TUGAS KELOMPOK

“MENENTUKAN NILAI LEBAR DEPLESI, MEDAN LISTRIK, DAN

DIAGRAM BAND DOUBLE HETEROJUNCTION DIODES”

MATA KULIAH FISIKA TEKNIK LANJUT

Nama / NRP :
MUHAMMAD ROY ASHIDDIQI (02311850010012)

BACHTIYAR BUDI SISWANTO (02311850023041)

MOCH RIZAL F (02311850020003)

JURUSAN TEKNIK FISIKA

BIDANG MINAT ENERGI TERBARUKAN
FAKULTAS TEKNOLOGI INDUSTRI
INSTITUT TEKNOLOGI SEPULUH NOPEMBER
Jln. Arief Rahman Hakim, Surabaya 60111 Indonesia
 DOUBLE HETEROJUNCTION DIODES
GaSb (n) / GaAlAsSb (p) / GaSb (p)

Ga1−x Alx As1−y Sb y  Aplikasi : Near-Infrared Wevelenght Range

Diketahui :
Eg1 = 0,725 eV  GaSb = 300 K
Eg2 = 1,313 eV  GaAlAsSb ; x = 0,47 ; y = 0,96
ND = 1 ± 0,5 x 1018 cm-3  GaSb type-n
Na = 5 ± 0,5 x 1018 cm-3  GaAlAsSb type-p
ΔEc = 0,35 eV
ΔEv = 0,24 eV
Vbi = 0,852 eV
V = 0 eV  Thermal Equilibrum Heterojunctions
NB = 1018 cm-3  NB = ND pada p-n Junction
ε0 = 8,854 x 10-14 F/cm
ε1 = 15,7
ε2 = 12,2

ε s1 =ε GaSb . ε 0 = 15,7 . 8,854 x 10-14 F/cm = 1,39 x 10-12 F/cm

ε s2=ε GaAlAsSb . ε 0 = 12,2 . 8,854 x 10-14 F/cm = 1,08 x 10-12 F/cm

ΔE c 0 ,35 eV
Δχ= = =2,8eV
0,5 . x . (1−x ) 0,5.0 ,47 .(1−0, 47)
qχ1 = 0,725 eV  Asumsi = Eg1
qχ2 = Δχ + qχ1 = 3,54 eV
Jawaban :
1. Ya, Terdapat daerah akumulasi akumulasi elektron, Sehingga terdapat bentuk lancip
kearah bawah pada n-p Junctions dan lancip ke atas pada p-n Junction dengan bentuk
lancip dipengaruhi oleh ΔEv dan Lebar Deplesi x1 dan x2.
2. ε 1 . ε 2 . N a .(V bi −V )
2.
x 1=
√ q . N d .( ε 1 . N d + ε 2 . N a )
−14 18
2⋅15 ,7⋅12 ,2⋅(8 , 854⋅10 )⋅(5⋅10 )⋅(0 , 852−0 )
x 1=
√ (1 , 66⋅10−19 )⋅1018⋅(15 , 7⋅10 18+12 , 2⋅(5⋅1018 ))
−6
x 1=3 , 37⋅10 cm

2 . ε 1 . ε 2 . N d .(V bi−V )
x 2=
√ q . N a .(ε 1 . N d +ε 2 . N a )
2⋅15 , 7⋅12 , 2⋅(8 ,854⋅10−14 )⋅1018⋅(0 ,852−0)
x 2=
√
(1 , 66⋅10−19 )⋅(5⋅1018 )⋅(15 , 7⋅1018 +12 ,2⋅(5⋅1018 ))
x 2=6 ,74⋅10−7 cm

W =x 1 + x2 =3 , 37⋅10−6 +6 , 74⋅10−7 =4 , 04⋅10−6 cm

Gambar I : terlampir

q⋅N B⋅W 1 ,66⋅10−19⋅1018⋅4 , 04⋅10−6

Em 1 = = =4 , 83⋅10 5 V /cm
3. εs 1 1 ,39⋅10−12

q⋅N B⋅W 1 ,66⋅10−19⋅1018⋅4 , 04⋅10−6

Em 2 = = =4 , 83⋅10 5 V /cm
εs 1 1 ,39⋅10−12
6
Em Total=Em 1 +E m 2=1,1⋅10 V /cm

4. Variasi :
ND 1 = 1015 cm-3 Na 1 = 1015 cm-3
ND 2 = 1017 cm-3 Na 2 = 1017 cm-3
ND 3 = 1019 cm-3 Na 3 = 1019 cm-3

Persamaan yang dipakai :

2. ε 1 . ε 2 . N a .(V bi −V ) 2 . ε 1 . ε 2 . N d .(V bi−V )
x 1=
√
q . N d .( ε 1 . N d + ε 2 . N a )
W=x 1 + x2
dan
x 2=
√ q . N a .(ε 1 . N d +ε 2 . N a )
  Na = 5x1018 cm-3 ; Nd = 1015 cm-3  Nd = 1018 cm-3 ; Na = 1015 cm-3
x1 = 1,19x10-4 cm x1 = 1,05x10-7 cm
x2 = 2,39x10-8 cm x2 = 1,05x10-4 cm
W = 1,19x10-4 cm W = 1,05x10-4 cm
 Na = 5x1018 cm-3 ; Nd = 1017 cm-3  Nd = 1018 cm-3 ; Na = 1017 cm-3
x1 = 1,18x10-5 cm x1 = 1,01x10-6 cm
x2 = 2,36x10-7 cm x2 = 1,01x10-5 cm
W = 1,20x10-5 cm W = 1,12x10-5 cm
 Na = 5x1018 cm-3 ; Nd = 1019 cm-3  Nd = 1018 cm-3 ; Na = 1019 cm-3
x1 = 6,32x10-7 cm x1 = 3,56x10-6 cm
x2 = 1,26x10-6 cm x2 = 3,56x10-7 cm
W = 1,90x10-6 cm W = 3,91x10-6 cm

Em pada Nd = 1015 = 1,43 x107 V/cm

Em pada Nd = 1017 = 1,44 x106 V/cm
Em pada Nd = 1019 = 2,26x105 V/cm

Em pada Na = 1015 = 1,26 x107 V/cm

Em pada Na = 1017 = 1,33 x106 V/cm
Em pada Na = 1019 = 4,67x105 V/cm

W pada Nd = 1015 = 1,19x10-4 cm

W pada Nd = 1017 = 1,20x10-5 cm
W pada Nd = 1019 = 1,90x10-6 cm

W pada Na = 1015 = 1,05x10-4 cm

W pada Na = 1017 = 1,12x10-5 cm
W pada Na = 1019 = 3,91x10-6 cm

Kesimpulan :
Semakin besar nilai Na dan Nd mengakibatkan semakin kecilnya lebar Deplesi dan
Medan listrik maksimum.

Gambar II : terlampir

5. * Penambahan 1 lapis semikonduktor type-p GaSb dengan Nd (diketahui) maka :

x1 = 3,36x10-6 cm
x2 = 6,74x10-7 cm
W = 4,04x10-6 cm
Em1 = 4,83x105 V/cm
Em2 = 6,21x105 V/cm

* Penambahan 1 lapis semikonduktor type-p GaSb dengan Nd = 1015 cm-3 maka :

x1 = 1,19x10-4 cm
x2 = 2,39x10-8 cm
W = 1,19x10-4 cm
Em1 = 1,43x107 V/cm