PENUMBUHAN LAPISAN TIPIS TiO2 DENGAN METODE

METAL ORGANIC CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION

William Xaveriano Waresindo
Institut Teknologi Bandung, Jawa Barat 40111, Indonesia.

Abstract. Dalam beberapa tahun terakhir penumbuhan film tipis TiO2 dengan metode
MOCVD menjadi hal yang menarik untuk diteliti. TiO2 dikenal atas pengaplikasiannya yang
cukup luas karena memiliki sifat listrik dan optik yang unik, seperti indeks bias yang tinggi
(paling tinggi diantara oksida lainnya), konstanta dielektrik yang tinggi, serta nilai transmitansi
yang baik pada cahaya tampak dan mendekati infra merah. TiO2 juga diketahui memiliki
efisiensi yang tinggi, kestabilan fotokimia dan biologis yang baik, melimpah di alam dan
terjangkau. Sedangkan salah satu metode deposisi lapisan tipis adalah Metal Organic Chemical
Vapour Deposition (MOCVD). Dibandingkan dengan metode penumbuhan lainnya, metode
MOCVD memiliki banyak kelebihan berkaitan dengan produktivitasnya, peningkatan
penumbuhannya, keleluasaan dalam memanipulasi stoikiometri film pada saat penumbuhan,
keseragaman yang relatif tinggi serta impuritas yang rendah. Tinjauan ini mencoba untuk
meringkas informasi penelitian yang tersedia tentang prekursor, proses penumbuhan dan
karakterisasi hasil sintesis TiO2.

1. Pendahuluan
Titanium dioksida juga bisa disebut sebagai Titania atau Titanium (IV) oksida merupakan bentuk
oksida dari Titanium, secara kimia dituliskan sebagai TiO2. Material TiO2 memiliki berat molekul
79,90 dengan titik lebur 1885˚C merupakan padatan berwarna putih yang tersusun atas atom Ti (IV)
dan molekul O2 dan memiliki konfigurasi oktahedron. Senyawa ini tidak larut dalam air, asam klorida,
dan asam nitrat, tetapi larut dalam asam sulfat pekat [1].
TiO2 adalah material berpori yang mempunyai luas permukaan yang besar dengan struktur
permukaan yang dapat dikontrol, sehingga reaksi permukaan dapat ditingkatkan dan memiliki
kemampuan transport elektron yang tinggi. Titanium dioksida tidak beracun dan ramah lingkungan
atau bio-compatible, seringkali digunakan dalam berbagai bidang termasuk kesehatan (misal pada
tabir surya), kosmetik, hingga divais elektronik. [2] Selain itu senyawa ini juga dapat digunakan
sebagai pewarna dalam industri cat dan plastik, penjernih air, penghasil hidrogen dari pemutusan
ikatan air, degradasi senyawa organik, degradasi senyawa beracun, pembersih dan desinfektan pada
permukaan material, antibakteri, sensor, alat optik, fotokatalis, pembuatan bahan dielektrik untuk
dynamic random access memory (DRAM), hingga sel surya. [3] TiO2 dikenal memiliki aplikasi yang
cukup luas karena memiliki sifat listrik dan optik yang unik, seperti indeks bias yang tinggi (paling
tinggi diantara oksida lainnya), konstanta dielektrik yang tinggi, serta nilai transmitansi yang baik
pada cahaya tampak dan mendekati infra merah. TiO2 juga diketahui memiliki efisiensi yang tinggi,
kestabilan fotokimia dan biologis yang baik, melimpah di alam dan terjangkau. [2] [4]
Salah satu metode deposisi lapisan tipis Chemical Vapour Deposition (CVD) adalah Metal Organic
Chemical Vapour Deposition (MOCVD). CVD merupakan proses yang menggunakan prekursor
volatile dalam fasa gas ditransportasikan kedalam ruang reaksi sehingga molekulnya terurai dan
menempel pada substrat yang dipanaskan. [5] Jenis material yang dapat dideposisi dengan metode ini
sangat beragam mulai logam, oksida, sulfida, nitrida, utamanya golongan II-VI dan III-V. Ikatan
logam-organik yang sangat lemah dapat diputuskan dengan pengaruh termal pada substrat, sehingga
metal dapat dideposisikan dan gas organik dialirkan keluar. Kehati-hatian harus diperhatikan agar
tidak ada sisa produk organik maupun kontaminasi karbon dan hidrogen yang tidak dikehendaki. [6]
2. Sintesis TiO2
TiO2 memiliki tiga fase kristal yang sering dijumpai, yaitu anatase, rutile dan brookite. Hanya anatase
dan rutile saja yang keberadaannya di alam cukup stabil. Anatase dan rutile telah secara luas dipelajari
untuk berbagai aplikasi fotokatalisis. Brookite sendiri tidak begitu dikenal secara umum dan belum
banyak digunakan dalam aplikasi fotokatalisis. Secara termodinamika fasa kristal anatase kurang stabil
bila dibandingkan dengan rutile, tetapi pembentukannya lebih disukai pada temperatur rendah.[8]

