Anda di halaman 1dari 49

hendroagungs.blogspot.

com

ELEKTRONIKA DASAR

Petemuan Ke-9
Pemodelan BJT
hendroagungs.blogspot.com

Penguat BJT satu tingkat

Struktur dasar
Gambar menunjukkan rangkaian dasar penguat BJT dengan pemberian
bias dengan arus yang konstan. Yang perlu diperhatikan adalah memilih R B
yang besar untuk menjaga resistansi masukan pada base yang besar. Tetapi
penurunan tegangan dan pengaruh β pada RB harus dibatasi. Tegangan dc
VB menentukan simpangan sinyal yang dibolehkan pada collector.

Gambar 59. Struktur dasar rangkaian yang dipakai untuk merealisasikan


penguat BJT diskrit satu tingkat.
hendroagungs.blogspot.com

Penguat BJT satu tingkat

Struktur dasar
Gambar menunjukkan rangkaian dasar penguat BJT dengan pemberian
bias dengan arus yang konstan. Yang perlu diperhatikan adalah memilih R B
yang besar untuk menjaga resistansi masukan pada base yang besar. Tetapi
penurunan tegangan dan pengaruh β pada RB harus dibatasi. Tegangan dc
VB menentukan simpangan sinyal yang dibolehkan pada collector.

Gambar 59. Struktur dasar rangkaian yang dipakai untuk merealisasikan


penguat BJT diskrit satu tingkat.
hendroagungs.blogspot.com

Karakterisasi Penguat BJT

Tabel 5. Parameter karateristik penguat

Rangkaian:.

Definisi:

Resistansi masukan tanpa beban:


v
R i  i
i i R  
L

Resistansi masukan:
v
R in  i
i i
hendroagungs.blogspot.com

Resistansi keluaran
v
R out  x
i x v  0
sig

Penguatan tegangan hubung terbuka


v
A vo  o
v i R  
L

Penguatan tegangan
v
A v  o
v i

Penguatan arus hubung singkat


i
A is  o
i i R  0
L

Penguatan arus
i
A i  o
i i
hendroagungs.blogspot.com

Penguatan tegangan menyeluruh hubung terbuka


v
G vo  o
v sig R  
L

Penguatan tegangan menyeluruh


v
G v  o
v sig

Transkonduktansi hubung singkat


i
G m  o
v i R  0
L

Resistansi keluaran penguat ‘proper’


v
R o  x
i x v  0
i
hendroagungs.blogspot.com

Rangkaian ekivalen

A.

C
hendroagungs.blogspot.com

Persamaan:
v R in
i

v sig R in  R sig

R
A  A L
 R
v vo
R L o

A vo  G m R o

R in R
G  A L
 R  R
v vo
R in sig R L o

R in
G  A
 R
vo vo
R in sig

R
G  G L
 R
v vo
R L o
hendroagungs.blogspot.com

Contoh soal 17:


Sebuah penguat transistor dicatu oelh sebuah sumber sinyal yang
mempunyai tegangan hubung terbuka vsig = 10 mV dan mempunyai
resistansi dalam Rsig = 100 kΩ. Tegangan vi pada masukan penguat dan
tegangan keluaran vo diukur tanpa dan dengan resistansi beban.RL = 10 kΩ
yang dihubungkan pada keluaran penguat. Hasil pengukuran itu adalah
sebagai berikut:

vi (mV) vo (mV)
Tanpa RL 9 90
Dengan RL terhubung 8 70

Carilah parameter penguat.


90
A   10 V/V
Jawab: vo
9
Dengan data RL= ∞, tentukan Avo dan Gvo G vo 
90
 9 V/V
10
R i
G  A
 R
vo vo
R i sig

R i
9   10
R i  10
R i  900 k 
hendroagungs.blogspot.com

10

Dengan menggunakan data RL = 10 kΩ tentukan Av dan Gv


70
A v   8 , 75 V/V
8
70
G v   7 V/V
10

Harga Av dan Avo dapat dipakai untuk menentukan Ro


R
A  A L
 R
v vo
R L o

10
8 , 75  10
10  R o

R o  1 , 43 k 

Harga Gv dan Gvo dapat dipakai untuk menentukan Rout


R L
G  G
 R
v vo
R L out

10
7  9
10  R out

R out  2 , 86 k 
hendroagungs.blogspot.com

11

Harga Rin dapat ditentukan dari


v R in
i

v sig R in  R sig

8 R in

10 R in  100
R in  400 k 

Transkonduktansi hubung singkat Gm dapat dihitung seperti berikut


A 10
G m  vo
  7 mA/V
R o 1 , 43

Penguatan arus Ai dapat ditentukan sebagai berikut:


