NAMA: LIA NOVITA SARI

NIM: 06111381520043
PENDAHULUAN FISIKA ZAT PADAT
PENDIDIKAN FISIKA 2015 PALEMBANG
1. MIS (Metal Insulator Semiconductor)

MIS merupakan kapasitor yang terbentuk dari lapisan logam berbahan isolator
dan lapisan bahan semikonduktor. Ia mendapatkan namanya dari inisial struktur
semikonduktor-insulator logam. Seperti halnya struktur transistor medan-efek
MOS , karena alasan historis, lapisan ini juga sering disebut sebagai kapasitor
MOS, tetapi ini secara khusus mengacu pada bahan isolator oksida. Kapasitansi
maksimum, C MIS (maks) dihitung secara analog dengan kapasitor pelat: dimana:

 ε r adalah permitivitas relatif isolator

 ε 0 adalah permitivitas dari vakum
 A adalah area
 d adalah ketebalan isolator

Metode produksi tergantung pada bahan yang digunakan (bahkan

dimungkinkan bahwa polimer dapat digunakan sebagai isolator). Kami akan
mempertimbangkan contoh kapasitor MOS berdasarkan silikon dan silikon
dioksida . Pada substrat semikonduktor, lapisan tipis oksida (silikon dioksida)
diterapkan (oleh, misalnya, oksidasi termal , atau deposisi uap kimia ) dan
kemudian dilapisi dengan logam.
Struktur ini dan dengan demikian kapasitor jenis ini hadir dalam setiap
transistor efek medan MIS, seperti MOSFET . Untuk reduksi stabil ukuran
struktur dalam mikroelektronika, fakta-fakta berikut ini jelas. Dari rumus di atas
itu mengikuti bahwa peningkatan kapasitansi dengan lapisan isolasi yang semakin
tipis. Untuk semua perangkat MIS, ketebalan isolasi tidak dapat jatuh di bawah
minimum sekitar 10 nm. Menggunakan penghinaan tipis dari ini mengarah pada
NAMA: LIA NOVITA SARI
NIM: 06111381520043
PENDAHULUAN FISIKA ZAT PADAT
PENDIDIKAN FISIKA 2015 PALEMBANG
terjadinya tunneling melalui bahan isolasi (dielektrik). Karena ini, penggunaan
material high-k sebagai bahan isolator sedang diselidiki.
NAMA: LIA NOVITA SARI
NIM: 06111381520043
PENDAHULUAN FISIKA ZAT PADAT
PENDIDIKAN FISIKA 2015 PALEMBANG
2. MOS (Metal Oxide Semiconductor)

