MAKALAH

ELEKTRONIKA DASAR 1

DIODA SEMIKONDUKTOR

Disusun Oleh:

NAMA : RANGGA ALIF FARESTA

NIM : E1Q016056

KELAS :C

PROGRAM STUDI PENDIDIKAN FISIKA

JURUSA PENDIDIKAN MIPA
FAKULTAS KEGURUAN DAN ILMU PENDIDIAKAN
UNIVERSITAS MATARAM

MATARAM
2017
 KATA PENGANTAR

Puji syukur penulis panjatkan atas kehadirat Allah SWT, Tuhan Semesta
Alam. Karena atas berkah, rahmat, dan hidayah-Nya penulis dapat menyelesaikan
penulisan karya tulis ilmiah dengan judul ” DIODA SEMIKONDUKTOR”
dengan baik dan tepat waktu. Tulisan ini disusun untuk memenuhi salah satu
tugas mata kuliah Elektronika Dasar 1.

Penulis menyadari sepenuhnya bahwa karya tulis ini tidak luput dari
kesalahan dan kekurangan. Oleh karena itu, kritik dan saran yang membangun
sangat penulis harapkan sebagai perbaikan untuk kedepannya. Semoga tulisan
dalam karya tulis ini dapat bermanfaat bagi pembaca dan penulis.

Mataram,10 Oktober 2017

Penulis
 DAFTAR ISI

HALAMAN JUDUL ................................................................................................. i

KATA PENGANTAR .............................................................................................. ii

DAFTAR ISI ............................................................................................................ iii

BAB I PENDAHULUAN

A. Latar Belakang ......................................................................................................

B. Rumusan Masalah .................................................................................................
C. Tujuan ....................................................................................................................
D. Manfaat ..................................................................................................................

BAB II PEMBAHASAN

A. Jenis – Jenis Semikonduktor ...............................................................................

B. Forward Bias dan Reverse Bias ..........................................................................
C. Jenis – Jenis Dioda ...............................................................................................
D. Prinsip Kerja dan Doping dari Semikonduktor ...............................................

BAB III PENUTUP

A. Kesimpulan ..........................................................................................................
B. Saran .....................................................................................................................

DAFTAR PUSTAKA .............................................................................................. iv

 BAB 1

PENDAHULUAN

A. Latar Belakang

Dioda pada umumnya merupakan komponen elektronika yang berfungsi

sebagai penyearah (rectifier) untuk mengubah tegangan bolak-balik (AC) menjadi
tegangan searah (DC). Dioda menjadi sangat penting karena hampir semua
peralatan elektronika memerlukan sumber arus searah (DC).Dioda daya
mempunyai spesifikasi yang sama dengan dioda biasa pada umumnya, perbedaan
yaitu dioda daya mempunyai kapasitas daya (arus dan tegangan) yang lebih tinggi
dari dioda-dioda sinyal biasa, namun kecepatan penyaklaran pada dioda daya
relatif lebih rendah. Melihat karakteristik dioda daya yang mempunyai kapasitas
daya yang lebih tinggi dari dioda biasa, maka seringkali dioda daya digunakan di
dalam rangkaian elektronika sebagai penyearah. Selain sebagai penyearah, dioda
daya juga seringkali digunakan sebagai freewheeling (bypass) pada regulator-
regulator penyakelaran,rangkaian pemisah, rangkaian umpan balik dari beban ke
sumber, dan lain-lain.
Sedangkan semikonduktor adalah sebuah bahan dengan konduktivitas
listrik yang berada di antara isolator dan konduktor. Sebuah semikonduktor
bersifat sebagai isolator pada temperatur yang sangat rendah, namun pada
temperatur ruangan bersifat sebagai konduktor. Bahan semikonduktor yang sering
digunakan adalah silikon (Si), germanium (Ge), dan gallium arsenide. Terdapat
dua jenis semikonduktor yaitu semikonduktor intrinsik dan ekstrinsik,
semikonduktor intrinsik biasanya hanya terdiri dari Ge atau Si saja, sedangkan
semikonduktor ekstrinsik gabungan dari dua jenis bahan atau lebih.
Semikonduktor sangat berguna dalam bidang elektronik, karena konduktansinya
yang dapat diubah-ubah dengan menyuntikkan materi lain (biasa disebut materi
doping). Salah satu alasan utama kegunaan semikonduktor dalam elektronik
adalah sifat elektroniknya dapat diubah banyak dalam sebuah cara terkontrol
dengan menambah sejumlah kecil ketidakmurnian. Ketidakmurnian ini disebut
dopant.
B. Rumusan Masalah

Adapun rumusan masalah berdasarkan pembahsan di atas adalah

1. Apa sajakah jenis dari Semikonduktor?

2. Apakah yang dimaksud dengan Forward Bias dan Reverse Bias?
3. Apa saja jenis- jenis dariu Dioda?
4. Bagaimana Prinsip Kerja dan Doping dari Semikonduktor?

