BAB I

Tujuan :

1. Mahasiswa mampu merangakai dan memahami rangkaian voltage divider

2. Mahasiswa mampu mengukur penguatan rangakaian voltage divider
 BAB II

DASAR TEORI

Transistor adalah komponen elektronika multitermal, biasanya memiliki 3

terminal. Secara harfiah, kata ‘Transistor’ berarti ‘ Transfer resistor’, yaitu suatu
komponen yang nilai resistansi antara terminalnya dapat diatur.
Transistor merupakan salah satu komponen yang selalu ada di setiap rangkaian
elektronika, seperti radio, televisi, handphone, lampu flip-flop dll. Fungsi dari komponen
ini sangatlah penting. Kebanyakan, transistor digunakan untuk kebutuhan penyambungan
dan pemutusan (switching), seperti halnya saklar. Yaitu untuk memutus atau
menyambungkan arus listrik. Selain itu transistor juga berfungsi sebagai penguat
(amplifier), stabilisasi tegangan, modulasi sinyal, dan banyak lagi. Keinginan kita untuk
merubah fungsi transistor ini adalah dari pemilihan jenis transistor atau dengan cara
perangkaian sirkit transistor itu sendiri. Dengan banyaknya fungsi itu,
komponen transistor banyak sekali digunakan di dalam rangkaian elektronika.
Bahan dasar pembuatan transistor itu sendiri atara lain Germanium, Silikon,
Galium Arsenide. Sedangkan kemasan dari transistor itu sendiri biasanya terbuat dari
Plastik, Metal, Surface Mount, dan ada juga beberapa transistor yang dikemas dalam satu
wadah yang disebut IC (Intregeted Circuit). Contoh penggunaan transistor dalam
rangkaian analog, adalah digunakan untuk fungsi amplifier (penguat), rangkaian analog
melingkupi pengeras suara, sumber listrik stabil (stabilisator) dan penguat sinyal radio.
Dalam rangkaian-rangkaian digital, transistor digunakan sebagai saklar berkecepatan
tinggi. Beberapa transistor juga dapat dirangkai sedemikian rupa sehingga berfungsi
sebagai logic gate, memori dan fungsi rangkaian-rangkaian lainnya.

Berikut merupakan fungsi dari transistor :

- Transistor sebagai saklar elektronik, yaitu dengan mengatur bias dari sebuah
transistor sampai transistor jenuh maka didapat hubungan singkat antar kaki
konektor dan emitor, dengan memanfaatkan kejadian ini maka transistor bisa
digunakan sebagai saklar.
 - Transistor sebagai penguat arus, lalu fungsi dari transistor lainnya adalah dapat di
gunakan sebagai penguat arus. Dengan fungsi ini transistor dapat digunakan
sebagai rangkaian power supply tentunya dengan tegangan yang di setting. Untuk
dapat digunakan sebagai fungsi penguat arus transistor harus dibias tegangan yang
constant pada basisnya, agar pada emitor keluar tegangan yang tetap. Umumnya
untuk dapat tegangan basis agar tetap digunakan diode zener.
- Fungsi transistor yang terakhir adalah untuk menguatkan sinyal AC. Kegunaan
komponen dalam hal ini haruslah memakai beberapa jenis tekhnik pembiasan
basis-transistor. Ketika transistor bekerja untuk menguatkan sinyal AC,
komponen ini digolongkan jadi beberapa tipe penguat, yaitu penguat kelas C;
penguat kelas AB; penguat kelas B dan penguat kelas A.

Di gambar atas tersebut terlihat kerjasama antara R16 dan R15 untuk mengatur
tegangan bias pd basis transistor. Configurasi tersebut dikelompokkan dalam tipe
penguat kelas A. Melalui kapasitor C8, signal masuk menuju basis transistor.
Berikutnya dengan melewati kapasitor C7, signal output diambil dari kaki kolektor.

