Tuesday, January 21, 2014 TRANSISTOR - BJT

Transistor adalah piranti atau komponen elektronika aktif yang mempunyai tiga
terminal yang terbuat dari bahan semikonduktor. Transistor dapat bersifat isolator atau
konduktor, kemampuan transistor ini memungkinkan transistor digunakan untuk
"switching" (pada elektronika digital) atau "amplification (penguatan)" (pada
elektronika analog).
Transistor adalah sebuah akronim dari “Transfer Resistor” yang
menggambarkan fungsinya, yaitu suatu komponen yang nilai resistansi antara
terminalnya dapat diatur.

Gambar Pinout Transistor (Transistor Package)

 Gambar Jenis-jenis Transistor

■ Transistor Bipolar - Bipolar Junction Transistor (BJT)

Konstruksi Transistor bipolar
Transistor Bipolar - Bipolar Junction Transistor (BJT) memiliki 3 terminal, yaitu
Basis (B), Emitor (E) dan Kolektor (C).
Bipolar Junction Transistor (BJT) dibentuk dari 2 buah “P-N Junction”, sehingga
transistor ini dapat dianalogikan sebagai penggabungan 2 buah dioda. “P-N Junction”
pertama adalah Emiter-Basis dan “P-N junction” kedua adalah Basis-Kolektor. Seperti
pada dioda, arus hanya akan mengalir hanya jika diberi bias positif (forward bias). Jadi
untuk bekerja transistor juga membutuhkan arus bias. Jadi prinsip kerja transistor
adalah arus bias basis-emiter yang kecil mengatur besar arus kolektor-emiter.
Ada dua jenis konstruksi transistor bipolar yaitu PNP dan NPN, beda keduanya
terletak pada susunan semikonduktor tipe-P dan tipe-N transistor tersebut. Dengan
perbedaan susunan ini maka operasi kedua transistor ini juga berbeda. Simbol antara
BJT jenis PNP dan NPN juga berbeda, PNP mempunyai symbol dengan tanda panah
pada emitter ke arah dalam sedangkan NPN sebaliknya panah pada emitter berarah
keluar.
Bipolar Junction Transistor (BJT) merupakan “current-amplifying device”,
artinya BJT mengontrol jumlah arus yang mengalir pada basis dengan cara mengatur
arus yang mengalir pada kolektor.
 Gambar. Kontruksi Transistor PNP dan Transistor NPN
Mode Operasi BJT

Gambar Kurva Hubungan VCE, IC dan IB

Berdasarkan kurva Hubungan VCE, IC dan IB ada beberapa region yang
menunjukkan daerah kerja transistor. Pertama adalah daerah saturasi, lalu daerah
cut-off, kemudian daerah aktif dan seterusnya daerah breakdown.
Tabel. Mode Operasi Transistor Bipolar
Junction Junction
Electrode
Mode Emitter- Collector- Function
Voltages
Base Base
Forward Normal Amplifier (Sering
E<B<C Aktif Reverse bias
bias digunakan)
Reverse
E>B<C Cut-off Reverse bias Open switch
bias
Forward
E<B>C Saturation Forward bias Close switch
bias
Reverse
E>B>C Breakdown Forward bias Low gain amplifier
bias
 Ket
● Daerah Aktif >> Transistor beroperasi sebagai penguat dan Ic = β.Ib
Daerah kerja transistor yang normal adalah pada daerah aktif, yaitu ketika arus
IC konstans terhadap berapapun nilai VCE. Dari kurva ini diperlihatkan bahwa arus IC
hanya tergantung dari besar arus IB. Daerah kerja ini biasa juga disebut daerah linear
(linear region).
● Saturation >> Transistor "fully-ON", Ic = I(saturation)
Daerah saturasi adalah mulai dari VCE = 0 volt sampai kira-kira 0.7 volt
(transistor silikon). Ini diakibatkan oleh efek p-n junction kolektor-basis yang
membutuhkan tegangan yang cukup agar mampu mengalirkan elektron sama seperti
dioda.
● Cut-off >> Transistor menjadi "fully-OFF", Ic = 0
Daerah dimana Vce masih cukup kecil sehingga Arus IC = 0 atau IB = 0.
Transistor dalam kondisi off
● Daerah Breakdown
Dari kurva kolektor, terlihat jika tegangan VCE lebih dari 40 V, arus IC
menanjak naik dengan cepat. Transistor pada daerah ini disebut berada pada daerah
breakdown. Seharusnya transistor tidak boleh bekerja pada daerah ini, karena akan
dapat merusak transistor tersebut. Untuk berbagai jenis transistor nilai tegangan VCE
max yang diperbolehkan sebelum breakdown bervariasi.

