BAHAN SEMIKONDUKTOR
MATA KULIAH FISIKA ZAT PADAT (PAP 411)
Oleh :
HANIF HIDAYAT
NIM. 1610442038
JURUSAN FISIKA
FAKULTAS MATEMATIKA DAN ILMU PENGETAHUAN ALAM
UNIVERSITAS ANDALAS
PADANG
2019
KATA PENGANTAR
Assalamu’alaikum Warohmatullahi Wabarokatuh
Saya menyadari bahwa makalah ini masih terdapat banyak kesalahan dan
kekurangan. Untuk itu saya minta maaf atas setiap kesalahan dan kekurangan dari
makalah ini . Kritik dan saran saya terima dari berbagai pihak yang terlibat.
Penulis mengharapkan semoga makalah ini berguna bagi kita semua dalam
proses pembelajaran mata kuliah “Fisika Zat Padat” dan juga sebagai Amal
jariyah kita dalam bidang ilmu pengetahuan, dan semoga Allah melimpahkan
Rahmat dan Hidayah-Nya kepada kita semua. Aamiin.
Penulis
2
DAFTAR ISI
Halaman
A. Kesimpulan ............................................................................................. 25
3
BAB I
PENDAHULUAN
A. Latar Belakang
Dalam aktifitas kita sebagai mahasiswa pendidikan fisika, didalam
laboratorium ketika kita melakukan suatu eksperimen pastinya tidak terlepas dari
penggunaan alat-alat elektronika. Alat-alat elektronika alah satunya yaitu dioda.
Dioda merupakan bahan yang tersusun atas semikonduktor tipe-P dan tipe-N.
Bahan semikonduktor merupakan bahan yang banyak di gunakan dalam
pembuatan komponen-kompenen elektronika yaitu kristal silikon. Dahulu orang
juga menggunakan unsur germanium. Kedua unsur itu merupakan kelompok IV
dalam susunan berkala. Kristal galium-arsenida yang terbentuk dari unsur galoium
dan arsen mempunyai sifat seperti unsur kelompok IV, sehingga dapat pula
digunakan untuk membentuk bahan semikonduktor.
Secara sederhana zat padat dikelompokkan sebagai isolator,
semikondukor, dan kondukor. Bahan Isolator adalah material yang susah
menghantarkan arus lisrik, sedangkan bahan konduktor adalah material yang
dapat menghantarkan arus lisrik. Bahan Semikondukor adalah sutau material
dengan sifat konduktivitas di antara konduktor dan isolator, contohnya silicon,
germanium. Untuk menjelaskan konduktivias bahan seringkali menggun`akan
konsep pita energy. Ada dua pita energy yaitu pita valensi dan pita konduksi. Pita
valensi adalah pita energy yang mungkin diisi oleh electron dari zat padat hingga
komplit. Setiap pita memiliki 2N electron dengan N adalah jumlah atom. Bila
masih ada elektron yang tersisa akan mengisi pita konduksi. Pada suhu 0 K, pita
konduksi terisi sebagian untuk bahan konduktor, sedangkan untuk isolator dan
semikonduktor tidak ada elektron yang mengisi pita konduksi
Bahan semikonduktor intrinsik (murni), yaitu yang terdiri dari unsur
silikon saja atau unsur germanium saja. Perlu diketahu bahwa semikonduktor
yang digunakan dalam pembuatan dioda dan transistor terdiri dari campuran
4
bahan semikonduktor instrinsik dengan unsur kelompok V atau kelompok III.
Sehingga semikonduktor yang dihasilkan adalah semikonduktor ekstrinsik.
