kita tahu bahwa tanpa tegangan arus
dioda adalah nol, karena pada keadaan ini arus injeksi sama dengan arus penjenuhan,
tetapi berlawanan arah. Hal ini berarti
( = 0) = = atau =

Akibatnya persamaan diatas dapat ditulis sebagai

= ( )
atau =

Arus total yang mengalir dalam keadaan tegangan maju adalah

= + = ( 1)
Persamaan ini disebut persamaan dioda, dan memberikan bentuk fungsi teoritis untuk
cirri dioda dengan tegangan maju.

VI. DAFTAR PUSTAKA

Wasito. 1995. Vademekum Elektronika. Penerbit Gramedia: Jakarta.
Malvino. 1995. Prinsip-prinsip Elekttronik. Penerbit Erlangga: Jakarta.
D, Chattopadhyay, dkk. 1989. Dasar Elektronika. Penerbit Universitas Indonesia:
Jakarta.