19

PENDAHULUAN

Latar Belakang
Kajian material ferroelektrik semakin banyak dilakukan dan
dikembangkan oleh para ilmuwan. Beberapa material ferroelektrik yang sering
digunakan adalah : Barium Strontium Titanate (BST), Lead Zirconium titanate
(PZT), Strontium Titanate (STO). Barium Strontium titanate (BST) thin film
banyak diaplikasikan sebagai Non Volatile Memory Device, Dynamic random
Acces Memory (DRAM), voltage tunable device, Infra Red (IR), sensor
kelembaban, sensor cahaya dan sensor gula. Karakteristik sifat kelistrikan dan
material lapisan tipis BST tergantung pada metode pembuatan film, jenis material
doping, suhu annealing, dan ukuran grain. Metode pembuatan BST thin film
diantaranya adalah Pulsed Laser Deposition (PLD), Metal organic Solution
Deposition (MOSD), Sol-Gel Process dan RF Magnetron Sputtering. Pada
penelitian ini, akan disintesa film tipis BST (Ba0.5Sr0.5TiO3) menggunakan metode
Chemical Solution Deposition (CSD) (Azizahwati, 2002). Salah satu aplikasi
material ferroelektrik ditunjukkan pada Gambar 1.
Fotodioda adalah salah satu contoh fotodetektor, yaitu sebuah alat
optoelektronika yang dapat mengubah cahaya datang menjadi besaran listrik.
Menurut Miles, efek fotodetektor berupa konversi energi foton menjadi energi
listrik secara langsung. Si berbasis fotodetektor sensitif didaerah cahaya tampak
dan infra merah. Respon Si berbasis fotodetektor rendah pada daerah ultraviolet
karena energi bandgapnya yang kecil ( 1.1 eV pada suhu ruang) (Lin et al., 2006).
Beberapa fotodetektor yang telah dikembangkan adalah ZnSe metal–insulator–
semiconductor (MIS). Fotodetektor ini sensitif pada daerah UV karena
bandgapnya yang lebar. Selain itu, fotodetektor merupakan sensor cahaya atau
sensor energi elektromagnetik lainnya yang dapat mendeteksi dan mengukur
output laser atau jenis sumber lainnya. Fotodetektor adalah devais yang dapat
memberikan respon listrik yang bermanfaat untuk mengukur radiasi
elektromagnetik yang datang. Fungsi fotodetektor diantaranya adalah devais
 20

Gambar 1. Aplikasi BST berupa RAM

penting pada hampir seluruh sistem listrik-optik dan laser. Fotodetektor menerima
cahaya datang dan mengubahnya menjadi respon yang dapat diukur sehinga
dibutuhkan pengukuran intensitas atau iradians dari cahaya datang.
Fotodetektor sering digunakan bersama laser pada hampir seluruh aplikasi
teknologi laser. Sebagai contoh, fotodetektor digunakan untuk mengukur dan
mengontrol daya output laser pada aplikasi kerja logam. Selain itu, fotodetektor
dibutuhkan untuk mengukur posisi dan gerak tepi interferensi dalam aplikasi
pengukuran jarak. Selain itu, fotodetektor bertugas sebagai penerima dalam
komunikasi optik. Fotodetektor dapat menghasilkan respon listrik berupa arus
listrik atau tegangan.
Sifat yang dimiliki fotodetektor diantaranya adalah respon yang tinggi pada
suatu panjang gelombang untuk dideteksi, nilai noise yg kecil dan kecepatan yang
cukup untuk mengikuti variasi sinyal optik yang akan dideteksi.
Gambar 2 menunjukkan lambang skematis fotodioda. Panah yang mengarah
ke dalam melambangkan cahaya yang datang. Sumber dan tahanan seri
memberikan prategangan balik pada fotodioda. Bila cahaya makin cerah maka
arus balik naik. Dalam fotodioda yang lazim arus balik tersebut besarnya sekitar
puluhan mikroampere.
Penelitian ini akan membuat film tipis BST yang didadah tantalum dengan
berbagai variasi doping. Film tipis yang dihasilkan akan diaplikasikan pada
rangkaian elektronik sensor warna terkait dengan kemampuannya menjadi
fotodetektor.

Gambar 2. Lambang skematis fotodioda

 21

Tujuan Penelitian
1. Mensintesis film tipis BST dan film tipis BST didadah Ta2O5 dengan
variasi persentase Ta2O5, yaitu 0%, 2.5%, 5%, 7.5%, 10%.
2. Membahas mengenai sifat fotodetektor dari film tipis BST didadah Ta2O5
yang ditumbuhkan dengan metode CSD.
3. Mengamati pengaruh doping Ta2O5 terhadap sifat listrik fotodetektor film
tipis. Film tipis BST dan BSTT yang dihasilkan akan di karakterisasi arus-
tegangan (I-V), konduktivitas listrik, sifat optik mencakup absorbansi dan
reflektansi, indeks bias, energi gap, dan mikrostruktur BST.

Perumusan Masalah
Salah satu jenis fotodetektor yang pernah dibuat adalah ZnSe metal–
insulator–semikonduktor (MIS). Fotodetektor ini disintesis pada substrat ZnSe
yang dilapisi oleh BST (Ba0.25Sr0.75TiO3) dan SiO2. Selain itu terdapat pula
fotodetektor berbasis GaN. Fotodetektor ini dibuat dari material yang memiliki
energi bandgap yang lebar. Hal ini menyebabkan terbentuknya fotodetektor yang
sensitif pada daerah panjang gelombang sinar ultra violet. Hal ini menimbulkan
munculnya ide pembuatan fotodetektor berbasis film tipis BST yang dibuat pada
substrat silikon. Fotodetektor ini sensitif pada daerah panjang gelombang sinar
tampak dan infra merah. Sehingga dapat diaplikasikan sebagai sensor warna yang
membutuhkan sensor yang peka pada daerah panjang gelombang cahaya tampak.