Nama : Tsamarah Insyirah

NRP : 5001201155
Departemen : Fisika
Angkatan : 2020
Kode Praktikum : Transistor Sambungan Dwikutub (E6)
Asisten Laboratorium : Mbak Nabiha Rassya Islamy Satrio Putri

1. Jelaskan kembali mengenai semikonduktor dan sambungan semikonduktor yang telah

anda ketahui dari praktikum E5

Jawab : Semikonduktor adalah sebuah komponen yang memiliki konduktivitas listrik

yang terletak diantara insulator (isolator) dan konduktor. Atom asing memberikan
lowong kepada semikonduktor, berarti memberikan satu tempat kosong yang bisa
diisi oleh elektron dari bahan asli. Sebab itu atom asing dengan tiga elektron valensi
disebut akseptor (penyerap elektron). Konduktivitas seperti ini yang dihasilkan oleh
lowong disebut konduktivitas kekurangan elektron atau konduktivitas p.
Semikonduktor seperti ini biasa disebut semikonduktor p. Atom asing memberikan
elektron bebas kepada semikonduktor. sebab itu atom asing dengan lima elektron
valensi disebut donator (pemberi elektron). Konduktivitas yang dihasilkan oleh
kelebihan elekhon ini disebut konduktivitas kelebihan atau konduktivitas n. P-N
Junction adalah batas pertemuan antara kedua bahan semikonduktor tipe P dan tipe N
yang ada didalam sebuah kristal semikonduktor yang merupakan cikal bakal
komponen dioda, transistor dan IC. Prinsip dasar P-N Junction ini kemudian
diterapkan pada komponen elektronika seperti dioda yang bisa berfungsi sebagai
penyearah tegangan maupun penahan tegangan arah tertentu. Selain itu penerapan P-
N junction juga bisa lebih kompleks lagi pada komponen transistor.
2. Jelaskan aliran elektron pada transistor NPN dan PNP

Jawab : Pada transistor PNP, muatan arus akan mengalir dari emitor ke kolektor
ketika basis-nya diberikan muatan negatif (-). Sedangkan pada transistor NPN,
muatan arus akan mengalir dari kolektor ke emitor jika pada basis-nya diberikan
muatan positif.
3. Carilah datasheet dari transistor 2N2222. Ambil salah satu kurva karakteristik dan
interpretasikan grafik yang Anda ambil.

Jawab :

Jadi pada kurva karakteristik transistor terdapat 4 daerah (zona) yaitu daerah aktif,
daerah saturasi, daerah cut-off dan daerah breakdown. Transistor yang dirangkain
 untuk bekerja sebagai penguat signal (amplifier) akan bekerja pada daerah aktif.
Sedangkan transistor yang dirangkai sebagai saklar akan bekerja pada daerah saturasi
ketika dalam kondisi ON dan bekerja pada daerah cut-off ketika dalam kondisi OFF.
Bila kerja transistor masuk ke daerah breakdown, maka transistor menjadi rusak. Ke 4
daerah kerja transistor ini dapat digambarkan sebagai berikut.

4. Apa perbedaan karakteristik masukan, karakteristik keluaran, dan karakteristik

transfer ?

Jawab : karakteristik masukan adalah hubungan eksponensial I-V pada sambungan

emitro-basis. Karakteristik ini pada konfigurasi basis bersama adalah hubungan antara
Vbe dengan ie sedangkan pada konfigurasi emitor- bersama adalah hubungan antara
Vbe dengan ib. Karakteristik keluaran terdiri dari konfigurasi basis-bersama dan
konfigurasi. Karakteristik transfer berupa plot ic terhaap ib untuk suatu harga Vce
tertentu. Ini dapat diperoleh dengan mudah dari karakteristik keluaran. Kemiringan
dari kurva yang diperoleh secara langsung akan memberikan harga b dari hubungan
ic= β ib
5. Jelaskan bagaimana sebuah transistor dapat digunakan sebagai saklar.

Jawab : Dari banyak tipe-tipe transistor modern, pada awalnya ada dua tipe dasar
transistor, bipolar junction transistor (BJT atau transistor bipolar) dan field-effect
transistor (FET), yang masing-masing bekerja secara berbeda. Disebut Transistor
bipolar karena kanal konduksi utamanya menggunakan dua polaritas pembawa
muatan: elektron dan lubang, untuk membawa arus listrik. Dalam BJT, arus listrik
utama harus melewati satu daerah/lapisan pembatas dinamakan depletion zone, dan
ketebalan lapisan ini dapat diatur dengan kecepatan tinggi dengan tujuan untuk
mengatur aliran arus utama tersebut. FET (juga dinamakan transistor unipolar) hanya
menggunakan satu jenis pembawa muatan (elektron atau hole, tergantung dari tipe
FET). Dalam FET, arus listrik utama mengalir dalam satu kanal konduksi sempit
dengan depletion zone di kedua sisinya (dibandingkan dengan transistor bipolar di
mana daerah Basis memotong arah arus listrik utama). Dan ketebalan dari daerah
perbatasan ini dapat diubah dengan perubahan tegangan yang diberikan, untuk
mengubah ketebalan kanal konduksi tersebut. Lihat artikel untuk masing-masing tipe
untuk penjelasan yang lebih lanjut.