MAKALAH

ELEKTRONIKA DAYA

KOMPONEN-KOMPONEN SEMI KONDUKTOR

OLEH:

RIDHA NURHIKMA

1824041013

PTE 02

PENDIDIKAN TEKNIK ELEKTRO

FAKULTAS TEKNIK

UNIVERSITAS NEGERI MAKASSAR

2019
 KATA PENGANTAR

Puji syukur kami panjatkan kehadirat ALLAH SWT, karena berkat Rahmat
dan Hidayah-Nya, kami dapat menyelesaikan makalah yang berjudul
“Komponen-komponen Semi Konduktor” ini, meskipun masih banyak
kekurangan.
Makalah ini kami buat untuk menambah wawasan dan pengetahuan bagi
peserta diskusi pada khususnya dan bagi pembaca pada umumnya. kami
mengucapkan terima kasih untuk semua pihak yang telah membantu kami,
sehingga makalah ini dapat terselesaikan. Tidak lupa kami juga mengucapkan
terima kasih kepada dosen pengampu mata kuliah “Elektronika Daya’’.
Kami menyadari bahwa makalah ini masih jauh dari sempurna, hal ini dari
segi penyusunan maupun dari segi materi. “Tidak ada gading yang tak retak”,
demikian pula dengan makalah ini. Oleh karena itu, kami sangat mengharapkan
setiap kritik dan saran yang bersifat membangun, yang dapat memperbaiki dan
menyempurnakan makalah ini.

Makassar, 10 September 2019

Penyusun
 DAFTAR ISI

KATA PENGANTAR ........................................................................................................ i

DAFTAR ISI ....................................................................................................................... ii

BAB I PENDAHULUAN ................................................................................................... 1

A. Latar Belakang ........................................................................................................ 1

B. Rumusan Masalah ................................................................................................... 1
C. Tujuan ..................................................................................................................... 2

BAB II PEMBAHASAN .................................................................................................... 3

A. Definisi Semi Konduktor ........................................................................................ 3

B. Komponen-komponen Semi Konduktor ................................................................. 4
1. Diode .......................................................................................................... 4
2. Silicon Controlled Rectifier (SCR) ............................................................. 7
3. Bipolar Transistor (BJT) ............................................................................. 8
4. Uni Junction Transistor (UJT) .................................................................... 10
5. Gate Turn Off (GTO) .................................................................................. 12
6. Triode Alternating Current (TRIAC) .......................................................... 12
7. Metal Oxid Semiconduktor Field Effect Transistor (MOSFET) ................ 14
8. Insolatted Gate Bipolar Transistor (IGBT) ................................................. 16

BAB III PENUTUP ............................................................................................................ 20

A. Kesimpulan ............................................................................................................ 20
B. Saran ....................................................................................................................... 20

DAFTAR PUSTAKA ......................................................................................................... 21

 BAB I

PENDAHULUAN

A. Latar Belakang

Apabila kita berbicara tentang elektronika maka tidak akan lepas dari
semikonduktor. Memang pada awal kelahirannya elektronika di definisikan
sebagai cabang ilmu listrik yang memepelajari pergerakan muatan di dalam gas
ataupun vakum. Penerapannya sendiri juga menggunakan komponen-komponen
yang utamanya memanfaatkan kedua medium ini, yang dikenal sebagai vakum
Tube. Akan tetapi setelah ditemukannya transistor, terjadi perubahan tren dimana
penggunaan semi konduktor sebagai pengganti material komponen semakin
populer dikalangan praktisi elektronika. Puncaknya adalah saat ditemukannya
Rangkaian Terpadu (Integrated Circuit) pada akhir dekade 50-an yang telah
menyederhanakan berbagai rangkaian yang sebelumnya berukuran besar menjadi
sangat kecil. Selain itu penggunaan material semikonduktor juga memberikan
fleksibilitas dalam penerapannya.
Material semikonduktor, seperti juga material-material lainnya terdiri atas
atom-atom yang berukuran sangat kecil. Atom-atom ini terdiri atas nukleus (inti)
yang dikelilingi oleh sejumlah elektron. Nukleus sendiri terdiri atas neutron dan
proton. Proton bermuatan positif, elektron bermuatan negatif, sedangkan neutron
netral. Elektron-elektron yang mengelilingi nukleus ini tersebar pada beberapa
lapisan kulit dengan jarak tertentu dari nukleus, dimana energinya semakin
meningkat seiring dengan meningkatnya jarak dari setiap lapisan kulit terhadap
nukleus. Elektron pada lapisan terluar disebut elektron valensi. Aktifitas kimiawi
dari sebuah unsur terutama ditentukan oleh jumlah elektron valensi ini.
B. Rumusan Masalah