2.1. Struktur Kristal TiO2

Titanium selalu berikatan dengan elemen-elemen lain yang ada di alam, dan tersebar secara luas.
Bentuk dari TiO2 sendiri ada enam, yaitu anatase, rutile, brookite, ilmenite, perovskite, dan titanite. [7]
Ketika titanium hanya berikatan dengan oksigen terbentuk senyawa TiO2. Dari keseluruhan
strukturnya, hanya rutile (tetragonal), anatase (tetragonal), brookite (ortorombik) yang merupakan
bentuk murni dari senyawa TiO2. Diantara ketiganya, TiO2 kebanyakan berada dalam bentuk rutile
dan anatase. Secara termodinamik, kristal anatase lebih stabil dibandingkan rutile. Anatase secara
stabil pada ukuran kristal kurang dari 11 nm, brookite antara 11-35 nm dan rutile lebih dari 35 nm.
Rutile mempunyai stabilitas fase pada suhu tinggi dan celah pita energi (band gap) sebesar 3,0 eV
(415 nm), sedangkan anatase yang terbentuk pada suhu rendah memiliki band gap sebesar 3,2 eV (380
nm). [1]

2.1.1. Rutile. TiO2 rutile mempunyai struktur tetragonal dan mengandung 6 atom per unit sel. Bentuk
oktahedron TiO6 sedikit menyimpang. Bentuk ini stabil pada berbagai temperatur dan tekanan lebih
dari 60 kbar [7], struktur anatase dan brookite menjadi bentuk-bentuk rutile setelah mencapai ukuran
partikel khusus. Aktivitas dari bentuk ini pada fotokatalis buruk, sehingga dapat disimpulkan bentuk
rutile dapat aktif atau tidak aktif bergantung pada kondisi preparasinya.

2.1.2. Anatase. TiO2 anatase berbentuk struktur tetragonal tetapi mengalami distorsi dari bentuk
oktahedron TiO6 menjadi sedikit lebih besar dari bentuk rutile. [7] Bentuk anatase lebih stabil dari
pada rutile pada suhu 0 K, tetapi perbedaan energi antara dua bentuk tersebut kecil (~2 sampai 10
kJ/mol). untuk aplikasi sel surya bentuk anatase lebih disukai dari pada bentuk poliamorf lainnya
karena mobilitas elektronnya tinggi, tetapan dielektriknya rendah dan berat jenisnya lebih rendah.
TiO2 fase anatase ini juga banyak dimanfaatkan secara luas sebagai pigmen, dapat digunakan sebagai
penyerap UV, digunakan dalam pelapis, dalam proses fotokatalis dan paling banyak digunakan
sebagai elektroda dalam sel surya. [8]

2.1.3. Brookite. Berbeda dengan rutile dan anatase yang memiliki struktur tetragonal, titanium
dioksida brookite memiliki struktur kristal ortorombik. Panjang ikatan antara Ti dan oksigen
semuanya berbeda. Celah pita energi dari brookite berada diantara anatase (3,23 eV) dan rutile (3,02
eV). Kesukaran dalam proses sintesis brookite yang mempunyai kemurnian tinggi dan luas permukaan
yang besar menjadi satu alasan struktur ini kurang dipelajari untuk sifat fotokatalitiknya. [7]