B. Rumusan Masalah
1. Pengertian Semikonduktor
2. Bahan Pembuat Semikonduktor
3. Model Ikatan Atom pada Bahan Semikonduktor
4. Model Pita Energi Semikonduktor
5. Tipe Semikonduktor
6. Tipe Arus Listrik pada Semikonduktor
7. Struktur Bahan Semikonduktor
8. Doping Semikonduktor
9. Pita Energi
5
BAB II
PEMBAHASAN
A. Pengertian Semikonduktor
Dalam pengertian umum bahan semikonduktor adalah bahan yang bersifat
setengah konduktor karena celah energi yang dibentuk oleh struktur bahan ini
lebih kecil dari celah energi bahan isolator tetapi lebih besar dari celah energi
bahan konduktor, sehingga memungkinkan elektron berpindah dari satu atom
penyusun ke atom penyusun lain dengan perlakuan tertentu terhadap bahan
tersebut (pemberiantegangan, perubahan suhu dan sebagainya). Oleh karena itu
semikonduktor bisa bersifat setengah menghantar.
Semikonduktor adalah sebuah bahan dengan konduktivitas listrik yang
berada di antara insulator dan konduktor. Semikonduktor merupakan material zat
padat yang memiliki harga resistivitas antara 10-2–109 Ω.cm. Semikonduktor
disebut juga sebagai bahan setengah penghantar listrik. Semikonduktor
merupakan elemen dasar dari komponen elektronika seperti dioda, transistor dan
sebuah IC (integrated circuit). Disebut semi atau setengah konduktor, karena
bahan ini memang bukan konduktor murni. Bahan - bahan logam seperti
tembaga, besi, timah disebut sebagai konduktor yang baik sebab logam memiliki
susunan atom yang sedemikian rupa, sehingga elektronnya dapat bergerak bebas.
Bahan semikonduktor memegang peranan penting dalam teknologi
modern. Hampir semua komponen dalam peralatan elektronik seperti
mikroprosessor, IC-IC, dioda, laser, display, dan sebagainya adalah bahan
semikonduktor. Setiap bahan semikonduktor memiliki karakteristik fisis tertentu
sehingga dalam aplikasinya harus merujuk pada karakteristik fisisnya tersebut.
Sebagai contoh untuk aplikasi sensor sinar ultraviolet yang tingkat sensitifitasnya
tinggi tentu kita harus memilih bahan yang memiliki energi gap yang cukup lebar
seperti semikonduktor galium nitrida dengan energi gap sekitar 3,4 eV. Kita bisa
juga menggunakan bahan silikon untuk aplikasi sensor ultraviolet namun divais
ini kurang sensitif dibandingkan bahan galium nitrida.
6
B. Bahan Pembuat Semikonduktor
Pada awal perkembangannya bahan semikonduktor yang pertama kali
dieksplorasi adalah germanium, namun sampai saat ini bahan semikonduktor yang
banyak diteliti untuk bahan baku pembuatan divais elektronik maupun
optoelektronik adalah silikon dengan pertimbangan bahan silikon cukup
melimpah di alam ini dan harganya relatif murah. Selain silikon material lain yang
banyak dipelajari dan diteliti adalah material paduan dari golongan II-VI atau III-
V seperti dalam tabel periodik di bawah baik binary (paduan 2 unsur) maupun
ternary (paduan 3 unsur) seperti ZnO, GaN, AlN, InN, GaAs, GaSb, AlGaN,
AlGaSb, GaNAs dan sebagainya dimana material-material paduan tersebut
masing-masing memiliki ciri khas dan keunikan tersendiri baik dari sifat listrik
maupun sifat optiknya yang aplikasinya dapat disesuaikan dengan karakteristik
fisisnya masing-masing. Bahan semikonduktor itu antara lain alumunium
arsanide, alumunium gallium arsanide,boron nitride, cadmium sulfide, cadmium
selenide, berlian, gallium arsanide, gallium nitride, germanium, indium
phosphide, silicon, silicon carbide, silicon germanium, silicon on insulator, zinc
sulfide, zinc selenide.
7
Gambar2. Bahan pembuat semikonduktor berbentuk wafer
8
Ketika elektron meloncat ke pita konduksi maka pita valensi menjadi
kekurangan elektron. Lokasi yang ditinggalkan elektron seolah berperilaku
sebagai partikel bermuatan positif. Partikel ini dinamakan hole. Dalam bahan
semikonduktor murni, jumlah elektron yang meloncat ke pita konduksi persis
sama dengan jumlah hole yang terbentuk di pita valensi. Dengan demikian, jika ne
adalah konsentrasi elektron pada pita konduksi dan nh adalah konsentrasi hole
pada pita valensi maka untuk semikonduktor murni terpenuhi:
ne = nh
Bahan semikonduktor untuk aplikasi industri umumnya bukan
semikonduktor murni, tetapi semikonduktor yang didop dengan atom tertetu.