Setelah membahas tentang fungsi-fungsi dari transistor, kali ini kita akan membahas
jenis-jenis dari dari transistor, dan prinsip kerja transistor :
 Dari banyak tipe-tipe transistor yang modern di jaman sekarang, awalnya hanya
terdapat 2 tipe dasar transistor yaitu biopolar transistor (BJT atau transistor biopolar) dan
FET (Field-Effect Transistor), yang cara kerjanya berbeda-beda. Transistor
biopolar dinamakan seperti itu karena kanal konduksi utamanya memakai 2 polaritas
pembawa muatan elekton dan lubang, untuk membawa muatan atau arus listrik. Di dalam
BJT, arus listrik utamanya harus melewati satu daerah atau lapisan pembatas yang
dinamakan depletizon dan juga ketebalan dari lapisan ini bisa diatur dengan kecepatan
tinggi dengan maksud untuk mengatur aliran arus utama tersebut. FET ( Field-Effect
Transistor) dinamakan juga transistor unipolar yaitu hanya memakai satu jenis pembawa
muatan (electron atau hole, terganu dari tipenya FET) saja. Di dalam FET arus listrik
utamanya mengalir dalam satu kenal konduksi sempit dengan depletion zone sisinya. Lalu
ketebalan dari daerah perbatasan ini bisa diubah dengan perubahan tegangan yang
diberikan, untuk mengubah ketebalan kenal konduksi tersebut.

Secara umum, transistor dapat di beda-bedakan berdasarkan banyak kategori,

diantarnaya seperti di bawah ini:

 Berdasarkan tipe diantaranya seperti: UJT, BJT, JFET, IGBT, IGFET (MOSFET),
HBT, VMOSFET, MISFET, HEMT, MESFET, dan lain sebagainya.
 Berdasarkan materi semikonduktor, diantaranya germanium, silikon dan gallium
arsenide
 Berdasarkan kemasan fisiknya, diantarnya seperti: IC, through hole metal, surface
mount, through hole plastic dan lain sebagainya.
 Berdasarkan polaritas diantaranya seperti: PNP atau P-channel dan NPN atau N-
channel.
 Berdasarkan maximum kapasitas daya, diantaranya seperti: Low power, medium
power dan high power.
 Berdasarkan maximum frekwensi kerja, yang diantaranya: Low, medium, atau
high frequency, RF transistor, Microwave, dan lain sebagainya.
 Berdasarkan aplikasi yang diantaranya seperti: Saklar, amplifier, audio, general
purpose, tegangan tinggi dan lain sebagainya.
 Untuk jenis-jenis transistor berdasarkan inputnya Jenis-
Jenis transistor dibedakan berdasarkan arus inputnya BJT (Bipolar Junction Transistor)
atau tegangan inputnya FET (Field Effect Transistor). Yang membedakan transistor
dengan komponen lain, adalah memiliki 3 kaki utama, yaitu Base (B), Collector, (C)
dan Emitter (E). dimana base terdapat arus yang sangat kecil, yang berguna untuk
mengatur arus dan tegangan yang ada pada Emitor, pada keluaran arus Kolektor.
Sehingga apabila terdapat arus pada basis, tegangan yang besar pada kolektor akan
mengalir menuju emitor. Berikut jenis-jenis transistor secara umum :
 Materi semikonduktor : Germanium, Silikon, Gallium Arsenide
 Kemasan fisik : Through Hole Metal, Through Hole Plastic,
Surface Mount, IC
 Tipe : UJT, BJT, JFET, IGFET (MOSFET), IGBT,
HBT, MISFET, VMOSFET
 Polaritas : NPN atau N-channel, PNP atau P-channel
 Maximum kapasitas daya : Low Power, Medium Power, High Power
 Maximum frekuensi kerja : Low, Medium, atau High Frequency, RF
transistor, Microwave
 Aplikasi : Amplifier, Saklar, General Purpose, Audio,
Tegangan Tinggi, dan lain-lain.

Pada transistor bipolar, arus yang mengalir berupa arus lubang (hole) dan arus
electron atau berupa pembawa muatan mayoritas dan minoritas. Transistor dapat
berfungsi sebagai penguat tegangan, penguat arus, penguat daya atau sebagai saklar. Ada
2 jenis transistor yaitu PNP dan NPN. Transistor di desain dari pemanfaatan sifat diode,
arus menghantar dari diode dapat dikontrol oleh electron yang ditambahkan pada
pertemuan PN diode. Dengan penambahan elekdiode pengontrol ini, maka diode semi-
konduktor dapat dianggap dua buah diode yang mempunyai electrode bersama pada
pertemuan. Junction semacam ini disebut transistor bipolar dan dapat digambarkan
sebagai berikut :
 Dengan memilih electrode pengontrol dari type P atau type N sebagai electrode
persekutuan antara dua diode, maka dihasilkan transistor jenis PNP dan NPN. Transistor
dapat bekerja apabila diberi tegangan, tujuan pemberian tegangan pada transistor adalah
agar transistor tersebut dapat mencapai suatu kondisi menghantar atau menyumbat. Baik
transistor NPN maupun PNP tegangan antara emitor dan basis adalah forward bias,
sedangkan antara basis dengan kolektor adalah reverse bias.

