LASMIYATI

03041281621043

TUGAS ELEKTRONIKA DAYA

1- Apakah elektronika daya itu?
Elektronika daya dapat didefinisikan sebagai penerapan elektronika
solid-state.

2- Sebutkan beberapa tipe dari thyristor!

Thyristor dapat dibagi lebih lanjut menjadi delapan tipe:
(a) Forced-Commutated Thyristor,
(b) Line-Commutated Thyristor,
(c) Gate-Turn-Off thyristor (GTO),
(d) Reverse-Conducting Thyristor (RCT),
(e) Static Induction Thyristor (SITH),
(f) Gate-Assisted Turn-off Thyristor (GATT),
(g) Light-Activated Silicon-Controlled Rectifier (LASCR), dan
(h) MOS-Controlled Thyristor (MCT).

3- Apakah rangkaian commutation itu?

Rangkaian Commutation adalah rangkaian yang digunakan untuk meng-
OFF-kan SCR dalam suatu rangkaian tertutup.Rangkaian komutasi
digunakan jika SCR difungsikan sebagai sakelar elektronis dan sumber
masukannya berupa tegangan arus searah (dc line commutation). Ditinjau
dari sumber masukannya, terdapat 2 (dua) rangkaian komutasi:
 Komutasi Alami

Jika SCR digunakan dalam sebuah rangkain tertutup dengan sumber

masukan berupa tegangan AC, maka SCR akan OFF secara otomatis
ketika mencapai titik lintas nol (zero crossing) yang disebabkan sifat
alami dari sumber AC tersebut.
 Komutasi Paksa

Jika SCR digunakan dalam sebuah rangkain tertutup dengan sumber

masukan berupa tegangan DC, maka SCR akan OFF jika arus beban
dilawan (dipaksa sama dengan) dengan arus komutasi yang dibangkitkan
dari rangkaian komutasi.

4- Apakah kondisi dari suatu thyristor agar tersambung/on?

Thyristor mempunyai 3 buah terminal: anode, katode, dan gate. Ketiga
terminal ini yang digunakan untuk mengatur arus yang melalui suatu beban.
Arus yang mengalir dari anoda ke katoda disebut arahnya positif. Seperti
diode, thyristor tidak dapat mengalirkan arus dengan arah negatif. Thyristor
mengalirkan arus dari anoda ke katoda hanya bila thyristor difungsikan.
Thyristor akan berfungsi apabila sejumlah tegangan tertentu mengalir pada

Tugas Elektronika Daya| 1

LASMIYATI
03041281621043

gerbangnya (gate). Sekali thyristor berfungsi, tidak diperlukan penambahan

tegangan pada gate-nya, dan karakteristiknya menjadi identik dengan dioda
biasa. Pada prinsipnya thyristor disebut juga dengan istilah SCR (Sillicon
Controlled Rectifier) yang dapat menghantar bila diberikan arus gerbang.
Arus gate ini hanya diberikan sekejap saja sudah cukup dan thyristor akan
terus menghantar walaupun arus gerbang sudah tidak ada. Singkatnya syarat
ON:
 Anode dan Katode di Forward Bias, dimana A (+) dan K (-)

 Arus IG> 0

 VAK = 0, IA = IBEBAN

5- Bagaimana agar thyristor yang telah tersambung/on dapat dimatikan?

Thyristor yang tersambung dapat dimatikan dengan membuat tegangan
anode sama atau lebih kecil dari tegangan katode. Line Commutated
Thyristor dimatikan melalui sifat sinusoidal dari tegangan masukan, dan
forced-commutated thyristor dimatikan dengan rangkaian khusus yang
disebut commutation circuitry.

6- Terangkan apa yang disebut line commutation !

Line Commutation yaitu rangkaian yang digunakan untuk meng-OFF kan
Thyristor/SCR dalam suatu rangkaian tertutup. Thyristor dapat menjadi
OFF jika terdapat rangkaian eksternal yang menyebabkan anoda menjadi
bias negatif (negatively biased) dan dikenal dengan metode natural atau
line-commutated.

