Bipolar junction transistor (BJT) atau yang biasa dikenal dengan transistor bipolar

merupakan komponen elektronika yang terdiri dari tiga lapis bahan

semikonduktor, baik untuk yang bertipe PNP ataupun NPN. Pada setiap lapisan
yang membentuk transistor tersebut memiliki nama-nama tersendiri (kolektor,
basis, dan emitor). Dan pada tiap lapisan tersebut terdapat kontak kawat untuk
koneksi ke rangkaian. Simbol skematik transistor tipe PNP dan NPN ditunjukan
pada gambar dibawah ini (gambar a untuk PNP dan gambar c untuk NPN).

Transistor bipolar: (a) simbol skematik PNP, (b) phisik PNP, (c) simbol skematik NPN, (d) fisik NPN

Perbedaan fungsi antara transistor PNP dan transistor NPN terdapat pada mode
bias (polaritas) dari persimpangan ketika transistor beroperasi. Untuk setiap
keadaan operasi tertentu, arah arus dan polaritas tegangan untuk setiap jenis
transistor yang persis akan berlawanan satu sama lain.

Transistor bipolar bekerja sebagai regulator arus yang dikontrol oleh arus. Dengan
kata lain, transistor membatasi jumlah arus yang mengalir. Pada transistor bipolar
arus utama yang dikendalikan mengalir dari kolektor ke emitor atau dari emitor ke
kolektor tergantung dari masing-masing jenis transistor tersebut (PNP atau NPN).
Arus kecil yang mengontrol arus utama mengalir dari basis ke emitor atau dari
emitor ke basis, sekali lagi tergantung dari jenis masing-masing transistor tersebut
(PNP atau NPN). Menurut standar simbologi semikonduktor, arah panah selalu
menunjukkan arah yang berlawanan dengan arah aliran elektron. Perhatikan
gambar dibawah ini.

Aliran elektron arus basis(arus pengendali) ditunjukkan panah kecil, dan aliran arus kolektor(arus yang
dikendalikan) ditunjukkan pada panah yang tebal
Transistor bipolar disebut bipolar karena aliran utama elektron yang mengalir
melewati transistor berlangsung dalam dua tipe bahan semikonduktor, yaitu P dan
N, sebagai arus utama yang mengalir dari emitor ke kolektor (atau sebaliknya).
Dengan kata lain ada dua jenis polaritas pembawa muatan arus listrik, yaitu
pembawa muatan elektron dan pembawa muatan positif atau lubang (hole).

Seperti yang anda lihat, arus yang mengontrol dan arus yang dikontrol akan selalu
melewati kawat emitor dan aliran elektron mereka selalu mengalir melawan arah
panah transistor. Semua arus harus mengalir dalam arah yang tepat sehingga
device dapat bekerja sebagai pengatur atau regulator arus. Pada transistor bipolar,
arus kecil pengendali itu biasanya disebut arus basis, karena arus tersebut adalah
satu-satunya arus yang masuk atau mengalir melewati basis transistor. Sebaliknya,
arus utama atau arus yang dikontrol atau dikendalikan itu disebut sebagai arus
kolektor, karena arus utama merupakan satu-satunya arus yang melewati kawat
kolektor dari transistor. Sedangkan arus emitor adalah jumlah arus basis dan arus
kolektor, sesuai dengan hukum arus kirchhoff (Kirchhoff’s Current Law).

Jika tidak ada arus pada basis transistor, maka transistor akan seperti saklar
terbuka yang akan mencegah arus utama mengalir melalui kolektor. Jadi, arus
pada basis inilah yang juga akan mengubah transistor menjadi seperti saklar
tertutup dan memungkinkan jumlah arus yang proporsional melalui kolektor.
Artikel berikutnya akan membahas secara lebih rinci penggunaan transistor
bipolar sebagai device switching atau pensaklaran.
Karakter Transistor BJT

1. Kurva Kolektor

Karakteristik kolektor yang terlihat dari pengamatan kurva kolektor dibawah ini
merelasikan antara IC , VBE, dan IB sebagai sumber parameter. Dari kurva
kolektor tersebut, tampak disana ada 4 daerah yaitu daerah aktif, daerah saturation
(jenuh), daerah cuf-off (putus), dan daerah breakdown (dadal).