1. Apa itu Semi Konduktor?

2. Apa saja komponen-komponen dari Semi Konduktor?
C. Tujuan

1. Mengetahui apa itu semi konduktor

2. Mengetahui komponen-komponen Semi Konduktor
 BAB II

PEMBAHASAN

A. Semi Konduktor

Semi konduktor ialah bahan yang mempunyai sifat kekonduksian diantara

konduktor dan isolator. Contoh bahan semi konduktor ialah Silikon, Germanium,
Plumbum Sulfida, Gallium Arsenida, Indium antinida dan Sekenium. Bahan-
bahan yang mempunyai sifat semikonduktor memiliki nilai hambatan jenis (𝜌)
antara konduktor dan isolator yaitu 10−6 -104 ohm. Dan konduktivitas sebesar
10−6-104 𝑜ℎ𝑚−2 𝑚−2dengan energy gap yang lebuh kecil dari 6 eV. Energy gap
adalah energy yang diperlukan oleh electron untuk memecahkan ikatan kovalen
sehingga dapat berpindah jalur dari jalur valensi ke jalur konduksi. Bahan dasar
semi konduktor dapat dibedakan menjadi 3 jenis, yaitu:

 Trivalent, memiliki atom dengan jumlah electron valensi 3 buah, contoh:

Boron (B), Gallium (Ga), dan Indium (In).
 Tetravalent, memiliki atom dengan jumlah lektron valensi 4 buah seperti:
Silikon (Si), dan Germanium (Ge).
 Pentavalent, memiliki atom dengan jumlah electron valensi 5 buah,
contoh: Fosfor (P), Arsenikum (As), dan Antimon (Sb).

Untuk menghasilkan semi konduktor tipe lain maka dilakukan proses

pendopingan, adalah proses pemasukan atau pencampuran atom dopan
kedalam bahan semi konduktor instriksik (silicon dan germanium) sehingga
konduktivitas konduktor bertambah. Maka terbentukah semi konduktor
ekstrinsik. Proses menghasilkan pendopingan menghasilkan 2 jenis semi
konduktor ekstrinsik, yaitu tipe n dan tipe p. semi konduktor tipe n di bentuk
dari pendopingan dengan atom pentavalen, sehingga atom menjadi kelebihan
electron. Sedangkan semi konduktor tipe p dibentuk dari pendopingan dengan
atom trivalent, untuk mendapatkan atom yang kekurangan electron. Dalam
perkembangannya semi konduktor menjadi bahan yang sangat penting.
 Terutama dalam dunia elektronika, semikonduktor merupakan elemen dasar
dari komponen-komponen seperti diode, transistor dan IC.

B. Komponen-komponen Semi Konduktor

1. Diode
a. Simbol dan konstruksi diode

b. Karakteristik diode dan cara kerjanya

Untuk dapat memahami bagaimana cara kerja dioda pada rangkaian
Elektronik kita dapat meninjau 3 situasi sebagai berikut ini yaitu :
1) Dioda diberi tegangan nol.
2) Dioda diberi tegangan negative.
3) Dioda diberi tegangan positif
 Dioda Diberi Tegangan Nol
Ketika dioda diberi tegangan nol maka tidak ada medan
listrik yang menarik elektron dari katoda. Elektron yang
mengalami pemanasan pada katoda hanya mampu melompat
sampai pada posisi yang tidak begitu jauh dari katoda dan
membentuk muatan ruang (Space Charge).
Tidak mampunya elektron melompat menuju katoda
disebabkan karena energi yang diberikan pada elektron melalui
pemanasan oleh heater belum cukup untuk menggerakkan
elektron menjangkau plate.
 Dioda Diberi Tegangan Negatif
 Dioda Diberi Tegangan Positif

Ketika dioda diberi tegangan positif maka potensial positif

yang ada pada plate akan menarik elektron yang baru saja
terlepas dari katoda oleh karena emisi thermionic, pada situasi
inilah arus listrik baru akan terjadi. Seberapa besar arus listrik
yang akan mengalir tergantung daripada besarnya tegangan
positif yang dikenakan pada plate. Semakin besar tegangan
plate akan semakin besar pula arus listrik yang akan mengalir.
Oleh karena sifat dioda yang seperti ini yaitu hanya dapat
mengalirkan arus listrik pada situasi tegangan tertentu saja,
maka dioda dapat digunakan sebagai penyearah arus listrik
(rectifier). Pada kenyataannya memang dioda banyak
digunakan sebagai penyearah tegangan AC menjadi tegangan
DC pada rangkaian Elektronik.
Hampir semua peralatan Elektronika memerlukan sumber
arus searah. Penyearah digunakan untuk mendapatkan arus
searah dari suatu arus bolak-balik. Arus atau tegangan tersebut
harus benar-benar rata tidak boleh berdenyut-denyut agar tidak
menimbulkan gangguan bagi peralatan yang dicatu.
Dioda sebagai salah satu komponen aktif sangat popular
digunakan dalam rangkaian Elektronika, karena bentuknya
sederhana dan penggunaannya sangat luas. Ada beberapa
macam rangkaian dioda, diantaranya : penyearah setengah
gelombang (Half-Wave Rectifier), penyearah gelombang penuh
(Full-Wave Rectifier), rangkaian pemotong (Clipper),
rangkaian penjepit (Clamper) maupun pengganda tegangan
 (Voltage Multiplier). Di bawah ini merupakan gambar yang
melambangkan dioda penyearah.
Sisi Positif (P) disebut Anoda dan sisi Negatif (N) disebut
Katoda. Lambang dioda seperti anak panah yang arahnya dari
sisi P ke sisi N. Karenanya ini mengingatkan kita pada arus
konvensional dimana arus mudah mengalir dari sisi P ke sisi N.

c. Jenis-jenis diode

Ada beberapa jenis dari diode pertemuan yang hanya menekankan

perbedaan pada aspek fisik baik ukuran geometrik, tingkat pengotoran,
jenis elektrode ataupun jenis pertemuan, atau benar-benar peranti berbeda
seperti diode Gunn, diode laser dan diode MOSFET.