7- Terangkan apa yang disebut forced commutation !

Pada beberapa penggunaan pensaklaran (switching) thyristor kedua untuk
pengosongan kapasitor di katoda pada thyristor pertama. Metode ini dikenal
dengan forced-commutated.

8- Sebutkan perbedaan antara thyristor dan TRIAC!

Tugas Elektronika Daya| 2

LASMIYATI
03041281621043

Karakteristik dari TRIAC mirip dengan dua thyristor dihubungkan dalam

hubungan inverse paralel dengan hanya mempunyai satu terminal gate.
Aliran arus yang melalui TRIAC dapat dikontrol arahnya.

9- Bagaimana karakteristik gating dari GTO?

GTO (Gate Turn-Off Thyristor), Gerbang ini dapat dihidupkan dengan
memberikan sinyal gerbang positif dan dapat dimatikan dengan
memberikan sinyal pulsa negatif. GTO dihidupkan dengan memberikan
sinyal pulsa pendek negatif pada gerbang. GTO merupakan self-turned-off
thyristor. GTO dihidupkan dengan memberikan suatu pulsa positif ke gate
dan dimatikan dengan pemberian pulsa negatif pada gate. GTO tidak
memerlukan rangkaian komutasi.

10- Apa yang disebut turn-oft time pada thyristor?

Turn-off time didefinisikan sebagai interval waktu antara saat arus utama
menjadi nol setelah proses pensaklaran eksternal dari rangkaian tegangan
utama, dan ketika thyristor mampu menangani tegangan utama tertentu
tanpa dihidupkan.

11- Apa yang disebut konverter?

Converting merupakan fungsi kedua dari peralatan semikonduktor
elektronika daya selain dari fungsinya sebagai swithcing. Converting yang
dimaksud disini adalah suatu proses pengubahan atau pengkonversian dari
tipe sumber. Konversi dapat dilakukan dari AC ke DC, AC ke AC, DC ke
DC, maupun dari DC ke AC. Proses pengubahan besaran meliputi
pengubahan bentuk gelombang arus, tegangan maupun besaran lainnya.

Gambar. Konversi parameter listrik dalam elektronika daya

12- Terangkan prinsip konverter ac-dc!

Konverter ac -dc. Suatu rangkaian konverter satu fasa dengan dua
natural commutated thyristor diperlihatkan pada Gambar 1-9. Nilai rata-
rata dari tegangan output dapat dikendalikan dengan mengubah-ubah

Tugas Elektronika Daya| 3

LASMIYATI
03041281621043

conduction time dari thyristor satu sudut firing delay, . Inputnya dapat
berupa sumber satu atau tiga fasa. Konverter-konverter ini juga dikenal
sebagai penyearah terkontrol.

Gambar 1-8 Rangkaian penyearah fase tunggal

Gambar 1-9 Penyearah ac-dc tase tunggal

13- Terangkan prinsip konverter ac-ac!

Konverter ac-ac. Konverter ini digunakan untuk memperoleh tegangan
keluaran ac variabel dari sumber ac tetap dan konverter satu fasa dengan
suatu TRIAC diberikan pada Gambar 1-10. Tegangan keluaran
dikendalikan dengan menguhah-ubah conduction time dari TRIAC atau
sudut delay penyalaan, a. Tipe konverter ini dikenal juga sebagai
Kontroler tegangan ac.

Tugas Elektronika Daya| 4

LASMIYATI
03041281621043

Gambar 1-10 Konverter ac-ac fasa tunggal

Gambar 1-11 Konverer dc-dc

Gambar 1-12 Konverter dc-ac fasa tunggal

14- Terangkan prinsip konverter dc-dc!

