Transistor : DC Biasing 1

Fix-Bias Configuration

1
 Pendahuluan
 Dalam analisis dan perancangan perlu mengetahui respon DC dan AC
dari sistem.
 Meningkatkan tegangan, arus maupun daya dipengaruhi oleh suplai
tegangan DC.
 Informasi penting untuk pendekatan analisis pada transistor :

VBE  0.7 volt

I E     1 I B  I C
IC   I B
 Langkah pertama perlu dicari arus basis (IB).
 Aturan rangkaian listrik, hukum kirchoff, thevenin, dll.

2
 Titik operasi

 Titik A,B,C,D dikenal istilah titik

Q (Quiescent).

3
 Titik operasi

 Operasi cutoff, saturasi, aktif (linear

amplification) :
 Operasi daerah linear.
o Base-emitter junction forward-biased
o Base-collector junction reverse-biased
 Operasi daerah cutoff.
o Base-emitter junction reverse-biased
o Base-collector junction reverse-biased
 Operasi daerah saturasi.
o Base-emitter junction forward-biased
o Base-collector junction forward-biased

4
 Konfigurasi fixed-bias

Rangkaian fixed-bias DC ekivalen

 Analisis DC untuk kapasitor :
f  0 Hz
1 1
XC    
5 C 2 fC
 Konfigurasi fixed-bias
 Forward bias of base-emitter.

Kirchoff :
VCC  I B RB  VBE  0
Mencari arus basis ( I B ) :
VCC  VBE
IB 
RB
 Resistor RB di set agar arus IB berada pada operasi linear (daerah titik
Q).

6
 Konfigurasi fixed-bias
 Collector-emitter loop.
Relasi I B dan I C :
IC   I B
Kirchoff tegangan :
VCE  I C RC  VCC  0
VCE  VCC  I C RC

Brief review :
VCE  VC  VE
VCE  VC  VE  0 volt
VBE  VB  VE
7
VBE  VB  VE  0 volt
 Konfigurasi fixed-bias
 Contoh 1 :
Perhatikan rangkaian konfigurasi fixed-bias berikut :

 Hitunglah :
 IBQ dan ICQ.
 VCEQ.
 VB dan VC.
 VBC.

8
 Konfigurasi fixed-bias
 Jawaban contoh 1:
 IBQ dan ICQ.
VCC  VBE 12V  0.7 V
I BQ    47.08  A
RB 240 Kohm
I CQ   I BQ  (50 ) (47.08  A)  2.35 mA

 VCEQ. • VB dan VC.

VCEQ  VCC  I C RC
VB  VBE  0.7 V
VC  VCE  6.83V
 12V  (2.35 mA)(2.2 Kohm)
 6.83V
• VBC.
VBC  VB  VC
 0.7 V  6.83V
9  6.13V
 Konfigurasi fixed-bias
 Transistor saturation.

actual approximate

VCC
I Csat 
RC
VCE
RCE   0 ohm
10 IC
 Konfigurasi fixed-bias
 Load-line analysis.

karakteristik

 Relasi IC dan VCE.

VCE  VCC  IC RC

Cut off : VCE  VCC I C  0 mA

VCC
Saturasi : I C 
11 RC VCE  0V
 Konfigurasi fixed-bias
 Load-line analysis.
Jika VCC fix dan RC
Mengubah resistor RB yang diganti.
menjadikan variasi IB,
fix VCC dan RC.

Jika RC fix dan VCC

yang diganti.

12
 Konfigurasi fixed-bias
 Contoh 2 :
Perhatikan gambar garis beban dan titik Q, hitung nilai VCC, RC
dan RB pada konfigurasi fixed-bias.
VCE  VCC  20 V saat I C  0 mA
VCC
IC  saatVCE  0V
RC

VCC 20 V
RC    2 Kohm
I C 10 mA
VCC  VBE
IB 
RB
VCC  VBE 20 V  0.7 V
RB    772 Kohm
IB 25  A
13
 Transistor : DC Biasing 2
Emitter-Bias Configuration

14
 Konfigurasi emitter-bias

 Cara analysis :
 Base-emitter loop
 Collector-emitter loop.

15
 Konfigurasi emitter-bias
 Base-emitter loop.
Hukum kirchoff :
VCC  I B RB  VBE  I E RE  0
VCC  I B RB  VBE     1 I B RE  0
dimana I E     1 I B
 I B  RB     1 RE   VCC  VBE  0
I B  RB     1 RE   VCC  VBE

ekivalen Solusi IB.

VCC  VBE
IB 
RB     1 RE

Ri     1 RE
16
 Konfigurasi emitter-bias
 Collector-emitter loop.
Hukum kirchoff :
I E RE VCE IC RC VCC  0
VCE VCC  IC RC RE 0
dimana : I E  I C
VCE  VCC  IC R C RE 
Tegangan VB.
VB  VCC  I B RB
Tegangan VC. Tegangan VE. atau
VCE  VC VE VE  I E RE VB  VBE  VE
VC  VCE VE
atau
17
VC  VCC  IC RC
 Konfigurasi emitter-bias
 Contoh 3 :
Perhatikan rangkaian konfigurasi emitter-bias berikut.

Hitunglah :
• IB dan IC.
• VCE, VC dan VE.
• VB dan VBC.

18
 Konfigurasi emitter-bias
 Jawaban contoh 3 :
 IB dan IC.
VCC  VBE 20 V  0.7 V IC   I B
IB  
RB     1 RE 430 K   (51)(1 K )
 (50)(40.1  A)  2.01 mA
19.3 V
  40.1  A
481 K 

 VCE, VC dan VE.

VCE  VCC  IC  RC  RE  VC  VCC  IC RC VE  VC  VCE
 20 V  (2.01 mA)(3 K)  20 V  (2.01 mA)(2 K)  15.98 V 13.97 V
 13.97 V  15.98 V  2.01V

 VB dan VBC.
VB  VBE  VE VBC  VB  VC
 0.7 V  2.01 V  2.71V 15.98 V
19
 2.71V  13.27 V (reverse  biased as required )
 Konfigurasi emitter-bias
 Saturation level.

Saat VCE = 0V.

VCC
I Csat 
RC  RE

Komponen nilai diambil dari contoh 3.

VCC
I Csat 
RC  RE
20 V

2 Kohm  1 Kohm
 6.67 mA
20
 Konfigurasi emitter-bias
 Load-line analysis.

Pers. Collector  Emitter Loop :

VCE  VCC  I C  RC  RE 

Cut off : VCE  VCC IC  0 mA

VCC
Saturasi : I C 
RC  RE VCE  0V

21
 Konfigurasi emitter-bias
 Contoh 4 :
Perhatikan gambar rangkaian dan karakterisik berikut.

(a) Gambarkan garis beban.

(b) Jika Q diperpotongan arus IB = 15 uA. Hitung ICQ dan VCEQ.
(c) Hitung beta DC di titik Q.
22 (d) Hitung nilai RB jika menggunakan nilai beta.
 Konfigurasi emitter-bias
 Jawaban contoh 4 :
 Bagian (a). IB 

VCC 18V
VCE  0V  I C    5.45 mA
RC  RE 3.3 Kohm
I C  0 mA VCE  VCC  18V
 Bagian (b).
VCEQ  7.5V dan ICQ  3.3 mA
 Bagian (c).
IC 3.3 mA
  Q
 220
IB 15  A
Q

 Bagian (d).
VCC  VBE
IB 
RB     1 RE
17.3V 13.65V
15  A   RB   910 Kohm
23 RB  (221)(1.1 Kohm ) 15  A
24