Deplesi-Medan-Band Gap
Deplesi-Medan-Band Gap
Diketahui :
Unit Nilai Satuan Keterangan
Eg1 0.725 eV
Eg2 1.313 eV
ε1 15.7
ε2 12.2
ΔEc 0.35 eV
ΔEv 0.24 eV
Na 5E+018 /cm3
Nd 1E+018 /cm3
Vbi 0.852 eV
V 0 eV Thermal Eguilibrum
T 300 K
x 0.47 eV GaAlAsSb
y 0.96 eV GaAlAsSb
q 1.66E-19 C
Nb 1E+018 /cm3 =Nd pada P-n Junction
εs 1.390106E-12 F/cm Permitivitas Silicon (GaSb)
εs 1.08021E-12 F/cm Permitivitas Silicon (GaAlAsSb)
ΔX 2.81 eV
qX1 0.725 eV Asumsi = Eg1
qX2 3.54 eV
ε0 8.85418E-14 F/cm
Solve No.
1.
Ya, Terdapat daerah akumulasi akumulasi elektron, Sehingga
terdapat bentuk lancip kearah bawah pada n-p Junctions dan lancip
ke atas pada p-n Junction dengan bentuk lancip dipengaruhi oleh
ΔEv dan Lebar Deplesi x1 dan x2.
2. x1 3.368775E-06 cm
x2 6.73755E-07 cm
W 4.04253E-06 cm
3. Em1 = 4.83E+05 V/cm Em2 = 6.21E+05 V/cm
Em Tot 1.10E+06 V/cm
Variations :
Nd 1 1E+15 Na 1 1E+15
Nd 2 1E+017 Na 2 1E+017
Nd 3 1E+019 Na 3 1E+019
Na = 5x10^18 & Nd = 10^15 Nd = 10^18 & Na = 10^15
x1 1.19E-04 cm x1 1.05E-07 cm
x2 2.39E-08 cm x2 1.05E-04 cm
W 1.19E-04 cm W 1.05E-04 cm
Na = 5x10^18 & Nd = 10^17 Nd = 10^18 & Na = 10^17
x1 1.18E-05 cm x1 1.01E-06 cm
x2 2.36E-07 cm x2 1.01E-05 cm
W 1.20E-05 cm W 1.12E-05 cm
Na = 5x10^18 & Nd = 10^19 Nd = 10^18 & Na = 10^19
x1 6.32E-07 cm x1 3.56E-06 cm
x2 1.26E-06 cm x2 3.56E-07 cm
W 1.90E-06 cm W 3.91E-06 cm
5.
Penambahan 1 Lapis Semikonduktor type-P GaSb dgn Nd (diketahui), maka :
x1 3.368775E-06 cm
x2 6.73755E-07 cm
W 4.04253E-06 cm
Em1 4.83E+05 V/cm
Em2 6.21E+05 V/cm