A. Aplikasi SCR
Aplikasi dari SCR seperti juga aplikasi dari transistor switching BJT,
MOSFET, IGBT, dll, yakni digunakan untuk power suply, konverter DC-DC, Inver-
ter, Drive DC, Drive AC, DLL. SCR juga dikatakan seperti DIODA, tetapi SCR da-
pat dikendalikan kapan saat mulai konduksi (turn on). Seperti juga pada DIODA, ji-
ka anoda SCR lebih negatip dari pada katodenya, maka DIODA akan turn off. Dioda
turn on dikarenakan tegangan anode lebih besar dari 0.7 V dari pada tegangan ka-
todenya. SCR ada bedanya . SCR tidak turn on walaupun tegangan anode jauh lebih
besar kecuali jika terminal Gate-nya diberi pulsa positip. Begitu SCR ON maka SCR
tidak dapat turn off walaupun tegangan Gate-nya 0 V atau negatip. Agar SCR dapat
turn off kembali diperlukan rangkaian tambahan yang menghasilkan tegangan kato-
de jauh lebih besar dari pada anode. Ini akan membuat SCR turn off.
B. Specifikasi SCR
Nilai maksimum arus anoda, tetapi SCR bisa mengatasinya dengan aman
(tanpa kerusakan apapun), disebut rating arus maju. biasanya arus dari SCR adalah
dari sekitar 30 A sampai 100 A. Da-lam kasus melebihi rating arus maju, SCR dapat
rusak karena pemanasan yang intensif di junctionnya
Bila perangkat dalam kondisi konduksi, ia membawa arus beban yang diten-
tukan oleh tegangan suplai dan beban. Arus kondisi didefinisikan bentuk rata-rata
dan rms arus.
IT (av) adalah arus rata-rata maksimum kontinyu sinusoidal kondisi arus on
frekuensi 40-60 Hz, konduksi sudut 180° yang tidak boleh terlewati bahkan de-
ngan pendinginan intensif. Suhu yang mana arus diperbolehkan harus disebutkan.
Ini adalah saat ini yang menentukan aplikasi perangkat
IT (rms) adalah nilai rms maksimum kontinyu sinusoidal on-kondisi arus fre-
kuensi 40-60 Hz, konduksi sudut 180° 1yang tidak boleh terlewati bahkan dengan
pendinginan intensif
Ini adalah Arus device yang minimum yang harus dicapai oleh device, sebe-
lum gerbang drive yang dikeluarkan saat turn-on, untuk mempertahankan menjadi
konduksi. Maksud kalimat se-belum ini, adalah jika arus latching minimum atau le-
bih, maka ketika a-rus Gate off, maka SCR tetap ON. Jika arus latching kurang da-
ri mini-mumnya, maka ketika arus Gate off, maka SCR ikutan off.
Ini adalah arus minimum kondisi yang dibutuhkan untuk menjaga SCR tetap
ON tanpa sinyal drive (Gate) . Nilai biasanya 5 mA.
Ini adalah nilai puncak yang dapat diterima maksimum pada setengah siklus
sinusoidal dari 10 durasi pada frekuensi 50 Hz. Nilai di-tentukan sesuai pada suhu
Junction
Selama lonjakan arus maksimum (arus surge) kondisi suhu junction akan
terlampaui meskipun untuk sementara dan kemampuan menghambat arus maju hi-
lang dalam waktu yang singkat. Lonjakan arus maksimum (arus surge) kondisi seha-
rusnya hanya terjadi sesekali.
Besaran V Input × I2 × t. besaran I2×t adalah waktu integral dari kuadrat si-
nusiodal maksimum saat kondisi on. Hal ini biasanya ditentu-kan selama 3 ms dan 10
ms , dan menentukan rating termal device
Tingkat maksimum kenaikan a-rus sela-ma kondisi SCR dapat mentolerir di-
sebut tingkat kritis kenaik-an arus untuk device. Hal ini ditentukan pada suhu mak-
simum junction.
Selama periode awal untuk turn-on, hanya daerah kecil dekat gerbang me-
ngalirkan arus anoda. Jika arus meningkat terlalu cepat, o-verheating lokal mungkin
terjadi. Ini disebut efek hole storage . Karena pemanasan lokal perangkat mungkin
bisa rusak permanen. Perangkat terkini yang tersedia yang, dapat menahan laju ke-
1
Ibid
naikan arus sampai 200-250 A/mi-krodetik, namun dalam penerapan, tingkat ini
hampir tidak diizinkan untuk melebihi melebihi 5-10 A / mikro detik.
Rating di/dt
Jika kecepatan kenaikan arus anode sangat cepat dibandingkan dengan ke-
cepatan ‘carrier” across junction selama peride turn on, pemanasan “hot-spot’ local
yang terjadi menyebabkan densitas arus yang tinggi pada daerah junction. Kenaikan
temperaturs junction melampaui level batas aman dapat memhayakan komponen se-
mikonduktor. Karena itu batasan di/dt pada turn-on specifikasi untuk thyristor bi-
asa memakai Amps/μsec. Nilai typical pada kisaran 50 sampai (800 A)/μsec.
Rating dv/dt
Jika kecepatan tegangan maju lebih tinggi dari nilai maksimum spek, ini bo-
leh jadi menyebabkan “switching’ dari kondisi OFF ke kondisi ON. Karena pulsa pe-
micuan di Gate biasanya untuk turn on thyristor. Metode switching untuk menghin-
dari kemungkinan kerusakaan thyristor karena densitas arus tinggi di titik terten-
tu. Untuk alasan ini rating dv/dt dispek dengan salah satu dari bentuk gelombang
linier atau bentuk gelombang exponensial.