library.uns.ac.id digilib.uns.ac.

id

ANALISIS KARAKTERISTIK PADA BERBAGAI

KONFIGURASI TRIPLE QUANTUM DOTS SINGLE
ELECTRON TRANSISTOR (TQD-SET)
SET) MENGGUNAKAN
SIMON 2.0

SKRIPSI

Diajukan sebagai salah satu syarat

untuk memperoleh gelar
Sarjana Teknik

Oleh :

STEPHANUS HANURJAYA
NIM. I0714032

PRODI TEKNIK ELEKTRO

FAKULTAS TEKNIK UNIVERSITAS SEBELAS MARET
SURAKARTA
2018
library.uns.ac.id digilib.uns.ac.id

ii
library.uns.ac.id digilib.uns.ac.id

iii
library.uns.ac.id digilib.uns.ac.id

iv
library.uns.ac.id digilib.uns.ac.id

ANALISIS KARAKTERISTIK PADA BERBAGAI

KONFIGURASI TRIPLE QUANTUM DOTS SINGLE
ELECTRON TRANSISTOR (TQD-SET) MENGGUNAKAN
SIMON 2.0
STEPHANUS HANURJAYA

ABSTRAK

Single electron transistor (SET) memiliki potensi tinggi untuk

pengembangan teknologi quantum computing dengan konsumsi daya yang
rendah. Banyak penelitian yang telah dilakukan untuk menciptakan SET dengan
dopan sebagai quantum dot (QD). SET menggunakan konsep kerja dari single
electron tunneling dimana elektron menerobos satu persatu melalui tunnel
junction berdasarkan coulomb blockade effect. Penelitian ini akan mensimulasikan
berbagai konfigurasi dari triple quantum dots single electron transistor (TQD-
SET) menggunakan SIMON 2.0 dengan pendekatan eksperimen dari MOSFET
dengan dopan QD. Konfigurasi yang digunakan adalah konfigurasi seri, paralel,
dan segitiga. Nilai mutual capacitance (Cm) , tunnel junction (TJ), dan suhu dari
berbagai konfigurasi TQD-SET akan diubah. Karakteristik I-V pada tegangan
source-drain (Vsd) tertentu akan diamati dan dianalisis. Berdasarkan hasil yang
sudah dianalisa, dapat disimpulkan bahwa TQD seri memerlukan Vsd yang lebih
besar dibandingkan TQD yang dihubung paralel ataupun segitiga. Arus pada TQD
paralel cenderung stabil meskipun Cm diubah sedangakan arus pada TQD segitiga
sangat dipengaruhi oleh besar Cm. Dengan membandingkan ketiga konfigurasi ini,
dapat disimpulkan bahwa TQD paralel memiliki tunneling rate paling tinggi yang
disebabkan oleh tingginya probabilitas pergerakan arus melalui tiga dots ketika
diberi Vsd.

Kata kunci: single electron transistor (SET), triple quantum dots (TQD),
single electron tunneling, dopant, SIMON 2.0

v
library.uns.ac.id digilib.uns.ac.id

ANALYSIS OF CHARACTERISTICS IN VARIOUS TRIPLE

CONFIGURATION QUANTUM DOTS SINGLE ELECTRON
TRANSISTOR (TQD-SET) USING SIMON 2.0

STEPHANUS HANURJAYA

ABSTRACT

Single electron transistor (SET) has high potential for the development of
quantum computing technologies in order to provide low power consumption
electronics. For that purpose, many studies have been conducted to develop SET
using dopants as quantum dots (QD). The working principle of SET basically is a
single electron tunneling one by one through tunnel junction based on the
coulomb blockade effect. This research will simulate various configurations of
triple quantum dots single electron transistors (TQD-SET) using SIMON 2.0 with
an experimental approach of MOSFET with dopants QD. The configurations used
are series, parallel, and triangle configuration. The mutual capacitance (Cm),
tunnel junctions (TJ), and temperature values of TQD-SET configurations are
varied. The I-V characteristics are observed and analyzed for typical source-
drain voltage (Vsd). it is found that the TQD series requires larger Vsd than
parallel or triangular TQDs. On the other hands, the current in parallel TQD
tends to be stable even though Cm is changed, and the current in the TQD triangle
is strongly influenced by the Cm. By comparing these three configurations, it is
observed that the tunnelling rate is higher for parallel TQD due to higher
probability current moves through three dots by applying Vsd.