C. Tujuan

Adapun tujuan dari penulisan makalah ini adalah

1. Memaparkan jenis- jenis Semikonduktor

2. Menjelaskan pengertian Forward Bias dan Reverse Bias
3. Menjelaskan jenis- jenis Dioda
4. Menjelaskan Prinsip Kerja dan Doping dari Semikonduktor

D. Manfaat

Adpun manfaat dari penulisan makalah ini adalah memberikan wawasan

dan penegetahuan lebih mendalam mengenai jenis jenis semikonduktor,
pengertian dari Forward Bias dan Reverse Bias , jenis- jenis Dioda dan prinsip
kerja serta Doping dari Semikonduktor.
 BAB II

PEMBAHASAN

A. Jenis- Jenis Semikonduktor

Ada dua jenis semikonduktor, yaitu semikonduktor intrinsik dan

semikonduktor ekstrinsik.

1. Semikonduktor Intrinsik

Semi konduktor intrinsik adalah semikonduktor yang belum mengalami

penyisipan oleh atom akseptor atau atom donor. Pada suhu tinggi elektron valensi
dapat berpindah menuju pita konduksi, dengan menciptakan hole pada pita
valensi. Pengahantar listrik pada semikonduktor adalah elektron dan hole.

Semikonduktor intrinsik merupakan semikonduktor yang terdiri atas satu

unsur saja, misalnya Si saja atau Ge saja. Pada kristal semikonduktor Si, 1 atom Si
yang memiliki 4 elektron valensi berikatan dengan 4 atom Si lainnya,.

Pada kristal semikonduktor instrinsik Si, sel primitifnya berbentuk kubus. Ikatan
yang terjadi antar atom Si yang berdekatan adalah ikatan kovalen. Hal ini
disebabkan karena adanya pemakaian 1 buah elektron bersama ( ) oleh dua atom
Si yang berdekatan. Menurut tori pita energi, pada T 0 K pita valensi
semikonduktor terisi penuh elektron, sedangkan pita konduksi kosong. Kedua pita
tersebut dipisahkan oleh celah energi kecil, yakni dalam rentang 0,18 – 3,7eV.
Pada suhu kamar Si dan Ge masing-masing memiliki celah energi 1,11 eV dan
0,66 eV.
 Bila mendapat cukup energi, misalnya berasal dari energi panas, elektron
dapat melepaskan diri dari ikatan kovalen dan tereksitasi menyebrangi celah
energi. Elektron valensi pada atom Ge lebih mudah tereksitasi menjadi elektron
bebas daripada elektron valensi pada atom Si, karena celah energi Si lebih besar
dari pada celah energi Ge. Elektron ini bebas bergerak diantara atom. Sedangkan
tempat kekosongan elektron disebut hole. Dengan demikian dasar pita konduksi
dihuni oleh elektron, dan puncak pita valensi dihuni hole. Sekarang, kedua pita
terisi sebagian, dan daat menimbulkan arus netto bila dikenakan medan listrik.

2. Semikonduktor Ekstrinsik

Semikondutor ekstrinsik merupakan semikonduktor yang memperoleh pengotoran

atau penyuntikan (doping) oleh atom asing.

Semikonduktor yang telah terkotori (tidak murni lagi) oleh atom dari jenis
lainnya dinamakan semikonduktor ekstrinsik. Proses penambahan atom pengotor
pada semikonduktor murni disebut pengotoran (doping). Dengan menambahkan
atom pengotor (impurities), struktur pita dan resistivitasnya akan berubah.