 Diode biasa

Beroperasi seperti penjelasan di atas. Biasanya dibuat dari

silikon terkotori atau yang lebih langka dari germanium.
Sebelum pengembangan diode penyearah silikon modern,
digunakan kuprous oksida (kuprox) dan selenium, pertemuan
ini memberikan efisiensi yang rendah dan penurunan tegangan
maju yang lebih tinggi (biasanya 1.4–1.7 V tiap pertemuan,
dengan banyak lapisan pertemuan ditumpuk untuk
mempertinggi ketahanan terhadap tegangan terbalik), dan
memerlukan benaman bahan yang besar (kadang-kadang
perpanjangan dari substrat logam dari dioda), jauh lebih besar
dari diode silikon untuk rating arus yang sama.

 Diode bandangan

Dioda yang menghantar pada arah terbalik ketika tegangan

panjar mundur melebihi tegangan dadal dari pertemuan P-N.
Secara listrik mirip dan sulit dibedakan dengan dioda Zener,
dan kadang-kadang salah disebut sebagai dioda Zener, padahal
dioda ini menghantar dengan mekanisme yang berbeda yaitu
efek bandangan. Efek ini terjadi ketika medan listrik terbalik
yang membentangi pertemuan p-n menyebabkan gelombang
ionisasi pada pertemuan, menyebabkan arus besar mengalir
melewatinya, mengingatkan pada terjadinya bandangan yang
menjebol bendungan.

Dioda bandangan didesain untuk dadal pada tegangan

terbalik tertentu tanpa menjadi rusak. Perbedaan antara diode
bandangan (yang mempunyai tegangan dadal terbalik diatas 6.2
V) dan dioda Zener adalah panjang kanal yang melebihi rerata
jalur bebas dari elektron, jadi ada tumbukan antara mereka.
Perbedaan yang mudah dilihat adalah keduanya
mempunyai koefisien suhu yang berbeda, diode bandangan
berkoefisien positif, sedangkan Zener berkoefisien negatif.

 Dioda Cat’s Whisker

Ini adalah salah satu jenis dioda kontak titik. Dioda cat’s
whisker terdiri dari kawat logam tipis dan tajam yang ditekankan
pada kristal semikonduktor, biasanya galena atau sepotong batu
bara. Kawatnya membentuk anode dan kristalnya membentuk
katode. Dioda Cat’s whisker juga disebut diode kristal dan
digunakan pada penerima radio kristal.

 Dioda Arus Tetap

Ini sebenarnya adalah sebuah JFET dengan kaki gerbangnya

disambungkan langsung ke kaki sumber, dan berfungsi seperti
pembatas arus dua saluran (analog dengan Zener yang
membatasi tegangan). Peranti ini mengizinkan arus untuk
mengalir hingga harga tertentu, dan lalu menahan arus untuk
tidak bertambah lebih lanjut.

 Esaki atau Dioda Terobosan

 Dioda ini mempunyai karakteristik resistansi negatif pada
daerah operasinya yang disebabkan oleh quantum tunneling,
karenanya memungkinkan penguatan isyarat dan sirkuit
dwimantap sederhana. Dioda ini juga jenis yang paling tahan
terhadap radiasi radioaktif.

 Dioda Gunn

Dioda ini mirip dengan diode terowongan karena dibuat dari

bahan seperti GaAs atau InP yang mempunyai daerah resistansi
negatif. Dengan panjar yang semestinya, domain dipol terbentuk
dan bergerak melalui dioda, memungkinkan osilator gelombang
mikro frekuensi tinggi dibuat.

 Demodulasi Radio

Penggunaan pertama dioda adalah demodulasi dari isyarat

radio modulasi amplitudo (AM). Dioda menyearahkan isyarat
AM frekuensi radio, meninggalkan isyarat audio. Isyarat audio
diambil dengan menggunakan tapis elektronik sederhana dan
dikuatkan.