Dari cara pemberian tegangan muka didapatkan dua kondisi yaitu menghantar dan
menyumbat seperti pada gambar transistor NPN dibawah ini.

Pemberian tegangan pada transistor Tegangan pada Vcc jauh lebih besar dari
tegangan pada Veb. Diode basis-emitor mendapat forward bias, akibatnya electron
mengalir dari emitor ke basis, aliran electron ini disebut arus emitor (IE). Elektron
electron ini tidak mengalir dari kolektor ke basis, tetapi sebaliknya sebagian besar
electron-elektron yang berada pada emitor tertarik ke kolektor, karena tegangan Vcc jauh
lebih besar dari pada tegangan Veb dan mengakibatkan aliran electron dari emitor menuju
kolektor melewati basis. Electron-elektron ini tidak semuanya tertarik ke kolektor tetapi
sebagian kecil menjadi arus basis (IB).
Sementara pada PNP, terjadi hal sebaliknya ketika arus mengalir pada kaki basis,
maka transistor berlogika 0 (off). Arus akan mengalir apabila kaki basis diberi sambungan
ke ground (-) hal ini akan menginduksi arus pada kaki emitor ke kolektor, hal yang
berbeda dengan NPN, yaitu arus mengalir pada kolektor ke emitor. Penggunaan
transistor jenis ini mulai jarang digunakan. Dibanding dengan NPN,
transistor jenis PNP mulai sulit ditemukan dipasaran

Transistor BJT digunakan untuk 3 penggunaan berbeda: mode cut off, mode linear
amplifier, dan mode saturasi. Penggunaan fungsi transistor bisa menggunakan
karakteristik dari masing-masing daerah kerja ini. Selain untuk membuat fungsi daripada
transistor, karakteristik transistor juga dapat digunakan untuk menganalisa arus dan
tegangan transistor

• Daerah Potong (cutoff):

 Dioda Emiter diberi prategangan mundur. Akibatnya, tidak terjadi pergerakan
elektron, sehingga arus Basis, IB = 0. Demikian juga, arus Kolektor, IC = 0, atau disebut
ICEO (Arus Kolektor ke Emiter dengan harga arus Basis adalah 0).

• Daerah Saturasi

Dioda Emiter diberi prategangan maju. Dioda Kolektor juga diberi prategangan
maju. Akibatnya, arus Kolektor, IC, akan mencapai harga maksimum, tanpa bergantung
kepada arus Basis, IB, dan βdc. Hal ini, menyebabkan Transistor menjadi komponen yang
tidak dapat dikendalikan. Untuk menghindari daerah ini, Dioda Kolektor harus diberi
prateganan mundur, dengan tegangan melebihi VCE(sat), yaitu tegangan yang
menyebabkan Dioda Kolektor saturasi.

• Daerah Aktif

Dioda Emiter diberi prategangan maju. Dioda Kolektor diberi prategangan mundur.
Terjadi sifat-sifat yang diinginkan, dimana:

atau

sebagaimana penjelasan pada bagian sebelumnya. Transistor menjadi komponen

yang dapat dikendalikan.

• Daerah Breakdown
 Dioda Kolektor diberiprategangan mundur yang melebihi tegangan Breakdown-
nya, BVCEO (tegangan breakdown dimana tegangan Kolektor ke Emiter saat Arus Basis
adalah nol). Sehingga arus Kolektor, IC, melebihi spesifikasi yang dibolehkan. Transistor
dapat mengalami kerusakan.

Sedangakan FET Field Effect Transistor atau disingkat dengan FET adalah
komponen Elektronika aktif yang menggunakan Medan Listrik untuk mengendalikan
Konduktifitasnya. Field Effect Transistor (FET) dalam bahasa Indonesia disebut dengan
Transistor Efek Medan. Dikatakan Field Effect atau Efek Medan karena pengoperasian
Transistor jenis ini tergantung pada tegangan (medan listrik) yang terdapat pada Input
Gerbangnya. FET merupakan Komponen Elektronika yang tergolong dalam keluarga
Transistor yang memilki Tiga Terminal Kaki yaitu Gate (G), Drain (D) dan Source (S).