Ketidakmurnian dalam semikonduktor dapat menyumbangkan elektron maupun

hole dalam pita energi. Dengan demikian, konsentrasi elektron dapat menjadi
tidak sama dengan konsentrasi hole, namun masing-masing bergantung pada
konsentrasi dan jenis bahan ketidakmurnian.
 Dalam aplikasi terkadang hanya diperlukan bahan dengan pembawa
muatan elektron saja, atau hole saja. Hal ini dilakukan dengan doping
ketidakmurnian ke dalam semikonduktor. Terdapat tiga jenis semikonduktor
ekstrinsik yaitu semikonduktor tipe-n, semikonduktor tipe-p, dan semikonduktor
paduan.

Semikonduktor Ekstrinsik Tipe-n

Semikonduktor dengan konsentrasi elektron lebih besar dibandingkan

konsentrasi hole disebut semikonduktor ekstrinsik tipe-n. Semikonduktor tipe-n
menggunakan semikoduktor intrinsik dengan menambahkan atom donor yang
berasal dari kelompok V pada susunan berkala, misalnya Ar (arsenic), Sb
(Antimony), phosphorus (P). Atom campuran ini akan menempati lokasi atom
intrinsik didalam kisi kristal semikonduktor.

Konsentrasi elektron pada Si dan Ge dapat dinaikkan dengan proses

doping unsur valensi 5. Sisa satu elektron akan menjadi elektron bebas, jika
mendapatkan energi yang relatif kecil saja (disebut sebagai energi ionisasi).
Elektron ini akan menambah konsentrasi elektron pada pita konduksi. Elektron
yang meninggalkan atom pengotor yang menjadi ion disebut dengan elektron
ekstrinsik. Keberadan impuriti donor digambarkan dengan keadaan diskrit pada
energi gap pada posisi didekat pita konduksi.

Penambahan atom donor telah menambah level energi pada pita konduksi
yang berada diatas energi gap sehingga mempermudah elektron untuk
menyebrang ke pita konduksi. Pada suhu kamar sebagian besar atom donor
terionisasi dan elektronnya tereksitasi ke dalam pita konduksi. Sehingga jumlah
elektron bebas (elektron intrinsik dan elektron ekstrinsik) pada semikonduktor
tipe-n jauh lebih besar dari pada jumlah hole (hole intrinsik). Oleh sebab itu,
elektron di dalam semikonduktor tipe-n disebut pembawa muatan mayoritas, dan
hole disebut sebagai pembawa muatan minoritas.

Semikonduktor Ekstrinsik Tipe-p

Semikonduktor tipe-p, dimana konsentrasi lubang lebih tinggi

dibandingkan elektron, dapat diperoleh dengan menambahkan atom
akseptor. Pada Si dan Ge, atomnya aseptor adalah unsur bervalensi tiga
(kelompok III pada susunan berkala) misalnya B (boron), Al (alumunium), atau
Ga (galium).

Karena unsur tersebut hanya memiliki tiga elektron valensi, maka terdapat
satu kekosongan untuk membentuk ikatan kovalen dengan atom induknya. Atom
tersebut akan mengikat elektron dari pita velensi yang berpindah ke pita konduksi.
Dengan penangkapan sebuah elektron tersebut, atom akseptor akan menjadi ion
negatip. Atom akseptor akan menempati keadaan energi dalam energi gap di dekat
pita valensi.
 Pada semikonduktor tipe-p, atom dari golongan III dalam sistem periodik
unsur misalnya Ga, dibubuhkan kedalam kristal semikonduktor intrinsik. Oleh
karena galium termasuk golangan III dalam sistem periodik unsur, atom Ga
memiliki tiga buah elektron valensi. Akibatnya, dalam berikatan dengan atom
silikon di dalam kristal, Ga memerlukan satu elektron lagi untuk berpasangan
dengan atom Si. Oleh sebab itu atom Ga mudah menangkap elektron, sehingga
disebut akseptor. Jika ini terjadi atom akseptor menjadi kelebihan elektron
sehingga menjadi bermuatan negatif. Dalam hal ini dikatakan atom akseptor
terionkan. Ion akseptor ini mempunyai muatan tak bebas, oleh karena tak bergerak
dibawah medan listrik luar. Ion Si yang elektronnya ditangkap oleh atom
akseptor terbentuk menjadi lubang, yang disebut lubang ekstrinsik.

Jelaslah bahwa pada semikonduktor tipe-p, lubang merupakan pembawa muatan

yang utama, sehingga disebut pembawa muatan mayoritas. Disini elektron bebas
merupakan pembawa muatan minoritas.