 Penyearah Arus

Penyearah arus dibuat dari dioda, dimana dioda digunakan

untuk mengubah arus bolak-balik (AC) menjadi arus searah
(DC). Contoh yang paling banyak ditemui adalah pada rangkaian
adaptor. Pada adaptor, diode digunakan untuk menyearahkan
arus bolak-balik menjadi arus searah. Sedangkan contoh yang
lain adalah alternator otomotif, dimana diode mengubah AC
menjadi DC dan memberikan performansi yang lebih baik dari
cincin komutator dari dinamo DC.
2. Silicon Controlled Rectifier (SCR)
Silicon Controlled Rectifier atau sering disingkat dengan SCR
adalah Dioda yang memiliki fungsi sebagai pengendali. Berbeda dengan
Dioda pada umumnya yang hanya mempunyai 2 kaki terminal, SCR adalah
dioda yang memiliki 3 kaki Terminal. Kaki Terminal ke-3 pada SCR
tersebut dinamai dengan Terminal “Gate” atau “Gerbang” yang berfungsi
sebagai pengendali (Control), sedangkan kaki lainnya sama seperti Dioda
pada umumnya yaitu Terminal “Anoda” dan Terminal “Katoda”. Silicon
Controlled Rectifier (SCR) merupakan salah satu dari anggota kelompok
komponen Thyristor.
Silicon Controlled Rectifier (SCR) atau Thrystor pertama kali
diperkenalkan secara komersial pada tahun 1956. SCR memiliki
kemampuan untuk mengendalikan Tegangan dan daya yang relatif tinggi
dalam suatu perangkat kecil. Oleh karena itu SCR atau Thyristor sering
difungsikan sebagai Saklar (Switch) ataupun Pengendali (Controller) dalam
Rangkaian Elektronika yang menggunakan Tegangan / Arus menengah-
tinggi (Medium-High Power). Beberapa aplikasi SCR di rangkaian
elektronika diantaranya seperi rangkaian Lampu Dimmer, rangkaian Logika,
rangkaian osilator, rangkaian chopper, rangkaian pengendali kecepatan
motor, rangkaian inverter, rangkaian timer dan lain sebagainya.
Pada dasarnya SCR atau Thyristor terdiri dari 4 lapis Semikonduktor
yaitu PNPN (Positif Negatif Positif Negatif) atau sering disebut dengan
PNPN Trioda. Terminal “Gate” yang berfungsi sebagai pengendali terletak
di lapisan bahan tipe-P yang berdekatan dengan Kaki Terminal “Katoda”.
Cara kerja sebuah SCR hampir sama dengan sambungan dua buah bipolar
transistor (bipolar junction transistor).
Prinsipnya, cara kerja SCR sama seperti dioda normal, namun SCR
memerlukan tegangan positif pada kaki “Gate (Gerbang)” untuk dapat
mengaktifkannya. Pada saat kaki Gate diberikan tegangan positif sebagai
pemicu (trigger), SCR akan menghantarkan arus listrik dari Anoda (A) ke
Katoda (K). Sekali SCR mencapai keadaan “ON” maka selamanya akan ON
 meskipun tegangan positif yang berfungsi sebagai pemicu (trigger) tersebut
dilepaskan. Untuk membuat SCR menjadi kondisi “OFF”, arus maju
Anoda-Katoda harus diturunkan hingga berada pada titik Ih (Holding
Current) SCR. Besarnya arus Holding atau Ih sebuah SCR dapat dilihat dari
datasheet SCR itu sendiri. Karena masing-masing jenis SCR memiliki arus
Holding yang berbeda-beda. Namun, pada dasarnya untuk mengembalikan
SCR ke kondisi “OFF”, kita hanya perlu menurunkan tegangan maju
Anoda-Katoda ke titik Nol.

3. Bipolar Transistor (BJT)

Bipolar junction transistor (BJT) atau yang biasa dikenal dengan

transistor bipolar merupakan komponen elektronika yang terdiri dari tiga
lapis bahan semikonduktor, baik untuk yang bertipe PNP ataupun NPN.
Pada setiap lapisan yang membentuk transistor tersebut memiliki nama-
nama tersendiri (kolektor, basis, dan emitor). Dan pada tiap lapisan tersebut
terdapat kontak kawat untuk koneksi ke rangkaian. Simbol skematik
transistor tipe PNP dan NPN ditunjukan pada gambar dibawah ini (gambar a
untuk PNP dan gambar c untuk NPN).
 Perbedaan fungsi antara transistor PNP dan transistor NPN terdapat pada
mode bias (polaritas) dari persimpangan ketika transistor beroperasi. Untuk
setiap keadaan operasi tertentu, arah arus dan polaritas tegangan untuk
setiap jenis transistor yang persis akan berlawanan satu sama lain.

Transistor bipolar bekerja sebagai regulator arus yang dikontrol oleh

arus. Dengan kata lain, transistor membatasi jumlah arus yang mengalir.
Pada transistor bipolar arus utama yang dikendalikan mengalir dari kolektor
ke emitor atau dari emitor ke kolektor tergantung dari masing-masing jenis
transistor tersebut (PNP atau NPN). Arus kecil yang mengontrol arus utama
mengalir dari basis ke emitor atau dari emitor ke basis, sekali lagi
tergantung dari jenis masing-masing transistor tersebut (PNP atau NPN).
Menurut standar simbologi semikonduktor, arah panah selalu menunjukkan
arah yang berlawanan dengan arah aliran elektron. Perhatikan gambar
dibawah ini.