Pada tahun 1959 MM (John) Atalla dan Dawon Kahng di Bell Labs mencapai
transistor efek medan-gerbang pertama yang berhasil (FET), yang telah lama
diantisipasi oleh Lilienfeld, Heil, Shockley dan lain-lain (1926 Milestone) dengan
mengatasi "permukaan menyatakan "bahwa medan listrik diblokir dari menembus
ke dalam bahan semikonduktor. Menginvestigasi lapisan silikon-dioksida yang
berkembang secara termal, mereka menemukan bahwa keadaan ini dapat sangat
berkurang pada antarmuka antara silikon dan oksida dalam sandwich yang terdiri
dari lapisan logam (M-gate), oksida (O-isolasi), dan silikon (S - semikonduktor) -
demikian nama MOSFET, yang dikenal sebagai MOS. Karena perangkat mereka
lambat dan tidak ditangani kebutuhan mendesak sistem telepon, itu tidak dikejar
lebih lanjut. Dalam memo 1961, bagaimanapun, Kahng menunjukkan potensi
"kemudahan fabrikasi dan kemungkinan aplikasi dalam sirkuit terpadu."
Namun para peneliti di Fairchild dan RCA memang mengakui kelebihan ini.
Pada tahun 1960 Karl Zaininger dan Charles Meuller mengarang transistor MOS
di RCA dan C.T. Sah of Fairchild membangun tetrode yang dikendalikan MOS.
Fred Heiman dan Steven Hofstein mengikuti pada tahun 1962 dengan perangkat
terintegrasi 16 transistor eksperimental di RCA. Transistor MOS yang melakukan
region adalah p-type (menjadikannya perangkat "p-channel") atau tipe n ("n-
channel" device) material. Yang terakhir lebih cepat dari p-channel tetapi lebih
sulit dibuat. Perangkat MOS menghantam pasar komersial pada tahun 1964.
General Microelectronics (GME 1004) dan Fairchild (FI 100) menawarkan
perangkat p-channel untuk aplikasi logika dan switching; RCA memperkenalkan
transistor n-channel (3N98) untuk memperkuat sinyal. Karena ukurannya yang
lebih kecil dan konsumsi daya yang lebih rendah daripada perangkat bipolar, lebih
dari 99 persen microchip yang diproduksi saat ini menggunakan transistor MOS.
Mencapai ubikuitas seperti itu membutuhkan waktu puluhan tahun usaha.
NAMA: LIA NOVITA SARI
NIM: 06111381520043
PENDAHULUAN FISIKA ZAT PADAT
PENDIDIKAN FISIKA 2015 PALEMBANG
3. MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)
MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) adalah
sebuah perangkat semionduktor yang secara luas di gunakan sebagai switch dan
sebagai penguat sinyal pada perangkat elektronik. MOSFET adalah inti dari
sebuah IC ( integrated Circuit ) yang di desain dan di fabrikasi dengan single chip
karena ukurannya yang sangat kecil. MOSFET memiliki empat gerbang terminal
antara lain adalah Source (S), Gate (G), Drain (D) dan Body(B). MOSFET
bekerja secara elektonik memvariasikan sepanjang jalur pembawa muatan (
electron atau hole ). Muatan listrik masuk melalui Saluran pada Source dan keluar
melalui Drain. Lebar Saluran di kendalikan oleh tegangan pada electrode yang di
sebut dengan Gate atau gerbang yang terletak antara Source dan Drain. ini
terisolasi dari saluran di dekat lapisan oksida logam yang sangat tipis. Kapasitas
MOS pada komponen ini adalah bagian Utama nya.
Mosfet memiliki dua mode, mode pertama adalah depletion mode dan
Enhancement Mode.

1. Depletion Mode:

Ketika tidak ada tegangan pada Gate maka kondusi channel berada pada
kondisi maksimum. Karena tegangan pada gerbang positif atau negative konduksi
pada channel menurun.

Gambar: depletion mode

2. Enhancement Mode
NAMA: LIA NOVITA SARI
NIM: 06111381520043
PENDAHULUAN FISIKA ZAT PADAT
PENDIDIKAN FISIKA 2015 PALEMBANG
Ketika tidak ada tegangan pada Gate, MOSFET tidak akan bersifat konduksi.
Tegangan yang meningkat pada Gate, maka sifat konduksi pada Channel semakin
lebih baik.

Gambar : enhancement mode

 Cara Kerja MOSFET

Tujuan dari MOSFET adalah mengontrol Tegangan dan Arus melalui

antara Source dan Drain. Komponen ini hampir seluruh nya sebagai switch. Kerja
MOSFET bergantung pada kapasitor MOS. Kapasitor MOS adalah bagian utama
dari MOSFET. Permukaan semikonduktor pada lapisan oksida di bawah yang
terletak di antara terminal sumber dan saluran pembuangan. Hal ini dapat dibalik
dari tipe-p ke n-type dengan menerapkan tegangan gerbang positif atau negatif
masing-masing. Ketika kita menerapkan tegangan gerbang positif, lubang yang
ada di bawah lapisan oksida dengan gaya dan beban yang menjijikkan didorong
ke bawah dengan substrat.
Daerah penipisan dihuni oleh muatan negatif terikat yang terkait dengan atom
akseptor. Elektron mencapai saluran terbentuk. Tegangan positif juga menarik
elektron dari sumber n dan mengalirkan daerah ke saluran. Sekarang, jika voltase
diterapkan antara saluran pembuangan dan sumber, arus mengalir bebas antara
sumber dan saluran pembuangan dan tegangan gerbang mengendalikan elektron
di saluran. Alih-alih tegangan positif jika kita menerapkan tegangan negatif,
saluran lubang akan terbentuk di bawah lapisan oksida.
NAMA: LIA NOVITA SARI
NIM: 06111381520043
PENDAHULUAN FISIKA ZAT PADAT
PENDIDIKAN FISIKA 2015 PALEMBANG

Gambar : cara kerja mosfet

 N-Channel MOSFET

Struktur N-Channel Mosfet atau disebut dengan NMOS terdiri dari subtract tipe P
dengan daerah Source dan Drain deberi Difusi N+. Diantara daerah Source dan
Drain terdapat sebuah celah sempit dari subtract P yang di sebut dengan channel
yang di tutupi oleh isolator yang terbuat dari Si02