Semikonduktor Paduan

Semikonduktor paduan (compound semiconductor) dapat diperoleh dari

unsur valensi tiga dan valensi lima (paduan III-V, misalnya GaAs atau GaSb) atau
dari unsur valensi dua dan valensi enam (paduan II-VI, misalnya ZnS). Ikatan
kimia terbentuk dengan peminjaman elektron oleh unsur dengan velensi lebih
tinggi kepada unsur dengan valensi lebih rendah (lihat gambar 1.6). Atom donor
pada semikonduktor paduan adalah unsur dengan valensi lebih tinggi
dibandingkan dengan unsur yang diganti. Atom akseptor adalah unsur dengan
valensi lebih rendah dibandingkan dengan unsur yang diganti (ditempati).
Bahan Semikonduktor (Tipe-N dan Tipe-P)

Bahan Semikonduktor memiliki dua macam yaitu tipe-n dan tipe-p, perbedaan
dari semikonduktor tipe-n dan tipe-p adalah

Semikonduktor Tipe N

Apabila bahan semikonduktor intrinsik (murni) diberi (didoping) dengan

bahan bervalensi lain maka diperoleh semikonduktor ekstrinsik. Pada bahan
semikonduktor intrinsik, jumlah elektron bebas dan holenya adalah sama.
Konduktivitas semikonduktor intrinsik sangat rendah, karena terbatasnya jumlah
pembawa muatan yakni hole maupun elektron bebas tersebut. Jika bahan silikon
didoping dengan bahan ketidak murnian (impuritas) bervalensi lima (penta-
valens), maka diperoleh semikonduktor tipe n. Bahan dopan yang bervalensi lima
ini misalnya antimoni, arsenik, dan pospor. Struktur kisi-kisi kristal bahan silikon
type n dapat dilihat pada gambar berikut.

Struktur Kristal Semikonduktor (Silikon) Tipe N

Karena atom antimoni (Sb) bervalensi lima, maka empat elektron valensi
mendapatkan pasangan ikatan kovalen dengan atom silikon sedangkan elektron
valensi yang kelima tidak mendapatkan pasangan. Oleh karena itu ikatan elektron
kelima ini dengan inti menjadi lemah dan mudah menjadi elektron bebas. Karena
setiap atom depan ini menyumbang sebuah elektron, maka atom yang bervalensi
lima disebut dengan atom donor. Dan elektron “bebas” sumbangan dari atom
dopan inipun dapat dikontrol jumlahnya atau konsentrasinya.

Meskipun bahan silikon type n ini mengandung elektron bebas (pembawa

mayoritas) cukup banyak, namun secara keseluruhan kristal ini tetap netral karena
jumlah muatan positip pada inti atom masih sama dengan jumlah keseluruhan
elektronnya. Pada bahan type n disamping jumlah elektron bebasnya (pembawa
mayoritas) meningkat, ternyata jumlah holenya (pembawa minoritas) menurun.
Hal ini disebabkan karena dengan bertambahnya jumlah elektron bebas, maka
kecepatan hole dan elektron ber-rekombinasi (bergabungnya kembali elektron
dengan hole) semakin meningkat. Sehingga jumlah holenya menurun.

Level energi dari elektron bebas sumbangan atom donor dapat digambarkan
seperti pada gambar dibawah. Jarak antara pita konduksi dengan level energi
donor sangat kecil yaitu 0.05 eV untuk silikon dan 0.01 eV untuk germanium.
Oleh karena itu pada suhu ruang saja, maka semua elektron donor sudah bisa
mencapai pita konduksi dan menjadi elektron bebas.

Diagram Pita Energi Semikonduktor Tipe N

Bahan semikonduktor tipe n dapat dilukiskan seperti pada gambar

dibawah. Karena atom-atom donor telah ditinggalkan oleh elektron valensinya
(yakni menjadi elektron bebas), maka menjadi ion yang bermuatan positip.
Sehingga digambarkan dengan tanda positip. Sedangkan elektron bebasnya
menjadi pembawa mayoritas. Dan pembawa minoritasnya berupa hole.