Transistor bipolar disebut bipolar karena aliran utama elektron yang

mengalir melewati transistor berlangsung dalam dua tipe bahan
semikonduktor, yaitu P dan N, sebagai arus utama yang mengalir dari
emitor ke kolektor (atau sebaliknya). Dengan kata lain ada dua jenis
polaritas pembawa muatan arus listrik, yaitu pembawa muatan elektron dan
pembawa muatan positif atau lubang (hole).

Seperti yang anda lihat, arus yang mengontrol dan arus yang dikontrol
akan selalu melewati kawat emitor dan aliran elektron mereka selalu
mengalir melawan arah panah transistor. Semua arus harus mengalir dalam
arah yang tepat sehingga device dapat bekerja sebagai pengatur atau
regulator arus. Pada transistor bipolar, arus kecil pengendali itu biasanya
disebut arus basis, karena arus tersebut adalah satu-satunya arus yang masuk
atau mengalir melewati basis transistor. Sebaliknya, arus utama atau arus
yang dikontrol atau dikendalikan itu disebut sebagai arus kolektor, karena
arus utama merupakan satu-satunya arus yang melewati kawat kolektor dari
 transistor. Sedangkan arus emitor adalah jumlah arus basis dan arus
kolektor, sesuai dengan hukum arus kirchhoff (Kirchhoff’s Current Law).

Jika tidak ada arus pada basis transistor, maka transistor akan seperti
saklar terbuka yang akan mencegah arus utama mengalir melalui kolektor.
Jadi, arus pada basis inilah yang juga akan mengubah transistor menjadi
seperti saklar tertutup dan memungkinkan jumlah arus yang proporsional
melalui kolektor. Artikel berikutnya akan membahas secara lebih rinci
penggunaan transistor bipolar sebagai device switching atau pensaklaran.

4. Uni Junction Transistor (UJT)

a. pengertian Uni Junction Transistor (UJT)
Uni Junction Transistor (UJT) atau dalam bahasa Indonesia sering
disebut dengan Transistor Sambungan Tunggal adalah Komponen
Elektronika Aktif yang terbuat dari bahan semikonduktor, UJT memiliki
tiga terminal dan hanya memiliki satu sambungan. Pada umumnya UJT
digunakan sebagai Saklar Elektronik dan penghasil Isyarat Pulsa. Seperti
namanya, Uni Junction Transistor atau UJT juga digolongkan sebagai
salah satu anggota dari keluarga Transistor, namun berbeda dengan
Transistor Bipolar pada umumnya, Uni Junction Transistor atau UJT ini
tidak memiliki Terminal/Elektroda Kolektor. UJT yang memiliki Tiga
Terminal ini terdiri dari 1 Terminal Emitor (E) dan 2 Terminal Basis
(B1 dan B2). Oleh karena itu, Transistor UJT ini sering disebut juga
dengan Dioda Berbasis Ganda (Double Base Diode).
b. Struktur Dasar Uni Junction Transistor (UJT)

Struktur dasar Uni Junction Transistor atau UJT dapat dilihat pada
gambar dibawah ini. Pada dasarnya UJT terdiri dari semikonduktor jenis
Silikon yang bertipe N yang didoping ringan dan sepotong Silikon
bertipe P yang berukuran kecil dengan doping tinggi (berat) di satu
sisinya untuk menghasilkan sambungan tunggal P-N (P-N Junction).
Sambungan Tunggal inilah yang kemudian dijadikan terminologi UJT
yaitu Uni Junction Transistor. Di kedua ujung batang silikon yang
bertipe N, terdapat dua kontak Ohmik yang membentuk terminal B1
(Basis 1) dan (Basis 2). Daerah Semikonduktor yang bertipe P menjadi
Terminal Emitor (E) pada UJT tersebut.

Berikut ini adalah Bentuk dan Struktur dasar serta Simbol Uni
Junction Transistor (Transistor Sambungan Tunggal).