2.2. Prekursor TiO2

Prekursor yang digunakan untuk menghasilkan TiO2 antara lain:
2.2.1 Titanium (IV) isopropoxide. Dengan formula: Ti[OCH(CH3)2]4 atau biasa disebut titanium
tetraisopropoxide atau TTIP. Titanium (IV) isopropoxide dibuat dengan mereaksikan Titanium (IV)
tetrachloride dengan isopropanol. Reaksi kimianya adalah sebagai berikut:
TiCl4 + 4 (CH3)2CHOH → Ti[OCH(CH3)2]4 + 4 HCl
Ti[OCH(CH3)2]4 dalam bentuk cair disediakan oleh perusahaan Sigma-Aldrich dengan kisaran
harga 90,30 (SGD) per 100 ml. Penumbuhan film tipis TiO2 menggunakan metode MOCVD telah
berhasil dilakukan oleh Leistner pada tahun 2002 [9] dan Khalifa pada tahun 2017 [10].
2.2.2 Titanium (IV) butoxide. Dengan formula: Ti(OCH2CH2CH2CH3)4 atau biasa disebut
Tetraisopropyl orthotitanate (TBOT). TBOT dihasilkan dengan mereaksikan Titanium (IV)
tetrachloride dengan butanol. Dengan reaksi sebagai berikut:
TiCl4+CH3CH2 CH2 CH2OH → Ti(O CH3CH2 CH2 CH2)4 + 4HCl
TBOT disediakan oleh perusahaan Sigma Aldrich dengan kisaran harga 89,30 (SGD) per 100gram.
TiO2 dengan preccussor TBOT berhasil ditumbuhkan dengan menggunakan metode MOCVD oleh
Othman pada tahun 2013 [11].

2.2.3 Titanium (IV) dymethilamide. Dengan formula C8H24N4Ti atau dalam senyawa metil Ti(NMe2)4,
nama lainnya adalah Tetrakis-dimethylamino Titanium (TDMAT). TDMAT dibuat dengan
mereaksikan Titanium tetrachloride dengan lithium dimethylamide dengan reaksi sebagai berikut:
TiCl4 + 4 LiNMe2 → Ti(NMe2)4 + 4 LiCl
TDMAT disediakan oleh perusahaan Sigma-Aldrich dengan harga 1020 SGD per 25 gram. Film
tipis TiO2 dengan prekursor TDMAT berhasil ditumbuhkan menggunakan metode MOCVD oleh Xu
Haisheng pada tahun 2016. [12]

2.3. Substrat
2.3.1 Silikon. Wafer silikon dibuat dari bahan dasar pasir yang mengandung silikon oksida, dibakar
menggunakan karbon untuk mengeluarkan oksigen dari silikon. Silikon yang tidak murni ini kemudian
dimurnikan dengan proses Siemens atau proses DuPont. Setelah dimurnikan dengan reaksi kimia
kemudian wafer di kristalkan dengan proses Czochralski. Caranya adalah melelehkannya kemudian
mendinginkannya dengan cara memutar pelan-pelan ke arah atas. Dengan metode ini, maka pengotor
akan pelan-pelan berpindah ke bawah dan didapatkan satu batang silikon murni berbentuk silinder.
Setelah proses ini berakhir, tempat untuk melelehkan silikon akan menjadi kotor karena kotoran
menuju kebawah. Ukuran wafer silikon yang digunakan sebagai substrat dengan menggunakan metode
MOCVD umumnya mengikuti ukuran wadah substrat pada masing-masing alat MOCVD tersebut.
Namun secara komersial, pihak penyedia/pabrikan wafer silikon biasanya mendistribusikan wafer
silikon dengan ukuran diameter 2 inci dan ketebalan 0.5 mm per itemnya. Wafer silikon ini memiliki
massa jenis 2,33 g/mL pada suhu 25°C dan merupakan jenis kristal tunggal (kubus a = 5,4037 Å).
Silikon memiliki titik didih pada suhu 2355°C dan titik leleh pada suhu 1410°C. [12]