Doping tersebut menyebabkan terjadinya perubahan konsentrasi elektron dan hole
yang tidak lagi memenuhi persamaan di atas. Jika atom dopan pada
semikonduktor memberikan sumbangan elektron pada material sehingga menjadi
atom yang bermuatan positif maka dikatakan atom tersebut sebagai donor
(pemberi elektron). Sebaliknya jika atom dopan pada semikonduktor menarik
elektron dari pita valensi sehingga menjadi atom yang bermuatan negatif maka
dikatakan atom tersebut sebagai akseptor. Jika jumlah atom donor lebih banyak
dari atom akseptor maka dinamakan semikonduktor tersebut bertipe negatif.
Sebaliknya jika jumlah akseptor lebih banyak daripada jumlah atom donor maka
dinamakan semikonduktor bertipe positif.
Karena elektron adalah fermion maka distribusi elektron pada pita
konduksi memenuhi fungsi distribusi Fermi-Dirac:
1
𝑓𝑒 (𝐸) = 𝐸−𝜇
𝑒 [ 𝑘𝑇 ]+1
Populasi elektron pada pita konduksi adalah:
𝑁𝑒 = ∑ 𝑓𝑒 (𝐸)
𝐶𝐵
9
dengan:
1
𝑓ℎ (𝐸) = 1 − 𝑓𝑒 (𝐸) = 1 − 𝐸−𝜇
[ ]+1
𝑒 𝑘𝑇
𝐸−𝜇
[ ]
𝑒 𝑘𝑇
= 𝐸−𝜇
[ ]+1
𝑒 𝑘𝑡
1
= 𝜇−𝐸
[ ]+1
𝑒 𝑘𝑇
−(𝐸𝑐 −𝐸𝑣 )
= (𝑛𝑐 𝑛𝑣 )𝑒 [ ]
𝑘𝑇
−𝐸𝑔
= (𝑛𝑐 𝑛𝑣 )𝑒 [ 𝑘𝑇 ]
Untuk semikonduktor murni berlaku ne = nh = ni. Dengan demikian,
konsentrasi pembawa muatan intrinsik dapat ditentukan dari persamaan di atas
sebagai:
−𝐸𝑔 −𝐸
1⁄ [ 𝑔 ]
𝑛𝑖2 = (𝑛𝑐 𝑛𝑣 )𝑒 [ 𝑘𝑇 ] atau 𝑛𝑖 = (𝑛𝑐 𝑛𝑣 ) 2 𝑒 2𝑘𝑇
10
nol Kelvin, untuk kasus ini setiap atom silikon menyumbangkan satu elektron
untuk tiap pasangan ikatan kovalen.
Apabila kristal semikonduktor tersebut diberi energi termal dengan kata
lain temperaturnya dinaikan, maka penambahan energi termal tersebut dapat
menyebabkan putusnya ikatan kovalen, hal ini dapat membangkitkan pasangan
elektron-hole dimana elektron tersebut dapat bebas dari keadaan valensi ke
keadaan konduksi sedangkan kekosongan yang ditinggalkan elektron akan
menjadi hole seperti nampak pada gambar 3b.
11
keadaan elektron valensi ini memiliki tingkat energi yang besarnya Ev. Elektron
valensi ini berkontribusi pada pembentukan ikatan kovalen antara atom-atom
penyusun kristal semikonduktor. Sedangkan keadaan dimana elektron sudah
terbebas dari ikatan kovalen disebut keadaan konduksi dengan tingkat energi Ec
(gambar 4a). Apabila kristal semikonduktor tersebut temperaturnya dinaikan
maka akan ada penambahan energi termal yang menyebabkan terputusnya ikatan
kovalen yang terbentuk. Pemutusan ikatan kovalen ini akan menghasilkan
elektron bebas yang sudah dalam keadaan konduksi dengan tingkat energi Ec.
