Percobaan I

Karakteristik BJT

Anju M. Silitonga (14S16037)

Tanggal Percobaan : 16/02/2018
[Praktikum Elektronika 1][ Els2203]
[Laboratorium Dasar Teknik Elektro] – Teknik-Elektro
Institut Teknologi Del

diharapkan praktikan dapat memahami karakteristik BJT dan

Abstract -- Pada praktikum sebelumnya kita telah aplikasinya.
mempelajari mengenai karakteristik dan aplikasi pada
dioda, dimana kita telah II. 2. DASAR TEORI
diperkenalkan dengan tiga jenis dioda, yakni Germanium,
Silikon dan dioda Zener. A. 2.1 Transistor BJT
Pada praktikum ini praktikan akan mempelajari mengenai Transistor merupakan salah satu komponen elektronika paling
karakteristik dari transistor BJT, memahami teknik bias penting. Terdapat dua jenis transistor berdasarkan jenis
Dengan rangkaian diskrit, serta memahami teknik bias muatan penghantar listriknya, yaitu bipolar dan unipolar.
dengan sumber arus konstan. Dalam hal ini kita akan Dalam hal ini akan kita pelajari transistor bipolar. Transistor
mempelajari mengenai transistor bipolar. Karakteristik bipolar terdiri atas dua jenis, bergantung susunan bahan yang
sebuah transistor biasanya diperoleh dengan pengukuran digunakan, yaitu jenis NPN dan PNP. Simbol hubungan antara
arus arus dan tegangan dalam transistor ditujukkan oleh gambar
Dan tegangan pada rangkaian dengan konfigurasi common berikut ini.
emitter (kaki emitting yang terhubung dengan ground).
Dengan menggunakan multimeter, praktikan dapat
memahami dan mengamati karakteriktik transistor yaitu
tegangan
Dan arus diantara ketiga kakinya. Dengan mengubah ubah
kondisi rangkaian, seperti resistansi yang akan
mengakibatkan perubahan tegangan, maka praktikan dapat
memproyeksikan data-data tersebut pada kurva yang dapat Transistor BJT NPN
menghasikan beberapa kesimpulan.

Kata Kunci : dioda, Germanium, Silikon, Zener, BJT,

emitter.

I. PENDAHULUAN
1) Transistor BJT PNP Gambar 2.1–1 Simbol
Pada Praktikum Elektronika EL2140 yang kedua ini, Hubungan pada Transistor
bertujuan agar praktikan dapat melakukan percobaan dan
pengamatan secara langsung mengenai komponen elektrik, Terdapat suatu hubungan matematis antara besarnya arus
yaitu transistor. Jenis transistor yang digunakan pada kolektor (IC), arus Basis (IB), dan arus emitor (IE), yaitu beta
praktikum adalah Bipolar Junction Transistor / BJT yang (β) = penguatan arus DC untuk common emitter, alpha (α)=
bertipe 2N2222. Dan karakteristik yang diukur praktikum ini penguatan arus untuk common basis, dengan hubungan
adalah IB, IC, VBE, dan VCE dari transistor. Dari data-data matematis sebagai berikut [1].
pecobaan praktikan akan mencoba memamahai keterkaitan dan
antara kondisi karakteristik arus-tegangan tersebut. Untuk
tegangan yang digunakan adalah VCC sebesar 10V dari power
supply. Dan untuk percobaan memahami teknik bias dengan IC α= IC β=
sumber arus konstan, digunakan sumber arus / current source IB IE
yang telah tersedia. Sedangkan untuk pengaruh bias pada
berbagai mode kerja transistor, Vin adalah sebesar 50 Vpp
dengan frekuensi 1KHz. Dengan berbagai rangkaian tersebut,
 Gambar 2.2–1 Fungsi Eksponensial VBE

sehingga Dari kurva di atas juga dapat diperoleh transkonduktansi dari

transistor, yang merupakan kemiringan dari kurva di atas,
yaitu [4]

Α= Β= ∆IC gm =

Karakteristik sebuah transistor biasanya diperoleh dengan ∆VBE

pengukuran arus dan tegangan pada rangkaian dengan
konfigurasi common emitter (kaki emitter terhubung dengan
ground), seperti ditunjukkan pada gambar berikut ini.
1) 1.2 Kurva Karakteristik IC-VCE
Arus kolektor juga bergantung pada tegangan kolektor‐emitor.
Titik kerja (mode kerja) transistor dibedakan menjadi tiga
bagian, yaitu daerah aktif, saturasi, dan cut-off. Persyaratan
kondisi ketiga mode kerja ini dapat dirangkum dalam tabel
berikut ini.

a) Tabel 2.3–1 Tabel Karakteristik Mode Kerja Transistor

Mode IC VCE VBE VCB Bias B- Bias B-
Kerja C E
Aktif =βI =VBE+VC ~ 0 Revers e Forwar d
B B
0.7
V
Satura si Ma ~ 0V ~ - Forwar d Forwar d
x 0.7 0.7V<VCE
V <0
CutOff ~0 =VBE+VC 0 0 - -
B

Dalam kurva IC‐VCE mode kerja transistor ini ditunjukkan pada

area‐area dalam gambar berikut ini.