2.3.2 Soda Glass. Selain wafer silikon, alternatif bahan yang dapat digunakan sebagai substrat pada
penumbuhan lapisan tipis TiO2 menggunakan metode MOCVD adalah soda glass wafer. Pembuatan
kristal tunggal silikon yang rumit dan membutuhkan biaya besar mengakibatkan harga jualnya tentu
sangat mahal. Oleh karena itu sebagai alternatifnya, dikembangkan bahan soda glass yang memiliki
sifat dan struktur menyerupai wafer silikon. Substrat ini dikembangkan oleh perusahaan Corning
(sebuah perusahaan berpusat di New York Amerika Serikat) menggunakan reaksi fusi yang
menghasilkan soda glass wafer kualitas tinggi dan mencapai ketebalan 2 mikrometer. [13] Film Tipis
TiO2 telah berhasil ditumbuhkan diatas substrat glass wafer oleh Shalini pada tahun 2005 [14] dan
Khalifa pada tahun 2017 [10]. Berdasarkan penelusuran, harga soda glass yang beredar di pasaran
berada pada kisaran 36,90 USD. [15]

2.3.3 Magnesium Aluminat. Magnesium aluminat (MgAl2O4) /MAS adalah bahan sintetis dengan
struktur kristal kubik dan sifat kimia, termal, dielektrik, mekanik, dan optik yang sangat baik. Kristal
MgAl2O4 sangat sulit untuk tumbuh, karena kesulitan dalam mempertahankan struktur fase tunggal.
MAS memiliki titik leleh yang tinggi yaitu pada suhu 2135 0C dan tingkat kekerasan sebesar 16 Gpa.
Struktur kristal MAS menyerupai struktur dari berlian, hal inilah yang dapat menjelaskan mengapa
MAS memiliki nilai kepadatan dan kekerasan yang tinggi. Dengan berbagai keunggulan sifat-sifat
tersebut, MAS menjadi salah satu pilihan substrat yang baik untuk penumbuhan lapisan tipis dengan
metode MOCVD guna pengaplikasiannya pada divais optik transparan dan divais refraktori. Secara
industrial, MAS diproduksi oleh MTI Corp. dengan spesifikasi harga bergantung pada ukuran
wafernya. Untuk wafer MAS dengan diameter 2 inci dan ketebalan 0,5 mm dijual dengan harga 399
USD sedangkan untuk ukuran diameter 1 inci dan tebal 0,5 mm dijual dengan harga 129 USD. Film
Tipis TiO2 telah berhasil ditumbuhkan diatas substrat MAS/MgAl2O4 Wafer oleh Xu Haisheng pada
tahun 2016. [18]

2.4. Proses Penumbuhan

Dalam proses MOCVD, baik transport masa dan reaksi di permukaan memiliki peran paling penting
dalam deposisi. Pembentukan lapisan tipis didefinisikan sebagai rangkaian proses yang meliputi
nukleasi, koalisensi, dan pertumbuhan ketebalan, yang semuanya dapat dipengaruhi oleh parameter-
parameter deposisi seperti temperatur, substrat, kecepatan alir gas, dll. [20] [21]
Struktur dan morfologi material hasil deposisi secara MOCVD sangat bergantung pada sifat
substrat yang digunakan. Salah satu hal penting yang harus diperhatikan ketika memilih substrat untuk
proses MOCVD adalah orientasi serta kecocokan kisi kristal substrat dengan material yang akan
dideposisi. Proses penumbuhan TiO2 sangat dipengaruhi oleh beberapa faktor, seperti substrat yang
digunakan, temperatur, dan kecocokan kisi dengan substrat.
Beberapa hal yang perlu diperhatikan dalam pemilihan substrat misalnya memiliki defek kristal
yang minimum, ukuran kisi substrat mendekati ukuran kisi TiO2, substrat dalam keadaan bersih,
bersifat inert, stabil secara termal. Dengan memenuhi syarat-syarat substrat di atas akan
memungkinkan untuk menghasilkan kualitas kristal yang baik.

