POLITEKNIK NEGERI BANDUNG

Lab : Pengukuran PENGUKURAN Nomor :

KARAKTERISTIK
Prodi : T. Otomasi Industri Semester : III
TRANSISTOR

I.Tujuan percobaan
Setelah praktikum diharapkan praktikan dapat,

1.1.Membangun rangkaian pelacak kurva transistor

1.2.Mengukur karakteristik keluaran transistor (NPN)
1.3.Mengukur karakteristik control-arus transistor
1.4.Mengukur karakteristik masukan transistor

II. Teori Singkat

2.1. Transistor merupakan komponen semikonduktor yang tersusun dari sambungan NPN
atau PNP. Dalam pemakaian transistor dapat digunakan sebagai saklar atau sebagai
penguin. Simbol dan struktur transistor ditunjukkan pada gambar 1.

Sebagai penguat transistor berada dalam kondisi kerja bila sambungan (junction)
basis-emitor mendapat bias maju dan sambungan basis-kolektor mendapat bias balik.
Untuk transistor NPN,tegangan pada basis (B) harus lebih positif dari pada tegangan
emitor (E) dan tegangan pada kolektor (E) dan tegangan pada kolektor (C) darus lebih
positif dari tegangan pada basis.

1
 2.2 Karakter keluaran transistor memperlihatkan hubungan antara arus colektor (Ic)
dengan tegangan kolektor-emitor (VCE) pada arus basis (IB) konstan,Ic= f(VCE).Dari
karateristik keluaran bias dihitung konduktansi keluaran dengan rumus :
Δ𝐼𝑐
go = (mho)
Δ𝑉𝐶𝐸

2.3 Karakteritik control arus mmperlihatkan hubungan antara colektor (Ic) dan arus basis
(IB) pada tegangan kolektor emitor (VCE) konstan,Ic = f(IB).Karakteritik ini disebut juga
dengan karakteristik transfer.

Dari karakteristik ini dapat diperoleh factor penguatan arus :

𝐼𝑐
Faktor penguatan arus dc, hff =
𝐼𝐵

Δ𝐼𝑐
Faktor penguatan arus ac, hfe = .
Δ𝐼𝐵

2.4 Karakteristik masukan memperlihatkan hubungan antara arus basis ( IB) dan tegangan
basis–emitor (VBE) pada tegangan kolektor-emitor ( VCE ) konstan,IB =f
(VBE).Karakteristik ini dapat digambarkan dengan data dari karakteristik control tersebut
di atas.

Dari karakteristik ini dapat diperoleh impedansi masukan transistor.Besar impedansi

masukan dapat dinyatakan :

Δ𝑉𝐵𝐸
Zin = (Ω)
Δ𝐼𝐵

III.Alat dan Bahan

1. Catu daya DC 10 Volt : 1 Buah 7.Potesiometer 1 k Ω : 1 Buah

2. Catu daya DC full wave, 8.Potensiometer 10 k Ω : 1 Buah
0-15 : 1 Buah 9.Multimeter : 1 Buah
3. Transistor NPN,BC107 : 1 Buah 10.Osiloscope 2 kanal : 1
Buah
4. Resistor 10 Ω : 1 Buah 11.Kabel secukupnya : 1 Buah
5. Resistor 100 Ω : 1 Buah
6. Resistor 3,3 k Ω : 1 Buah

2
IV. Langkah Kerja

4.1 buatlah rangkaian seperti gambar 2.kemudian hidupkan osiloskop pada operasi X-Y/DC.
Tetapkan Ib=25 mikro farad dan naikan tegangan sumber DC (full wave) secara perlahan-
lahan sampai maksimum (15v). gambarkan karakteristik keluaran yang di tampilkan osiloskop
lengkap dengan tegangan nya

Gambar 2, rangkaian penelusuran karakteristik transistor

4.2 ulangi langkah 4.1 untuk IB= 20 mikro farad;15 mikro farad;10 mikro farad;5 mikro
farad;0 mikro farad

4.3 buatlah rangkaian seperti gambar 3,tanpa memasang v1. Lakukan pengukuran IC sebagai
fungsi VCE dengan IB dengan konstanta (10 mikro farad;20 mikro farad;30 mikro farad).
Masukkan hasilnya pada tabel1.

