PENGANTAR MATERIAL ELEKTRONIKA

SEMIKONDUKTOR
Pert-5 (Rabu, 18 Maret 2020. 08.30-11.00)
lanjutan
 ENERGI CELAH PITA (BANDGAP)

Energi celah pita

(bandgap) merupakan
energi minimum yang
dibutuhkan untuk
membebaskan elektron
dari ikatan kovalen
dalam kristal semikon-
duktor
 TIPE SEMIKONDUKTOR
Semikonduktor Intrinsik
 Semikonduktor Intrinsik merupakan semikonduktor murni yang
belum diberi atom pengotor (impuritas)
 Kerapatan elektron dalam semikonduktor intrinsik

EG = Energi celah pita semikonduktor dalam eV

B = Konstanta Bahan (untuk Si B=1,08 x 10 31 K-3 cm-6
T = temperatur (K)
k = konstanta Boltzmann 8,62 x 10 -5 eV/K

ni  1010 cm-3 untuk silikon pada temperatur kamar

 Apabila semikonduktor mendapatkan energi termal,
maka hal ini dapat menyebabkan pecahnya ikatan
kovalen yang akan menghasilkan elektron bebas
 Akibat ditinggalkan oleh elektron maka pada pita
valensi terdapat kekosongan-kekosongan yang
disebut lubang (hole)
 hole dapat dianggap sebagai muatan positif yang
dapat bergerak ketika kekosongan (lubang) diisi oleh
elektron yang berasal dari pecahnya ikatan kovalen
atom tetangga terdekat.
 Pergerakan hole ini disebut arus hole

Pada semikonduktor intrinsik kerapatan hole (p)

sama dengan kerapatan elektron (n)
pn = n2
 SEMIKONDUKTOR INTRINSIK

Generasi hole
dan elektron

Gerakan hole

hole
Elektron
bebas
GAMBARAN TENTANG PEMBENTUKAN HOLE
 ARUS LISTRIK PADA BAHAN SEMIKONDUKTOR

Elektron dan hole keduanya memberi kontribusi pada aliran arus listrik dalam bahan
semikonduktor intrinsik
 SEMIKONDUKTOR EKSTRINSIK

 Semikonduktor ekstrinsik merupakan semikonduktor murni

yang telah diberi atom pengotor (impuritas)

 Proses penambahan atom pengotor (impuritas) disebut

doping

 Dengan proses pendopingan tersebut memungkinkan

adanya kontrol terhadap harga resistivitas bahan

 Untuk silikon, atom pengotornya diambil dari atom

golongan III dan V dalam tabel periodik
 DOPING SEMIKONDUKTOR
Penambahan atom-atom impuritas dari golongan yang berbeda dalam kisi kristal silikon atau
germanium, akan menghasilkan perubahan dramatis pada sifat-sifat listriknya dan
menghasilkan semikonduktor tipe-n dan tipe-p.

Boron, Aluminium,
Antimoni, Arsen,
Galium
Fosfor
(3 elektron valensi)
(5 elektron
Menghasilkan
valensi)
semikonduktor tipe-
Menghasilkan +5
+ 51
p oleh pembentukan
semikonduktor
hole atau
tipe-n oleh
kekosongan
kontribusi
elektron
elektron
tambahan
 Apabila atom pengotor dapat menyumbangkan elektron
pada semikonduktor murni maka pengotor tersebut disebut
atom donor

 sebagai atom donor pada Si

diambil dari golongan V seperti
fosfor

 Atom fosfor memiliki elektron

valensi 5, sehingga ketika
membentuk ikatan dengan
atom Si maka akan
menyumbangkan satu elektron

 Tipe semikonduktor
ekstrinsik ini adalah tipe-n
 Apabila atom pengotor memerlukan elektron tambahan agar
dapat berikatan dengan atom semikonduktor murni,maka
pengotor tersebut disebut atom aseptor

 sebagai atom aseptor pada Si

diambil dari golongan III
seperti Boron

 Atom Boron memiliki elektron

valensi 3, sehingga ketika
membentuk ikatan dengan
atom Si maka akan
menyumbangkan satu hole

 Tipe semikonduktor
ekstrinsik ini adalah tipe-p
MODEL ENERGI PITA PADA SEMIKONDUKTOR EKSTRINSIK
Semikonduktor yang telah didoping
atom donor
Atom donor memiliki elektron
bebas dengan energi ED yang
relatif kecil, sehingga
memudahkan perpindahan
Elektron dari atom donor ke pita
konduksi
Semikonduktor yang telah didoping atom
aseptor
Ikatan yang terbentuk antara atom
aseptor dengan semikonduktor murni
akan menghasilkan kekosongan dengan
energi EA, Keadaan tersebut akan
memudahkan pindahnya elektron dari
pita valensi ke tingkat keadaan aseptor
 TIPE ARUS LISTRIK DALAM SEMIKONDUKTOR
ARUS HANYUT (DRIFT)

 Ketika semikonduktor diberi medan listrik, maka partikel-

partikel bermuatan akan bergerak atau hanyut (drift)
yang disebut arus hanyut (arus drift)
 Laju drift dari partikel bermuatan tersebut berbanding
lurus dengan medan listrik E

dan

vn dan vp adalah laju dari elektron dan hole (cm/s)

n dan p adalah mobilitas dari elektron dan hole (cm 2/V.s)

 Rapat arus drift

jn = qn n E (A/cm2)
jp = qp p E (A/cm2)

jT = jn + jp = q(n n + p p)E= E

Konduktivitas =q(n n + p p) (1/.cm)

Resistivitas  = 1/  (.cm)
ARUS DIFUSI

 Arus Difusi terjadi akibat adanya perbedaan

konsentrasi muatan pembawa
 Arus Difusi mengalir dari daerah yang memiliki
konsentrasi muatan tinggi ke daerah yang
konsentrasi muatannya rendah
 Arus difusi sebanding dengan gradien konsentrasi

Konstanta DP dan Dn adalah konstanta difusivitas dari

hole dan elektron
 ARUS TOTAL DALAM SEMIKONDUKTOR

Arus total dalam semikonduktor adalah penjumlahan dari

arus drift dan arus difusi
PEMBENTUKAN SEMIKONDUKTOR SAMBUNGAN pn

Semikonduktor Silikon yang didoping fosfor akan

menyebabkan konsentrasi elektronnya meningkat (tipe-n)

elektron

Atom Donor
Semikonduktor silikon yang didoping Boron akan menyebabkan
konsentrasi holenya meningkat (tipe-p)

hole

Atom aseptor
 Pembentukan sambungan pn dapat dilakukan dengan
menggabungkan semikonduktor tipe-p dengan tipe-n

Tipe-p dengan konsentrasi atom

aseptor NA

hole
elektron

Tipe-n dengan konsentrasi

Atom donor ND
Karena adanya perbedaan konsentrasi maka:
 elektron akan berdifusi dari tipe-n ke tipe-p
 hole akan berdifusi dari tipe-p ke tipe-n

Ketika elektron bertemu dengan hole maka

elektron akan mengisi hole
 Daerah pertemuan elektron dengan hole akan menjadi
daerah muatan ruang (lapisan deplesi)
 Dalam daerah muatan ruang tersebut akan terbentuk
medan listrik E

Daerah muatan positif Daerah muatan negatif

 Tanpa panjar
Tipe-n Tipe-p

Tipe-n Tipe-p
 Tanpa Panjar
Tipe-n Tipe-p

Tipe-n Tipe-p