Bahan Semikonduktor Tipe N

Semikonduktor Tipe P

Apabila bahan semikonduktor murni (intrinsik) didoping dengan bahan

impuritas (ketidak-murnian) bervalensi tiga, maka akan diperoleh semikonduktor
type p. Bahan dopan yang bervalensi tiga tersebut misalnya boron, galium, dan
indium. Struktur kisi-kisi kristal semikonduktor (silikon) type p adalah seperti
gambar dibawah.

Struktur Kristal Semikonduktor (Silikon) Tipe P

Karena atom dopan mempunyai tiga elektron valensi, dalam gambar diatas
adalah atom Boron (B) , maka hanya tiga ikatan kovalen yang bisa dipenuhi.
Sedangkan tempat yang seharusnya membentuk ikatan kovalen keempat menjadi
kosong (membentuk hole) dan bisa ditempati oleh elektron valensi lain. Dengan
demikian sebuah atom bervalensi tiga akan menyumbangkan sebuah hole. Atom
bervalensi tiga (trivalent) disebut juga atom akseptor, karena atom ini siap untuk
menerima elektron.

Seperti halnya pada semikonduktor type n, secara keseluruhan kristal

semikonduktor type n ini adalah netral. Karena jumlah hole dan elektronnya sama.
Pada bahan type p, hole merupakan pembawa muatan mayoritas. Karena dengan
penambahan atom dopan akan meningkatkan jumlah hole sebagai pembawa
muatan. Sedangkan pembawa minoritasnya adalah elektron.
 Diagram Pita Energi Semikonduktor Tipe P

Level energi dari hole akseptor dapat dilihat pada gambar diatas. Jarak
antara level energi akseptor dengan pita valensi sangat kecil yaitu sekitar 0.01 eV
untuk germanium dan 0.05 eV untuk silikon. Dengan demikian hanya dibutuhkan
energi yang sangat kecil bagi elektron valensi untuk menempati hole di level
energi akseptor. Oleh karena itu pada suhur ruang banyak sekali jumlah hole di
pita valensi yang merupakan pembawa muatan.Bahan semikonduktor tipe p dapat
dilukiskan seperti pada gambar dibawah. Karena atom-atom akseptor telah
menerima elektron, maka menjadi ion yang bermuatan negatip. Sehingga
digambarkan dengan tanda negatip. Pembawa mayoritas berupa hole dan
pembawa minoritasnya berupa elektr

Bahan Semikonduktor Tipe P

B. Pengertian Forward Bias Dan Reverse Bias

1. Bias Mundur (Reverse Bias

Bias mundur adalah pemberian tegangan negatip baterai ke terminal anoda (A)
dan te- gangan positip ke terminal katoda (K) dari suatu dioda. Dengan kata lain,
tegangan anoda ka- toda VA-K adalah negatip (VA-K < 0).

Karena pada ujung anoda (A) yang berupa bahan tipe p diberi tegangan
negatip, maka hole-hole (pembawa mayoritas) akan tertarik ke kutup negatip
baterai menjauhi persambun- gan. Demikian juga karena pada ujung katoda (K)
yang berupa bahan tipe n diberi tegangan positip, maka elektron-elektron
(pembawa mayoritas) akan tertarik ke kutup positip baterai menjauhi
persambungan. Sehingga daerah pengosongan semakin lebar, dan arus yang dis-
ebabkan oleh pembawa mayoritas tidak ada yang mengalir.

Sedangkan pembawa minoritas yang berupa elektron (pada bahan tipe p) dan hole
(pada bahan tipe n) akan berkombinasi sehingga mengalir arus jenuh mundur
(reverse satura- tion current) atau Is. Arus ini dikatakan jenuh karena dengan cepat
mencapai harga maksi- mum tanpa dipengaruhi besarnya tegangan baterai.
Besarnya arus ini dipengaruhi oleh tem- peratur. Makin tinggi temperatur, makin
besar harga Is. Pada suhu ruang, besarnya Is ini da- lam skala mikro-amper untuk
dioda germanium, dan dalam skala nano-amper untuk dioda silikon

2. Bias Maju (Foward Bias)

Apabila tegangan positip baterai dihubungkan ke terminal Anoda (A) dan

negatipnya ke terminal katoda (K), maka dioda disebut mendapatkan bias maju
(foward bias). Dengan demikian VA-K adalah positip atau VA-K > 0.