Gambar : n-channel mosfet

 P-Channel MOSFET

P-Channel MOSFET memiliki wilayah P-Channel diantara Source dan Drain. Dia
memiliki empat terminal seperti Gate, Drain, Source dan Body. Struktur
Transistor PMOS terdiri atas tipe-n dengan daerah Source dan Drain diberi difusi
P+.
NAMA: LIA NOVITA SARI
NIM: 06111381520043
PENDAHULUAN FISIKA ZAT PADAT
PENDIDIKAN FISIKA 2015 PALEMBANG

Gambar : p-channel mosfet

NAMA: LIA NOVITA SARI
NIM: 06111381520043
PENDAHULUAN FISIKA ZAT PADAT
PENDIDIKAN FISIKA 2015 PALEMBANG
4. CMOS (Complementary metal–oxide–semiconductor)
 Pengertian CMOS

Inverter CMOS statis

Complementary metal–oxide–semiconductor (CMOS) atau

semikonduktor–oksida–logam komplementer, adalah sebuah jenis utama dari
rangkaian terintegrasi. Teknologi CMOS digunakan di mikroprosesor, pengontrol
mikro, RAM statis, dan sirkuit logika digital lainnya. Teknologi CMOS juga
digunakan dalam banyak sirkuit analog, seperti sensor gambar, pengubah data,
dan trimancar terintegrasi untuk berbagai jenis komunikasi. Frank Wanlass
berhasil mematenkan CMOS pada tahun 1967 (US Patent 3,356,858). CMOS juga
sering disebut complementary-symmetry metal–oxide–semiconductor or COSMOS
(semikonduktor–logam–oksida komplementer-simetris). Kata komplementer-
simetris merujuk pada kenyataan bahwa biasanya desain digital berbasis CMOS
menggunakan pasangan komplementer dan simetris dari MOSFET semikonduktor
tipe-p dan semikonduktor tipe-n untuk fungsi logika.
Dua karakter penting dari CMOS adalah kekebalan desahnya yang tinggi
dan penggunaan daya statis yang rendah. Daya hanya diambil saat transistor
dalam CMOS berpindah di antara kondisi hidup dan mati. Akibatnya, peranti
CMOS tidak menimbulkan bahang sebanyak sirkuit logika lainnya, seperti logika
transistor-transistor (TTL) atau logika NMOS, yang hanya menggunakan peranti
tipe-n tanpa tipe-p. CMOS juga memungkinkan chip logika dengan kepadatan
tinggi dibuat.
NAMA: LIA NOVITA SARI
NIM: 06111381520043
PENDAHULUAN FISIKA ZAT PADAT
PENDIDIKAN FISIKA 2015 PALEMBANG
Kalimat "metal–oxide–semiconductor" atau semikonduktor–logam–oksida
adalah sebuah sebutan pada struktur fisik beberapa transistor efek medan,
memiliki gerbang elektrode logam yang terletak di atas isolator oksida logam,
yang juga berada di atas bahan semikonduktor. Aluminium digunakan pertama
kali, tetapi sekarang digunakan bahan polisilikon. Gerbang logam lain dibuat
seiring kedatangan material dielektrik permitivitas tinggi di dalam proses
pembuatan CMOS, seperti yang diumumkan oleh IBM dan Intel untuk node 45
nanometer dan lebih kecil.

 FUNGSI CMOS

CMOS berfungsi untuk mengatur waktu yang ada di sebuah PC.bateray

bertegangan dari 4,5 sampai 6 volt ini memberi tegangan untuk chip CMOS dan
chip real time clock computer non aktif. Komputer 286/486 memiliki bateray
semacam ini yang terpasang langsung ke mainboard. Computer PC/XT yang lebih
tua (yang memakai chip mikroprossesor 8006 atau 8008) tidak memiliki fungsi
clock pada motherboardnya. Jika ada sebuah Ekspansion card yang memiliki fungsi
clock yang dipasang pada computer PC/XT, bateray clock terletak pada ekspansion
card tersebut.

 KARAKTERISTIK CMOS

Karakteristik utama dari CMOS adalah, CMOS hanya menggunakan

konsumsi tenaga yang diperlukan, dalam arti sensor CMOS hanya menggunakan
tenaga yang kecil dibanding sensor gambar yang lain.