v R v R
A i  o L
 o in
v i R in v i R L

R 400
 A v
in
 8 , 75   350 A/A
R L 10
hendroagungs.blogspot.com

12

Penguatan arus hubung singkat dapat ditentukan sebagai berikut. Dari


rangkaian ekivalen A, arus keluaran hubung singkat adalah

i osc  A vo v i R o

Untuk menentukan vi perlu diketahui harga Rin yang diperoleh dengan RL =


0. Dari rangkaian pengganti C, arus keluaran hubung singkat adalah:
i osc  G vo v sig R out

Dari kedua persamaan untuk iosc dan ganti Gov dengan:


R i
G  A
 R
vo vo
R i sig

Dan vi dengan
R in  0
v  v R L

 R
i sig
R in R  0 sig
L
hendroagungs.blogspot.com

13

Maka:
  R   R  
R in R  0
 R sig   1 
sig
  o
  1 
  R   R  
L
i out

 81,8 k 

i osc  A vo ii R in R  0
R o
L

i
A is  osc
 10  81 , 8 / 1 , 43  572 V/V
i i
hendroagungs.blogspot.com

14

Penguat Common Emitter

Gambar 60 (a) Struktur Penguat Common Emitter


(b) Model Rangkaian Pengganti Hybrid-π
hendroagungs.blogspot.com

15

CE adalah kapasitor bypass yang mempunyai harga cukup besar, yang


fungsinya membuat ground untuk sinyal atau ac ground pada emitter.
Artinya untuk sinyal ac, impedansi CE kecil sekali (idealnya nol), jadi arus
sinyal akan men-bypass resistansi keluaran dari sumber arus I.

CC1 dan CC2 adalah kapasitor coupling yang fungsinya menghubungkan


sumber sinyal dan resistansi beban dengan penguat tanpa mengganggu
arus tegangan bias. Jadi kapasitor ini akan memblock dc dan menjadi
hubung singkat untuk sinyal ac.

Untuk menentukan karakteristik terminal dari penguat CE, yaitu resistansi


masukan, penguatan tegangan dan resistansi keluaran, gunakan model
rangkaian pengganti sinyal kecil hybrid-π. Penguat ini penguat unilateral,
jadi Rin = Ri dan Rout = Ro. Analisa rangkaian ini akan di mulai dari sisi
masukan.
v i
R in   R B || R ib
ii

Rib adalah resistansi masukan melihat ke arah base.


hendroagungs.blogspot.com

16

Karena emitter terhubung ke ground:


R ib  r 

Biasanya dipilih RB >> rπ, sehingga:


R in  r 

Jadi resitansi masukan dari penguat CE biasanya beberapa kilo-ohm.


Tegangan pada masukan penguat:
R in
v  v
 R
i sig
R in sig

 v
R B || r 
sig
R B || r    R sig

Untuk RB >> rπ
r
v  v 
 R
i sig
r  sig

Catatan:
v   v i
hendroagungs.blogspot.com

17

Pada sisi keluaran penguat:


v o   g m v  ro || R C || R L 

Ganti vπ dengan vi, maka penguatan tegangan penguat, yaitu penguatan


tegangan dari base ke collector:
A v   g m ro || R C || R L 
Penguatan tegangan hubung terbuka diperoleh dengan men-set RL = ∞

A vo   g m ro || R C 

Efek dari ro adalah mengurangi penguatan tegangan sedikit saja karena r o


>> RC, jadi
A vo   g m R C

Resistansi keluaran diperoleh dengan melihat ke arah terminal keluaran


dengan menghubung singkat sumber vsig. Hal ini akan menghasilkan vπ = 0
R out  R C || r o
hendroagungs.blogspot.com

18

Jadi ro mengurangi resistansi keluaran penguat hanya sedikit saja karena


biasanya ro >> RC
R out  R C

Untuk penguat unilateral ini Ro = Rout, kita bisa menggunakan Avo dan Ro
untuk mendapatkan penguatan tegangan Av
R
A  A L
 R
v vo
R L o

Penguatan tegangan menyeluruh dari sumber ke beban, Gv, dapat


diperoleh dengan mengalikan (vi/vsig) dengan Av

G  
R B || r 
g ro || R || R 
v
R B || r    R sig
m C L

Untuk RB >> rπ
G  
 ro || R C || R L 
r  R
v
sig
hendroagungs.blogspot.com

19

Dari persamaan ini didapatkan jika Rsig >> rπ, penguatan menyeluruh
sangat tergantung dari β. Hal ini tidak diinginkan karena β bervariasi.