Pada gambar 4c diilustrasikan keadaan elektron konduksi dimana setelah
terjadinya pemutusan ikatan kovalen, elektron valensi pada tingkat energi Ev akan
berpindah kekeadaan konduksi dengan tingkat energi Ec. Selisih antara tingkat
energi konduksi dengan tingkat energi valensi ini dinamakan energi celah pita
(energy gap) dimana energi gap tersebut merupakan energi minimal yang
dibutuhkan untuk memutuskan ikatan kovalen pada kristal semikonduktor.
12
Tabel 1. Energi gap bahan semikonduktor
E. Tipe Semikonduktor
Pada bahan semikonduktor, hole (kekosongan) dan elektron berfungsi
sebagai pembawa muatan listrik (pengantar arus). Semikonduktor dibagi dua
berdasarkan jenis muatan pembawanya, yaitu:
a. Semikonduktor intrinsik, adalah semikonduktor yang belum disisipkan atom-
atom lain (atom pengotor)
b. Semikonduktor ekstrinsik, adalah semikonduktor yang sudah dimasukkan
sedikit ketidakmurnian (doping). Akibat doping ini maka hambatan jenis
semikonduktor mengalami penurunan. Semikonduktor jenis ini terdiri dari
dua macam, yaitu semikonduktor tipe-P (pembawa muatan hole) dan tipe-N
(pembawa muatan elektron).
13
Apabila semikonduktor intrinsik ini dipanaskan maka akan terbentuk
pasangan elektron-hole dimana elektron bermuatan negatif dan hole dapat
dianggap sebagai muatan positif. Konsentrasi elektron pada semikonduktor
intrinsik sama dengan konsentrasi hole-nya yang dirumuskan:
𝐸𝐺
𝑛𝑖2 = 𝐵𝑇 3 𝑒 (−𝑘𝑇)
Keterangan:
EG = energi celah pita semikonduktor (eV)
B = konstanta bahan (untuk Si = 1,08x1031 K-3cm-6)
T = temperatur (K)
k = konstanta Boltzman (8,62x105 eV/K)
ni ≈ 1010 cm-3 untuk silikon pada temperatur kamar
Sedangkan pada semikonduktor ekstrinsik konsentrasi elektron dan
konsentrasi hole-nya tidak sama hal ini disebabkan oleh adanya penambahan
muatan pembawa akibat adanya atom pengotor. Sebagai contoh pemberian atom
pengotor fosfor yang memiliki elektron valensi 5. Pada semikonduktor silikon
yang bervalensi 4 akan menyebabkan adanya satu elektron yang tidak
terpasangkan untuk membentuk ikatan kovalen akibatnya elektron ekstra ini dapat
menyumbangkan pada konsentrasi elektron keseluruhan. Semikonduktor jenis ini
dinamakan semikonduktor tipe-n (negatif) karena didominasi oleh muatan
pembawa elektron seperti gambar di bawah.
14
Gambar 5. Kristal silikon yang diberi pengotor fosfor
Apabila kristal silikon diberi atom pengotor boron yang memiliki elektron
valensi 3 maka akan terbentuk ikatan kovalen yang tidak sempurna karena
terdapat satu kekosongan (hole) yang tidak terisi elektron. Sehingga dengan
demikian muatan pembawa pada kristal silikon yang telah diberi pengotor boron
akan didominasi oleh muatan positif (hole) sehingga kristal silikon akan bertipe-p
(positif) seperti gambar di bawah.
15
Kita dapat memasukkan pengotor berupa atom-atom dari kolom tiga atau
lima dalam tabel periodik (memberi doping) ke dalam silikon atau germanium
murni (lihat gambar). Elemen semikonduktor beserta atom pengotor yang biasa
digunakan diperlihatkan pada tabel 2.