Keywords: single electron transistor (SET), triple quantum dots (TQD),

single electron tunneling, dopants, SIMON 2.0

vi
library.uns.ac.id digilib.uns.ac.id

KATA PENGANTAR

Puji syukur penulis panjatkan kepada Tuhan Yang Maha Esa atas segala
karunia-Nya sehingga skripsi ini berhasil diselesaikan dengan judul “Analisis
Karakteristik Pada Berbagai Konfigurasi Triple Quantum Dots Single Electron
Transistor (TQD-SET) Menggunakan SIMON 2.0”.
Laporan tugas akhir ini dapat terselesaikan dengan menerapkan ilmu studi
di perkuliahan Program Studi Teknik Elektro serta bimbingan dan dukungan dari
berbagai pihak sebagai syarat kelulusan mata kuliah Skripsi/Tugas Akhir pada
Program Studi Teknik Elektro Universitas Negeri Sebelas Maret Surakarta.
Penulis menyadari bahwa penyusunan laporan tugas akhir ini tidak lepas
dari bantuan dan dukungan banyak pihak. Penulis ingin menyampaikan rasa
terima kasih kepada:
1. Tuhan Yang Maha Esa yang telah memberikan rahmat dan hidayah-Nya
kepada penulis, sehingga penulis dapat menyelesaikan laporan tugas akhir
ini.
2. Segenap keluarga yang telah memberikan doa, dukungan dan kasih sayang
kepada penulis.
3. Bapak Dr. Miftahul Anwar, S.Si., M.Eng. selaku dosen pembimbing
pertama atas bimbingan, bantuan, dan waktu yang telah diberikan.
4. Bapak Meiyanto Eko Sulistyo, S.T., M.Eng. selaku dosen pembimbing
kedua dan akademis atas bimbingan dan bantuan yang telah diberikan.
5. Bapak Irwan Iftadi, S.T., M.Eng. selaku Kepala Program Studi Teknik
Elektro UNS atas bantuan dan dorongan yang telah diberikan.
6. Bapak Jaka Sulistya Budi, S.T. dan Bapak Feri Adriyanto Ph.D. selaku
koordinator tugas akhir.
7. Kepada segenap dosen dan karyawan Program Studi Teknik Elektro UNS.
8. Kepada seluruh teman-teman Teknik Elektro Universias Sebelas Maret
Surakarta dan teman-teman lainnya yang telah memberikan bantuan dan
forum diskusi.
Penulis menyadari bahwa skripsi ini masih belum sempurna, sehingga
kritik dan saran yang membangun sangat diharapkan. Penulis juga memohon maaf

vii
library.uns.ac.id digilib.uns.ac.id

apabila terdapat kesalahan dalam penulisan skripsi ini. Semoga skripsi ini dapat
menghasilkan laporan yang bermanfaat bagi banyak pihak.

