TUGAS MANDIRI

RANGKAIAN BIAS TRANSISTOR

Oleh :

A.Ludfi Nur Kasan

NIM.1607122669

PROGRAM STUDI TEKNIK ELEKTRO S1

FAKULTAS TEKNIK
UNIVERSITAS RIAU
2017
 Pendahuluan
Voltage-Divider Bias (bias pembagi tegangan):
metode mem-bias transistor untuk operasi linier
menggunakan single source resistive voltage
divider.
Bias Pembagi Tegangan
Tegangan bias dc pada base transistor dapat
diberikan dengan pembagi tegangan resistif
yang terdiri dari R1 dan R2, seperti pada
gambar.
VCC adalah tegangan suplai kolektor dc. Dua
bagian arus antara titik A dan ground; satu
melalui R2 dan yang lain melalui junction
base-emitor dari transistor dan RE.
 BJT (Karakteristik dan Cara Kerja BJT)

Transistor secara tradisional telah digunakan sebagai alat-alat amplifikasi

(penguat), di mana kontrol basis arus digunakan untuk membuat transistor
konduktif hingga derajat yang lebih besar atau lebih kecil. Hingga barubaru
ini, mereka tidak banyak digunakan untuk aplikasi power elektronik Alasan
utama adalah karena sirkuit-sirkuit protektif dan kontrol jauh lebih rumit dan
mahal, dan transistor tidak tersedia untuk aplikasi berdaya tinggi. Mereka juga
tidak mempunyai kapasitas overload thyristor dan untuk melindungi transistor
dengan sekering tidak layak.

Gambar 1. Dua Jenis Bipolar Junction Transistor (BJT)

Transistor NPN, yang dikenal sebagai BJT, adalah alat hemat biaya untuk
digunakan dalam konverter elektronika daya. BJT modern biasanya disuplai
dalam sebuah modul yang dipadatkan dan masing-masing BJT mempunyai
dua terminal power, yang dinamakan kolektor (C) dan emitter (E), dan satu
terminal kontrol ketiga yang dinamakan base (b)
 BJT (Bipolar Junction Transistor) tersusun atas tiga material
semikonduktor terdoping yang dipisahkan oleh dua sambungan pn.
Ketiga material semikonduktor tersebut dikenal dalam BJT sebagai
emitter, base dan kolektor (Gambar 1). Daerah base merupakan
semikonduktor dengan sedikit doping dan sangat tipis bila
dibandingkan dengan emitter (doping paling banyak) maupun kolektor
(semikonduktor berdoping sedang). Karena strukturnya fisiknya yang
seperti itu, terdapat dua jenis BJT.
Tipe pertama terdiri dari dua daerah n yang dipisahkan oleh daerah p
(npn), dan tipe lainnya terdiri dari dua daerah p yang dipisahkan oleh
daerah n (pnp). Sambungan pn yang menghubungkan daerah base dan
emitter dikenal sebagai sambungan base-emiter (base-emitter junction),
sedangkan sambungan pn yang menghubungkan daerah base dan
kolektor dikenal sebagai sambungan base-kolektor (base-collector
junction).
Gambar 2 di bawah ini menunjukkan simbol skematik untuk bipolar junction
transistor tipe npn dan pnp. Istilah bipolar digunakan karena adanya elektron dan hole
sebagai muatan pembawa (carriers) didalam struktur transistor.

v
Gambar 2. Simbol BJT tipe npn dan pnp
 Karakteristik BJT

1. Transitor BJT dan transistor lainnya memiliki carakerja yang sama,

namun dengan karakteristik yang berbeda seperti :
2. Konversi: Transistor BJT mengkonversikan arus menjadi arus
3. Arus input : Transistor BJT membutuhkan arus input, berbeda dengan
jenis lainnya (Transitor FE) yang tidak membutuhkan arus input.
4. Input/Output : Hubungan input/output pada transistor BJT biasanya linear
(ini direpresentasikan kalau grafik yang bias dilihat berupa garis lurus),
tetapi tidak linear untuk jenis sinyal yang besar atau bertegangan tinggi.
5. Kecepatan : Transistor BJT dapat dirasa cukup untuk memenuhi
kebutuhan kebanyakan besar aplikasi rangkaian elektronika (dapat
melaksanakan pensaklaran atau switching secara lebih cepat).
6. Resistor input: Transistor BJT membutuhkan sebuah rsesistor di depan
kaki terminal gatenya.
7. Tahanan/ hambatan output: kebanyakan transistor jenis ini memiliki
tahanan yang rendah ketika dalam keadaan aktif
 Cara Kerja BJT