Konverter dc-dc. Konverter dc-dc juga dikenal sebagai dc chopper
atau pensaklaran regulator dan suatu rangkaian transistor chopper

Tugas Elektronika Daya| 5

LASMIYATI
03041281621043

diberikan pada Gambar 1-11. Tegangan keluaran rata-rata dikendalikan

dengan menguhah-ubah conduction time t dari transistor Q1. Jika T adalah
periode chopping, maka t1 = T .  dikenal sebagai duty cycle dari
chopper-nya.

15- Terangkan prinsip konverter dc-ac!

Konverter dc-ac. Konverter dc-ac dikenal juga sebagai inverter. Suatu
inverter transistor fasa tunggal diperlihatkan pada Gambar 1-12. Jika
transistor M1 dan M2 tersambung pada setengah periode, dan M3 dan M4
tersambung pada setengah periode lainnya, keluaran akan berbentuk
tegangan ac. Tegangan keluaran dapat dikendalikan dengan mengubah-
uhah conduction time dari transistor.

16- Terangkan langkah-langkah perancangan peralatan elektronika daya!

Perancangan peralatan elektronika daya dapat dibagi menjadi empat
bagian:
1. Perancangan rangkaian daya
2. Proteksi devais daya
3. Penentuan strategi kontrol
4. Perancangan rangkaian logika dan rating

17- Apakah efek periferal dari peralatan elektronika daya?

Operasi dari konverter daya didasarkan pada proses pensaklaran dari
devais semikonduktor daya; dan sebagai hasilnya konverter akan
menghasilkan harmonisa tegangan dan arus ke suplai daya sistem dan ke
keluaran konverter. Hal ini akan menyebabkan masalah distorsi pada
tegangan output, pembangkitan harmonisa pada suplai daya ke sistem,
dan interferensi dengan rangkaian pensinyalan dan komunikasi. Biasanya
akan perlu ditambahkan tapis-tapis pada masukan dan keluaran sistem
konverter untuk mereduksi tingkat harmonisa ke tingkat yang dapat
ditolerir.

18- Sebutkan perbedaan-perbedaan karakteristik gating dari GTO dan

thyristor!
GTO merupakan self-turned-off thyristor. GTO dihidupkan dengan
memberikan suatu pulsa positif ke gate dan dimatikan dengan pemberian
pulsa negatif pada gate-nya pula sehingga tidak memerlukan commutation
circuit.

Tugas Elektronika Daya| 6

LASMIYATI
03041281621043

19- Sebutkan perbedaan-perbedaan karakteristik gating dari thyristor dan

transistor!
Transistor jenis BJT (NPN dan PNP) dan UJT (FET dan MOSFET)
memiliki cara kerja yang sama, namun dengan karakteristik yang berbeda.
Berikut ini beberapa perbedaan antara Transistor BJT dan UJT (FET)
• Konversi: Transistor BJT mengkonversi arus menjadi arus, FET
mengkonversi tegangan menjadi arus
• Arus input: BJT membutuhkan arus input, FET tidak membutuhkan arus
input
• Input/output: Hubungan input/output BJT adalah linear direpresentasikan
oleh sebuah garis lurus, namun hubungan input/output sebuah FET tidak
linear untuk sinyal-sinyal besar (bertegangan tinggi). Hal ini dapat
mengakibatkan terjadinya distorsi pada sinyal-sinyal besar yang
diumpankan ke sebuah FET
• Kecepatan: FET dapat melaksanakan proses pensaklaran secara lebih
cepat dibandingkan BJT, namun demikian kedua jenis transistor ini dirasa
cukup cepat untuk memenuhi kebutuhan sebagian besar aplikasi elektronik
• Tegangan input: sebuah FET menjadi aktif ketika tegangan gate-
sourcenya melampaui suatu tegangan ambang. Tegangan gate dapat
memiliki nilai yang berada dalam kisaran antara tegangan ambang dan
tegangan sumber, ketika FET dalam keadaan aktif. Tegangan basis-emitor
BJT akan selalu mendekati nilai 0,7 V, ketika BJT dalam keadaan aktif,
terlepas dari berapa besar arus inputnya
• Resistor input: sebuah FET tidak membutuhkan sebuah resistor di depan
terminal gatenya. Hal ini dapat menjadikan rangkaian yang bersangkutan
jauh lebih sederhana
• Tahanan output: kebanyakan FET memiliki tahanan yang sangat rendah
ketika berada dalam keadaan aktif, biasanya kurang dari 1 Ohm. Hal ini
membuat komponen-komponen ini sangat cocok untuk digunakan dalam
rangkaian saklar transistor.