Surakarta, Agustus 2018

Stephanus Hanurjaya
NIM. I0714032

viii
library.uns.ac.id digilib.uns.ac.id

DAFTAR ISI
HALAMAN JUDUL................................................................................................ i
SURAT TUGAS ..................................................................................................... ii
PERNYATAAN INTEGRITAS PENULIS ........................................................... iii
HALAMAN PENGESAHAN................................................................................ iv
ABSTRAK .............................................................................................................. v
KATA PENGANTAR .......................................................................................... vii
DAFTAR ISI .......................................................................................................... ix
DAFTAR TABEL ................................................................................................. xv
BAB I PENDAHULUAN ....................................................................................... 1
1.1. Latar Belakang Masalah ............................................................................... 1
1.2. Rumusan Masalah ........................................................................................ 3
1.3. Tujuan Penelitian .......................................................................................... 5
1.4. Manfaat Penelitian ........................................................................................ 5
1.5. Sistematika Penulisan ................................................................................... 6
BAB II TINJAUAN PUSTAKA............................................................................. 7
2.1. Perkembangan Transistor ......................................................................... 7
2.2. Istilah-Istilah pada Single Electron Transisor .......................................... 9
2.2.1. Quantum Dot / Island .........................................................................9
2.2.2. Single Electron Tunneling................................................................11
2.2.3. Coulomb Blockade ...........................................................................11
2.2.4. Coulomb Diamond ...........................................................................14
2.3. Field Effect Transistor (FET) ................................................................. 14
2.4. Single Electron Transistor (SET) ........................................................... 15
2.4.1. Prinsip kerja Single electron Transistor (SET) .....................................15
2.4.2. Triple Quantum Dots Single Electron Transistor (TQD-SET) .............16
2.5. SIMON 2.0 ............................................................................................. 17
BAB III METODOLOGI PENELITIAN.............................................................. 19
3.1. Alat dan Bahan ........................................................................................... 19
3.2. Diagram Alir Penelitian.............................................................................. 19
3.3. Jalannya Penelitian ..................................................................................... 20
3.4. Rancangan Rangkaian ................................................................................ 21
3.3.1. Single Quantum Dot Single Electron Transistor ..................................21
3.3.2. Double Quantum Dots Single Electron Transistor ...............................22
3.3.3. Triple Quantum Dots Single Electron Transistor dihubung Seri ..........23
3.3.4. Triple Quantum Dots Single Electron Transistor dihubung Paralel .....24
3.3.5. Triple Quantum Dots Single Electron Transistor dihubung Segitiga ...25
3.3.6. SOI-FET SILVACO TCAD .................................................................26
BAB IV HASIL DAN PEMBAHASAN .............................................................. 27
4.1. Perbandingan Berbagai Macam Rangkaian SET ................................... 27
4.1.1. Perbandingan Single Electron Transistor (SET) dengan Field
Effect Transistor (FET)...................................................................................27
4.1.2. Perbandingan SQD-SET, DQD-SET, dan TQD-SET .......................29
4.1.3. Perbandingan TQD-SET Seri, Paralel, dan Segitiga........................31
4.2. Mengubah Berbagai Parameter dari TQD Seri ...................................... 34
4.2.1. Nilai Mutual Capacitance.................................................................35
4.2.2. Nilai Tunnel Junction .......................................................................42
4.3. Mengubah Berbagai Parameter dari TQD Paralel .................................. 51

ix
library.uns.ac.id digilib.uns.ac.id

4.3.1. Nilai Mutual Capacitance.................................................................51

4.3.2. Nilai Tunnel Junction .......................................................................58
4.4. Mengubah Berbagai Parameter dari TQD Segitiga ................................ 76
4.4.1. Nilai Mutual Capacitance.................................................................76
4.4.2. Nilai Tunnel Junction .......................................................................84
4.5. Suhu pada TQD Seri, Paralel, dan Segitiga............................................ 95
BAB V KESIMPULAN DAN SARAN................................................................ 99
5.1. Kesimpulan ............................................................................................. 99
5.2. Saran ..................................................................................................... 100
DAFTAR PUSTAKA ......................................................................................... 101