Konfigurasi Bipolar Junction Transistor

Karena Bipolar Transistor merupakan komponen atau piranti yang mempunyai
tiga terminal, maka dimungkinkan memiliki 3 konfigurasi rangkaian yaitu common
base, common collector dan common emitter, ketika merancang suatu rangkaian
transistor tiga konfigurasi inilah yang digunakan. Perancangan rangkaian transistor
mengacu pada sifat dan karakteristik masing-masing konfigurasi transistor.
Perancangan rangkaian transistor biasanya mengacu pada beberapa
parameter berikut:
· Voltage Gain (Penguatan Tegangan)
· Current Gain (Penguatan Arus)
· Impedansi input
· Impedansi output
· Frekuensi respon
Tabel. Rangkuman konfigurasi transistor dan karakteristiknya
Transistor Common Common Common
Configuration Base Collector Emitter
Voltage gain High Low Medium
Current gain Low High Medium
Power gain Low Medium High
Input / output phase 0° 0° 180°
Input resistance Low High Medium
Voltage gain High Low Medium

Setiap konfigurasi mempunyai respon yang berbeda untuk setiap sinyal input dalam
rangkaian
1. Common Base Configuration - Mempunyai “Voltage Gain” tanpa “Current Gain”.
Konfigurasi transistor penguat basis biasanya digunakan pada aplikasi di mana
diperlukan impedansi input yang rendah.
2. Common Emitter Configuration - Mempunyai “Current dan Voltage Gain”.
Konfigurasi transistor penguat emiter merupakan konfigurasi transistor yang
paling banyak digunakan. Konfigurasi ini sering terlihat sebagai format umum untuk
transistor penguat tegangan. Konfigurasi transistor penguat emiter digunakan untuk
penguat dan sebagai output logika.
3. Common Collector Configuration - Mempunyai “Current Gain Tanpa Voltage
Gain”.
Konfigurasi transistor penguat collector digunakan pada banyak aplikasi.
konfigurasi CC ini bisa berfungsi sebagai buffer.
 Gambar. Konfigurasi rangkaian CB, CE dan CC
Karakteristik Arus Bipolar Junction Transistor
Alpha (α) >> αdc = IC/IE
Alpha (α) adalah perbandingan arus kolektor terhadap arus emitor. idealnya
besar α dc adalah = 1 (satu). Namun umumnya transistor yang ada di pasaran memiliki
αdc kurang lebih antara 0.95 sampai 0.99.
Beta (β) >> β = IC/IB
Beta (β) didefenisikan sebagai besar perbandingan antara arus kolektor
dengan arus basis. Artinya Beta (β)adalah parameter yang menunjukkan kemampuan
penguatan arus (current gain) dari suatu transistor.

Posted by [MFNST] at 12:00 AM

 Konfigurasi Transistor Bipolar

Secara umum terdapat tiga macam konfigurasi rangkaian transistor, yaitu konfigurasi
basis bersama (common-base), konfigurasi emitor bersama (common-emitter), dan
konfigurasi kolektor bersama (common-collector). Istilah bersama dalam masing-
masing konfigurasi menunjuk pada terminal yang dipakai bersama untuk input
(masukan) dan output (keluaran). Gambar dibawah menunjukkan tiga macam
konfigurasi tersebut.

Pada konfigurasi basis bersama (common base

= CB) sinyal input dimasukkan ke emitor dan
sinyal output diambil pada kolektor dengan basis
sebagai ground-nya. Faktor penguatan arus
pada basis bersama disebut dengan ALPHA (α).
αdc (alpha dc) adalah perbandingan arus IC
dengan arus IE pada titik kerja. Sedangkan αac
(alpha ac) atau sering juga disebut alpha (α) saja
merupakan perbandingan perubahan IC dengan
IE pada tegangan VCB tetap berlaku rumusan.

Dari diagram aliran arus pada gambar diatas dapat diketahui bahwa harga α adalah
kurang dari satu, karena arus IE sebagian dilewatkan menjadi IB dan lainnya menuju
kolektor menjadi IC. Harga tipikal dari α adalah 0,90 hingga 0,998. Umumnya harga α
untuk setiap transistor dicantumkan dalam datasheet.

