Pertemuan 2

ELEKTRONIKA DASAR
GANJIL 2016-2017
 Konduktor adalah ditujukan pada setiap
bahan yang mudah mengalirkan muatan
ketika sebuah sumber tegangan dipasang
melintasi terminalnya
 Isolator adalah sebuah bahan yang sangat
rendah tingkat konduktifitasnya sekalipun
dibawah tekanan tegangan yang diterapkan
terhadapnya
 Semikonduktor adalah sebuah bahan yang
mempunyai tingkat konduktifitas diantara
isolator dan konduktor.
 Semikonduktor adalah atom yang berisi 4
atom valensi, sehingga semikonduktor bukan
konduktor maupun isolator.
 Bahan semikonduktor terdiri dari silikon (Si),
germanium (Ge) dan Carbon (C).
 Silikon dan germanium digunakan untuk
membuat bahan solid state
 Carbon utamanya digunakan dalam
pembuatan resistansi dan potensiometer
 Silikon lebih sering digunakan karena lebih
toleran terhadap panas
 Sebuah atom
mempunyai
inti atom
disebut
nucleus
(proton dan
neutron), inti
atom ini
dikelilingi
oleh elektron
dengan orbit
masing-
masing
Hukum dasar yang menjelaskan hubungan antara
elektron dengan kulit orbit :
 elektron bergerak dalam kulit orbit. Elektron tidak
dapat mengelilingi inti atom dalam ruangan yang ada
antara dua buah kulit orbit.
 setiap kulit orbit berhubungan dengan sebuah range
energi khusus,elektron-elektron yang bergerak dalam
suatu kulit orbit akan memiliki sejumlah energi yang
sama.
Catatan : level energi dalam kulit akan meningkat
ketika makin jauh dari inti atom. Hal ini dapat
disimpulkan maka elektron valensi selalu memilki
level energi yang tertinggi dalam setiap atom.
Hukum dasar yang menjelaskan hubungan
antara elektron dengan kulit orbit :
 elektron untuk berpindah dari suatu kulit ke
kulit yang lain menyerap energi untuk
menyesuaikan level energi antara level energi
kulit awal dengan level energi kulit yang
dituju.
 Jika suatu atom menyerap cukup energi untuk
berpindah dari suatu kulit yang satu kekulit
yang lain, sebenarnya elektron ini kembali
melepaskan energi yang diserapnya dan
mengembalikannya ke kulit energi yang
rendah
Pita Konduksi e4=1.8eV

Celah Energi

Pita Valensi
e3=0.7eV

e2
e1
 Jika tidak ada tekanan dari luar yang
menyebabkan konduksi, jumlah elektron sama
dengan jumlah proton, sehingga muatan neto
dari atom adalah nol
 Jika atom kehilangan satu elektron valensi,
muatan atom akan positif
 Jika sebuah atom dengan elektron valensi yang
kurang satu, muatan dari atom adalah negatif
 Ketika sebuah elektron menyerap energi untuk
mengatasi perbedaan level energi (energy gap),
elektron berpindah dari pita valensi ke pita
konduksi (ter-eksitasi) yaitu menyerahkan
energinya untuk diserap dan kembali ke energi
dasarnya (energi yang diberikan dalam bentuk
cahaya dan panas)
 Adalah metode dimana beberapa atom
melengkapkan valensinya dengan membagi
elektron valensinya dengan atom lainnya.
 Dari gambar sebelumnya atom yang ditengah
mempunyai 8 (4 miliknya + 4 dari tetangga)
elektron valensi
 Hasilnya adalah
◦ Atom digenggam bersama, membentuk zat padat
◦ Atom semuanya stabil secara listrik, karena valensi
terluarnya lengkap (ikatan atom silikon berfungsi
sebagai isolator)
Ketika
elektron
valensi
berpindah ke
pita konduksi,
sebuah gap
tinggal dalam
ikatan valensi,
dikenal
sebagai Hole
 Untuk setiap elektron pita konduksi, pasti
keluar sebuah hole pita valensi dikenal
sebagai pasangan elektron-hole
 Artinya dalam beberapa saat (mikrodetik)
terjadi elektron bebas, yang memberikan
energinya dan jatuh dalam salah satu hole
pita valensi (recombinasi)
 Sampai disini silikon murni (intrinsic) sudah
berfungsi sebagai konduktor tetapi jelek.
 Untuk menambah sifat konduksi dari silikon
murni dilakukan doping.
 Doping adalah penambahan atom
ketakmurnian (impurity) pada silikon murni
 Bahan untuk doping yaitu trivalent dan
pentavalent
 Trivalen adalah bahan yang mempunyai 3
elektron valensi
 Pentavalent mempunyai 5 elektron valensi
 Ketika atom trivalent ditambahkan pada
semikonduktor intrinsic, menghasilkan
material yang disebut type-p
 Ketakmurnian pentavalent ditambahkan akan
menghasilkan material type-n
 Lebih banyak
elektron untuk
melengkapi pita
kovalen
 Antimony
berbagi 1
elektron dengan
4 elektron Si
disekitarnya
 Elektron
Antimony ke 5
tidak punya
ikatan
 Jika jutaan atom antimony ditambahkan pada
silikon murni, menghasilkan jutaan elektron
yang tidak menjadi bagian dari ikatan kovalen
 Karena mempunyai banyak elektron pada pita
konduksi dibanding hole pada pita valensi,
elektron disebut pembawa mayoritas
(mayority carries) dan hole disebut pembawa
minoritas (minority carries)
 Istilah lain yang digunakan adalah donor ion
 Gap antara pita
konduksi dan
pita valensi
semakin
sempit
 Kekurangan
elektron untuk
pita valensi
 Akibatnya
pada ikatan
kovalen
terdapat
sebuah hole
pada pita
valensi
 Jika jutaan atom trivalent ditambahkan pada
silikon murni, menghasilkan material yang
berisi jutaan hole pada pita valensi
 Hole menjadi pembawa mayoritas pada pita
velensi dan elektron pembawa minoritas pada
pita konduksi
 Istilah lain adalah akseptor ion
 Adalah gabungan material type-p dan material
type-n.
 Ketika 2 material digabung, beberapa elektron
bebas dalam material type-n mulai menyebar
melewati junction ke material type-p
 Elektron bebas yang melewati junction
terperangkap dalam hole material type-p,
hasilnya ikatan kovalen menjadi lengkap