x
library.uns.ac.id digilib.uns.ac.id

DAFTAR GAMBAR

Gambar 1.1 (a) Grafik prediksi Moore dan (b) Perkembangan Prosesor ......... 1
Gambar 1.2 Desain Quantum-Mechanical Computer dengan Konsep SET ..... 2
Gambar 1.3 Skema TQD SET oleh M. Y. Fathany, dkk. ................................. 3
Gambar 1.4 Skema TQD SET Seri dan Simulasi oleh S. Ramadhan, dkk. ..... 4
Gambar 2.1 (a) Point-Contact Transistor dan (b) Karakteristik V-I Dioda ...... 7
Gambar 2.2 (a) Transistor Junction Pertama dan (b) Karakteristik V-I BJT .... 8
Gambar 2.3 (a) Skematik FET Pertama dan (b) Karakteristik V-I FET ........... 8
Gambar 2.4 Doping Fosforus pada Silicon FET yang Diamati Menggunakan
KFM ............................................................................................ 10
Gambar 2.5 Karakteristik ID-VBG pada Silikon FET yang Diberi Doping
Fosforus ....................................................................................... 10
Gambar 2.6 Single Electron Box .................................................................... 11
Gambar 2.7 Grafik Peningkatan Elektron ....................................................... 12
Gambar 2.8 Kondisi Blokade .......................................................................... 12
Gambar 2.9 Proses Tunneling Elektron Ketika Diberi Tegangan Positif pada
Elektroda Gate............................................................................. 13
Gambar 2.10 Contoh Stability Diagram ........................................................... 14
Gambar 2.11 Transfer Elektron pada (a) Sets Dibandingkan dengan (b)
MOSFET 15
Gambar 2.12 Rangkaian SETs .......................................................................... 15
Gambar 2.13 Berbagai Konfigurasi Triple Quantum Dots ............................... 16
Gambar 2.14 User Interface SIMON 2.0 .......................................................... 17
Gambar 2.15 Diagram Alir Metode Monte Carlo Pada SIMON 2.0 ................ 18
Gambar 3.1 Diagram Alir Penelitian .............................................................. 19
Gambar 3.2 (a) Gambaran dan (b) Rancangan Simulasi Single Quantum
Dot Single Electron Transistor .................................................... 21
Gambar 3.3 (a) Gambaran dan (b) Rancangan Simulasi Double Quantum
Dots Single Electron Transistor .................................................. 22
Gambar 3.4 (a) Gambaran dan (b) Rancangan Simulasi Triple Quantum
Dots Single Electron Transistor Dihubung Seri .......................... 23
Gambar 3.5 (a) Gambaran dan (b) Rancangan Simulasi Triple Quantum
Dots Single Electron Transistor Dihubung Paralel ..................... 24
Gambar 3.6 (a) Gambaran dan (b) Rancangan Simulasi Triple Quantum
Dots Single Electron Transistor Dihubung Segitiga / Ring ........ 25
Gambar 3.7 Rancangan Simulasi Fully Depleted SOI-FET dari
SILVACO TCAD ....................................................................... 26
Gambar 4.1 Karakteristik V-I dari SQD-SET ................................................. 27
Gambar 4.2 Karakteristik V-I dari SOI-FET .................................................. 28
Gambar 4.3 (a) Karakteristik V-I dari SQD-SET, (b) DQD-SET, dan (c)
TQD-SET .................................................................................... 29
Gambar 4.4 Perbandingan Karakteristik V-I dari SQD-SET, DQD-SET,
dan TQD-SET ............................................................................. 30
Gambar 4.5 Stability Diagram TQD Seri........................................................ 31
Gambar 4.6 Stability Diagram TQD Paralel ................................................... 32
Gambar 4.7 Stability Diagram TQD Segitiga ................................................. 32