Gambar 1. Proses yang terjadi diatas substrat [22]

Proses penumbuhan lapisan TiO2 diawali dengan proses transport bahan metalorganik kemudian
pada suhu tertentu terjadi pirolisis sehingga bahan metalorganik dapat jatuh ke permukaan substrat,
kemudian terjadi adsorpsi dan difusi. Setelah proses difusi maka akan terbentuk lapisan berupa pulau-
pulau hingga akhirnya menutupi permukaan substrat dan tumbuh menjadi lapisan TiO2. Berdasarkan
percobaan [23] pada saat melakukan deposisi TiO2 dengan teknik MOCVD di atas permukaan
sapphire terbentuk pulau-pulau tiga dimensi (mode Volmer–Weber). Pada penumbuhan lapisan
pertama dalam proses deposisi, atom titanium atau titanium oksigen ditransport oleh aliran
gas ke permukaan substrat dan jatuh ke permukaan substrat dan menempel mengikuti pola
orientasi substrat. [23]

3. Karakterisasi TiO2
Setelah melakukan penumbuhan lapisan tipis, perlu dilakukan karakterisasi untuk menguji kualitasnya.
Untuk menguji struktur material umumnya digunakan metode XRD, sedangkan untuk melihat
morfologi lapisan tipis digunakan SEM.
4.1 Karakterisasi Struktur TiO2
Xu, et al. menumbuhkan lapisan tipis TiO2 yang pada substrat MgAl2O4 dengan variasi suhu (a) 500
o
C, (b) 550 oC, (c) 600 oC dan (d) 650 oC. Pada Gambar 2(a) terlihat 2 puncak berbeda dapat
diidentifikasi sebagai a-TiO2 (112) dan (004), yang mana pada 500 oC, sudut 37,8o lebih mengacu
pada Kristal a-TiO2 (004) yang posisinya berada disamping puncak difraksi dari substrat MgAl2O4
(400) dan diperoleh lapisan tipis a-TiO2 dengan orientasi Kristal tunggal [001].
 Gambar 2. Spektra XRD [18]
Pada Gambar 2d) dua puncak difraksi dari a-TiO2(112) dan (004) berada di sebelah puncak
difraksi substrat, yang mana terjadi perubahan bentuk lapisan tipis menjadi polikristal yang
disebabkan oleh peningkatan suhu substrat menjadi 650. Full widths at half maximum atau lebar
setengah maksimum atau FWHM dari pertumbuhan lapisan tipis pada suhu 550 oC dan 600 oC adalah
0.506 dan 0.435 yang mengindikasikan bahwa lapisan tipis a-TiO2 tumbuh dengan kualitas kristal
terbaik yaitu terjadi pada suhu 600 oC. [18]
Sesuai gambar diatas, terlihat bahwa annealing berpengaruh terhadap hamburan sinar-X. Hasil uji
XRD menunjukan bahwa TiO2 yang diannealing pada temperatur 400 0C merupakan senyawa yang
sudah berbentuk kristalin dengan puncak-puncak difraksi yang terbentuk, diantaranya 2θ = 25,2909
dengan jarak antar bidang d = 3.51884, 2θ = 47,9813 dengan jarak antar bidang d = 1,89478 dan 2θ =
25,2909 dengan jarak antar bidang d = 3,51884. Sedangkan TiO2 yang diannealing pada temperatur
600 0C terjadi kenaikan intensitas yang tidak terlalu tinggi. Hal ini disebabkan karena butir-butir baru
yang terbentuk belum stabil sehingga ketika ada efek temperatur maka atom-atom mengalami getaran
panas sehingga intensitas refleksinya tidak maksimal. Sedangkan TiO2 yang diannealing pada
temperatur 700 0C terjadi kenaikan intensitas dan peningkatan derajat kekristalan. Hal ini terjadi akibat
adanya proses rekristalisasi dan pertumbuhan butir yang menghasilkan struktur kristal yang stabil
sehingga ketika dikenai sinar-X dapat terhambur dengan maksimal sehingga intensitasnya
meningkat.[18] Sedangkan Khalifah et al. menumbuhkan TiO2 menggunakan metode MOCVD
dengan precursor Titanium iso propoxide dengan variasi suhu deposisi 2500C - 450 0C. Spektra yang
diperoleh dari alat XRD kemudian dianalisis menggunakan software match. Dari hasil pola difraksi
yang diperoleh, sampel TiO2 memiliki puncak pada sudut 2θ sekitar 250, 380, 480, dan 550 yang
bersesuaian dengan puncak-puncak yang dimiliki oleh fasa anatase berdasarkan data JCPDS.