Semikonduktor tipe-n
Semi konduktor tipe N termasuk dalam semi konduktor ekstrinsik (tak
murni). Konsentrasi pengotoran ini sangat kecil, dengan perbandingan atom
pengotor (asing) dengan atom asli berkisar antara 1 : 100 juta sampai dengan 1 : 1
juta. Tujuan ini adalah agar bahan kaya akan satu jenis pembawa muatan saja
(Elektron bebas saja atau hole saja) dan untuk memperbesar daya hantar
listrik.Semikonduktor tipe N ialah semikonduktor eksintrik, yang diperoleh dari
semikonduktor intrinsik yang dikotori dengan atom asing yang bervalensi 5
seperti As, Pb, P. Karena perbandingan atom pengotor dengan atom asli sangat
kecil, maka setiap atom pengotor (asing) dikelilingi oleh atom-atom asli.
Elektron valensi yang ke 5 dari atom pengotor tidak terikat dalam ikatan
kovalen sehingga menjadi elektron bebas. Dengan demikian pada bahan ini
jumlah elektron bebas akan meningkat sesuai jumlah atom pengotornya sehingga
elektron bebas menjadi pembawa muatan mayoritas dan hole (yang terbentuk
akibat suhu) menjadi pembawa muatan minoritas. Karena pembawa muatan
mayoritasnya adalah elektron bebas, sedang elektron bebas bermuatan negatif,
16
maka semikonduktor yang terbentuk diberi nama semi konduktor tipe N. dalam
hal ini N kependekan dari kata Negatif, yakni jenis muatan mayoritasnya. Jadi
tidak berarti bahwa semikonduktor ini bermuatan negatif. Semikonduktor ini tetap
netral.
Semikonduktor tipe-n dapat dibuat dengan menambahkan sejumlah kecil
atom pengotor pentavalen (antimony, phosphorus atau arsenic) pada silikon
murni. Atom-atom pengotor (doping) ini mempunyai lima elektron valensi
sehingga secara efektif memiliki muatan sebesar +5q. Saat sebuah atom
pentavalen menempati posisi atom silikon dalam kisi kristal, hanya empat
elektron valensi yang dapat membentuk ikatan kovalen lengkap, dan tersisa
sebuah elektron yang tidak berpasangan (lihat gambar 7).
Dengan adanya energi thermal yang kecil saja, sisa elektron ini akan
menjadi elektron bebas dan siap menjadi pembawa muatan dalam proses hantaran
listrik. Material yang dihasilkan dari proses pengotoran ini disebut semikonduktor
tipe-n karena menghasilkan pembawa muatan negatif dari kristal yang netral.
Karena atom pengotor memberikan elektron, maka atom pengotor ini disebut
sebagai atom donor. Secara skematik semikonduktor tipe-n digambarkan seperti
terlihat pada gambar 7.
17
Gambar 7. a) Struktur kristal silikon dengan sebuah atom pengotor valensi lima
menggantikan posisi salah satu atom silikon dan b) Struktur pita
energi semikonduktor tipe-n, perhatikan letak tingkat energi atom
donor.
Jika konsentrasi elektron bebas pada semikonduktor tipe N ini dinyatakan
dengan nn sedang konsentrasi holenya dinyatakan dengan pn dan konsentrasi
atom donor dinyatakan dengan ND maka berlaku:
nn ≈ND
Menurut hukum massa aksi hasil kali konsentrasi pembawa muatan positif
dengan pembawa muatan negatif dalam keseimbangan termal merupakan suatu
tetapan yang tidak bergantung pada donor dan aseptor yang besarnya n22. Maka
berdasarkan hukum ini berlaku
nn pn ≈ ND
𝑛22 𝑛22
𝑃𝑛 = =
𝑛𝑛 𝑁𝐷
Daya hantar jenis listriknya dapat dicari dari hubungan sebagai berikut :
𝜎 = 𝑒(𝑛𝑛 𝜇𝑛 + 𝑃𝑛 𝜇𝑛 )
𝑛2 2
𝜎 = 𝑒(𝑁𝐷 𝜇𝑛 + 𝜇 )
𝑁𝐷 𝑝
18
𝑗𝑖𝑘𝑎 𝑃𝑛 𝑑𝑖𝑎𝑏𝑎𝑖𝑘𝑎𝑛 𝑡𝑒𝑟ℎ𝑎𝑑𝑎𝑝 𝑛𝑛 𝑚𝑎𝑘𝑎 ∶
𝜎 = 𝑒𝑁𝐷 𝜇𝑛
Semikonduktor tipe-p
Semikonduktor ini diperoleh dari semikonduktor intrinsik yang dikotori
dengan atom asing yang bervalensi 3, misalnya Al, atau Ga.Karena perbandingan
atom pengotor dengan atom asli sangat kecil,maka setiap atom pengotor hanya
bervalensi 3 maka hanya menyediakan 3 elektron dalam ikatan kovalen, sehingga
ada kekurangan (kekosongan = lubang = hole). Dengan demikian pengotoran ini
menyebabkan meningkatnya jumlah hole. Sedang pembawa muatan minoritasnya
adalah elektron bebas yang terbentuk adalah elektron bebas yang terbentuk akibat
suhu. Karena hole bermuatan positif maka semikonduktor yang terbentuk disebut
semikonduktor tipe P. Seperti halnya semikonduktor tipe N,semikonduktor tipe p
bermuatan netral. karena atom pengotor menyediakan kekurangan, maka disebut
aseptor (atom aseptor).
