Penuntun Praktikum Elektonika Dasar

Laboratorium Fisika FMIPA UNM

Unit Elektronika Instrumentasi 2012/2013

UNIT VII
KARAKTERISTIK TRANSISTOR BIPOLAR (BJT)

A. Tujuan
1. Mengetahui metode pemberian bias tegangan dan arus pada
transistor bipolar,
2. Menentukan dan membedakan karakteristik input, karakteristik
output dan karakteristik transfer arus konstan dari transistor bipolar,
3. Menginterpretasi kurva karakteristik transistor bipolar.

B. Pengantar
Transistor adalah suatu komponen aktif yang terbuat dari bahan
semikonduktor. Ada dua macam transistor, yaitu transistor dwikutub (bipolar) dan
transistor efek medan (Field Effect Transistor-FET).
Transistor dwikutub dibuat dengan menggunakan semikonduktor
ekstrinsik jenis p dan jenis n, yang disusun seperti pada gambar 1 berikut.

E (Emitter) C (Collector) E (Emitter) C (Collector)

p n p n p n

B (Base) B (Base)

Gambar 1. Susunan Transistor Dwikutub (a) Transistor pnp (b) Transistor npn

Ketiga bagian transistor ini disebut emitter, base, dan collector. Masing-masing
bagian tersebut memiliki makna tersendiri.
Pada dasarnya ada tiga jenis rangkaian dasar (yang disebut konfigurasi)
untuk mengoperasikan transistor.
1. Basis ditanahkan (Common Base CB)
2. Emiter ditanahkan (Common Emitter CE)
3. Kolektor ditanahkan (Common Collector - CC)
Karakteristik dari transistor biasanya disebut juga karakteristik statik, yang
digambarkan dalam suatu kurva yang menghubungkan antara selisih arus dc dan
tegangan pada transistor. Kurva karakteristik statik tersebut sangat membantu

22
Karakteristik Transistor Bipolar (BJT)
 Penuntun Praktikum Elektonika Dasar
Laboratorium Fisika FMIPA UNM
Unit Elektronika Instrumentasi 2012/2013

dalam mempelajari operasi dari suatu transistor ketika diterapkan dalam suatu
rangkaian. Ada tiga karakteristik yang sangat penting dari suatu transistor, yaitu :
1. Karakteristik input.
2. Karakteristik output.
3. Karakteristik transfer arus konstan.

C. Komponen dan Alat Ukur.

1. Power Supply 12 Vdc, 2 buah
2. Voltmeter 0 10 Vdc, 1 buah
3. Amperemeter 0 1 Adc, 1 buah
4. Transistor Bipolar NPN, 1 buah
5. Kabel penghubung.

D. Prosedur kerja.
1. Rangkai dan pelajari kit percobaan Common Emitter (CE) berikut.

+ C +V
VBB VR1 CC
_ VR2
_
Q
B

2. Pengukuran karakteristik input menyatakan bagaimana arus base IB

bervariasi dengan tegangan base emitter VBE ketika tegangan collector
emitter VCE dibuat konstan. Pertama, tegangan VCE dibuat konstan dengan
suatu nilai tertentu lalu variasikan VBE dan IB akan meningkat dalam setiap
rentang nilai. Catat nilai-nilai tersebut. Selanjutnya, prosedur ini diulangi
untuk nilai VCE yang lebih besar.
3. Pengukuran karakteristik Output menunjukkan bagaimana arus
collector IC bervariasi dengan perubahan VCE ketika IB dibuat konstan.
Pertama, IB diset pada suatu nilai yang konstan lalu VCE divariasikan secara

23
Karakteristik Transistor Bipolar (BJT)
 Penuntun Praktikum Elektonika Dasar
Laboratorium Fisika FMIPA UNM
Unit Elektronika Instrumentasi 2012/2013

linier, IC akan menunjukkan nilai tertentu dan catat nilai ini. Selanjutnya, VCE
dikembalikan ke keadaan nol dan IB diset pada nilai yang lain dan
seterusnya.
4. Pengukuran karakteristik ciri alih atau transfer arus konstan
menunjukkan bagaimana IC bervariasi dengan perubahan IB dengan VCE
dibuat konstan.

E. Analisis Data.
Langkah-langkah analisis hasil pengukuran sebagai berikut :
1. Buatlah grafik hubungan antara Arus basis (IB) sebagai fungsi dari
tegangan Basis Emitter (VBE). Buat dengan program Excel.
2. Buatlah grafik hubungan antara Arus Collector (IC) sebagai fungsi
dari tegangan Collector Emitter (VCE). Buat dengan program Excel.
3. Buat pula grafik hubugan antara Arus Collector (IC) sebagai fungsi
dari Arus Basis (IB) kemudian tentukan besar faktor penguatan arus ( )
dari grafik tersebut.
4. Berikan interpretasi dari ketiga grafik yang anda buat.

24
Karakteristik Transistor Bipolar (BJT)
 Penuntun Praktikum Elektonika Dasar
Laboratorium Fisika FMIPA UNM
Unit Elektronika Instrumentasi 2012/2013

25
Karakteristik Transistor Bipolar (BJT)