ELC 31318

MIKROELEKTRONIKA

Minggu 4
Karakteristik Bahan
Semikonduktor
II

2016/2017

M. Ilyas Hadikusuma, M.Eng

Mikroelektronika

Karakteristik Bahan Semikonduktor 2

Overview
Carrier dalam bahan semikonduktor ada dua macam, yaitu
elektron dan hole. Pada saat suhu 0 K, maka ikatan dalam
kristal silicon pada tempatnya. Artinya tidak ada perpindahan
elektron atau hole. Akan tetapi saat kondisi suhu tertentu,
partikel-partikel bermuatan ini akan bergerak. Semakin tinggi
suhu, maka jumlah partikel yang bergerak akan semakin
banyak sehingga terbentuk flux partikel dengan kecepatan
tertentu dan arah tertentu pula. Dengan demikian akan ada
tercipta aliran arus elektris (electrical current density)
Selain dipengaruhi suhu, mobilitas elektron dan hole juga
dipengaruhi oleh energi luar seperti cahaya.

2016/2017

M. Ilyas Hadikusuma, M.Eng

Mikroelektronika

Karakteristik Bahan Semikonduktor 2

Objek Pembelajaran :
Proses Generasi and Rekombinasi
Thermal Equilibrium
Energy band
Instrinsik dan Ekstrinsik SK
Mobilitas Carrier

2016/2017

M. Ilyas Hadikusuma, M.Eng

Mikroelektronika

Karakteristik Bahan Semikonduktor 2

Proses Generasi and Rekombinasi
Peristiwa pecahnya ikatan kovalent menjadi
elektron dan hole bebas dinamakan
Generation
Memerlukan energi dari luar berupa sumber
thermal atau cahaya
Generation rate =
Secara umum ,
2016/2017

M. Ilyas Hadikusuma, M.Eng

Mikroelektronika

Karakteristik Bahan Semikonduktor 2

Peristiwa pembentukan hole dan elektron
menjadi sebuah ikatan disebut
Recombination
Recombination akan menghasilkan energi
dalam bentuk panas atau cahaya.
Recombination rate :
Peristiwa recombination memerlukan 1
elektron dan 1 hole
2016/2017

M. Ilyas Hadikusuma, M.Eng

Mikroelektronika

Karakteristik Bahan Semikonduktor 2

Thermal Equilibrium (Kesetimbangan
Suhu)
Merupakan keadaan setimbang dan tidak
adanya energi luar. Dalam keadaan ini,
Generate Rate =
Recombination Rate =
Sehingga
Kesimpulannya : np adalah konstan dan
hanya tergantung pada suhu
2016/2017

M. Ilyas Hadikusuma, M.Eng

Mikroelektronika

Karakteristik Bahan Semikonduktor 2

Energy Band
Merupakan cara
representatif untuk
menampilkan besarnya
energi tiap bahan.
Karena jarak atom
pembentuk kristal yang
berbeda, maka tiap
bahan akan memiliki
energi yang berbeda
pula.
2016/2017

M. Ilyas Hadikusuma, M.Eng

Mikroelektronika

Karakteristik Bahan Semikonduktor 2

Conduction band adalah level energi yang berhubungan
dengan elektron, yang tidak terikat dengan atom kristal
dan dapat bergerak dalam kristal tersebut.
Valency Band adalah level energi yang berhubungan
dengan hole yang dapat bergerak dalam atom kristal.
Diantara kedua band energy ini terdapat band gap yang
merupakan forbidden area bagi elektron
Eg = Ec -Ev
2016/2017

M. Ilyas Hadikusuma, M.Eng

Mikroelektronika

Karakteristik Bahan Semikonduktor 2

Intrinsik dan Ekstrinsik SK

Semionduktor dibagi 2 macam :
Intrinsik; semikonduktor yang murni (belum kotori
dengan atom lain)
Ekstrinsik; semikonduktor yang sudah dikotori
dengan atom lain
Semikonduktor Ekstrinsik dibagi menjadi 2 : tipe N
dan tipe P.
2016/2017

M. Ilyas Hadikusuma, M.Eng

Mikroelektronika

Karakteristik Bahan Semikonduktor 2

Semikonduktor Instrinsik
Pertanyaannya:
Pada thermal equilibrium, berapa banyak elektron
ataupun hole di dalam sebuah semikonduktor
murni?