Jika konsentrasi elektron bebas pada semikonduktor tope P ini disebut np,
konsentrasi holenya pp dan konsentrasi aseptornya NA maka analog pada
semikonduktor tipe N berlaku persamaan-persamaan :
Pp NA
𝑛𝑝 𝑝𝑝 = 𝑛2 2
𝑛2 2 𝑛2 2
𝑛𝑝 = =
𝑝𝑝 𝑁𝐴
np pp
𝑛2 2
𝜎 = 𝑒 (𝑁𝐴 𝜇𝑝 + 𝜇 )
𝑁𝐴 𝑛
Dan jika 𝑛𝑝 diabaikan terhadap 𝑃𝑝 maka
𝜎 = 𝑒𝑁𝐴 𝜇𝑝
19
atom trivalen menempati posisi atom silikon dalam kisi kristal, terbentuk tiga
ikatan kovalen lengkap, dan tersisa sebuah muatan positif dari atom silikon yang
tidak berpasangan (lihat gambar 8) yang disebut lubang (hole). Material yang
dihasilkan dari proses pengotoran ini disebut semikonduktor tipe-p karena
menghasilkan pembawa muatan negatif pada kristal yang netral. Karena atom
pengotor menerima elektron, maka atom pengotor ini disebut sebagai atom
aseptor (acceptor). Secara skematik semikonduktor tipe-p digambarkan seperti
terlihat pada gambar 8.
Gambar 8. a) Struktur kristal silikon dengan sebuah atom pengotor valensi tiga
menggantikan posisi salah satu atom silikon dan b) Struktur pita
energi semikonduktor tipe-p, perhatikan letak tingkat energi atom
aseptor.
20
vn = -µnE .......... laju hanyut elektron
vp = µpE ............laju hanyut
dimana:
vn dan vp = laju dari elektron dan hole (cm/s)
µn dan µp = mobilitas dari elektron dan hole (cm2/V.s)
Rapat arus drift untuk elektron adalah:
jn = q n µ n E
Rapat arus drift untuk hole adalah:
jp = q p µ p E
Sehingga rapat arus total drift pada semikonduktor adalah penjumlahan dari
rapat arus drift elektron dengan rapat arus drift hole.
jT = jn + jp = q (n µn + p µp)E = σ E
Konduktivitas muatan pembawa pada semikonduktor:
σ = q(n µn + p µp)
Dan resistivitasnya ρ = 1/σ
2. Arus Difusi
Arus difusi terjadi akibat adanya perbedaan konsentrasi muatan pembawa.
