1.

Semikonduktor adalah bahan dengan konduktivitas listrik yang berada di antara insulator
dan konduktor. Konduktivitas semikonduktor berkisar antara 10 3 sampai 10-8 siemens per
sentimeter dan memiliki dan celah energinya lebih kecil dari 6 eV.
Bahan semikonduktor adalah bahan yang bersifat setengah konduktor karena celah energi
yang dibentuk oleh struktur bahan ini lebih kecil dari celah energi bahan isolator tetapi
lebih besar dari celah energi bahan konduktor, sehingga memungkinkan elektron
berpindah dari satu atom penyusun ke atom penyusun lain dengan perlakuan tertentu
terhadap bahan tersebut (pemberian tegangan, perubahan suhu dan sebagainya). Oleh
karena itu semikonduktor bisa bersifat setengah menghantar.
Bahan semikonduktor dapat berubah sifat kelistrikannya apabila temperatunya berubah.
Dalam keadaan murninya mempunyai sifat sebagai penyekat ;sedangkan pada temperatur
kamar ( 27 ° C ) dapat berubah sifatnya menjadi bahan penghantar. Sifat-sifat kelistrikan
konduktor maupun isolator tidak mudah berubah oleh pengaruh temperatur, cahaya atau
medan magnet, tetapi pada semikonduktor sifat-sifat tersebut sangat sensitif.
2. Potensial luar dari sumber tegangan memberikan gaya tolak terhadap elektron dan hole,
sehingga elektron dan hole pada dipole bergerak menjauhi sumber tegangan. Akibatnya
depletion region melebar dan potential barrier meningkat. Disini yang menarik untuk
diperhatikan adalah bahwa dioda tidak menghasilkan tegangan dengan perubahan
tegangan yang diaplikasikan. Arus tetap konstan pada nilai kecil yang dapat diabaikan
(dalam kisaran ampli mikro). Bila voltase dinaikkan di atas titik tertentu, maka arus tiba-
tiba meningkat secara mendadak, dan hal ini disebut sebagai “arus balik” dan nilai voltase
yang diterapkan tersebut, dimana arus balik melalui dioda meningkat tiba-tiba dikenal
sebagai “break down voltage“.Jika arus balik ini melebihi nilai maksimumnya, maka dioda
akan rusak.
3. Bahan dasar untuk silikon yang relatif murni berasal dari pasir (SiO2) yang dikenal sebagai
quartzite. Bahan ini dipanaskan di dalam tungku bersamasama dengan berbagai karbon
(batu bara, kokas dan serpihan kayu). Reaksi pembentukannya secara umum adalah
 Proses ini menghasilkan silikon dengan grade metalurgi dengan kemurnian 98%.
Selanjutnya lumatkan dengan HCl untuk membentuk SiHCl3

Pada temperatur kamar triklorosilane berbentuk cair. Dengan distilasi fraksional cairannya
dapat menghilangkan impuritas yang tidak iinginkan. SiHCl3 yng murni dilakukan reduks
hidrogen untuk memperoleh silikon dengan grade elektronik (electronic grade silicon).

4. Setelah kristal ditumbuhkan, proses pembentukan pertama kali adalah menghilangkan

benih dan tepi berlebih pada ingot, hasil solidifikasi. Proses selanjutnya adalah
menggerinda permukaan sehingga diameter dari bahan dapat ditentukan. Kemudian satu
atau lebih daerah yang datar diratakan sepanjang ingot. Daerah ini atau yang datar, akan
ditandai arah orientasi kristalnya dan tipe konduktivitasnya. Bila daerah yang datar cukup
lebar atau disebut daerah datar primer, proses ini dapat diotomatisasi. Untuk daerah
lainnya disebut daerah datar skunder.
Ingot yang teah siap dipotong menjadi wafer dengan mesin potong diamond. Penentuan
potongan pada wafer ada empat parameter: orientasi permukaan, ketebalan, taper adalah
variasi ketebalan wafer dari satu sisi ke sisi lainnya, bow adalah kelengkungan permukaan
dari wafer yang diukur dari tengah wafer ke tepinya.
Setelah memotong, kedua sisi dari wafer tersusun atas campuran Al2O3 dan gliserin untuk
membentuk kedataran tertentu yang merata dengan ketidakpastian 2 ìm. Proses
penyusunan ini umumnya meninggalkan cacat dan kontaminasi pada permukaan dan
tepinya. Daerah yang cacat atau terkontaminasi nantinya akan dibersihkan dengan proses
etsa. Tahap terakhir adalah proses poles. Tujuan proses ini untuk menghasilkan permukaan
yang halus seperti cermin dimana perangkat yang akan dibangun dapat diproses dengan
litografik.
5. Layer epitaxy adalah bentuk khusus dari pertumbuhan film tipis (epitaksi) yang biasanya
menyimpan dua lapisan bergantian dari dua elemen ke dalam substrat.
Penumbuhan layer epitaxy pada substrat:
Spin coating atau spin casting, menggunakan prekursor cair, atau sol-gel prekursor
disimpan ke halus, substrat datar yang kemudian berputar dengan kecepatan tinggi ke
sentrifugal menyebarkan solusi atas substrat. Kecepatan di mana solusinya adalah berputar
dan viskositas dari sol yang menentukan ketebalan akhir dari film disimpan.

Dip coating mirip dengan berputar lapisan dalam yang cair prekursor atau solgel prekursor
diendapkan pada substrat, tetapi dalam hal ini substrat benarbenar tenggelam dalam
larutan dan kemudian ditarik dalam kondisi yang terkendali. Dengan mengontrol kecepatan
penarikan, kondisi penguapan (terutama kelembaban, suhu) dan volatilitas / viskositas
pelarut, ketebalan film, homogenitas dan morfologi nanoscopic dikendalikan.