Analisis AC - BJT PDF
Analisis AC - BJT PDF
BAB VIII
1
sehingga X C < 100 Ω pada 20 Hz. Akibatnya C = atau
2π f X C
1
C= = 79,6μF
(2π )(20 Hz)(100 Ω)
Model-h
Untuk menganalisa sinyal kecil pada transistor, seringkali transistor
digantikan dengan model linear parameter-h. Model-h ini cukup
akurat jika transistor di bias untuk operasi linear dan sinyal-sinyal
pada frekuensi tinggi dapat diabaikan. Transistor dengan konfigurasi
emiter bersama dengan model-h berlaku : (dengan Vbe dan IC sebagai
variabel dependen)
vbe = hie ib + hre vce
iC = hfe ib + hoe vce
Persamaan itu dalam bentuk matriks:
Ib hie Ic
B C
hfe Ib
Vbe hre Vce hoe Vce
vbe
hie : hambatan input basis-emiter ~ 500 Ω - 5 kΩ Æ hie =
ib vce =0
vbe
hre : transfer ratio tegangan mundur ~ 10-4 - 10-3 Æ hre =
vce ib =0
ic
hfe : transfer ratio arus maju 50 ~ 500 Æ h fe =
ib vce =0
ic
hoe : konduktansi output C-E ~ 1 μS - 100 μS Æ hoe =
vce ib =0
VCE VCE
0 0
iB(?A) iB(?A)
10 10
20
20
80
?iB
?vBE
?vBE
0.75 0,85 vBE vBE
iB(?A)
iC(mA) 120
100
90
80
?iC ?iB
70
60
40
20
10 VCE
iB(?A)
iC(mA) 120
100
8,4 90
8,6
80
70
60
40
20
5 15 VCE
Catatan
Dalam menganalisa sinyal AC dilakukan sbb:
1. sumber tegangan DC dihubung-singkatkan dalam sinyal AC.
2. semua kapasitor dihubung singkat dalam sinyal AC.
3. gambarkan parameter h, untuk pin B, C dan E.
4. tambahkan komponen-komponen lainnya.
Model Ebers-Moll
Untuk Dioda
I
Untuk Trasnsitor
Pendekatan bahwa transistor sebagai penguat arus dengan IC = hFE IB,
cukup baik untuk banyak aplikasi, namun kurang memadai untuk
menjelaskan penguat diferensial, konverter logaritmik, kompensasi
temperatur dan banyak aplikasi lainnya. Sebagai gantinya Ebers-Moll
menganggap bahwa transistor sebagai devais transkonduktansi. Arus
kolektor bergantung pada basis-emiter, yaitu:
IC
C B E
VBE
VBE
Namun untuk VBE >> VT, sehingga I C = I S e VT
IC
atau VBE = VT ln
IS
Jika ada perbedaan VBE maka berarti ada hambatan dalam hambatan
antara basis-emitter, yaitu
ΔVBE
re =
ΔI E
VT
Dengan mengambil pendekatan ΔVBE = ΔI C , sehingga diperoleh
IC
ΔVBE V 25 mV
hambatan dalam basis-emiter re = = T ≈
ΔI C IC IC
?R iCR ?F??EF
iE iE
iEF iCR
iB
index R : reverse
F : forward
iB = iBF + iBR
VBE
ηVT
dengan : iEF = I EO (e − 1)
VBC
ηVT
iCR = I CO (e − 1)
α R I CO = α F I EO
R1 RC
Vout
Vin
R2 RE
iin ib
vin R2
AC
R1 (1+hfe)RE hfe ib RC
= ie
Rin = R1 // R2 // (1+hfe)RE
vin
ib =
(1 + h fe ) RE
vin h v v
ic = h feib = h fe = fe in ≈ in
(1 + h fe ) RE 1 + h fe RE RE
R
vout = vC = −ic RC = − C vin
RE
v R
Av = out = − C Æ tanda minus menunjukkan ada pembalikan fasa,
vin RE
yaitu ada beda fasa sebesar 180o, seperti ditunjukkan dalam ilustrasi
berikut ini.
vb
Ve
Vc
VCC
R1 RC
Vout
Vin
R2 RE
iin ib
vin R2
AC
R1 (1+hfe)re hfe ib RC
= ie
RC
Dengan cara yang sama, penguatan tegangannya menjadi: Av = −
re
Contoh:
Analisalah rangkaian penguat berikut ini dengan menggunakan
model-h, jika diketahui hie = 1,5 kΩ, hfe = 70, hoe = 25 μS, dan hre = 0.