Pada sisi lain, jika Rsig << rπ, penguatan menyeluruh akan menjadi:

G v   g m ro || R C || R L 

Yang sama dengan penguatan Av, yang tidak tergantung dari β.Biasanya
penguat CE dapat memberikan penguatan pada orde ratusan. Hanya saja
respon pada frekuensi tingginya agak terbatas.

Untuk menghitung penguatan arus hubung singkat, Ais


i os   g m v 
v   v i  i i R in
i os
A is    g m R in
ii

Gantilah Rin = RB || rπ. Jika RB >> rπ, |Ais| = β


Kesimpulan: CE mempunyai penguatan tegangan dan arus yang besar
dengan Rin rendah dan Rout tinggi.
hendroagungs.blogspot.com

20

Penguat Common Emitter dengan Resistansi Emitter

Gambar 61(a) Penguat CE dengan resistansi emitter


(b) Model rangkaian pengganti T
hendroagungs.blogspot.com

21

Model rangkaian pengganti yang dipakai adalah model T karena adanya


resistansi emitter RE yang dapat diserikan dengan re.
Pada model rangkaian ini tidak disertakan resistansi keluaran r o karena
akan membuat analisa lebih rumit dan pada rangkaian penguat diskrit
pengaruh ro kecil.

Rin adalah resistansi


R  Rparalel
|| Rantara RB dan Rib
in B ib

Rib adalah resistansi pada base


v
R ib  i
i b

i  1   ie 
i e
b
  1
v i
i 
 R
e
r e e

R ib    1 r e  R e 

Jadi, resistansi masukan melihat ke arah base sama dengan (β+1) kali
resistansi total pada emitter. Faktor (β+1) disebut ‘resistance-reflection
rule’.
hendroagungs.blogspot.com

22

Pada persamaan tersebut terlihat bahwa dengan penambahan resistansi


pada emitter akan menambah Rib. Rasio penambahan pada Rib adalah
R ib  dengan R e  
  1 r e  R e 
R ib  tanpa R e    1 r e
R
 1  e
 1  g m R e
r e

Jadi, Re dapat dipakai untuk mengendalikan harga Rib yang juga


merupakan harga Rin. Agar pengendalian ini menjadi efektif, RB harus jauh
lebih besar dari Rib, artinya Rib adalah resistansi masukan yang dominan.

Untuk menentukan
v
penguatan
  i R || R
tegangan:

o c C L

   i e R C || R L 
A 
v o
 
 R C || R L 
 R e
v
v i r e

R || R
  1  A   C L
 R
v
r e e

Jadi, penguatan tegangan dari base ke collector sama dengan


perbandingan resistansi total pada collector dengan resistansi total pada
emitter.
hendroagungs.blogspot.com

23

Penguatan tegangan hubung terbuka: RL = ∞


 R
A   C
 R
vo
r e e

 R
A   C
1  R
vo
r e e r e

g m R g m R C
A   C
 
1  R e 1  g m R
vo
r e e

Jadi, penambahan Re akan mengurangi penguatan tegangan dengan faktor


(1+gmRe) yang sama dengan faktor penambahan resistansi masukan R ib.

Resistansi keluaran:
Rout = RC

Untuk penguat ini Rin = Ri dan Rout =Ro

Penguatan arus    i esingkat:


i os hubung
i i  v i R in

 R i
A is   in e
v i

A  
 R ib || R B 
 R e
is
r e
hendroagungs.blogspot.com

24

Untuk RB >> Rib


A 
    1 r e  R e    
re  R
is
e

Penguatan tegangan menyeluruh dari sumber ke beban:


v i R in   R C || R L 
G   A  
 R  R
v v
v sig R sig in r e e

Ganti Rin = RB||Rib dan asumsikan RB >> Rib


R ib     1   r e  R e 
  R C || R L 
G v  
R sig     1   r e  R e 

Catatan: penguatan lebih kecil dari penguatan penguat CE. Tetapi


penguatan ini lebih tidak sensitif terhadap β.

