ELEKTRONIKA DASAR II “PELEPAS GANDENGAN DC” Dosen Matakuliah Drs. Muhammad Ali, M.Si I Ketut Alit Adi Untara, S.Pd., M.Pd., Kelompok 2 A241 14014 Ni Putu Astini A241 14020 — Ma’firani Syam A 241 14 023 Dewi Rahayu + A241 14026 Tmawati PROGRAM STUDI PENDIDIKAN FISIKA, FAKULTAS KEGURUAN DAN ILMU PENDIDIKAN UNIVERSITAS TADULAKO PALU 2016PENGUAT GANDENGAN DC. 1. TUJUAN Adapun tujuan dari makalah mengenai penguat gandengan DC ini adalah: 1. Dapat mengetahui dan memahami penguat dua transistor 2. Dapat mengetahui dan memahami tanggapan panjar balik Dapat mengetahui dan memahami pelepas gandengan Dapat mengetahui dan memahami hubungan Darlinton Dapat mengetahui dan memahami hubungan npn-pnp dan pnp-npn q a Dapat mengetahui dan memahami penguat diferens Il. PEMBAHASAN Dalam banyak hal perlu dihubungkan satu transistor dengan transistor lain secara langsung yaitu apabila diinginkan penguatan arus yang besar untuk isyarat de ‘maupun ac. Selai itu, penggandengan langsung antara dua transistor juga dilakukan untuk membuat rangkaian lebih sederhana, ringkas, dan mempunyai titik operasi yang lebih mantap, yaitu tak mudah berubah. . Penguat dengan dua transistor dihubungkan langsung. Gambar —dibawah menunjukkan dua transistor npn yang. digandengkan langsung secara biasa, dimana kolektor transistor pertama dihubungkan dengan basis transistor kedua, Hal ini berfungsi agar penguat bekerja dengan baik, yaitu mampu menghasilkan isyarat keluaran yang besar tanpa cacat, titik-q haruslah ditengah garis beban, Penguat dengan tegangan panjar seperti ini disebut penguat kelas-A.Gambar 2.1 Penguat dengan dua transisitor bergandengan langsung Karena kedua transistor berhubungan langsung, yaitu tanpa kapasitor penyekat DC, maka tegangan panjar pada satu transistor akan mempengaruhi tegangan panjar transistor yang lain. Agar transistor Qo mendapat tegangan panjar elas A, yaitu dengan titik kerja di tengah garis beban , maka Voe (q) untuk Q haruslah sama dengan 10 V, sehingga emitor Qzmempunyai tegangan 10 V terhadap tanah, Oleh karena Re sama dengan 10 mA. Informasi ini diperlukan untuk menghitung fye2. Oleh Karena 1 KQ, maka Ir (q) untuk transistor Q> haruslah kolektor Q; berbeda satu Vpe diatas emitor Qe maka tegangan kolektor Q; haruslah kira-kira 10.6 V. selanjutnya ini berarti cc Ve (Qs) _ 94V Ret 10K la= 0,94mA dan tegangan emitor transistor Q, haruslah pada (Rei+Re2) lei (q) = 0.5 V tethadap 5 tanah, Kemudian tegangan basis Qy haruslah pada tegangan Ve= Ve+ Vue +0.%%= 1.15 V. nilai tegangan pada basis Q; dapat juga kita hitung dari: Ryo 6,2 ae 8 as Ve(Q1) = RareRa Vee 1062 X20V =1,17V