Gambar 3. Rangkaian pengukuran karakteristik transistor

3
Tabel 1

VCE Arus kolektor (mA)

(volt) IB= 10 µA IB= 20 µA IB= 26 µA
0,2 1,9 mA 3,8 mA 5 mA
0,3 2,08 mA 3,95 mA 5,39 mA
0,4 2,09 mA 3,95 mA 5,39 mA
0,5 2,1 mA 4 mA 5,4 mA
0,7 2,11 mA 4,12 mA 5,4 mA
0,9 2,12 mA 4,12 mA 5,42 mA
1 2,15 mA 4,12 mA 5,42 mA
2 2,18 mA 4,19 mA 5,64 mA
4 2,22 mA 4,2 mA 5,7 mA
6 2,28 mA 4,29 mA 5,92 mA
8 2,32 mA 4,3 mA 6,1 mA

4.4 Dengan rangkaian yang sama seperti langkah 4.3 lakukan pengukuran IB sebagai fungsi Ic
dengan VCE konstan (5 V). Masukkan hasilnya pada tabel 2 (Kolom IB).

Tabel 2

Arus kolektor VCE=5Volt hfe (βDC)

Ic(mA) IB (µA) VBE (volt)
0,1 0 0,40 0
0,2 0,4 0,42 500
0,5 1,2 0,44 416
1 2,6 0,46 384
2 5,5 0,483 363
4 11,1 0,490 360
6 17,2 0,511 348
8 22 0,522 363
10 26 0,523 384

4.5 Sama dengan langkah 4.4 dengan menghubung singkat ampere meter A1 dan memasang
voltmeter V1, lakukan pengukuran VBE sebagai fungsi Ic dengan VCE konstan (5 V).
Masukkan hasilnya pada tabel 2 kolom VBE.

4
 V. Pertayaan.

1. Dari langkah 4.1, amati kurva karakteristik keluaran Ic = f(Vce) pada osiloskop.
Lakukan pengaturan Ib. Apa yang terjadi..? Begitu juga apayang terjadi jika Vce
diatur..?
Jawab :
Gambar grafik kurva

2. Dari Tabel 1 dan Tabel 2, Gambarkan karakteristik transistor : karakteristik

keluaran Ic = f(Vce); karakteristik kontrol arus Ic = f(Ib); dan karakteristik
masukan Ib = f(Bbe).

3. Dari karakteristik keluaran transistor. Bilamanakah terjadi kenaikan tajam arus

kolektor dan bilamanakah terjadi arus kolektor jenuh? Hitung konduktansi
keluarannya (go).

Jawab :

𝛥𝐼𝑐 2,32 − 2,15

𝑔𝑜 = = = 0,02428 𝑚ℎ𝑜
𝛥𝑉𝑐𝑒 8−1

4. Dari karakteristik transfer arus transistor. Bagaimanakah hubungan antara arus

basis dan arus kolektornya? Hitung penguatan arusnya (hfe).

Jawab: Besar Ib linier dengan besar Ic.

𝐼𝑐
hfe =
𝐼𝑏

Arus kolektor VCE=5Volt hfe (βDC)

Ic(mA) IB (µA) VBE (volt)
0,1 0 0,40 0
0,2 0,4 0,42 500
0,5 1,2 0,44 416
1 2,6 0,46 384
2 5,5 0,483 363
4 11,1 0,490 360
6 17,2 0,511 348
8 22 0,522 363
10 26 0,523 384

∆ℎ𝑓𝑒 3118
Rata-Rata = = = 346,4444
9 9

5
 5. Dari karakteristik masukan transistor, hitunglah besarnya impedansi masukan
(Zin) transistor !

Jawab :
𝛥𝑉𝑏𝑒 (0,525 – 0,46)
Zin = = = 0,002777778 VA
𝛥𝐼𝑏 (26−2,6)

6. Dari percobaan dan data yang anda peroleh, berikan kesimpulan anda.

Daftar Pustaka

- Allen Mottershead, Electric Devices and Circuit.

---ooDAoo---