Gambar 3. Spektra XRD [10]

Dari hasil yang ditunjukan oleh spektroskopi XRD, film yang terdeposisi merupakan fase anatase
murni. Tekstur film berubah seiring meningkatnya suhu deposisi. Puncak anatase utama (101)
berkurang dan puncak anatase (112) cenderung mengalami kenaikan ketika suhu deposisi dinaikan.
Telah dilaporkan bahwa peningkatan suhu pengendapan menyebabkan transformasi fasa dari anatase
ke fase rutil. Dalam kisaran suhu di mana fase anatase terbentuk, dapat dilihat bahwa puncak anatase
utama (101) berkurang dengan meningkatnya suhu deposisi. Akibatnya, sampel dengan kristalinitas
semakin tinggi akan terbentuk cukup jauh pada skala suhu dari suhu transisi fasa. Berikut spectra XRD
yang dihasilkan. [10]

4.2 Karakterisasi Morfologi Permukaan TiO2

Karakterisasi morfologi permukaan sampel dapat dilakukan dengan Spektrometer Scanning Electron
Microscope atau SEM. SEM merupakan salah satu tipe mikroskop elektron yang mampu
menghasilkan resolusi tinggi dari gambaran suatu permukaan sampel. Mikroskop ini memfokuskan
sinar elektron di permukaan obyek dan mengambil gambar dengan mendeteksi elektron yang muncul.
Alat SEM yang berbeda memungkinkan penggunaan yang berbeda pula antara lain untuk studi
morfologi, analisis komposisi dengan kecepatan tinggi, kekasaran permukaan, porositas, distribusi
ukuran partikel, homogenitas material bahkan berguna pada studi lingkungan tentang masalah
sensitivitas material. Pada penelitian yang dilakukan oleh Xu et al. diperoleh citra SEM sebagai
berikut:

Gambar 4. Citra SEM [18]

Pada Gambar 4(a) pada sampel yang tumbuh di suhu 500 oC terlihat butiran terdistribusi secara
merata, dan tampak struktur poliskristal. Ketika suhu substrat dinaikkan menjadi 550 oC dan 600 oC,
butiran menjadi lebih merata yang ditunjukkan oleh Gambar 4(b) dan (c), yang menunjukkan
terjadinya peningkatan kristalin dari lapisan tipis. Pada Gambar 4(d) pada suhu 650 oC,
ketidakteraturan bentuk butiran kristal dan ukuran butiran yang acak menunjukkan bahwa terjadi
degradasi kristalin dari lapisan tipis. Analisis SEM menunjukkan secara jelas bahwa kristalisasi
lapisan tipis sangat dipengaruhi oleh suhu substrat, yang konsisten dengan analisis menggunakan
XRD. [18] Sedangkan penelitian yang dilakukan oleh Khalifah memperoleh hasil sebagai berikut:

Gambar 5. Citra SEM [10]