Dengan penambahan Re, penguat dapat menangani sinyal masukan yang


lebih besar tanpa menimbulkan distorsi non linier, karena hanya sebagian
kecil dari sinyal masukan yang ada pada base, vi, yang nampak antara base
dan emitter v  re 1
 
v i r e  R e 1  g m R e
hendroagungs.blogspot.com

25

Jadi untuk vπ yang sama, sinyal pada terminal masukan penguat, v i, dapat
lebih besar dengan faktor (1+gmRe) jika dibandingkan dengan sinyal pada
penguat CE.

Kesimpulan:
Dengan penambahan resistansi Re pada emitter, penguat CE mempunyai
karakteristik sebagai berikut:
1. Resistansi masukan Rib meningkat dengan faktor (1+gmRe)
2. Penguatan tegangan dari base ke collector, Av, berkurang dengan faktor
(1+gmRe).
3. Untuk distorsi non linier yang sama, sinyal masukan vi dapat meningkat
dengan faktor (1+gmRe)
4. Penguatan tegangan menyeluruh tidak terlalu tergantung dengan β.
5. Respons terhadap frekuensi tinggi menjadi lebih baik.

Re juga merupakan umpan balik negatif pada rangkaian penguat.


Re juga disebut emitter degeneration resistance
hendroagungs.blogspot.com

26

Penguat Common Base

Base dihubungkan ke ground. Sinyal masukan dipasangkan pada emitter


dan sinyal keluaran diambil dari collector. Base merupakan terminal
bersama.

Dengan terhubungnya base ke ground, tegangan ac dan dc pada base sama


dengan nol, maka RB tidak ada. Kapasitor CC1 dan CC2 berfungsi sebagai
kapasitor coupling.

Model rangkaian pengganti T terlihat pada gambar 62(b). Di sini r o tidak


disertakan karena pengaruhnya tidak terlalu besar pada kinerja penguat CB
diskrit.

Dari gambar 62(b) dapat ditentukan resistansi masukan:

R in  r e

re mempunyai harga antara beberapa ohm sampai beberapa kilo ohm.


Jadi CB mempunyai resistansi masukan yang kecil
hendroagungs.blogspot.com

27

Gambar 62(a) Rangkaian penguat Common Base


(b) Model rangkaian pengganti T
hendroagungs.blogspot.com

28

Untuk menentukan penguatan tegangan:


v o    i e  R C || R L 
v
i e   i
r e


A v 
v o
  R C || R L 
v i r e

Penguatannya sama dengan penguatan pada penguat CE. Hanya tidak ada
pembalikan fasa.
Penguatan tegangan hubung terbuka, RL = ∞
A vo  g m R C

Avo sama dengan Avo pada penguat CE. Hanya tidak ada pembalikan fasa.

Resistansi keluaran:
R out  R C
hendroagungs.blogspot.com

29

Jika ro diabaikan, penguat CB adalah penguat unilateral, maka R in = Ri dan


Rout = Ro

Penguatan arus hubung


  i e singkat
  Aiise:
A    
 i
is
ii e

Walaupun penguatan dari penguat ‘proper’ CB sama dengan penguatan


pada CE, penguatan menyeluruhnya tidak demikian halnya. Dengan
resistansi masukan yang kecil, maka sinyal masukan akan teredam cukup
besar.
v R i r
i
  e
v sig R i  R sig r e  R sig

Kecuali pada kondisi Rsig pada orde yang sama dengan re, faktor transmisi
sinyal vi/vsig akan kecil sekali.
Salah satu pemakaian rangkaian CB adalah untuk memperkuat sinyak
frekuensi tinggi yang muncul pada kabel coaxial. Untuk menghindari
refleksi sinyal pada kabel, penguat CB harus mempunyai resistansi
masukan sama dengan resistansi karakteristik kabel yang biasanya
berkisar antara 50 Ω - 75 Ω.
hendroagungs.blogspot.com

30

Penguatan menyeluruh, Gv
G 
r e
g  R || R 

v m C L
r e R sig


  R C || R L 
r e  R sig

Karena α ≈ 1, penguatan menyeluruh merupakan perbandingan antara


resistansi total pada rangkaian collector dengan resistansi total pada
rangkaian emitter. Penguatan penyeluruh tidak tergantung dari harga β.