xi
library.uns.ac.id digilib.uns.ac.id

Gambar 4.8 Karakteristik V-I dari TQD-SET (a) Seri, (b) Paralel, dan (c)
Segitiga........................................................................................ 33
Gambar 4.9 Perbandingan Karakteristik V-I dari TQD-SET Seri, Paralel,
dan Segitiga ................................................................................. 34
Gambar 4.10 Rangkaian TQD Seri dan Pengukur Arus ................................... 34
Gambar 4.11 Karakteristik TQD Seri dengan Mutual Capacitance Cm2 (a)
1aF, (b) 0.7 aF, (c) 0.5 aF, dan (d) 0.3 aF ................................... 36
Gambar 4.12 Karakteristik TQD Seri dengan Mutual Capacitance Cm2 (a)
1aF, (b) 1.2 aF, (c) 1.4 aF, dan (d) 1.6 aF ................................... 37
Gambar 4.13 Karakteristik TQD Seri dengan Mutual Capacitance Cm1 (a)
1aF, (b) 0.7 aF, (c) 0.5 aF, dan (d) 0.3 aF ................................... 38
Gambar 4.14 Karakteristik TQD Seri dengan Mutual Capacitance Cm1 (a)
1aF, (b) 1.2 aF, (c) 1.4 aF, dan (d) 1.6 aF ................................... 39
Gambar 4.15 Karakteristik TQD Seri dengan Mutual Capacitance Cm1 dan
Cm2 Sebesar (a) 1aF, (b) 0.7 aF, (c) 0.5 aF, dan (d) 0.3 aF ......... 40
Gambar 4.16 Karakteristik TQD Seri dengan Mutual Capacitance Cm1 dan
Cm2 Sebesar (a) 1aF, (b) 1.2 aF, (c) 1.4 aF, dan (d) 1.6 aF ......... 41
Gambar 4.17 Karakteristik TQD Seri dengan Tunnel Junction TJ1 (a) 1aF,
(b) 0.8 aF, (c) 0.7 aF, dan (d) 0.6 aF ........................................... 43
Gambar 4.18 Karakteristik TQD Seri dengan Tunnel Junction TJ1 (a) 1aF,
(b) 1.2 aF, (c) 1.4 aF, dan (d) 1.6 aF ........................................... 44
Gambar 4.19 Karakteristik TQD Seri dengan Mutual Capacitance TJ2 (a)
1aF, (b) 0.8 aF, (c) 0.7 aF, dan (d) 0.6 aF ................................... 45
Gambar 4.20 Karakteristik TQD Seri dengan Tunnel Junction TJ2 (a) 1aF,
(b) 1.2 aF, (c) 1.4 aF, dan (d) 1.6 aF ........................................... 46
Gambar 4.21 Karakteristik TQD Seri dengan Tunnel Junction TJ1 dan TJ2
Sebesar (a) 1aF, (b) 0.8 aF, (c) 0.7 aF, dan (d) 0.6 aF ................ 47
Gambar 4.22 Karakteristik TQD Seri dengan Tunnel Junction TJ1 dan TJ2
Sebesar (a) 1aF, (b) 1.2 aF, (c) 1.4 aF, dan (d) 1.6 aF ................ 48
Gambar 4.23 TQD Seri (a) Tampak Atas, (b) Kondisi Normal, (c) TJ dan
Cm Diperkecil, dan (d) TJ dan Cm Diperbesar............................. 49
Gambar 4.24 Grafik Tinggi Arus dan Waktu Tunnel dari TQD Seri ............... 50
Gambar 4.25 Rangkaian TQD Paralel dan Pengukur Arus .............................. 51
Gambar 4.26 Karakteristik TQD Paralel dengan Mutual Capacitance Cm2
(a) 1aF, (b) 0.5 aF, (c) 0.3 aF, dan (d) 0.1 aF .............................. 52
Gambar 4.27 Karakteristik TQD Paralel dengan Mutual Capacitance Cm2
(a) 1aF, (b) 2 aF, (c) 3 aF, dan (d) 4 aF ....................................... 53
Gambar 4.28 Karakteristik TQD Paralel dengan Mutual Capacitance Cm1
(a) 1aF, (b) 0.5 aF, (c) 0.3 aF, dan (d) 0.1 aF .............................. 54
Gambar 4.29 Karakteristik TQD Paralel dengan Mutual Capacitance Cm1
(a) 1aF, (b) 2 aF, (c) 3 aF, dan (d) 4 aF ....................................... 55
Gambar 4.30 Karakteristik TQD Paralel dengan Mutual Capacitance Cm1
dan Cm2 (a) 1aF, (b) 0.5 aF, (c) 0.3 aF, dan (d) 0.1 aF ................ 56
Gambar 4.31 Karakteristik TQD Paralel dengan Mutual Capacitance Cm1
dan Cm2 (a) 1aF, (b) 2 aF, (c) 3 aF, dan (d) 4 aF ......................... 57
Gambar 4.32 Karakteristik TQD Paralel dengan Tunnel Junction TJ1 (a)
1aF, (b) 0.5 aF, (c) 0.1 aF, dan (d) 0.05 aF ................................. 59