Arus difusi akan mengalir dari daerah yang berkonsentrasi tinggi ke daerah
yang memiliki konsentrasi rendah. Arus difusi akan sebanding dengan
gradien konsentrasi yang dirumuskan:
Arus difusi untuk hole:
𝑑𝑖𝑓𝑓 𝜕𝑝 𝜕𝑝
𝑗𝑃 = (+𝑞)𝐷𝑃 (− ) = −𝑞𝐷𝑝
𝜕𝑥 𝜕𝑥
Arus difusi untuk elektron:
𝑑𝑖𝑓𝑓 𝜕𝑛 𝜕𝑛
𝑗𝑛 = (−𝑞)𝐷𝑛 (− ) = +𝑞𝐷𝑛
𝜕𝑥 𝜕𝑥
Konstanta DP dan Dn adalah konstanta difusivitas dari hole dan elektron
Rapat arus total dalam semikonduktor adalah penjumlahan dari arus drift
dengan arus difusi yang dirumuskan:
Rapat arus total untuk elektron:
𝜕𝑛
𝑗𝑛𝑇 = 𝑞𝜇𝑛 𝑛𝐸 + 𝑞𝐷𝑛
𝜕𝑥
21
𝜕𝑝
Rapat arus total untuk hole: 𝑗𝑝𝑇 = 𝑞𝜇𝑝 𝑝𝐸 − 𝑞𝐷𝑝 𝜕𝑥
H. Doping Semikonduktor
22
Salah satu alasan utama kegunaan semikonduktor dalam elektronik adalah
sifat elektroniknya dapat diubah banyak dalam sebuah cara terkontrol dengan
menambah sejumlah kecil ketidakmurnian. Ketidakmurnian ini disebut doping.
Doping sejumlah besar ke semikonduktor dapat meningkatkan konduktivitasnya
dengan faktor lebih besar dari satu milyar. Dalam sirkuit terpadu modern,
misalnya, polycrystalline silicon didop-berat seringkali digunakan sebagai
pengganti logam.
23
energi akan sangat mudah berpindah ke pita konduksi dan berkontribusi pada
konduktivitas listrik. Atom pengotor seperti ini disebut donor (karena ia
memberikan elektron lebih) dan semikonduktor dengan donor disebut
semikonduktor tipe n.
Jika atom pengotor memiliki 3 elektron terluar (misalnya B atau Al) maka
akan ada kelebihan satu hole tiap atom. Kelebihan hole ini akan menempati
tingkat energi sedikit di atas pita valensi dan dengan sedikit tambahan energi akan
sangat mudah elektron berpindah dari pita valensi ke hole di atasnya dan
meninggalkan hole di pita valensi yang akan berkontribusi pada konduktivitas
listrik. Atom pengotor seperti ini disebut akseptor (karena ia menerima elektron
dari pita valensi) dan semikonduktor dengan akseptor disebut semikonduktor tipe
p. Untuk membuat perubahan konduktivitas yang memadai di material
semikonduktor, cukup ditambahkan sekitar 1 pengotor per sejuta atom
semikonduktor.
24
BAB III
PENUTUP
A. KESIMPULAN
Semikonduktor adalah sebuah bahan dengan konduktivitas listrik yang
berada di antara insulator dan konduktor. Merupakan material zat padat yang
memiliki harga resistivitas antara 10-2–109 Ω.cm. Semikonduktor disebut juga
sebagai bahan setengah penghantar listrik. Unsur-unsur yang banyak digunakan
sebagai bahan semikonduktor yaitu alumunium arsanide, alumunium gallium
arsanide,boron nitride, cadmium sulfide, cadmium selenide, berlian, gallium
arsanide, gallium nitride, germanium, indium phosphide, silicon, silicon carbide,
silicon germanium, silicon on insulator, zinc sulfide, zinc selenide.
Semikonduktor dibagi dua berdasarkan jenis muatan pembawanya, yaitu:
c. Semikonduktor intrinsik, adalah semikonduktor yang belum disisipkan atom-
atom lain (atom pengotor)
d. Semikonduktor ekstrinsik, adalah semikonduktor yang sudah dimasukkan
sedikit ketidakmurnian (doping). Akibat doping ini maka hambatan jenis
semikonduktor mengalami penurunan. Semikonduktor jenis ini terdiri dari
dua macam, yaitu semikonduktor tipe-P (pembawa muatan hole) dan tipe-N
(pembawa muatan elektron).
25
DAFTAR PUSTAKA
26