Dengan memasukan arus bocor ICBO kedalam perhitungan, maka besarnya arus IC
menjadi:
 Pada konfigurasi emitor bersama (common emitter = CE) sinyal input diumpankan
pada basis dan output diperoleh dari kolektor dengan emitor sebagai groundnya.
Faktor penguatan arus pada emitor bersama disebut dengan BETA (β). Seperti halnya
pada α, istilah β juga terdapat βdc (beta dc) maupun βac (beta ac). Definisi βac(atau
β saja) dengan VCE konstan adalah:

Istilah β sering dikenal juga dengan hfe yang berasal dari parameter hibrid untuk faktor
penguatan arus pada emitor bersama. Data untuk harga hfe maupun β ini lebih banyak
dijumpai dalam berbagai datasheet dibanding dengan α. Umumnya transistor
mempunyai harga β dari 50 hingga lebih dari 600 tergantung dari jenis transistornya.

Dalam perencanaan rangkaian transitor perlu diperhatikan bahwa harga β dipengaruhi

oleh arus kolektor. Demikian pula variasi harga β juga terjadi pada pembuatan di
pabrik. Untuk dua tipe dan jenis transistor yang sama serta dibuat dalam satu pabrik
pada waktu yang sama, belum tentu mempunyai β yang sama. Hubungan antara α
dan β dapat dikembangkan melalui beberapa persamaan berikut:

Sehingga
dan diperoleh persamaan β adalah :

Dengan memasukan arus bocor ICBO kedalam perhitungan, maka besarnya arus IC
dalam kaitannya dengan α. Sedangkan arus IC dalam hubungannya dengan β dapat
dijelaskan sebagai berikut.

Dalam persamaan di atas terdapat arus bocor sebesar (β + 1)ICBO atau sering
disebut dengan istilah ICEO . Arus bocor ICEO ini adalah arus kolektor ke emitor
dengan basis terbuka. Arus bocor ICBO dan ICEO dapat dilukiskan seperti pada
gambar dibawah.
 Penguat transistor
Penguat adalah suatu peranti yang berfungsi menguatkan daya sinyal masukan. Salah satu
syarat yang dituntut pada penguat adalah bahwa sinyal keluaran harus tepat benar bentuknya
seperti sinyal masukan, hanya saja amplitudo-nya lebih tinggi. Kalau bentuk sinyal keluaran
tidak tepat sama dengan sinyal masukan, meskipun beda bentuk ini hanya kecil saja, maka
dikatakan sinyal keluarannya cacat.
Prinsip Penguat

Penguat paling sederhana terdiri dari satu buah transistor. Ada tiga kemungkinan
pemasangan transistor sebagai penguat, yaitu : Emitor Bersama (Common Emiter), Kolektor
Bersama (Common Collector),Basis Bersama (Common Base).
Masing-masing pola diatas mempunyai karakteristik yang berbeda. Perbandingan antara
ketiga pola tersebut dapat dilihat pada tabel berikut :

Harga-harga di atas adalah harga untuk : IE = 1 mA, rc = 2,5 KOhm (untuk Emitor Bersama
dan Kolektor Bersama), serta rE = 390 Ohm untuk Kolektor Bersama.
Penguat Emitor Bersama (Common Emiter)
Penguat Emitor Bersama adalah penguat yang paling banyak digunakan. Penguat ini
mempunyai penguatan tegangan maupun penguatan arus. Hanya saja perlu diingat bahwa
penguat ini mempunyai impedansi masukan yang relatif rendah dan impedansi keluaran
yang relatif tinggi.
Rangkaian PenguatEmitor Bersama (Common Emiter)
Penguat Kolektor Bersama (Common Collector)
Penguat Kolektor Bersama biasanya dipakai sebagai transformator impedansi, karena
impedansi masukannya tinggi, sedangkan impedansi keluarannya rendah. Penguat ini lebih
unggul dibanding transformator biasa dalam dua hal, pertama, tanggapan frekuensinya
lebar, dan kedua, ada penguatan daya.
Rangkaian Penguat Kolektor Bersama (Common Collector)

Penguat Basis Bersama (Common Base)

Penguat Basis Bersama sedikit terapannya dalam teknik frekuensi rendah, karena
impedansi masukannya yang begitu rendah akan membebani sumber sinyal. Penguat ini
kadang diterapkan dalam penguat untuk frekuensi tinggi (di atas 10 MHz), dimana lazimnya
sumber sinyalnya berimpedansi rendah.
Rangkaian Penguat Tungggal Basis (Common Base)