xii
library.uns.ac.id digilib.uns.ac.id

Gambar 4.33 Karakteristik TQD Paralel dengan Tunnel Junction TJ1 (a)
1aF, (b) 2 aF, (c) 3 aF, dan (d) 4 aF ............................................ 60
Gambar 4.34 Karakteristik TQD Paralel dengan Tunnel Junction TJ2 (a)
1aF, (b) 0.5 aF, (c) 0.1 aF, dan (d) 0.05 aF ................................. 61
Gambar 4.35 Karakteristik TQD Paralel dengan Tunnel Junction TJ2 (a)
1aF, (b) 2 aF, (c) 3 aF, dan (d) 4 aF ............................................ 62
Gambar 4.36 Karakteristik TQD Paralel dengan Tunnel Junction TJ3 (a)
1aF, (b) 0.5 aF, (c) 0.1 aF, dan (d) 0.05 aF ................................. 63
Gambar 4.37 Karakteristik TQD Paralel dengan Tunnel Junction TJ3 (a)
1aF, (b) 2 aF, (c) 3 aF, dan (d) 4 aF ............................................ 64
Gambar 4.38 Karakteristik TQD Paralel dengan Tunnel Junction TJ4 (a)
1aF, (b) 0.5 aF, (c) 0.1 aF, dan (d) 0.05 aF ................................. 65
Gambar 4.39 Karakteristik TQD Paralel dengan Tunnel Junction TJ4 (a)
1aF, (b) 2 aF, (c) 3 aF, dan (d) 4 aF ............................................ 66
Gambar 4.40 Karakteristik TQD Paralel dengan Tunnel Junction TJ5 (a)
1aF, (b) 0.5 aF, (c) 0.1 aF, dan (d) 0.05 aF ................................. 67
Gambar 4.41 Karakteristik TQD Paralel dengan Tunnel Junction TJ5 (a)
1aF, (b) 2 aF, (c) 3 aF, dan (d) 4 aF ............................................ 68
Gambar 4.42 Karakteristik TQD Paralel dengan Tunnel Junction TJ6 (a)
1aF, (b) 0.5 aF, (c) 0.1 aF, dan (d) 0.05 aF ................................. 69
Gambar 4.43 Karakteristik TQD Paralel dengan Tunnel Junction TJ6 (a)
1aF, (b) 2 aF, (c) 3 aF, dan (d) 4 aF ............................................ 69
Gambar 4.44 Karakteristik TQD Paralel dengan Tunnel Junction TJ1, TJ2,
TJ3, TJ4, TJ5, dan TJ6 (a) 1aF, (b) 0.5 aF, (c) 0.1 aF, dan (d)
0.05 aF ......................................................................................... 70
Gambar 4.45 Karakteristik TQD Paralel dengan Tunnel Junction TJ1, TJ2,
TJ3, TJ4, TJ5, dan TJ6 (a) 1aF, (b) 2 aF, (c) 3 aF, dan (d)
4 aF .............................................................................................. 71
Gambar 4.46 TQD Paralel (a) Tampak Atas, (b) TJ Kondisi Normal, dan
(c) Cm Kondisi Normal ................................................................ 72
Gambar 4.47 TQD Paralel (a) TJ Diperkecil, (b) Cm Diperkecil, (c) TJ
Diperbesar, dan (d) Cm Diperbesar ............................................. 73
Gambar 4.48 TQD Paralel Ketika (a) Cm Diperkecil, (b) TJ Source
Diperkecil, dan (c) TJ Drain Diperkecil ...................................... 74
Gambar 4.49 Grafik Tinggi Arus dan Waktu Tunnel dari TQD Paralel .......... 75
Gambar 4.50 Rangkaian TQD Segitiga dan Pengukur Arus ............................ 76
Gambar 4.51 Karakteristik TQD Segitiga dengan Mutual Capacitance Cm1
(a) 1 aF, (b) 0.7 aF, (c) 0.6 aF, dan (d) 0.5 aF ............................. 77
Gambar 4.52 Karakteristik TQD Segitiga dengan Mutual Capacitance Cm1
(a) 1aF, (b) 1.4 aF, (c) 1.8 aF, dan (d) 2 aF ................................. 78
Gambar 4.53 Karakteristik TQD Segitiga dengan Mutual Capacitance Cm2
(a) 1aF, (b) 0.7 aF, (c) 0.5 aF, dan (d) 0.4 aF .............................. 79
Gambar 4.54 Karakteristik TQD Segitiga dengan Mutual Capacitance Cm2
(a) 1aF, (b) 1.4 aF, (c) 2 aF, dan (d) 4 aF .................................... 80
Gambar 4.55 Karakteristik TQD Segitiga dengan Mutual Capacitance Cm3
(a) 1aF, (b) 0.7 aF, (c) 0.5 aF, dan (d) 0.4 aF .............................. 81
Gambar 4.56 Karakteristik TQD Segitiga dengan Mutual Capacitance Cm3
(a) 1aF, (b) 1.4 aF, (c) 2 aF, dan (d) 4 aF .................................... 82