Seandainya ikatan kovalennya pecah, maka

dihasilkan elektron dan hole bebas dimana
konsentrasi keduanya berimbang (sama).
2016/2017

M. Ilyas Hadikusuma, M.Eng

Mikroelektronika

Karakteristik Bahan Semikonduktor 2

Dengan demikian

ni = konsentrasi intrinsik;
A0 = Tetapan tak bergantung suhu
T = suhu
Eg = energi gap pada 0 K
K = tetapan Boltzman

ni A0T 3e

Eg
KT

Atom-atom Gol IV merupakan bahan semikonduktor

intrinsik
2016/2017

M. Ilyas Hadikusuma, M.Eng

Mikroelektronika

Karakteristik Bahan Semikonduktor 2

Konduktansi ()

qni ( n r )
Resistansi ()

qni ( n r )

q = muatan elektron (1,602x10-19)

n = mobilitas elektron (cm-2/s)
r = mobilitas hole (cm-2/s)
2016/2017

M. Ilyas Hadikusuma, M.Eng

Mikroelektronika

Karakteristik Bahan Semikonduktor 2

2016/2017

M. Ilyas Hadikusuma, M.Eng

Mikroelektronika

Karakteristik Bahan Semikonduktor 2

Semikonduktor Ekstrinsik
Doping merupakan proses pengotoran
atom oleh atom lain untuk tujuan tertentu
seperti mambuat carrier.
Proses Doping ada dua macam :
Donor : memberikan sebagian elektron
pada suatu atom
Aseptor : memberikan sebagian hole pada
sebuah atom
2016/2017

M. Ilyas Hadikusuma, M.Eng

Mikroelektronika

Karakteristik Bahan Semikonduktor 2

Atom donor
Untuk Silicon, diperlukan
atom bervalensi 5.
4 atom membentuk ikatan
1 atom mudah berpindah
Atom Aseptor
Untuk Silicon, diperlukan
atom bervalensi 3.
3 atom membentuk ikatan
1 hole mudah terisi
2016/2017

M. Ilyas Hadikusuma, M.Eng

Mikroelektronika

Karakteristik Bahan Semikonduktor 2

Dalam perspektif atom donor, maka kelebihan
elektron tersebut akan mengakibatkan konsentrasi
elektron hasil doping lebih besar dari konsentrasi
intrinsiknya (nni) sehingga terbentuk semikonduktor
tipe n

2016/2017

M. Ilyas Hadikusuma, M.Eng

Mikroelektronika

Karakteristik Bahan Semikonduktor 2

Dalam perspektif atom aseptor, maka kekurangan
elektron tersebut akan mengakibatkan konsentrasi
hole lebih besar dari konsentrasi intrinsiknya (pni)
sehingga terbentuk semikonduktor tipe p

2016/2017

M. Ilyas Hadikusuma, M.Eng

Mikroelektronika

Karakteristik Bahan Semikonduktor 2

Semikonduktor tipe p

Semikonduktor tipe n

Secara umum, konsentrasi atom donor/aseptor = 1015 - 1020 cm-3

Konsentrasi atom Si pada suhu kamar = 1010 cm-3
2016/2017

M. Ilyas Hadikusuma, M.Eng

Mikroelektronika

Karakteristik Bahan Semikonduktor 2

Mobilitas elektron dalam Semikonduktor
Aliaran arus dalam semikonduktor dapat
timbul disebabkan oleh dua hal, yaitu :
1.Gerakan carrier yang muncul akibat adanya
medan listrik (arus drift)
2.Difusi carrier dari daerah konsentrasi tinggi ke
daerah konsentrasi rendah (arus difusi)

2016/2017

M. Ilyas Hadikusuma, M.Eng

Mikroelektronika

Karakteristik Bahan Semikonduktor 2

Arus Drift
Arus ini mucul karena adanya medan listrik luar.
Ketidaksempurnaan kristal Si dan adanya dopant
yang terionisas akan menimbulkan kantungkantung atom yang tidak beraturan (scattering).
Jika suhu dinaikkan diatas suhu mutlak, maka
akan tersimpan energi dalam atom yang
mengakibatkan atom keluar dari tempatnya.
Bersamaan dengan ini, ada energi reaksi untuk
mengembalikan atom pada posisinya semula.
Energi ini menimbulkan osilasi dan beresonansi
terhadap atom-atom lainnya.
2016/2017

M. Ilyas Hadikusuma, M.Eng

Mikroelektronika

Karakteristik Bahan Semikonduktor 2

Arus Drift (2)
Didalam kantung-kantung
atom ini, elektron bergerak
dengan cepat (thermal
velocity). Arahnya tidak
beraturan dan terjadi
tubrukkan (collision). Dengan
adanya medan listrik, arus
thermal ini dapat
diseragamkan (sesuai dengan
arah medan)
2016/2017

M. Ilyas Hadikusuma, M.Eng

Mikroelektronika

Karakteristik Bahan Semikonduktor 2

Vd = drift velocity (cm2/s)

Untuk elektron

Untuk hole
jika c naik, mobilitasnya naik
jika m ringan, mobilitasnya naik
2016/2017

M. Ilyas Hadikusuma, M.Eng

Mikroelektronika

Karakteristik Bahan Semikonduktor 2

Kerapatan arus drift dipengaruhi oleh
muatan, kecepatan drift, dan konsentrasi
carrier