Dengan pemberian polaritas tegangan seperti pada gambar 3, yakni VA-K positip,
maka pembawa mayoritas dari bahan tipe p (hole) akan tertarik oleh kutup negatip
baterai me- lewati persambungan dan berkombinasi dengan elektron (pembawa
mayoritas bahan tipe n). Demikian juga elektronnya akan tertarik oleh kutup
positip baterai untuk melewati persam- bungan. Oleh karena itu daerah
pengosongan terlihat semakin menyempit pada saat dioda di- beri bias maju. Dan
arus dioda yang disebabkan oleh pembawa mayoritas akan mengalir, yaitu ID.

Sedangkan pembawa minoritas dari bahan tipe p (elektron) dan dari bahan
tipe n (hole) akan berkombinasi dan menghasilkan Is. Arah Is dan ID adalah
berlawanan. Namun karena Is jauh lebih kecil dari pada ID, maka secara praktis
besarnya arus yang mengalir pada dioda ditentukan oleh ID.
C. Jenis- Jenis Dioda

1. Light Emiting Diode (Dioda Emisi Cahaya)

Dioda yang sering disingkat LED ini merupakan salah satu piranti
elektronik yang menggabungkan dua unsur yaitu optik dan elektronik yang
disebut juga sebagai Opteolotronic.dengan masing-masing elektrodanya berupa
anoda (+) dan katroda (-), dioda jenis ini dikategorikan berdasarkan arah bias dan
diameter cahaya yang dihasilkan, dan warna nya.

2. Diode Photo (Dioda Cahaya)

Dioda jenis ini merupakan dioda yang peka terhadap cahaya, yang bekerja
pada pada daerah-daerah reverse tertentu sehingga arus cahaya tertentu saja yang
dapat melewatinya, dioda ini biasa dibuat dengan menggunakan bahan dasar
silikon dan geranium. Dioda cahaya saat ini banyak digunakan untuk alarm, pita
data berlubang yang berguna sebagai sensor, dan alat pengukur cahaya (Lux
Meter).

3. Diode Varactor (Dioda Kapasitas)

 Dioda jenis ini merupakan dioda yang unik, karena dioda ini memiliki
kapasitas yang dapat berubah-ubah sesuai dengan besar kecilnya tegangan yang
diberikan kepada dioda ini, contohnya jika tegangan yang diberikan besar, maka
kapasitasnya akan menurun,berbanding terbalik jika diberikan tegangan yang
rendah akan semakin besar kapasitasnya, pembiasan dioda ini secara reverse.

4. Diode Rectifier (Dioda Penyearah)

Dioda jenis ini merupakan dioda penyearah arus atau tegangan yang
diberikan, contohnya seperti arus berlawanan (AC) disearahkan sehingga
menghasilkan arus searah (DC). Dioda jenis ini memiliki karakteristik yang
berbeda-beda sesuai dengan kapasitas tegangan yang dimiliki.

5. Diode Zener

Dioda jenis ini merupakan dioda yang memiliki kegunaan sebagai

penyelaras tegangan baik yang diterima maupun yang dikeluarkan, sesuai dengan
kapasitas dari dioda tersebut, contohnya jika dioda tersebut memiliki kapasitas 5,1
V, maka jika tegangan yang diterima lebih besar dari kapasitasnya, maka tegangan
yang dihasilkan akan tetap 5,1 tetapi jika tegangan yang diterima lebih kecil dari
kapasitasnya yaitu 5,1, dioda ini tetap mengeluarkan tegangan sesuai dengan
inputnya.
D. Prinsip Kerja dan Doping dari Semikonduktor

Pada dasarnya, transistor dan tabung vakum memiliki fungsi yang serupa;
keduanya mengatur jumlah aliran arus listrik. Untuk mengerti cara kerja
semikonduktor, misalkan sebuah gelas berisi air murni. Jika sepasang konduktor
dimasukan kedalamnya, dan diberikan tegangan DC tepat dibawah tegangan
elektrolisis (sebelum air berubah menjadi Hidrogen dan Oksigen), tidak akan ada
arus mengalir karena air tidak memiliki pembawa muatan (chargecarriers).
Sehingga air murni dianggap sebagai isolator . Jika sedikit garam
dapur dimasukan ke dalamnya, konduksi arus akan mulai mengalir, karena
sejumlah pembawa muatan bebas (mobile carriers, ion) terbentuk. Menaikan
konsentrasi garam akan meningkatkan konduksi, namun tidak banyak. Garam
dapur sendiri adalah non-konduktor (isolator ), karena pembawa muatanya tidak
bebas.