Komponen lainnya adalah RB = 220 kΩ, RC = 4,7 kΩ dan kapasitor
masing-masing 1 μF.
VCC
RB RC
vo
vs
B C
Ii Ib hfeIb Ic
Io
vs RB hie hoe RC
1 RC 1 v
Io = − h fe I b = − h fe s
1 RC + hoe 1 + hoe RC hie
Vo = Io RC
vo h fe RC 219
Penguatan tegangan: Av = =− =− = −186
vs hie 1 + hoe RC 1 + 0,118
Garis Beban
Perhatikan rangkaian emitter bersama berikut ini.
ic = ΔI C = I C − I CQ Æ arus AC kolektor,
VCEQ VCE
Dengan memanfaatkan persamaan ini diperoleh I C = I CQ + −
rc rc
Æ pers garis beban AC
Pada saat transistor saturasi, terjadi pada saat VCE = 0 , diperoleh:
VCEQ
ic ( sat ) = I CQ +
rc
VCE = I CQ rc + VCEQ .
VCEQ
ic ( sat ) = I CQ +
rc
VCC
I C ( sat ) =
RC + RE
VCC
RC
R1
C2 Io
C1
RS RL
R2
C3 RE
vs
Ii Ib B hfeIb C
Io
RS
R1 R2 hie hoe RC RL
AC
vs
Ri
Tegangan antara Basis - Emiter Vbe = vs = 0,79 vs
RS + Ri
Vbe 0,79 vs
Arus basis I b = =
hie 3000
h fe I b 150 × 0,79 vs
Tegangan output Vo = − =− = − 49 vs
Gce 806 × 10−6 × 3 × 103
Vo
Penguatan tegangan Av = = − 49
vs
Vo Vo
Arus output Io = =
RL 2 × 103
Io Vo / 2 × 103 Vo 2,83
Penguatan arus AI = = = = − 69
I i vs / 2,83 × 10 3
vs 2
Penguatan daya = AP = Av AI
Contoh:
Andaikan rangkaian penguat tsb (konfigurasi emiter bersama) pada
model-h untuk BJT tidak diabaikan hre, misalnya hre = 2 x 10-4, maka
rangkaian penggantinnya menjadi :(anggap RL = ∞ )
Ib B C
hie
hfe Ib
RB hoe
Vi RC
hre Voe
RB = R1//R2= 8,7 kΩ
Vo = - hfe Ib RCE , dengan RCE = hoe // RC = 3,3 kΩ.
Dengan menggunakan KVL pada loop input, didapat :
Vi = hie I b + hreVce
= hie I b − hre Rce I b
= (3kΩ − 2 × 10−4 × 2,3kΩ)I b ∼ 3kΩI b
Penguatan tegangan:
Vo h fe I b RCE h fe RCE
Av = =− =− = −170,6
Vi (hie − h fe hre RCE ) I b (hie − h fe hre RCE )
VCC
RC1 RC2
R1 R3
C1 C2 C5
RB
RL
R2 R4
RE1 RE2
C3 C4
vs
Ii B1 hfe1Ib1 C1 B2 h fe2Ib2 C2
Ib1 Ib2
RS
E1 E2
Ri = R1 // R2 // hie1 = 47 kΩ // 10 kΩ // 2 kΩ
vs 1mV
Ii = = = 0,38 μA
RS + Ri 2,6 k Ω
Vbe
I b1 =
hie
Vbe
I b1 = = 0,31 μA
hie
h fe1 I b1
Diperoleh Vbe 2 = − = - 36 mV
GEC1
1
RCE 2 = // RC 2 // RL = 450Ω
hoe 2
Vo 2
Po = = 1,1mW
RL
Po 1,1mW
AP = = −9
= 4,8 × 106
Pi 0, 23 × 10 W
Ap (dB) = 67 dB