c. Cara kerja Uni Junction Transistor

Saat Tegangan diantara Emitor (E) dan Basis 1 (B1) adalah
Nol, UJT tidak menghantarkan arus listrik, Semikonduktor batang
yang bertipe N akan berfungsi sebagai penghambat (memiliki
resistansi yang tinggi). Namun akan ada sedikit arus bocor yang
mengalir karena bias terbalik (reverse bias).
Pada saat tegangan di Emitor (E) dan Basis 1 (B1) dinaikan
secara bertahap, resistansi diantara Emitor dan Basis 1 akan
berkurang dan arus terbalik (reverse current) juga akan berkurang.
Ketika Tegangan Emitor dinaikan hingga ke level bias maju, arus
listrik di Emitor akan mengalir. Hal ini dikarenakan Hole pada
Semikonduktor yang di doping berat bertipe P mulai memasuki
daerah semikonduktor tipe N dan bergabung kembali dengan
Elektron yang di Batang Semikonduktor bertipe N (yang di doping
ringan). Dengan demikian Uni Junction Transistor atau UJT ini
kemudian mulai menghantarkan arus listrik dari B2 ke B1.
5. Gate Turn Off (GTO)
GTO adalah pembawa arus minoritas (yaitu perangkat bipolar). GTO
berbeda dari thyristor konvensional dalam hal itu, mereka dirancang untuk
mematikan ketika arus negatif dikirim melalui pintu gerbang, sehingga
menyebabkan pembalikan gerbang saat ini. Sebuah gerbang yang relatif
tinggi saat ini perlu mematikan perangkat dengan turn off keuntungan di
kisaran 4-5. Selama konduksi, di sisi lain, perangkat berperilaku seperti
thyristor dengan sangat rendah pada saat drop tegangan ON.
GTO menjadi struktur pnpn monolitik seperti sebuah thryistor.
prinsip operasi dasarnya dapat dijelaskan dengan cara yang mirip dengan
thyristor. Secara khusus, struktur pnpn dari GTO bisa menjadi meskipun
terdiri dari satu pnp dan npn satu transistor terhubung dalam konfigurasi
regeneratif.
Dengan diterapkan VAK tegangan maju yang kurang maka ICBO1
dan ICBO2 kecil. Selanjutnya jika IG adalah nol IA hanya sedikit lebih
tinggi daripada (ICBO1 + ICBO2). Dalam kondisi ini baik αn dan αp kecil
dan (αp + αn) << 1. Perangkat ini dikatakan dalam modus forward blocking.

6. Triode Alternating Current (TRIAC)

TRIAC adalah perangkat semikonduktor berterminal tiga yang berfungsi

sebagai pengendali arus listrik. Nama TRIAC ini merupakan singkatan dari
TRIode for Alternating Current (Trioda untuk arus bolak balik). Sama
seperti SCR, TRIAC juga tergolong sebagai Thyristor yang berfungsi
sebagai pengendali atau Switching. Namun, berbeda dengan SCR yang
hanya dapat dilewati arus listrik dari satu arah (unidirectional), TRIAC
memiliki kemampuan yang dapat mengalirkan arus listrik ke kedua arah
(bidirectional) ketika dipicu. Terminal Gate TRIAC hanya memerlukan arus
yang relatif rendah untuk dapat mengendalikan aliran arus listrik AC yang
tinggi dari dua arah terminalnya. TRIAC sering juga disebut dengan
Bidirectional Triode Thyristor.Pada dasarnya, sebuah TRIAC sama dengan
dua buah SCR yang disusun dan disambungkan secara antiparalel (paralel
yang berlawanan arah) dengan Terminal Gerbang atau Gate-nya
dihubungkan bersama menjadi satu. Jika dilihat dari strukturnya, TRIAC
merupakan komponen elektronika yang terdiri dari 4 lapis semikonduktor
dan 3 Terminal, Ketiga Terminal tersebut diantaranya adalah MT1, MT2
dan Gate. MT adalah singkatan dari Main Terminal.

TRIAC merupakan komponen yang sangat cocok untuk digunakan

sebagai AC Switching (Saklar AC) karena dapat megendalikan aliran arus
listrik pada dua arah siklus gelombang bolak-balik AC. Kemampuan inilah
yang menjadi kelebihan dari TRIAC jika dibandingkan dengan SCR.
Namun TRIAC pada umumnya tidak digunakan pada rangkaian switching
yang melibatkan daya yang sangat tinggi. Salah satu alasannya adalah
karena karakteristik Switching TRIAC yang non-simetris dan juga
gangguan elektromagnetik yang diciptakan oleh listrik yang berdaya tinggi
itu sendiri.

Beberapa aplikasi TRIAC pada peralatan-peralatan Elektronika maupun

listrik diantaranya adalah sebagai berikut :

 Pengatur pada Lampu Dimmer.