Silikon murni sendiri adalah sebuah isolator, namun jika sedikit

pencemar ditambahkan, seperti Arsenik, dengan sebuah proses yang dinamakan
doping, dalam jumlah yang cukup kecil sehingga tidak mengacaukan tata letak
kristal silikon, Arsenik akan memberikan electron bebas dan hasilnya
memungkinkan terjadinya konduksi arus listrik. Ini karena Arsenik memiliki 5
elektron valensi di orbit terluarnya, sedangkan Silikon hanya 4 elektron valensi.
Konduksi terjadi karena pembawa muatan bebas telah ditambahkan (oleh
kelebihan elektron dari Arsenik). Dalam kasus ini, sebuah Silikon tipe-n (n untuk
negatif, karena pembawa muatannya adalah elektron yang bermuatan negatif)
telah terbentuk.

Selain dari itu, silikon dapat dicampur dengan Boron untuk membuat
semikonduktor tipe-p. Karena Boron hanya memiliki 3 elektron valensi di orbit
paling luarnya, pembawa muatan yang baru, dinamakan "lubang" (hole, pembawa
muatan positif), akan terbentuk di dalam tata letak kristal silikon.

Dalam tabung hampa, pembawa muatan (elektron) akan dipancarkan oleh

emisi thermionic dari sebuah katode yang dipanaskan oleh kawat filamen. Karena
itu, tabung hampa tidak bisa membuat pembawa muatan positif (hole).
Dapat disimak bahwa pembawa muatan yang bermuatan sama akan saling tolak-
menolak, sehingga tanpa adanya gaya yang lain, pembawa-pembawa muatan ini
akan terdistribusi secara merata di dalam materi semikonduktor. Namun di dalam
sebuah transistor bipolar (atau diode junction) dimana sebuah semikonduktor tipe-
p dan sebuah semikonduktor tipe-n dibuat dalam satu keping silikon, pembawa-
pembawa muatan ini cenderung berpindah ke arah sambungan P-N tersebut
(perbatasan antara semikonduktor tipe-p dan tipe-n), karena tertarik oleh muatan
yang berlawanan dari seberangnya.

Kenaikan dari jumlah pencemar (doping level) akan meningkatkan konduktivitas

dari materi semikonduktor, asalkan tata-letak kristal silikon tetap dipertahankan.
Dalam sebuah transistor bipolar, daerah terminal emiter memiliki jumlah doping
yang lebih besar dibandingkan dengan terminal basis. Rasio perbandingan antara
doping emiter dan basis adalah satu dari banyak faktor yang menentukan sifat
penguatan arus (current gain) dari transistor tersebut.

Jumlah doping yang diperlukan sebuah semikonduktor adalah sangat kecil, dalam
ukuran satu berbanding seratus juta, dan ini menjadi kunci dalam keberhasilan
semikonduktor. Dalam sebuah metal, populasi pembawa muatan adalah sangat
tinggi; satu pembawa muatan untuk setiap atom.

DOPING SEMIKONDUKTOR

Sebenarnya banyak bahan-bahan dasar yang dapat digolongkan sebagai

bahan Semikonduktor, tetapi yang paling sering digunakan untuk bahan dasar
komponen elektronika hanya beberapa jenis saja, bahan-bahan Semikonduktor
tersebut diantaranya adalah Silicon, Selenium, Germanium dan Metal Oxides.
Untuk memproses bahan-bahan Semikonduktor tersebut menjadi komponen
elektronika, perlu dilakukan proses “Doping” yaitu proses untuk menambahkan
ketidakmurnian (Impurity) pada Semikonduktor yang murni (semikonduktor
Intrinsik) sehingga dapat merubah sifat atau karakteristik kelistrikannya.
Penambahan doping tersebut dimaksudkan untuk menambah konduktivitas listrik
material semikonduktor. Beberapa bahan yang digunakan untuk menambahkan
ketidakmurnian semikonduktor antara lain adalah Arsenic, Indium dan Antimony.
Bahan-bahan tersebut sering disebut dengan “Dopant”, sedangkan Semikonduktor
yang telah melalui proses “Doping” disebut dengan Semikonduktor Ekstrinsik.

