Efek Hall
Efek Hall
Laboratorium Material
PERCOBAAN M2
EFEK HALL
Abstrak
Eksperimen Efek Hall bertujuan untuk nenentukan karakteristik suatu bahan semi konduktor
melalui penentuan kuantitas-kuantitas fisis bahan yaitu koefisien Hall RH, resistivitas dan
pembawa muatan p atau n (hole dan elektron).Eksperimen ini dilakukan dengan cara
meletakkan medan magnet B tegak lurus pada suatu plat logam (konduktor atau semikonduktor)
dengan menempatkan plat tersebut diantara muka-muka kutub sebuah elektromagnet. Medan ini
akan mengarahkan gaya pembelok F pada plat sebagaiman dirumuskan dalam il x B Pada
eksperimen ini kami menggunakan dua tipe semikonduktor yaitu tipe NPN dan tipe N. Hasil
analisis data pada semikonduktor tipe NPN nilai Koefisien
Hall 4,4. 105 . . 1 ,Resistivitas = 1,32. 105 . , Pembawa muatan =
1,421. 1023 . 1 . 1 . 1 dan untuk semikonduktor tipe N nilai Koefisien Hall, =
3,267. 105 . . 1,Resistivitas = 0,98. 105 . , Pembawa muatan ==
1,913. 1023 . 1 . 1 . 1
Kata Kunci : Efek Hall RH, resistivitas dan pembawa muatan p atau n (hole dan elektron).
kecil V di antara sumbu x dan y.
1. PENDAHULUAN
Secara keseluruhan fenomena ini
disebut dengan Efek Hall.
Eksperimen ini bertujuan
untuk mempelajari besaran
Koefisien Hall :
karakteristik suatu bahan
semikonduktor melalui penentuan =
kuantitas-kuantitas fisis bahan yaitu Resistivitas :
koefisien Hall RH , resistivitas dan
=
pembawa muatan p atau n (hole dan
elektron). Pembawa muatan electron/hole :
Jika medan magnet B diletakkan 1
==
tegak lurus pada suatu pelat logam
Dimana e, j, E, dan B besaran-
(konduktor atau semikonduktor)
besaran fundamental dan t, w, dan L
dengan cara menempatkan plat
adalah dimensi volum dari sampel (t
tersebut diantara muka-muka kutub
x l x w).
sebuah elektromagnet. Medan ini
akan mengarahkan gaya pembelok F
2. METODE PENELITIAN
pada plat sebagaimana dirumuskan
dalam il x B , yang menunjukkan ke Metode yang digunakan dalam
arah kanan. percobaan ini adalah melalui penentuan
Oleh karena gaya yang mengarah ke kuantitas-kuantitas fisis bahan yaitu
samping pada plat tersebut adalah koefisien Hall RH, Resistivitas dan
disebabkan oleh gaya pembawa pembawa muatan p atau n(hole
muatan, yaitu qv x B. Pembawa- electron).
pembawa muatan positif (hole) atau
Alat dan Bahan Percobaan
negatif (electrone) akan cenderung
mengarah ke kanan ketika pembawa Modul Hall yang terdiri dari : knop
plat logam. Hal inilah yang mengambil data yang dihasilkan, soket
Semikonduktor NPN
T=280C=301K
Gambar 1.1 Bagian depan modul Hall
Tebal=1mm=0,001m
-15 -0,11
-10 -0,34
-5 -0,41
Gambar 1.2 bagian belakan modull Hall
0 -0,34
Tegangan Hall Sebagai Fungsi Arus
5 -0,45
Listrik Bahan
10 -0,54
Menyambungkan perangkat multimeter
ke soket (5) dan (10) untuk mengukur 15 -0,58
Semikonduktor N Dalam eksperimen efek hall
ini kami melakukan pengambilan
T=250C=298K
data untuk menentukan tegangan hall
Tebal=1mm=0,001m sebagai fungsi arus listrik dua bahan
B=300 mT= 0,3 T semikonduktor yaitu tipe NPN dan
-20 0,12
-15 0,08
UH= (1)
-10 0
Y= m x
-5 -0,04
0 -0,09
Untuk Semikonduktor jenis NPN
5 -0,15
10 -0,2
Grafik Koefisien Hall
untuk Semikonduktor
15 -0,25
NPN
20 -0,3 0
y = -0.0132x - 0.3957
Tegangan V (mV)
-20 -10 0 10 20
-0.2 R = 0.8385
25 -0,36
-0.4
30 -0,4 -0.6
-0.8
Arus Listrik I (mA)
Pembawa muatan
=
1
==
= ( ) 1
=
(1,6. 1019 )(4,4. 105 . . 1 )
1
= = (0,0132 )
300 =
= 4,4. 105 . . 1
= ( )
Resistivitas :
dan dari persamaan y = -0.009 x 0,100 Pada eksperimen Efek Hall Gaya
Lorentz adalah prinsip kerja utama dari efek
dengan demikian nilai = 0,0098
hall. Sebuah penghantar semikonduktor
Sehingga akan didapatkan nilai-nilai dari :
berbentuk plat dialiri arus I seperti gambar
Koefisien Hall :
dibawah ini dann diberi medan magnet yang
arhnya tegak lurus kearah dalam maka
1
= = (0,0098 ) muatan pada plat semikonduktor akan
300
mengalami gaya Lorentz sebesar F= qV X
= 3,267. 105 . . 1
B.
Resistivitas :
=
= (300 )(3,267. 105 . . 1 )
= 0,98. 105 .
Pembawa muatan
1
==
Muatan positif akan mengalami gaya
1 Lorentz kearah atas seperti gambar 2.2 (a)
=
(1,6. 1019 )(3,267. 105 . . 1 )
maka pada bagian atas plat semikonduktor