 Pengatur Kecepatan pada Kipas Angin.
 Pengatur Motor kecil.
 Pengatur pada peralatan-peralatan rumah tangga yang berarus
listrik AC.
7. Metal Oxid Semiconduktor Field Effect Transistor (MOSFET)
Transistor Metal Oxide Semiconductor Field-Effect Transistor atau
biasa disebut MOSFET adalah sejenis transistor yang digunakan sebagai
penguat, tapi paling sering transistor jenis ini difungsikan sebagai saklar
elektronik. Ada dua jenis MOSFET menurut jenis bahan semikonduktor
pembuatnya, yaitu tipe N (nMOS) dan tipe P (pMOS).
Bahan semikonduktor yang digunakan untuk membuat MOSFET
adalah silikon, namun beberapa produsen IC, terutama IBM, mulai
menggunakan campuran silikon dan germanium (SiGe) sebagai kanal
MOSFET. Sayangnya, banyak semikonduktor dengan karakteristik listrik
yang lebih baik daripada silikon, seperti galium arsenid (GaAs), tidak
membentuk antarmuka semikonduktor-ke-isolator yang baik sehingga tidak
cocok untuk MOSFET. Hingga kini terus diadakan penelitian untuk
membuat isolator yang dapat diterima dengan baik untuk bahan
semikonduktor lainnya.
Ketika tidak ada tegangan pada Gate, MOSFET tidak akan bersifat
konduksi. Tegangan yang meningkat pada Gate, maka sifat konduksi pada
Channel semakin lebih baik.
 Tujuan dari MOSFET adalah mengontrol Tegangan dan Arus
melalui antara Source dan Drain. Komponen ini hampir seluruh nya sebagai
switch. Kerja MOSFET bergantung pada kapasitas MOS. Kapasitas MOS
adalah bagian utama dari MOSFET. Permukaan semikonduktor pada lapisan
oksida di bawah yang terletak di antara terminal sumber dan saluran
pembuangan. Hal ini dapat dibalik dari tipe-p ke n-type dengan menerapkan
tegangan gerbang positif atau negatif masing-masing. Ketika kita
menerapkan tegangan gerbang positif, lubang yang ada di bawah lapisan
oksida dengan gaya dan beban yang menjijikkan didorong ke bawah dengan
substrat.
Daerah penipisan dihuni oleh muatan negatif terikat yang terkait
dengan atom akseptor. Elektron mencapai saluran terbentuk. Tegangan
positif juga menarik elektron dari sumber n dan mengalirkan daerah ke
saluran. Sekarang, jika voltase diterapkan antara saluran pembuangan dan
sumber, arus mengalir bebas antara sumber dan saluran pembuangan dan
tegangan gerbang mengendalikan elektron di saluran. Alih-alih tegangan
positif jika kita menerapkan tegangan negatif, saluran lubang akan terbentuk
di bawah lapisan oksida.

N-Channel MOSFET,

Struktur N-Channel Mosfet atau disebut dengan NMOS terdiri dari

subtract tipe P dengan daerah Source dan Drain deberi Difusi N+. Diantara
daerah Source dan Drain terdapat sebuah celah sempit dari subtract P yang
di sebut dengan channel yang di tutupi oleh isolator yang terbuat dari Si02
 P-Channel MOSFET,

P-Channel MOSFET memiliki wilayah P-Channel diantara Source

dan Drain. Dia memiliki empat terminal seperti Gate, Drain, Source dan
Body. Struktur Transistor PMOS terdiri atas tipe-n dengan daerah Source
dan Drain diberi difusi P+.

8. Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT)

Insulated gate bipolar transistor (IGBT) adalah piranti
semikonduktor yang setara dengan gabungan sebuah BJT dan sebuah
MOSFET. Jenis peranti baru yang berfungsi sebagai komponen saklar untuk
aplikasi daya ini muncul sejak tahun 1980-an.
a. Karakteristik IGBT
Sesuai dengan namanya, peranti baru ini merupakan peranti
yang menggabungkan struktur dan sifat-sifat dari kedua jenis
transistor tersebut di atas, BJT dan MOSFET. Dengan kata lain,
IGBT mempunyai sifat kerja yang menggabungkan keunggulan
sifat-sifat kedua jenis transistor tersebut. Saluran gerbang dari IGBT,
sebagai saluran kendali juga mempunyai struktur bahan penyekat
(isolator) sebagaimana pada MOSFET.
Masukan dari IGBT adalah terminal Gerbang dari MOSFET,
sedang terminal Sumber dari MOSFET terhubung ke terminal Basis
dari BJT. Dengan demikian, arus cerat keluar dan dari MOSFET
akan menjadi arus basis dari BJT. Karena besarnya resistansi
masukan dari MOSFET, maka terminal masukan IGBT hanya akan
menarik arus yang kecil dari sumber. Di pihak lain, arus cerat
sebagai arus keluaran dari MOSFET akan cukup besar untuk
membuat BJT mencapai keadaan jenuh. Dengan gabungan sifat
kedua unsur tersebut, IGBT mempunyai perilaku yang cukup ideal
sebagai sebuah saklar elektronik. Di satu pihak IGBT tidak terlalu
membebani sumber, di pihak lain mampu menghasilkan arus yang
besar bagi beban listrik yang dikendalikannya.
Terminal masukan IGBT mempunyai nilai impedansi yang
sangat tinggi, sehingga tidak membebani rangkaian pengendalinya
yang umumnya terdiri dari rangkaian logika. Ini akan
menyederhanakan rancangan rangkaian pengendali dan penggerak
dari IGBT.
Di samping itu, kecepatan pensaklaran IGBT juga lebih
tinggi dibandingkan peranti BJT, meskipun lebih rendah dari peranti
MOSFET yang setara. Di lain pihak, terminal keluaran IGBT
mempunyai sifat yang menyerupai terminal keluaran (kolektor-
emitor) BJT. Dengan kata lain, pada saat keadaan menghantar, nilai
resistansi-hidup (Ron) dari IGBT sangat kecil, menyerupai Ron pada
BJT.
Dengan demikian bila tegangan jatuh serta borosan dayanya
pada saat keadaan menghantar juga kecil. Dengan sifat-sifat seperti
ini, IGBT akan sesuai untuk dioperasikan pada arus yang besar,
hingga ratusan Ampere, tanpa terjadi kerugian daya yang cukup
berarti. IGBT sesuai untuk aplikasi pada perangkat Inverter maupun
Kendali Motor Listrik (Drive).