Perbedaan jumlah elektron elektron antara doping material (dopan) dan elektron
dalam semikonduktor murni dapat menghasilkan negatif (semikonduktor tipe n)
atau positif (semikonduktor tipe p) pembawa sifat listrik. Dopan disebut atom
akseptor apabila menerima elektron dari atom semikonduktor. Sedangkan dopan
disebut donor apabila menyumbangkan elektron ke atom semikonduktor.
Misalkan atom Si yang memiliki 4 buah elektron valensi, dua pasang elektron
tersebut akan membentuk ikatan kovalen. Untuk menghasilkan semikonduktor
tipe n, dibutuhkan atom yang memiliki lebih banyak elektron. Misal atom
phosporus (P) yang memiliki elektron valensi 5 buah. Atom P tersebut apabila di
dopingkan ke dalam semikonduktor Si akan memberikan elektron ekstra, sehingga
elektron tersebut akan membuat semikonduktor tipe n. Sedangkan untuk
menghasilkan semikonduktor tipe p, dibutuhkan atom dengan jumlah elektron
kurang dari elektron yang dimiliki semikonduktor Si. Misal atom aluminium (Al)
yang memiliki elektron valensi 3 buah. Atom Al yang didopingkan ke dalam
semikonduktor Si akan berikatan dengan 3 buah atom Al, artinya ada sebuah
elektron dari Si yang tidak berpasangan dengan Al. Maka Semikonduktor tersebut
memiliki hole yang bertindak sebagai penghasil sifat listrik. Dengan kata lain
semikonduktor menjadi bertipe p
 BAB III

PENUTUP

A. Kesimpulan

Dioda merupakan komponen semikonduktor yang paling sederhana. Dioda

adalah gabungan bahan semikonduktor tipe N yang merupakan bahan dengan
kelebihan elektron dan tipe P adalah kekurangan satu elektron sehingga
membentuk Hole. Secara keseluruhan dioda dapat kita contohkan sebagai katup,
dimana katup tersebut akan terbuka pada saat air mengalir dari belakang menuju
ke depan. Sedangkan katup akan menutup apabila ada dorongan aliran air dari
depan katub. Simbol dioda digambarkan dengan anak panah yang diujungnya
terdapat garis yang melintang. Cara kerja dioda dapat kita lihat dari simbolnya.
Karena pada pangkal anak panah disebut sebagai anoda (P) dan pada ujung anak
panah dapat disebut sebagai katoda (N).

B. Saran
Dalam menyusun makalah, khusunya mengenai Dioda Semionduktor,
maka perlu menggubkan sumber data yang jelas dan akurat. Agar konsep dari
diode dapat dipaham dengan baik
 DAFTAR PUSTAKA

Boylestad and Nashelsky. (1992). Electronic Devices and Circuit Theory, 5th ed.
Engelwood Cliffs, NJ: Prentice-Hall, Inc.

Floyd, T. (1991). Electric Circuits Fundamentals. New York: Merrill Publishig

Co.

Malvino, A.P. (1993). Electronic Principles 5th Edition. Singapore: McGraw-Hill,

Inc.

Milman & Halkias. (1972). Integrated Electronics: Analog and Digital Circuits
and Systems. Tokyo: McGraw-Hill, Inc.

Savant, Roden, and Carpenter. (1987). Electronic Circuit Design: An Engineering

Approach. Menlo Park, CA: The Benjamin/Cummings Publishing
Company, Inc.

Stephen, F. (1990). Integrated devices: discrete and integrated. Englewood Cliffs,

NJ: Pren- tice-Hall, Inc.

http://komponenelektronika.biz/jenis-jenis-dioda-dan-fungsinya.html
http://komponenelektronika.biz/fungsi-dioda.html

http://www.definisimenurutparaahli.com/pengertian-semikonduktor-dan-
contohnya/

http://teknikelektronika.com/prinsip-dasar-dan-pengertian-semikonduktor-
semiconductor/

https://id.wikipedia.org/wiki/Transistor

http://blog.umy.ac.id/clasiccboy/2012/04/23/semikonduktor/

http://mhs.blog.ui.ac.id/alfan/2011/09/22/sejarah-perkembangan-teknologi-
semikonduktor/

http://id.wikipedia.org

http://ffden-2.phys.uaf.edu/212_spring2005.web.dir/george_walker/history.htm