20- Sebutkan perbedaan-perbedaan karakteristik gating dari BJT dan

MOSFET!
MOSFET daya digunakan untuk konverter kecepatan tinggi dan tersedia
pada rating daya yang relatif rendah pada daerah 1000 V, 50 A pada daerah
frekuensi beberapa puluh kilo hertz, Beberapa MOSFET daya dalam
berbagai ukuran diberikan pada Gambar 8-21. IGBT merupakan voltage-
controlled power transistor. IGBT secara umum memiliki kecepatan yang
lebih tinggi dari BJT, walaupun tidak secepat transistor. Akan tetapi IGBT
menyediakan karakteristik drive dan keluaran yang lebih superior
dibandingkan BJT. IGBT Iebih cocok digunakan untuk aplikasi pada
tegangan tinggi, arus yang besar dan frekuensi di atas 20 KHz. IGBT
tersedia hingga rating 1200V, 400 A.

Tugas Elektronika Daya| 7

LASMIYATI
03041281621043

21- Terangkan karakteristik gating dari IGBT!

IGBT merupakan gabungan antara MOSFET dengan Transistor-bipolar
seperti terlihat pada gambar, dan kaki-kakinya dinamakan G (gate), C
(collector) dan E (emitor). Bedanya dengan transistor, IGBT memiliki
impedansi input yang sangat tinggi sehingga tidak membebani rangkaian
pengendalinya (atau sering disebut rangkaian driver). Kemudian disisi
output, IGBT memiliki tahanan(Roff) yang sangat besar pada saat tidak
menghantar, sehingga arus bocor sangat kecil. Sebaliknya pada saat
menghantar, tahanan pensaklaran (Ron) sangat kecil, mengakibatkan
tegangan jatuh (voltage drop) lebih kecil daripada transistor pada umumnya.
Disamping itu, IGBT memiliki kecepatan pensaklaran/frekuensi kerja yang
lebih tinggi dibanding transistor lainnya. Oleh sebab itulah mengapa IGBT
sering digunakan dalam driver (alat penggerak motor) yang membutuhkan
arus yang besar dan beroperasi di tegangan tinggi, karena memiliki efisiensi
yang lebih baik dibanding jenis transistor lainnya.
Selain memiliki kelebihan seperti diatas, IGBT juga memiliki kekurangan.
Diantaranya, harganya lebih mahal dibanding transistor biasa, sehingga
jarang dipakai dalam alat elektronika rumah tangga. Berbeda dengan driver
penggerak motor listrik yang membutuhkan arus besar hingga ratusan
bahkan ribuan ampere.
Selain itu IGBT juga rentan rusak pada saat standby (tidak menghantar)
apabila tegangan pengendali (tegangan antara gate dengan source/emitor)
hilang(=0v), maka IGBT bisa jebol/short. Oleh sebab itu meskipun sedang
tidak bekerja/menghantar input/gate IGBT harus diberi tegangan standby
sekitar 2-15V tergantung spesifikasi IGBT.

22- Terangkan karakteristik gating dari MCT!