Kesimpulan:
Penguat CB mempunyai resistansi masukan yang rendah, penguatan arus
hubung singkat yang hampir sama dengan satu, penguatan tegangan
hubung terbuka yang positif (non inverting) dan resistansi keluaran yang
tinggi.
Penguat CB mempunyai respon yang baik pada frekuensi tinggi.
Penggunaan penguat CB yang paling menonjol adalah sebagai penguat arus
dengan penguatan satu atau disebut current-buffer. Artinya menerima arus
sinyal masukan dari resistansi masukan yang rendah dan mengirimkan
arus yang sama ke resistansi keluaran yang tinggi pada collector.
hendroagungs.blogspot.com

31

Penguat Common Collector atau Emitter Follower

Gambar 63(a) Rangkaian penguat Emitter Follower


(b) Model rangkaian pengganti T dengan penambahan ro
hendroagungs.blogspot.com

32

Gambar 63(c) Rangkaian pengganti seperti pada gambar 63(b) dengan r o


paralel dengan RL.

Pada penguat ini collector dihubungkan dengan ground, jadi RC


dihilangkan. Sinyal masukan dipasangkan pada base, dan sinyal keluaran
diambil dari emitter yang dihubungkan melalui kapasitor coupling ke
resistansi beban.

Pada analisa sinyal resistansi beban RL diserikan dengan emitter sehingga


model rangkaian pengganti yang digunakan adalah model T. Pada
rangkaian ini resistansi ro nampak paralel dengan resistansi beban
RL.(lihat gambar 63(c)).
hendroagungs.blogspot.com

33

Rangkaian emitter follower tidak unilateral, artinya resistansi masukan


tergantung dari RL dan resistansi keluaran tergantung dari Rsig.

Dari gambar 63(c) terlihat bahwa BJT mempunyai sebuah resistansi (ro ||
RL) yang diserikan dengan resistansi emitter re. Dengan menggunakan
‘resistance-reflection rule’ menghasilkan rangkaian seperti pada gambar
64(a). (resistansi pada sisi base sama dengan (β+1) resistansi pada sisi
emitter)

Resistansi masukan
R ib  pada
   base,
1   r eRib
:r o || R L 
Resistansi masukan total:
R in  R B || R ib

Untuk mendapatkan efek penuh dari kenaikan Rib, dapat dipilih RB


sebesar mungkin (dengan memperhatikan titik kerja). Dan jika
memungkinkan CC1 dapat juga dihilangkan, jadi sumber sinyal
dihubungkan langsung dengan base.
hendroagungs.blogspot.com

34

Gambar 64(a) Rangkaian ekivalen emitter follower dengan merefleksikan


semua resistansi pada emitter ke sisi base.
(b) Penggunaan teori Thévenin pada rangkaian masukan.

Penguatan menyeluruh
R
G v:   1 r o || R L 
 B
G v
R sig  R B R sig || R B     1 r e  ro || R L 

Perhatikan: penguatan tegangan lebih kecil dari satu.


Untuk RB >> Rsig dan (β+1)[re+(ro || RL)] >> (Rsig || RB), penguatan
menjadi mendekati satu. Jadi tegangan pada emitter mengikuti tegangan
pada masukan.Itulah sebabnya disebut emitter follower
hendroagungs.blogspot.com

35

Gambar 65(a) Rangkaian ekivalen emitter follower dengan merefleksikan


semua resistansi pada base ke sisi emitter.
(b) Penggunaan teori Thévenin pada rangkaian masukan

Alternatif lainnya, kita dapat merefleksikan resistansi base ke sisi emitter.


Agar tegangan tidak berubah, semua resistansi di sisi base dibagi dengan
(β+1). Hasilnya dapat dilihat pada gambar 65(a). Dengan menggunakan teori
Thévenin pada sisi masukan, diperoleh rangkaian seperti pada gambar 65(b)
hendroagungs.blogspot.com

36

Penguatan tegangan menyeluruh, Gv:


G 
R B ro || R L 
 R
v
R || R
R sig B sig B
 r  ro || R 
  1
e L

Untuk RB >> Rsig dan ro >> RL:


v R
o
 L
v R
sig sig
 r  R
  1
e L

Penguatan mendekati satu jika Rsig/(β+1) << RL atau (β+1)RL >> Rsig. Hal
ini adalah peran penyangga (buffering action) dari emitter follower, yang
akan menghasilkan penguatan arus hubung singkat hampir sama dengan
(β+1).