Seperti yang ditunjukkan pada gambar diatas, pada suhu terendah, 250 oC, muncul butiran besar.
Selain itu, seluruh substrat ditutupi oleh film kristal TiO2 pada suhu 159 oC. Penurunan ukuran butir
terjadi ketika suhu deposisi ditingkatkan. [10] Hasil ini mengkonfirmasi hasil XRD dan sesuai dengan
data yang dilaporkan oleh Siriwongrungson et al ketika mengamati film tipis TiO2 yang dideposisi
menggunakan metode MOCVD. Saat suhu pengendapan meningkat, fragmen butir menjadi lebih
kecil. Parameter yang mempengaruhi struktur mikro film tipis terdeposisi menggunakan metode
MOCVD adalah adsorpsi, desorpsi, reaksi dan difusi molekul prekursor. Suhu pengendapan memiliki
dampak penting pada proses ini. Pada suhu rendah, laju pertumbuhan film yang terbatas pada reaksi.
Untuk film yang dideposisi pada 250 oC dan 300 oC, waktu tinggal rata-rata prekursor, cakupan
substrat dan difusi prekursor tinggi. Proses-proses ini menyebabkan film memiliki ukuran butiran
besar. Tetapi meningkatkan suhu pengendapan akan memperburuk hasilnya. Jadi, ketika suhu
meningkat, panjang difusi molekul menurun. Hal ini menyebabkan peningkatan kepadatan nukleasi
yang menghasilkan pemisahan antara butir yang ditanam. Hasil pemindaian mikroskop elektron yang
diperoleh Shalini et al telah menunjukkan lapisan film halus pada kisaran suhu dari 400 oC hingga 525
o
C. [14]

4. Penutup
TiO2 dikenal memiliki aplikasi yang cukup luas seperti pada bidang kesehatan (misal pada tabir surya),
kosmetik, hingga divais elektronik karena sifat-sifatnya yang tidak beracun, bio-compatible, memiliki
sifat listrik dan optik yang unik, memiliki efisiensi yang tinggi, kestabilan fotokimia dan biologis yang
baik, serta kelimpahan yang tinggi di alam dan terjangkau. Struktur kristal yang umum ditemui adalah
rutile, anatase, dan brookite, dengan struktur paling stabil adalah rutile. Prekursor yang dapat
digunakan antara lain adalah; Titanium (IV) isopropoxide, Titanium (IV) butoxide, dan Titanium (IV)
dimenthylamide. Penumbuhan dapat dilakukan diatas berbagai substrat, namun harus memperhatikan
kecocokan orientasi kisinya. Substrat yang dapat digunakan antara lain; wafer silikon, soda glass, dan
Magnesium Aluminat.
Struktur film tipis TiO2 hasil analisis menggunakan XRD cenderung memiliki fasa anatase pada
suhu rendah sesuai dengan pencocokan puncak difraktogram dengan data JCPDS, dan perlahan-lahan
akan mengalami transformasi fasa menuju fasa rutile ketika suhu deposisi dinaikan. Ukuran butir
kristal hasil perhitungan menggunakan persamaan Debye-Scherrer juga menunjukan penurunan nilai
ketika terjadi kenaikan suhu. Morfologi permukaan film tipis TiO2 diselidiki menggunakan
spektrometer SEM menunjukan ukuran butir yang besar dan kasar pada suhu rendah dan perlahan-
lahan ketika suhu dinaikan maka butiran menjadi lebih merata yang ditunjukkan oleh Gambar 8(b) dan
(c), yang menunjukkan terjadinya peningkatan kristalin dari lapisan tipis. Ketidakteraturan bentuk
butiran kristal dan ukuran butiran yang acak menunjukkan bahwa terjadi degradasi kristalin dari
lapisan tipis. Analisis SEM menunjukkan secara jelas bahwa kristalisasi lapisan tipis sangat
dipengaruhi oleh suhu substrat, yang konsisten dengan analisis menggunakan XRD.