 Penyebaran elektron melalui junction

menghasilkan
 1 muatan neto posisif pada material type-p
 1 muatan neto negatif pada material type-n
 Jika penyebaran elektron terjadi dalam jumlah
besar, junction dikelilingi oleh layer
pengosongan pembawa mayoritas yang
disebut depletion layer
 Muatan dari layer bermuatan positif pada sisi
n dan negatif pada sisi p.
 Dengan adanya muatan positif pada sisi n
dan negatif pada sisi p menyebabkan
perbedaan tegangan yang melewati junction
biasanya dalam milivolt yang dikenal sebagai
tegangan barrier.
 Nilai pn-junction tergantung pada
kemampuan mengontrol lebar depletion layer
 Lebar depletion layer mempengaruhi nilai
resistansi dan arus pn-junction
 Pembiasan ada dua yaitu bias maju/forward
bias (pn junction mempunyai depletion layer
minimum) dan bias mundur/reverse bias (pn
junction mempunyai depletion layer yang
maximum).
 Junction pn dibias forward jika diberi
tegangan yang menyebabkan material type-n
lebih negatif dari matrial type-p
 Tegangan negatif digunakan pada material
type-n dan tegangan positif pada material
type-p
 Hasilnya berupa
◦ Pembawa mayoritas dalam material type-n dan
type-p didorong menuju junction
◦ Pembawa minoritas dalam material type-n dan
type-p menjauhi junction
 Bila Tegangan 𝑉 cukup untuk mengatasi
tegangan barrier di junction, pembawa mayoritas
dari kedua material merusak depletion layer
sehingga menyebabkan konduksi pada junction.
Disisi lain arus menjadi besar karena melewati
resistansi bulk (𝑅𝑏 ) yang besarnya sekitar 5 ohm
atau lebih kecil (biasanya diabaikan dalam
perhitungan rangkaian)
 Ketika pn junction dibias maju, tegangan forward
(𝑉𝑓 ) melewati junction lebih besar dari tegangan
barrier dari komponen (𝑉𝑓 = 0,7 V untuk Silikon
dan 𝑉𝑓 = 0,3 V untuk Germanium)
 Sebuah pn junction dibias balik ketika
digunakan tegangan yang menyebabkan
material type-n lebih positif dari material
type-p
 Layer depleksi menjadi lebih lebar dan arus
junction dikurangi mendekati nol
 Tegangan positif dihubungkan pada material
type-n dan tegangan negatif pada material
type-p menyebabkan
◦ Pembawa mayoritas didorong menjauhi junction
◦ Pembawa minoritas didorong menuju junction

Akibatnya layer depleksi di kedua sisi junction

melebar, sehingga resistansi junction membesar
secara drastis.
 Dioda
◦ Dioda semikonduktor
◦ Karakteristik dioda
◦ Doida ideal
 Bahan ajar elektronika program studi teknik
telekomunikasi jurusan teknik elektro PNUP
 Boylestad R., Louis Nashelsky. “Electronic
Devices and Circuit Theory”, Edisi Ketujuh.
Prenstice Hall, USA.
 Roberson C.R., “Fundamental Electrical and
Electronic Principles”. Edisi Ketiga. Elsevier.
USA.