Tegangan keluaran hubung terbuka menjadi Gvovsig, di mana Gvo diperoleh


dengan RL= ∞
R r
G  B o
 R
v
R R || R
sig B sig B
 r  r
  1
e o
hendroagungs.blogspot.com

37

Catatan: biasanya ro besar dan suku kedua menjadi hampir sama dengan
satu. Suku pertama mendekati satu jika RB >> Rsig. Resistansi Thévenin
adalah resistansi keluaran Rout. Kurangi vsig menuju nol, lihat resistansi dari
terminal emitter ke arah rangkaian
 R || R 
R  r ||  r  sig B

out o

o
  1 

Biasanya ro >> komponen yang diparalelkan dalam tanda kurung dan


dapat diabaikan, jadi
R || R
R  r  sig B
out o
  1

Jadi resistansi keluaran emitter follower rendah. Rangkaian ekivalen


Thévenin dari rangkaian keluaran emitter follower dapat digunakan untuk
mencari vo dan Gv untuk harga RL sembarang. (lihat gambar 66).

Kesimpulan: emitter foilower mempunyai resistansi masukan yang tinggi,


resistansi keluaran yang rendah, penguatan tegangan yang lebih kecil dari
satu dan penguatan arus yang cukup besar.
hendroagungs.blogspot.com

38

Gambar 66. Rangkaian ekivalen Thévenin dari rangkaian keluaran emitter


follower

Jadi pemakaian ideal dari emitter follower adalah untuk menghubungkan


sumber yang mempunyai resistansi yang tinggi ke beban yang mempunyai
resistansi yang rendah, biasanya sebagai tingkat terakhir dari penguat
bertingkat (multistage amplifier) yang tujuannya bukan untuk
memperkuat tegangan tetapi untuk memberikan penguat bertingkat ini
resistansi keluaran yang rendah.
hendroagungs.blogspot.com

39

Pada emitter follower hanya sebagian kecil dari sinyal yang akan tampak
antara base dan emitter. Jadi emitter follower dapat bekerja secara linier
untuk variasi amplitudo sinyal yang cukup besar. Tetapi harga absolut
batas atas amplitudo tegangan keluaran ditentukan oleh kondisi cut off
dari transistor.

Perhatikan gambar 63(a) jika sinyal masukan adalah gelombang


sinusoida. Jika masukan negatif, keluaran vo akan negatif dan arus pada
RL akan mengalir dari ground ke terminal emitter. Transistor akan cut off
bila arus ini menjadi

sama dengan arus bias I. Jadi harga amplitudo dari
vo adalah: V o
 I
R L

V o  IR L

Maka harga vsig menjadi:



IR
V sig  L
G v

Jika amplitudo vsig lebih besar dari harga di atas, tansistor akan cut off dan
amplitudo negatif sinyal gelombang keluaran akan terpotong
hendroagungs.blogspot.com

40

Kesimpulan dan perbandingan


1. Konfigurasi CE cocok digunakan untuk penguat yang menghendaki
penguatan yang besar.
2. Dengan menambahkan Re pada CE dapat memperbaiki kinerja penguat
tetapi penguatan akan berkurang.
3. Konfigurasi CB dipergunakan sebagai penguat frekuensi tinggi, karena
mempunyai respon yang baik pada frekuensi tinggi, hanya saja
resistansi masukannya kecil.
4. Emitter follower dipakai sebagai penyangga tegangan, untuk
menghubungkan sumber yang mempunyai resistansi yang tinggi
dengan beban yang mempunyai resistansi rendah. Konfigurasi ini
digunakan juga sebagai tingkat keluaran dari penguat bertingkat.
hendroagungs.blogspot.com