Field Effect Transistor atau FET memiliki fungsi yang hampir sama dengan
Transistor bipolar pada umumnya. Perbedaannya adalah pada pengendalian arus
Outputnya. Arus Output (IC) pada Transistor Bipolar dikendalikan oleh arus Input (IB)
sedangkan Arus Output (ID) pada FET dikendalikan oleh Tegangan Input (VG) FET. Jadi
perlu diperhatikan bahwa perbedaan yang paling utama antara Transistor Bipolar (NPN
& PNP) dengan Field Effect Transistor (FET) adalah terletak pada pengendalinya
(Bipolar menggunakan Arus sedangkan FET menggunakan Tegangan).

Field Effect Transistor ini sering disebut juga dengan Unipolar Transistor atau
Transistor Eka Kutup, hal ini dikarena FET adalah Transistor yang bekerja bergantung
dari satu pembawa muatan saja, apakah itu Elektron maupun Hole. Sedangkan pada
Transistor Bipolar (NPN & PNP) pada umumnya, terdapat dua pembawa muatan yaitu
Elektron yang membawa muatan Negatif dan Hole sebagai pembawa muatan Positif.
Field Effect Transistor (FET) atau Transistor Efek Medan ini diciptakan dan dipatenkan
oleh Julius Edgar Lilienfeld pada tahun 1926 dan juga oleh Oscar Hell di tahun 1934.
Jenis-jenis Field Effect Transistor (FET) dan Cara Kerjanya Pada dasarnya terdapat dua
jenis klasifikasi utama pada Field Effect Transistor atau FET ini, kedua jenis tersebut
diantaranya adalah JFET (Junction Field Effect Transistor) dan MOSFET (Metal
Oxide Semiconduction Field Effect Transistor).
Junction FET (JFET)

Cara Kerja JFET pada prinsipnya seperti kran air yang mengatur aliran air pada
pipa. Elektron atau Hole akan mengalir dari Terminal Source (S) ke Terminal Drain (D).
Arus pada Outputnya yaitu Arus Drain (ID) akan sama dengan Arus Inputnya yaitu Arus
Source (IS). Prinsip kerja tersebut sama dengan prinsip kerja sebuah pipa air di rumah kita
dengan asumsi tidak ada kebocoran pada pipa air kita.

Besarnya arus listrik tergantung pada tinggi rendahnya Tegangan yang diberikan
pada Terminal Gerbangnya (GATE (G)). Fluktuasi Tegangan pada Terminal Gate (V G)
akan menyebabkan perubahan pada arus listrik yang melalui saluran IS atau ID. Fluktuasi
yang kecil dapat menyebabkan variasi yang cukup besar pada arus aliran pembawa
muatan yang melalui JFET tersebut. Dengan demikian terjadi penguatan Tegangan pada
sebuah rangkaian Elektronika. Junction FET atau sering disingkat dengan JFET memiliki
2 tipe berdasarkan tipe bahan semikonduktor yang digunakan pada saluran atau kanalnya.
JFET tipe N-Channel (Kanal N) terbuat dari bahan Semikonduktor tipe N dan P-Channel
(Kanal P) yang terbuat dari Semikonduktor tipe P.

JFET Kanal-N

Berikut dibawah ini adalah gambar struktur dasar JFET jenis Kanal-N.

Saluran atau Kanal pada jenis ini terbentuk dari bahan semikonduktor tipe N
dengan satu ujungnya adalah Source (S) dan satunya lagi adalah Drain (D). Mayoritas
pembawa muatan atau Carriers pada JFET jenis Kanal-N ini adalah Elektron. Gate atau
Gerbang pada JFET jenis Kanal-N ini terdiri dari bahan semikonduktor tipe P. Bagian
lain yang terbuat dari Semikonduktor tipe P pada JFET Kanal-N ini adalah bagian yang
disebut dengan Subtrate yaitu bagian yang membentuk batas di sisi saluran berlawanan
Gerbang (G). Tegangan pada Terminal Gerbang (G) menghasilkan medan listrik yang
mempengaruhi aliran pada pembawa muatan yang melalui saluran tersebut. Semakin
Negatifnya VG, semakin sempit pula salurannya yang akhirnya mengakibatkan semakin
kecil arus pada outputnya (ID).

JFET Kanal-P

Berikut dibawah ini adalah gambar struktur dasar JFET jenis Kanal-P.