MCT adalah kependekan dari MOS-controlled thyristor yang artinya tiristor
yang dikontrol oleh MOS (metal oxide semiconductor). Dalam MCT
terdapat dua struktur yang tergabung yakni tiristor empat lapis dan susunan
gerbang MOS. Untuk rangkaian ekivalennya, struktur tiristor diwakili oleh
kombinasi dua transistor sambungan dwi-kutub (PNP dan NPN) dan
struktur gerbang MOS diwakili oleh dua buah MOSFET (kanal-p dan
kanal-n).

Tugas Elektronika Daya| 8

LASMIYATI
03041281621043

MOS-Controlled Thyristor (MCT) mengkombinasikan sifat-sifat

regeneratif thyristor dan struktur gerbang MOS. Karena strukturny NPNP
anode berlaku sebagai terminal acuan relatif terhadap semua sinyal
gerbang yang diberikan. Diasumsikan bahwa MCT berada dalam
keadaaan blocking state dan tegangan negatif VGAdiberikan. Kanal p
(layer inversion) dibentuk dalam material n-doped, yang mengakibatkan
hole-hole mengalir secara lateral dari emiter.
Terdiri dari ON-FET, sebuah OFF-FET dan dua transistor
MCT terdiri dari ON-FET, sebuah OFF-FET dan dua transistor. MOS
struktur MCT yang diwakili dalam rangkaian ekuivalen. Ini terdiri dari
satu ON-FET, MOSFET p-channel, dan OFF-FET. Kedua npn dan pnp
transistor yang bergabung bersama untuk mewakili struktur npnp dari
MCT. MOSFET n-channel diwakili oleh gambar panah menuju terminal
gerbang. Sebuah MOSFET p-channel ditunjukkan dengan menggambar
panah jauh dari terminal gerbang. Kedua transistor dalam rangkaian
ekuivalen menunjukkan bahwa ada umpan balik regeneratif di MCT
hanya karena merupakan thyristor biasa.
 ON Proses Perangkat AKTIF oleh pulsa tegangan negatif di pintu
gerbang sehubungan dengan anoda. Untuk mengubah ON MCT, gerbang
dibuat negatif terhadap anoda dengan pulsa tegangan antara gerbang dan
anoda. Jadi, MCT harus awalnya bias maju, dan kemudian hanya
tegangan negatif diterapkan. Dengan penerapan pulsa tegangan negatif
ini, ON-FET akan berubah ON sedangkan OFF-FET sudah OFF. Dengan
ON-FET ON, arus mulai mengalir dari anoda A, melalui ON-FET dan
kemudian sebagai arus basis dan emitor dari transistor npn dan kemudian
ke katoda K. ini menyala npn transistor. Hal ini menyebabkan arus
kolektor mengalir di npn transistor. Seperti OFF FET MATI, ini arus
kolektor npn transistor bertindak sebagai arus basis transistor pnp.
Selanjutnya, p-n-p transistor juga AKTIF. Jika kedua transistor ON,
tindakan regeneratif dari skema koneksi berlangsung dan MCT
dihidupkan ON.
 OFF proses Perangkat OFF-FET dihidupkan dengan memberikan pulsa
tegangan positif di pintu gerbang. Pulsa tegangan positif menyebabkan
OFF-FET untuk mengaktifkan dan ON-FET untuk mengubah OFF.
Setelah OFF-FET AKTIF, terminal emitor berdasarkan transistor pnp
adalah hubung singkat oleh OFF-FET. Jadi, sekarang anoda saat mulai
mengalir melalui OFF-FET dan arus sehingga basis transistor pnp mulai
menurun. Perangkat ini memiliki kelemahan kemampuan blocking
tegangan terbalik.

Tugas Elektronika Daya| 9

LASMIYATI
03041281621043

23- Terangkan karakteristik gating dari SIT!

SITH adalah singkatan untuk static induction thyristor. SITH mengadopsi
sifat dari SCR dan GTO, yaitu di-on-kan dengan cara menerapkan tegangan
gerbang yang positif dan meng-off-kannya dengan cara pemberian tegangan
negatif pada gerbang.