Gambar 2.1–2 Rangkaian Transistor BJT

Dari karakteristik tersebut terdapat dua buah kurva

karakteristik yang dapat diukur dari rangkaian diatas, yaitu:
• Karakteristik IC ‐ VBE
• Karakterinstik IC ‐ VCE

B. 1.1 Kurva Karakteristik IC-VBE

Arus kolektor merupakan fungsi eksponensial dari tegangan
VBE, sesuai dengan persamaan [3]:

C. IC =αI eES V BE
/ηkT
Gambar 2.2–1 Daerah Mode Kerja Transistor

Persamaan ini dapat digambarkan sebagai kurva seperti

ditunjukkan pada gambar berikut ini. 2) 2. Metodologi

Gambar 3–1 Metodologi Percobaan

Pada kit praktikum telah tersedia komponen yang akan

dilakukan pada percobaan. Praktikan dipermudah karena
cukup menghubung-hubungkan komponen tersebut sesuai
model rangkaian beserta 3 buah multimeter yang dipakai
untuk mengukur arus dan tegangan pada kaki transistor. Power
supply disetting sebesar 10V sebagai VCC rangkaian. Untuk
VIN pada rangkaian bias, akan telebih dahulu dilakukan
kalibrasi osiloskop, dan pengukuran amplitude dan frekuensi
sinyal dari generator sinyal yang tepat.
 III. HASIL DAN ANALISIS
1. Percobaan 1 : Karakteristik input Transistor Ic-VBE
Pada grafik yang didapat titik cut off sangat kecil sehingga
tak tampak pada grafik. Pada grafik tampak daerah kerja
transistor saturasi yang dimana transistor mengalirkan arus
secara maksimum dari kolektor ke emiter , daerah ini terjadi
akibat sambungan emiter dan basis dibias maju , tegangan
saturasi pada grafik diatas adalah 0.2. Daerah aktif pada grafik
IC-VCE adalah antara tegangan saturasi dengan tegangan
breakdown, pada daerah ini arus kolektor sebanding dengan
arus basis sehingga ini dapat dimanfaatkan untuk penguatan
sinyal.

3. Percobaan 3 : Early Effect

Output pada Osiloskop

Pada grafik tersebut terlihat dengan menghubung singkat

Grafik Ic- VBE
Dari gambar berikut bisa kita lihat bahwa nilai dari VCE
semakin besar dan mengakibatkan nilai IC juga semakin besar.
Namun nilai VBE hampir seimbang walau nilai VBE nya
berbeda
kolektor-emiter (VCE=0) dan emiter diberi bias maju
mengakibatkan semakin tinggi tegangan reverse, maka
semakin tinggi lebar basis dan semakin tinggi beta DC. Saat
tegangan reverse dinaikan hingga lebar basis menyempit maka
daerah tersebut dinamakan breakdown.
4. Percobaan4 : Pengaruh bias pada Penguat Transistor

2. Percobaan2 : Karakterisitk Output Transistor Ic-VCE

Output Pada Osiloskop

Pengaruh bias pada daerah saturasi diperoleh ketikaVBE ~

0.7V. Pada daerah ini transistor dapat di implementasikan
sebagai saklar karena dengan memberikan tegangan
Output Pada Osiloskop
1) Kesimpulan
Transistor memiliki karakteristik yang unik yatiu arus I B yang
merupakan fungsi dari VBE dan arus IC yang merupakan fungsi
penguatan dari IB sebesar β. Transistor memiliki 3 wilayah
kerja yaitu saturation region, active region dan cut-off region
yang dapat diperoleh dari sifat karakteristik IC terhadap VCE.
Tegangan early dapat diperoleh dengan ektrapolasi dari suatu
kurva IC untuk nilai IB tertentu pada transistor keadaan aktif.
Pengaruh bias kerja dapat mengaplikasikan transistor sebagai
penguat, switch, atau cut-off (opencircuit).
Grafik IC-VCE
 REFERENSI

• BOYLESTAD AND NASHELSKY. (1992). ELECTRONIC

DEVICE AND CIRCUIT THEORY, 5TH ED. ENGELWOOD
CLIFFS, NJ: PRENTICE-HALL,INC
• Mervin T, Hutabarat, Modul Praktikum Elektronika,
Hal. 1-13, Penerbit ITB, Bandung,2012.
• Adel S. Sedra dan Kennet C. Smith, Mikroelectronic
Cirruits, ed 5, Hal. 139-190, Oxford Universuty
press, USA, 2004
• McGrew-HillInc.1990.Penuntun Praktikum
Elektronika. All Rights Reserved
• A. S. Sedra et.al., Microelectronic Circuits 5th Ed,
Hal. 377-458, Oxford University Press, New York,
2004