41

Tabel 5.Karakteristik dari penguat diskrit satu tingkat


Common Emitter

R in  R B || r   R B ||   1 r e

A v   g m ro || R C || R L 
R out  r o || R C

G  
R B || r 
g ro || R || R 
v
R B || r    R sig
m C L

 ro || R C || R 
  L
r  R sig

A is   g m R in   
hendroagungs.blogspot.com

42

Common Emitter dengan Resistansi Emitter

Abaikan ro
R in  R B ||   1 r e  R e 
A  
 R C || R L 

 g m R C || R L 
 R e 1 
v
r e g m R e
R out  R C

G  
 R C || R L 
v
R sig    1 r e  R e 
v 1


v i 1  g m R e
hendroagungs.blogspot.com

43

Common Base

Abaikan ro
R in  r e

A v  g m R C || R L 
R out  R C

G 
 R C || R L 
 re
v
R sig

A is  
hendroagungs.blogspot.com

44

Common Collector atau Emitter Follower

R in  R B ||   1 r e  ro || R L 
A 
ro || R L 
v
r e   r o || R L 
 R || R 
R  r ||  r  sig B

out o

e
  1 
G 
R B ro || R L 
 R
v
R || R
R sig B sig B
 r  ro || R 
  1
e L

A is    1
hendroagungs.blogspot.com

45

Inverter digital BJT

Gambar 67. Rangkaian dasar inverter digital BJT

Pada inverter logika, rangkaian bekerja pada mode cutoff dan daerah
jenuh.
Jika tegangan masukan vI ‘high’ mendekati tegangan catu daya VCC
(menyatakan logika ‘1’) transistor akan ‘terhubung’ dan dalam keadaan
jenuh (dengan memilih harga RB dan RC yang tepat). Sehingga tegangan
keluaran akan VCEsat ≈ 0,2V, yang menyatakan logika ‘0’.
Sebaliknya, jika tegangan masukan ‘low’ pada tegangan mendekati ‘ground’
(misal VCEsat), sehingga transistor ‘cutoff’, iC akan nol dan vO = VCC, yang
merupakan logika ‘1’
hendroagungs.blogspot.com

46

Pemilihan keadaan ‘cutoff’ dan ‘jenuh’ sebagai mode operasi dari BJT
pada rangkaian inverter didasari oleh 2 faktor:
1. Disipasi daya pada rangkaian relatif rendah pada keadaan ‘cutoff’ dan
‘jenuh’. Pada keadaan ‘cutoff’ semua arus sama dengan nol dan pada
keadaan ‘jenuh’ tegangan pada transistor juga rendah.
2. Level tegangan keluaran (VCC dan VCEsat) terdifinisi dengan baik.
Sebaliknya, jika transistor bekerja pada daerah aktif, vO = VCC – iCRC =
VCC – βiBRC yang sangat tergantung pada parameter β.
hendroagungs.blogspot.com

47

Karakteristik transfer tegangan

Gambar 68. Karakteristik transfer tegangan rangkaian inverter dengan


RB =10 kΩ, β = 50 dan VCC = 5 V
hendroagungs.blogspot.com

48

1. Pada vI = VOL = VCEsat = 0,2 V, vO = VOH = VCC = 5 V

2. Pada vI = VIL, transistor mulai ‘on’ → VIL ≈ 0,7 V

3. Untuk VIL < vI < VIH, transistor berada pada daerah aktif dan beroperasi
sebagai penguat dengan penguatan sinyal kecil:
v R
A  o
   C

v
v i R B r 

R
r   R B  A v    C
R B

4. Pada vI =VIH, transistor memasuki daerah jenuh → VIH adalah harga yang
menyebabkan transistor berada pada ambang saturasi.

I 
V CC  V CEsat  R C
B

Dengan harga-harga yang digunakan, IB = 0,096 mA dan


VIH = IBRB + VBE = 1,66 V
hendroagungs.blogspot.com

49

5. Untuk vI = VOH = 5 V, transistor berada pada keadaan jenuh yang dalam


dengan vO = VCEsat = 0,2 V, dan

 
 V CC  V CEsat  R C
forced
 V OH  V BE  R B

6. Noise margin:
NMH = VOH – VIH = 5 – 1,66 = 3,34 V
NML = VIL – VOL = 0,7 – 0,2 = 0,5 V

7. Penguatan pada daerah transisi dapat dihitung dari koordinat pada titik
X dan Y
5  0 ,2
Penguatan tegangan     5 V/V
1 , 66  0 ,7

Anda mungkin juga menyukai