xiii
library.uns.ac.id digilib.uns.ac.id

Gambar 4.57 Karakteristik TQD Segitiga dengan Mutual Capacitance Cm1,

Cm2, dan Cm3 (a) 1aF, (b) 0.7 aF, (c) 0.4 aF, dan (d) 0.1 aF ........ 82
Gambar 4.58 Karakteristik TQD Segitiga dengan Mutual Capacitance Cm1,
Cm2, dan Cm3 (a) 1aF, (b) 1.4 aF, (c) 2 aF, dan (d) 4 aF ............ 83
Gambar 4.59 Karakteristik TQD Segitiga dengan Tunnel Junction TJ1 (a)
1aF, (b) 0.7 aF, (c) 0.4 aF, dan (d) 0.1 aF ................................... 85
Gambar 4.60 Karakteristik TQD Segitiga dengan Tunnel Junction TJ1 (a)
1aF, (b) 3 aF, (c) 4 aF, dan (d) 6 aF ............................................ 86
Gambar 4.61 Karakteristik TQD Segitiga dengan Tunnel Junction TJ2 (a)
1aF, (b) 0.7 aF, (c) 0.4 aF, dan (d) 0.1 aF ................................... 87
Gambar 4.62 Karakteristik TQD Segitiga dengan Tunnel Junction TJ2 (a)
1aF, (b) 3 aF, (c) 4 aF, dan (d) 6 aF ............................................ 88
Gambar 4.63 Karakteristik TQD Segitiga dengan Tunnel Junction TJ3 (a)
1aF, (b) 0.7 aF, (c) 0.4 aF, dan (d) 0.1 aF ................................... 89
Gambar 4.64 Karakteristik TQD Segitiga dengan Tunnel Junction TJ3 (a)
1aF, (b) 3 aF, (c) 4 aF, dan (d) 6 aF ............................................ 90
Gambar 4.65 Karakteristik TQD Segitiga dengan Tunnel Junction TJ1, TJ2,
dan TJ3 (a) 1aF, (b) 0.7 aF, (c) 0.4 aF, dan (d) 0.1 aF................. 90
Gambar 4.66 Karakteristik TQD Segitiga dengan Tunnel Junction TJ1, TJ2,
dan TJ3 (a) 1aF, (b) 3 aF, (c) 4 aF, dan (d) 6 aF .......................... 91
Gambar 4.67 TQD Segitiga (a) Tampak Atas, (b) dari Samping Kondisi
Normal, dan (c) Dilihat dari QD3 ............................................... 92
Gambar 4.68 TQD Segitiga dengan TJ dan Cm (a) Diperkecil Tampak
Samping, (b) Diperkecil Dilihat dari QD3, (c) ) Diperbesar
Tampak Samping, dan (d) Diperbesar Dilihat dari QD3 ............ 93
Gambar 4.69 Grafik Tinggi Arus dan Waktu Tunnel dari TQD Segitiga ........ 94
Gambar 4.70 Karakteristik TQD Seri dengan Suhu (a) 0 K, (b) 13 K, (c)
30 K, dan (d) 50 K....................................................................... 96
Gambar 4.71 Karakteristik TQD Paralel dengan Suhu (a) 0 K, (b) 13 K,
(c) 20 K, dan (d) 30 K ................................................................. 97
Gambar 4.72 Karakteristik TQD Segitiga dengan Suhu (a) 0 K, (b) 13 K,
(c) 30 K, dan (d) 50 K ..................................................................98

xiv
library.uns.ac.id digilib.uns.ac.id

DAFTAR TABEL

Tabel 3.1 Parameter dari Rancangan Simulasi Single Quantum Dot Single
Electron Transistor ............................................................................. 21
Tabel 3.2 Parameter dari Rancangan Simulasi Double Quantum Dots Single
Electron Transistor ............................................................................. 22
Tabel 3.3 Parameter dari Rancangan Simulasi Triple Quantum Dots Single
Electron Transistor yang Dihubung Seri ............................................ 23
Tabel 3.4 Parameter dari Rancangan Simulasi Triple Quantum Dots Single
Electron Transistor yang Dihubung Paralel ....................................... 24
Tabel 3.5 Parameter dari Rancangan Simulasi Triple Quantum Dots Single
Electron Transistor yang Dihubung Segitiga / Ring .......................... 25
Tabel 4.1 Variasi Parameter Mutual Capacitance TQD Seri ............................. 35
Tabel 4.2 Variasi Parameter Tunnel Junction TQD Seri.................................... 42
Tabel 4.3 Parameter Mutual Capacitance TQD Paralel ..................................... 51
Tabel 4.4 Variasi Parameter Tunnel Junction TQD Seri.................................... 58
Tabel 4.5 Variasi Parameter Mutual Capacitance TQD Segitiga ....................... 76
Tabel 4.6 Variasi Parameter Tunnel Junction TQD Segitiga ............................. 84
Tabel 4.7 Variasi Parameter Suhu TQD Seri, Paralel, dan Segitiga .................. 95

xv