Transistor BJT sering digunakan untuk pengauatan sinyal

listrik serta pada saklar digital, Bipolar Junction Transistor (BJT)
adalah komponen semikonduktor yang dibuat dengan
tigaterminal/kaki semikonduktor (Basis, Kolektor dan emitor),
baiasanya kaki/ terminal basis dan emitor memiliki tegangan
penghalang sekitar 0.5-0.7V, artinya bahwa dibutuhkan tegangan
listrik minimal 0.5-0.7 V untuk bias membuat arus listrik mengalir
melalui kaki emitor ke basis (basis ke emitor) dan atau kolektor ke
basis (basis ke kolektor)
 Secara teknis cara kerja transistor adalah komponen
aktif dengan tiga terminal terbuat dari bahan semikonduktor
yang berbeda yang dapat bertindak bias sebagaiisolator atau
konduktor dalam menggunakan tegangan dan sinyal yang
kecil. Kemampuan transistor membuat komponen ini sering
digunakan dalam saklar (elektronika digital) atau penguat
(elektronika analog).
 Prinsip Kerja Transistor

Gambar 3 menunjukkan rangkaian kedua jenis transistor npn

dan pnp dalam mode operasi aktif transistor sebagai amplifier. Pada
kedua rangkaian, sambungan base-emiter (BE) dibias maju (forward-
biased) sedangkan sambungan base-kolektor (BC) dibias mundur
(reverse-biased).

Gambar 3. Forward-Reverse Bias pada BJT

 Sebagai gambaran dan ilustrasi kerja transistor BJT, misalkan pada transistor
npn (gambar 4). Ketika base dihubungkan dengan catu tegangan positif dan emiter
dicatu dengan tegangan negatif maka daerah depletion BE akan menyempit. Pencatuan
ini akan mengurangi tegangan barrier internal sehingga muatan mayoritas (tipe n)
mampu untuk melewati daerah sambungan pn yang ada. Beberapa hole dan elektron
akan mengalami rekombinasi di daerah sambungan sehingga arus mengalir melalui
device dibawa oleh hole pada base(daerah tipe-p) dan elektron pada emiter (daerah
tipe-n ). Karena derajat doping pada emiter (daerah tipe n) lebih besar daripada base
(daerah tipe p), arus maju akan dibawa lebih banyak oleh elektron. Aliran dari muatan
minoritas akan mampu melewati sambungan pn sebagai kondisi reverse bias tetapi
pada skala yang kecil sehingga arus yang timbul pun sangat kecil dan dapat diabaikan.

Elektron banyak mengalir dari emiter ke daerah base yang tipis. Karena
daerah base berdoping sedikit, elektron pada hole tidak dapat berekombinasi
seluruhnya tetapi berdifusi ke dalam daerah depletion BC. Karena base dicatu negatif
dan kolektor dicatu positif (reverse bias), maka depletion BC akan melebar. Pada
daerah depletion BC, elektron yang mengalir dari emiter ke base akan terpampat pada
daerah depletion BC. Karena pada daerah kolektor terdapat muatan minoritas (ion
positif) maka pada daerah sambungan BC akan terbentuk medan listrik oleh gaya tarik
menarik antara ion positif dan ion negatif sehingga elektron tertarik kedaerah kolektor.
Arus listrik kemudian akan mengalir melalui device.
 Hasil Simulasi
Rangkaian Bias Transistor Pembagi Tegangan
 Hasil Simulasi
Rangkaian Bias Emitter