(Total)
2016/2017

M. Ilyas Hadikusuma, M.Eng

Mikroelektronika

Karakteristik Bahan Semikonduktor 2

Resistivity untuk mengetahui jumlah dopant :

Semikonduktor tipe - n
2016/2017

Semikonduktor tipe - p

M. Ilyas Hadikusuma, M.Eng

Mikroelektronika

Karakteristik Bahan Semikonduktor 2

Contoh Soal :
Jika

Tentukan :

2016/2017

M. Ilyas Hadikusuma, M.Eng

Mikroelektronika

Karakteristik Bahan Semikonduktor 2

Arus Difusi
Difusi adalah perpindahan yang disebabkan
karena perbedaan tingkat konsentrasi.
Elemen-elemen yang mempengaruhi difusi :
1. Medium (kristal Si)
2. Jumlah elektron dan hole dalam medium
3. Tumbukan antar partikel dan medium
menghantarkan partikel tersebut ke arah
yang acak
2016/2017

M. Ilyas Hadikusuma, M.Eng

Mikroelektronika

Karakteristik Bahan Semikonduktor 2

Flux difusi disebabkan adanya perbedaan konsentrasi
partikel.
Flux = jumlah partikel yang melewati satu unit area per
detik (cm-2s-1)

D = Koefisiean konsentrasi
2016/2017

M. Ilyas Hadikusuma, M.Eng

Mikroelektronika

Karakteristik Bahan Semikonduktor 2

Konsentrasi arus difusi didefinisikan hasil
perkalian antara muatan dengan flux carrier

2016/2017

M. Ilyas Hadikusuma, M.Eng

Mikroelektronika

Karakteristik Bahan Semikonduktor 2

Relasi Einstein

Pada suhu 300K :

2016/2017

M. Ilyas Hadikusuma, M.Eng

Mikroelektronika

Karakteristik Bahan Semikonduktor 2

Jumlah total konsentrasi arus dalam
semikonduktor :

Arus drift dan difusi dapat diatur dengan teknologi

microelectronic modern
2016/2017

M. Ilyas Hadikusuma, M.Eng

Mikroelektronika

Karakteristik Bahan Semikonduktor 2

Perubahan tegangan pada SK dengan
doping tidak merata

Konsentrasi hole p sebagai fungsi x.

Dalam keadaan mantap dan tanpa ada eksitasi energi,
maka tidak ada aliran muatan dalam batang sehingga arus
hole = 0. Karena konsentrasi p tidak konstan, maka terjadi
arus difusi hole. Agar arus hole tetap 0 maka harus ada
arus drift yang sama dan berlawanan arus. Agar arah arus
seragam, maka diperlukan medan listrik
2016/2017

M. Ilyas Hadikusuma, M.Eng

Mikroelektronika

Karakteristik Bahan Semikonduktor 2

Maka pada material SK dengan doping tidak
merata, akan terjadi medan listrik.
Dari persamaan :
VT dp
Untuk Jp = 0 dan Dp= pVT, E
pdx
dan
dp
dV
dV VT
E
p
dx
V21
p1
VT
V21 V2 V1 VT ln
p

p
e
atau 1
2
p2
2016/2017

M. Ilyas Hadikusuma, M.Eng

Mikroelektronika

Karakteristik Bahan Semikonduktor 2

Sambungan pn yang berubah secara bertahap
(step graded)
p
Na

n
Nd

V0 V21 VT ln

Pp 0
Pn 0

Sambungan step graded terletak pada bidang

dengan konsentrasi 0 sehingga terjadi
potensial kontak V0.
2016/2017

M. Ilyas Hadikusuma, M.Eng

Mikroelektronika

Karakteristik Bahan Semikonduktor 2

Dalam hal ini
p1=Pp0 = konsentrasi hole di daerah p
p2=Pn0 = konsentrasi hole di daerah n
Karena Pp0 = Na dan Pn0 = ni2/Nd, maka :

kT Na.Nd
V0
ln
q
n i2
k = 1.38 x 10-23 = tetapan boltzmann

2016/2017

M. Ilyas Hadikusuma, M.Eng

Mikroelektronika

Latihan
Daerah sambungan tipe-p dari PN step silicon
didoping dengan atom boron sebesar 1016 per cm3,
dan daerah tipe-n yang didoping dengan atom fosfor
1018 per cm3. Jika semua atom doping terionisasi
dengan baik, konsentrasi carrier intrinsik dalam silikon
adalah 1.5 x 1010 per cm3, tentukan :
a.Konsentrasi hole di daerah p
b.Konsentrasi elektron di daerah p
c.Konsentrasi hole di daerah n
d.Konsentrasi elektron di daerah n
e.Potensial yang muncul akibat diffusi elektron dan
hole
2016/2017

M. Ilyas Hadikusuma, M.Eng

Mikroelektronika