Karakteristik dari SITH mirip dengan karakteristik dari MOSFET. SITH

biasanya dihidupkan dengan memberikan tegangan gerbang positif. SITH
merupakan devais pembawa muatan minoritas.
SITH memiliki kecepatan switching yang tinggi denagn kemampuan dv/dt
dan di/dt yang tinggi. Waktu switchingnya berada pada orde 1 sampai 6 µs.
Rating tegangan mencapai 2500 V dan rating arus dibatasi 500 A. devais ini
sangat sensitive terhadap proses produksi, ganguan kecil dapat
megakibatkan perubahan besar pada karakteristiknya.
Karakteristik dari SITH mirip dengan karakteristik dari MOSFET. SITH
biasanya dihidupkan dengan memberikan tegangan gerbang positif. SITH
merupakan devais pembawa muatan minoritas.
SITH memiliki kecepatan switching yang tinggi denagn kemampuan dv/dt
dan di/dt yang tinggi. Waktu switchingnya berada pada orde 1 sampai 6 µs.
Rating tegangan mencapai 2500 V dan rating arus dibatasi 500 A. devais ini
sangat sensitive terhadap proses produksi, ganguan kecil dapat
megakibatkan perubahan besar pada karakteristiknya.
SITH biasanya dihidupkan dengan memberikan tegangan gerbang positif
seperti thyristor biasa dan dimatikan dengan memberikan tegangan negatif
pada gerbangnya. SITH merupakan devais dengan pembawa muatan
minoritas. Akibatnya, SITH memiliki resistansi/tegangan jatuh keadaan on
yang rendah dan dapat dibuat dengan rating tegangan dan arus yang lebih
tinggi.
SITH memiliki kecepatan switching yang tinggi dengan kemampuan dv/dt
dan di/dt yang tinggi. Waktu switchingnya berada pada orde 1 sampai
dengan 6 µs. Rating tegangan dapat mencapai 2500 V dan rating arus
dibatasi 500 A. Devais ini sangat sensitive terhadap proses produksi,

Tugas Elektronika Daya| 10

LASMIYATI
03041281621043

gangguan kecil pada proses produsi akan menghasilkan perubahan yang

besar pada karakteristik devais.

24- Sebutkan perbedaan antara BJT dengan IGBT!

IGBT merupakan voltage-controlled power transistor. IGBT secara
umum memiliki kecepatan yang lebih tinggi dari BJT, walaupun
tidak secepat transistor. Akan tetapi IGBT menyediakan
karakteristik drive dan keluaran yang lebih superior dibandingkan
BJT. IGBT lebih cocok digunakan untuk aplikasi pada tegangan
tinggi, arus yang besar dan frekuensi di atas 20 KHz.

25- Sebutkan perbedaan antara MCT dengan GTO!

Suatu MCT dapat dihidupkan dengan memberikan pulsa negative kecil pada
MOS gate (relative terhadap anode), dan dimatikan dengan pulsa kecil
positif. MCT bersifat sama dengan GTO hanya disini baik matinya sangat
tinggi. MCT tersedia hingga 1000 V, 100 A.

26- Sebutkan perbedaan antara SITH dengan GTO!

GTO dan SITH merupakan self-turned-off thyristor. GTO dan SITH
dihidupkan dengan memberikan Suatu pulsa positif ke gate dan dimatikan
dengan pemberian pulsa negatif pada gate. Keduanya tidak memerlukan
suatu commutation circuit. GTO sangat menarik untuk aplikasi forced
commutation dari konverter dan tersedia pada rating, hingga 4000 V 3000
A. SITH yang rating dapat mencapai 1200 V 300 A diharapkan untuk dapat
diaplikasikan pada converter kelas menengah dengan frekuensi pensaklaran
pada orde beberapa ratus kilo hertz dan di atas daerah frekuensi GTO.

Tugas Elektronika Daya| 11