Gambar 1. Kurva kolektor

Daerah aktif

Daerah antara tegangan lutut (knee), VK dan tegangan dadal (breakdown), VBR
serta diatas IB = ICO. Daerah aktif terjadi bila sambungan emitor diberi bias maju
dan sambungan kolektor diberi bias balik. Pada daerah aktif arus kolektor
sebanding dengan arus basis ( IC = IB).
Tabel 1

Daerah saturation (jenuh)

Daerah dengan VCE lebih kecil dari tegangan lutut (VK). Daerah saturasi terjadi
bila sambungan emitor dan basis sama-sama diberi bias maju. Pada daerah
saturasi, arus kolektor (IC) tidak tergantung pada arus basis (IB).

Nilai VCE (sat) transistor silikon = 0,2 volt

Nilai VCE (sat) transistor germanium = 0,1 volt

 Tabel 2

Daerah cut-off (putus)

Daerah yang terletak di bawah IB = ICO. Daerah cut-off terjadi bila sambungan
kolektor dan emitor sama-sama diberi bias balik. Pada daerah cut-off, IE = 0 ; IC
=ICO = IB.

Tabel 3

Daerah breakdown (dadal)

Daerah yang terletak di atas batas tegangan maksimum kolektor-emitor (VCE)

suatu transistor. VCE maksimum pada beberapa jeni transistor adalah berbeda-
beda. Pada kurva kolektor diatas terlihat, daerah breakdown terjadi setelah VCE
transistor mencapai diatas ± 10 volt. Transistor tidak boleh bekerja pada daerah
ini, karena transistor dapat menjadi rusak.

Keterangan:

VK = tegangan lutut (knee)

IB = Arus basis

ICO = Arus cut-off

VCE = Tegangan kolektor-emitor

VCE(sat) = Tegangan kolektor-emitor pada daerah saturasi

2. Kurva Basis

Kurva karakteristik basis merelasikan antara arus basis (IB) dan tegangan basis-
emitor (VBE) dengan tegangan kolektor-emitor (VCE) sebagai parameternya.
 Gambar 2. Kurva karakteristik basis

Kurva basis diatas dapat terlihat pada alat ukur yang bernama osiloskop dengan
cara menghubung singkatkan kolektor-emitor (VCE = 0) dan emitor diberi bias
maju.

*Catatan:

Karakter basis adalah seperti karakter komponen diode.

Dengan bertambahnya VCE pada VBE yang konstan (tetap), maka lebar daerah
deplesi di sambungan kolektor bertambah dan mengakibatkan lebar basis efektif
berkurang. Dengan berkurangnya lebar basis, maka arus basis (IB) rekombinasi
juga berkurang.

*Perlu diingat!

 VK (tegangan lutut) atau tegangan ambang/threshold.

Untuk transistor silikon = 0.5 sampai 0,6 volt
Untuk transistor germanium = 0,1 sampai 0,2 volt
 VBE (tegangan basis-emitor) di daerah aktif.
Untuk transistor silikon = 0.7 volt
Untuk transistor germanium = 0,2 volt
 VBE transistor ideal.
VBE = 0 volt

3. Kurva Beta
Kurva beta menunjukkan bahwa nilai β akan berubah dengan dipengaruhi oleh
suhu (T) dan arus kolektor (IC). Berikut karakteristiknya:
 Nilai β bertambah jika suhu (T) naik.
 Nilai β bertambah jika arus kolektor (IC) naik.
 Nilai β turun jika arus kolektor (IC) naik di luar nilai tertentu.
Gambar 2. Kurva beta (β)