b. Sifat-sifat IGBT

Komponen utama di dalam aplikasi elekronika daya dewasa

ini adalah saklar peranti padat yang diwujudkan dengan peralatan
semikonduktor seperti transistor dwikutub (BJT), transistor efek
medan (FET), maupun Thyristor. Sebuah saklar ideal di dalam
penggunaan elektronika daya akan mempunyai sifat-sifat sebagai
berikut:

1) Pada saat keadaan tidak menghantar (off), saklar

mempunyai tahanan yang besar sekali, mendekati nilai tak
berhingga. Dengan kata lain, nilai arus bocor struktur saklar sangat
kecil

2) Sebaliknya, pada saat keadaan menghantar (on), saklar

mempunyai tahanan menghantar (Ron) yang sekecil mungkin. Ini
akan membuat nilai tegangan jatuh (voltage drop) keadaan
menghantar juga sekecil mungkin, demikian pula dengan besarnya
borosan daya yang terjadi, dan kecepatan pensaklaran yang tinggi.

 Sifat nomor (1) umumnya dapat dipenuhi dengan baik oleh

semua jenis peralatan semikonduktor yang disebutkan di atas,
karena peralatan semikonduktor komersial pada umumnya
mempunyai nilai arus bocor yang sangat kecil.
 Untuk sifat nomor (2), BJT lebih unggul dari MOSFET, karena
tegangan jatuh pada terminal kolektor-emitor, VCE pada
keadaan menghantar (on) dapat dibuat sekecil mungkin dengan
membuat transitor BJT berada dalam keadaan jenuh.

 Sebaliknya, untuk unsur kinerja nomor (3) yaitu kecepatan

pensakelaran, MOSFET lebih unggul dari BJT, karena sebagai
peranti yang bekerja berdasarkan aliran pembawa muatan
mayoritas, pada MOSFET tidak dijumpai arus penyimpanan
pembawa muatan minoritas pada saat proses pensaklaran, yang
cenderung memperlamnat proses pensaklaran tersebut.
 BAB III

PENUTUP

A. Kesimpulan

Semikonduktor bahan dengan konduktivitas listrik yang berada diantara

insulator dan konduktor. Semikonduktor bersifat sebagai insulator pada temperatur
yang sangat rendah (mendekati 0oK), namun pada temperatur ruangan (sekitar
30oK) besifat sebagai konduktor. Bahan dasar semikonduktor dapat digolongkan
atas tiga jenis yaitu Trivalent, Tetravalent, dan Pentavalent yang masih murni
(semikonduktor intrinsik), namun setelah pendopingan atau mengotoran, muncullah
semikonduktor baru yaitu semikonduktor ekstrinsik (tak murni) yang memiliki dua
tipe yaitu semikonduktor tipe n dan semikonduktor tipe p. Semikonduktor
ekstrinsik inilah yang digunakan sebagai bahan dasar elektronika seperti dioda,
transistor, Integrated Circuit dan lain sebagainya

B. Saran

Kegunaan bahan semikonduktor sangatlah penting dalam kehidupan sehari-

hari. Tidak hanya dalam dunia medis saja yang membutuhkan bahan
semikonduktor, akan tetapi sanggatlah penting juga dalam elektronika, karena
bahan semikonduktor (misalnya silikon dan germanium), hanya memerlukan sedikit
saja bahan doping atau campuran untuk mengubah bahan semikonduktor agar dapat
dipergunakan. Oleh karena itu, mari kita sebagai mahasiswa kejuruan fisika
mempelajari kehebatan-kehebatan bahan semikonduktor, mungkin kita nanti bisa
menciptakan alat dari bahan tersebut dan berguna dalam elektronika.
DAFTAR PUSTAKA

https://trikueni-desain-sistem.blogspot.com/2013/11/Pengenalan-
Transistor-Bipolar.html (diakses pada 11 september 2019)

https://www.gurupendidikan.co.id/dioda/ (diakses pada 11 september

2019)

https://teknikelektronika.com/pengertian-uni-junction-transistor-ujt-
dan-cara-kerjanya/ (diakses pada 11 september 2019)

https://en.wikipedia.org/wiki/Gate_turn-
off_thyristor#/media/File:GTO_thyristor_cross_section.svg (diakses
pada 11 september 2019)

https://mikroavr.com/pengertian-mosfet-dan-manfaat-nya/ (diakses
pada 11 september 2019)

http://www.widodoonline.com/2011/07/igbt.html (diakses pada 11

september 2019)

https://teknikelektronika.com/pengertian-scr-silicon-controllled-
rectifier-prinsip-kerja-scr/ (diakses pada 11 september 2019)

https://teknikelektronika.com/pengertian-triac-dan-aplikasi-triac-
thyristor/ (diakses pada 11 september 2019)