Saluran pada JFET jenis Kanal-P terbuat dari Semikonduktor tipe P. Mayoritas
pembawa muatannya adalah Hole. Bagian Gate atau Gerbang (G) dan Subtrate-nya
terbuat dari bahan Semikonduktor tipe N.

Di JFET Kanal-P, semakin Positifnya VG, semakin sempit pula salurannya yang
akhirnya mengakibatkan semakin kecilnya arus pada Output JFET (ID).

Dari Simbolnya, kita dapat mengetahui mana yang JFET Kanal-N dan JFET
Kanal-P. Anak Panah pada simbol JFET Kanal-N adalah menghadap ke dalam sedangkan
anak panah pada simbol JFET Kanal-P menghadap keluar.

Metal Oxide Semiconduction Field Effect Transistor (MOSFET). Seperti halnya

JFET, Saluran pada MOSFET juga dapat berupa semikonduktor tipe-N ataupun tipe-P.
Terminal atau Elektroda Gerbangnya adalah sepotong logam yang permukaannya
dioksidasi. Lapisan Oksidasi ini berfungsi untuk menghambat hubungan listrik antara
Terminal Gerbang dengan Salurannya. Oleh karena itu, MOSFET sering juga disebut
dengan nama Insulated-Gate FET (IGFET). Karena lapisan Oksidasi ini bertindak sebagai
dielektrik, maka pada dasarnya tidak akan terjadi aliran arus antara Gerbang dan Saluran.
Dengan demikian, Impedansi Input pada MOSFET menjadi sangat tinggi dan jauh
melebihi Impedansi Input pada JFET. Pada beberapa jenis MOSFET Impedansi dapat
mencapai Triliunan Ohm (1012 Ohm). Dalam bahasa Indonesia, MOSFET disebut juga
dengan Transistor Efek Medan Semikonduktor Logam-Oksida. Salah kelemahan pada
MOSFET adalah tipisnya lapisan Oksidasi sehingga sangat rentan rusak karena adanya
pembuangan elektrostatik (Electrostatic Discharge). Seperti yang disebut sebelumnya,
bahwa MOSFET pada dasarnya terdiri dari 2 tipe yaitu MOSFET tipe N dan MOSFET
tipe P.

MOSFET tipe N biasanya disebut dengan NMOSFET atau nMOS. Berikut

dibawah ini adalah bentuk struktur dan Simbol MOSFET tipe N.

MOSFET tipe P

MOSFET tipe P biasanya disebut dengan P MOSFET atau pMOS. Dibawah ini
adalah bentuk struktur dan Simbol MOSFET tipe P.
 Jika dibandingkan dengan Transistor Bipolar, FET memiliki beberapa kelebihan
dan kelemahan. Salah satu kelebihan FET adalah dapat bekerja dengan baik di rangkaian
elektronika yang bersinyal rendah seperti pada perangkat komunikasi dan alat-alat
penerima (receiver). FET juga sering digunakan pada rangkaian-rangkaian elektronika
yang memerlukan Impedansi yang tinggi. Namun pada umumnya, FET tidak dapat
digunakan pada perangkat atau rangkaian Elektronika yang bekerja untuk penguatan daya
tinggi seperti pada perangkat Komunikasi berdaya tinggi dan alat-alat Pemancar
(Transmitter).
Prosedur Percobaan

15 V
DC

R1 R2
100 2,2
K K

R3 R4
10 1,2 K
K

1. Rangkai gambar skematik diagram (gambar 1) dengan menggunakan

bread board
2. Hubungkan power supply 15 V ke dalam rangkaian Vcc
3. Hubungkan supply dengan tegangan 10 mVolt ke Vi dengan
menggunakan function generator
4. Ukur arus Ib, Ic, dan Ie dengan menggunakan tegangan AVOmeter digital,
kemudian didapatkan nilai B
5. Hubungkan kaki C dan E untuk mengukur Icsat dengan menggunakan
AVOmeter
6. Ukur tegangan Vb, Vc, dan Ve dengan menggunakan AVOmeter
7. Hubungkan kedua kaki resistor (Re dan Rc) menggunakan kabel jumper
VCEc-o
8. Hitung nilai Zi, Zout, Av dan Ai dengan menggunakan AVOmeter
9. Ukur nilai Zi, Zout, Av dan Ai dengan menggunakan B(beta) dari data
sheet.
10. Buat simulasi rangkaian dengan menggunakan PSPice
11. Bandingkan hasil praktikum dengan simulasi dan perhitungan
12. Analisa hasil percobaan