Daftar Pustaka
[1] A. Rohman, Sintesis dan Karakterisasi Fotokatalis Titanium Dioksida Anatase Terdoping
Vanadium dengan Metode Reaksi Padatan-Sonikasi, Malang: Jurusan Kimia, Fakultas Sains dan
Teknologi, Universitas Islam Negeri Maulana Malik Ibrahim, 2015.
[2] V. Pore, Atomic Layer Deposition and Photocatalytic Properties of Titanium Dioxide Thin Film,
Helsinki: Academic Dissertation Faculty of Science of the University of Helsinki, 2010.
[3] A. Listanti, A. Taufiq, A. Hidayat and S. Sunaryono, "Investigasi Struktur dan Energi Band Gap
Partikel Nano TiO2 Hasil Sintesis Menggunakan Metode Sol-Gel," Journal of Physical Science
and Engineering, vol. 3, no. 1, pp. 8-15, 2018.
[4] S.-H. Jeong, "Structural and Optical Properties of TiO2 Films Prepared Using Reactive RF
Magnetron Sputtering," Journal of the Korean Physical Society, vol. 41, no. 1, pp. 67-72, July
2002.
[5] "Chemical vapour deposition," University of Oslo.
[6] A. Doolittle, "Thin Film Deposition and Epitaxy (Chemical Vapor Deposition, Metal Organic
CVD and Molecular Beam Epitaxy)," Georgia Tech.
[7] S. B. U. Prambasto, Sintesis Fotokatalis M/TiO2 dan Aplikasinya untuk Dekomposisi Air,
Semarang: Jurusan Kimia, Fakultas Matematika dan Ilmu Pengetahuan Alam, Universitas Negeri
Semarang, 2013.
[8] N. Rofiatun, Preparasi dan Karakterisasi Titanium Dioksida dalam Lingkungan Basa Kuat
Natrium Hidroksida, Yogyakarta: Program Studi Kimia, Jurusan Pendidikan Kimia, Fakultas
Matematika dan Imu Pengetahuan Alam, Universitas Negeri Yogyakarta, 2013.
[9] T. Leistner, K. Lehmbacher, P. Harter, C. Schmidt, A. Bauer, L. Frey and H. Ryssel, "MOCVD
of titanium dioxide on the basis of new precursors," Journal of Non-Crystalline Solids, vol. 303,
pp. 64-68, 2002.
[10] Z. Khalifa and S. Mahmoud, "Photocatalytic and optical properties of titanium dioxide thin films
prepared by metalorganic chemical vapor deposition," Physica E: Low-dimensional Systems and
Nanostructures, vol. 91, pp. 60-64, 2017.
[11] S. Othman, S. Rashid, T. Ghazi and N. Abdullah, "3D CFD Simulations of MOCVD Synthesis
System of Titanium Dioxide Nanoparticles," Journal of Nanomaterials, 2013.
[12] [Online]. Available: https://www.sigmaaldrich.com/. [Accessed 12 Februari 2019].
[13] [Online]. Available: https://www.corning.com/in/en.html. [Accessed 12 Februari 2019].
[14] K. Shalini, S. Chandrasekaran and S. Shivashankar, "Growth of nanocrystalline TiO2 films by
MOCVD using a novel precursor," Journal of Crystal Growth, vol. 284, pp. 388-395, 2005.
[15] [Online]. Available: https://order.universitywafer.com. [Accessed 12 Februari 2019].
[16] W. Zhao, X. Feng, X. Hongdi, C. Luan and J. Ma, "Structural and optical properties of anatase
TiO2 heteroepitaxial films prepared by MOCVD," Journal of Crystal Growth, vol. 453, pp. 106-
110, 2016.
[17] I. Ganesh, "A review on magnesium aluminate (MgAl2O4) spinel: synthesis, processing and
applications," International Materials Reviews, vol. 58, no. 2, pp. 63-112, 2013.
[18] H. Xu, W. Zhao, X. Feng, C. Luan and J. Ma, "Characterization of single crystalline a-TiO2 films
on MgAl2O4(100) substrates by MOCVD," Ceramics International, vol. 42, p. 13863–13867,
2016.
[19] M. Razeghi, The MOCVD Challenge Volume 2: A suvey of GaInAsP-GaAs for photonic and
electronic device applications, CRC Press, 1995.
[20] N. Kaiser, "Review of the fundamentals of thin-film growth," Applied Optics, vol. 41, no. 16, pp.
3053-3060, 2002.
[21] I. Petrov, P. Barna, L. Hultman and J. Greene, "Microstructural evolution during film growth,"
Journal of Vacuum Science & Technology A, vol. 21, no. 5, pp. S117-S128, 2003.
[22] [Online]. Available: https://www.aixtron.com. [Accessed Februari 12 2019].
[23] H. Chang, H. You, Y. Gao, C. Foster, R. Chiarello, T. Zhang and D. Lam, "Structural properties
of epitaxial TiO2 films grown on sapphire (1120) by MOCVD," Journal of Materials Research ,
vol. 7, no. 9, pp. 2495-2506, 1992.